JPS63304593A - マグネトロン用高周波電源装置 - Google Patents

マグネトロン用高周波電源装置

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JPS63304593A
JPS63304593A JP62138769A JP13876987A JPS63304593A JP S63304593 A JPS63304593 A JP S63304593A JP 62138769 A JP62138769 A JP 62138769A JP 13876987 A JP13876987 A JP 13876987A JP S63304593 A JPS63304593 A JP S63304593A
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magnetron
time
heater
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voltage
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JP62138769A
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Teruaki Otaka
尾高 照明
Hisao Amano
天野 比佐雄
Yasuo Matsuda
松田 靖夫
Kiichi Tokunaga
紀一 徳永
Masayoshi Sato
正好 佐藤
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Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Japan Display Inc
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Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、一般的には高周波のスイッチング電源番ζ係
り、特に電子レンジに好適なマグネトロン用高周波電源
に関する。
〔従来の技術〕
マグネトロンは、ヒータで陰極を1700℃程度に加熱
した状態で、陰極と陽極間に約4KVの電圧を印加して
陰極から陽極へ′亀子を飛ばせ、この電子が陽極に到達
する際にマイクロ波を発生させようとするものである。
しかし、陽極で発生したマイクロ波は、ヒータへも伝わ
り、マグネトロン外部へ漏れ出す可能性がある。このた
め従来のマグネトロンでは、第9図に示したように、マ
グネトロン9のヒータ端子9−1にL(インダクタ)と
C(コンデンサ)よりなるローパスフィルタを設け、マ
イクロ波漏れを防いでいる。ここでLの値は5〜10μ
H程度である。
一方、ヒータ自体の抵抗値は低温時は0.03Ω程度で
、定常運転した高温時には0.3Ω程度になるのが一般
的である。
ここで、従来電子レンジ用電源として使われている低周
波(商用周波数: 50/60Hz )のトランスを用
いた電源を使うと、起動時におけるヒータの電流及び温
度は、第10図のような立上り特性になる。
つまり、起動時のヒータは低抵抗であるため、そこに流
れる電流は大きな値となる。その結果、ヒータの温度が
急上昇し、その抵抗値が増加するので、そこに流れる電
流は徐々に減って、時刻isで定常動作となる。定常動
作に達するまでの時間は約2〜3秒である。
第11図は高周波電源を用いた時の、起動時におけるヒ
ータの電流及び温度立上り特性を示している。高周波電
源を利用する場合も、起動時は定常時に比べて、上記と
同様な動作でやや大きめの電流が流れる。
しかしこの場合は、マグネトロン9のヒータ9一1に設
けられたインダクタLのインピーダンスが、高周波電源
の周波数帯では無視できない程度に大きくなっている。
このため、ヒータ9−1に流れる電流がLによって抑制
されて、商用周波数を使用した電源に比較すると、流れ
る電流値は小さく、ヒータの温度上昇も緩やかになって
しまう。高周波電源を用いた場合、定常動作に達するま
での時間は約5〜6秒を要し、電子レンジとしての動作
時間効率が低下する。
従がって、高周波電源でマグネトロンを駆動する場合は
、起動時において出力レベルを定常時よりも高い値に設
定、制御し、ヒータの加熱時間を短縮する必要がある。
一方、上記とは逆にt特開昭53−24649号公報の
ように、起動時は出力レベルを所定値よりも低い値に制
御する方法が知られている。
しかし、これは、起動時においてヒータが加熱するまで
は、マグネトロンの陽極−陰極間が無負荷状態になるた
め、定常時より高い電圧が陽極−陰極間に発生するのを
防ぎ、使用する素子を低耐圧のものでよいようにするの
が目的である。
そして、このように動作させれば、ヒータの所要カロ熱
時間はさらに長くなり、電子レンジとしての動作時間効
率がさらに低下することは明らかである。また、特にヒ
ータが断線するなどの事故を考慮すると、陽極−陰極間
に高電圧が発生するパターンが数々予想される。
したがって、低電圧素子で構成しようとする、前記公報
に記載の方式はあまり実用的なものとは言えない。
また、特開昭60−112285号公報に於いては、起
動時のヒータ加熱電圧が定常動作時よりも高くなるよう
にした変圧器巻線構造について論じられている。
しかし、高周波電源では、ヒータの電流は、主として前
述したマイクロ波漏れ防止用のインダクタLによって抑
制されるので、商用周波数の電圧を用いた時のような、
ヒータの抵抗値変化による大きなヒータ電流の変化は生
じない。
このため、変圧器巻線構造を変えてヒータ加熱電圧を若
干高くしても、高周波電源では、ヒータ電流を大幅に増
やしてその加熱時間を短縮することは、あまり期待でき
ない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前に述べた従来の技術では、高周波電源でマグネトロン
を駆動する場合における、立上り時のヒータ加熱時間を
短縮することと、陽極−陰極間の高電圧発生を防止する
ことを両立させることが難かしいという問題があった。
本発明の目的は、マグネトロン駆動用として高周波電源
を用いた場合、起動時においてヒータを急速加熱すると
共に、陽極−陰極間に高電圧が発生するのを防止するこ
とのできる、マグネトロン用高周波電源装置を提供する
ことにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、電源起動当初において、出力レベルを所定
値よりも高い値に設定し、前記設定値が高い程、変圧器
の入力巻線に一次電流を流す時間を長(すると共に、マ
グネトロンが定常動作を行なうようになった後では出力
レベル設定値を基準値に戻すことによって達成される。
〔作用〕
起動時において電源の出力レベルを所定値より太き(す
ると、スイッチング素子のオン期間が長くなり、しかも
変圧器の励磁インダクタンスに蓄えられるエネルギーも
大きくなる。このため、ヒータ加熱電圧波形の周波数が
下がり、しかも、変圧器の励磁インダクタンスに蓄えた
エネルギーの放出期間の電圧は増大するので、ヒータの
加熱が急速に行われ、マグネトロンが定常動作を開始す
るまでの時間が短縮される。
そして、マグネトロンが定常動作を開始した後は、電源
の出力レベル設定値を所定値に切り挨えて定常運転を行
わせる。
〔実施例〕
実施例1 以下、本発明の一実施例を第1図及び第2図を用いて説
明する。
第1図において、直流電源1の両端には、変圧器4の入
力巻線5とスイッチング素子3が直列に接続される。ス
イッチング素子3には、これをオン、オフ制御する制御
回路2が接続され、制御回路2には時間設定回路10が
接続される。
変圧器4の第1の出力巻線6には、尚圧整流回路8を通
してマグネトロン9の陽極と陰極が接続され、才だ変圧
器4の第2の出力巻線7正こはマグネトロン9のヒータ
が接続されている。
前記制御回路2は、定常時用の制御レベルと、これより
も高い起動時用の制御レベルを備えており、そのいずれ
が選択されるかに応じて、当該電源の出力レベルを選択
し、設定することができる。
また、時間設定回路10は、マグネトロンの起動に要す
る時間をあらかじめ設定しておき、制御回路2の制御レ
ベルを、その時間に応じて切り換え、これによって電源
の出力レベルを制御するものである。
第1図に示した回路の動作を、第2図のタイミングチャ
ートを参照して説明する。
第2図の(、)は制御回路2で設定された制御レベル、
すなわち電源の出力レベル設定値を、同図(b)はマグ
ネトロン9のヒータの温度を、同図(c)はマグネトロ
ン9の陽極−陰極間の電圧を、また同図(d)はマグネ
トロン9の陽極−陰極間に流れる電流を、それぞれ時間
の関数として示している。
なお、第2図において、波形Cおよびdは、マグネトロ
ン9が高周波動作するために、実際は高周波になるが、
図の簡略化のために平均値で示している。
時刻t。において電源1が投入されると、制御回路2は
、(、)のように起動用の制御レベルe2 として、所
定の制御レベルe1より高い値に設定され、これに基づ
いてスイッチング素子3が駆動される。
すなわち、スイッチング素子3は、そのオン期間のオフ
期間に対する比率(デユーティ比)が比較的大きくなる
ようにオン・オフ制御される。その結果、マグネトロン
電圧はこれに見合って、同図(c)のように定常値より
も高い電圧V、となる。
高周波電源は後述の第7区で説明するように動作するの
で、ヒータの加熱電圧の周波数が低下すると共に電圧値
が増大する。このため、周波数の低下によるマイクロ波
漏れ防止用のLのインピーダンスの低下と加熱電圧の増
大によりヒータの電流は大幅に増大する。
これにより、同図(b)に示すように、ヒータは急速に
加熱されて昇温し、時刻t1には、マグネトロンを臨界
動作させる。すなわち、マグネトロンの陽極−陰極間で
電流が流れたり止まったりする状態になる。そして、時
刻t2においてヒータが所定温度H8に達した後、マグ
ネトロン9を定常動作させる。
この時のマグネトロン電圧は、電源の出力レベル設定値
がC1と高く設定されているため、ヒータ温度がHlに
達するまでは、同図(C)のように定常電圧v1より高
い電圧V、になっている。
また時刻t2以降は、マグネトロンは定電圧動作するた
めその電圧は定常の値v8 に落ち着く。
このため、マグネトロンの陽極電流が所定電流工。
より大きな電流値工、となる。
しかし、このままではマグネトロン9に所定値より大き
な出力を与えることになるため、時刻t3において、時
間設定回路10で電源の出力レベル設定値をより低い値
e1に切換える。これにより制御回路2は、それに見合
った電源出力となるようにスイッチング素子3を駆動す
る。
具体的にいえば、スイッチング素子3のオン期間のオフ
期間に対する比率(デユーティ比)が比較的小さくなる
ようにオン・オフ制御する。これによって、同図(d)
(b)のように、マグネトロン陽極電流は所定電流工、
になり、ヒータ温度も所定温度H1となる。
このようにして本実施例によれば、起動時において、ヒ
ータを急速加熱するCとができ、マグネトロンが定常動
作に達するまでの時間を短縮することができる。
実施例2 本発明の第2の実施例を第3図及び第4図を用いて説明
する。
第3図は、第1図に示した実施例回路において、時間設
定回路10を取り去り、その代りに、マグネトロン9の
陽極電流を検出する回路11および演算回路12を設置
し、この演算回路2の出力を制御回路2へ接続したもの
に相当する。
この実施例では、検出回路11で検出した陽極電流値が
演算回路2へ送られる。演算回路12は、この電流値が
所定の値になるよう演算して、電源の出力レベル設定値
を決定するフィードバック制御を行なう。
マグネトロン9の陽極−陰極間の電圧は、マグネトロン
が定常動作している時は、はぼ一定の電圧値であるため
、マグネトロンの陽極電流を一定にすれば、定電力が印
加されることになる。
なお、この演算回路12や制御回路2の詳細構成や動作
については、後で第7図および第8図を参照して説明す
る。
第3図の回路の動作を第4図のタイミングチャートで説
明する。
時刻t。で電源1を投入すると、このときは第4図の(
d)から分るように、陽極電流はまだ流れていないため
、検出回路11が陽極電流を検知するまでは、制御回路
2は最大出力レベルe2 に対応したデユーティ比でス
イッチング素子3をオン・オフ駆動する。
それ故、前述した実施例と同様にヒータは同図(b)の
ように急速に加熱されてその温度が上昇する。
一方、マグネトロン9の陽極−陰極間型圧は、同図(c
)のように、定常電圧■1より高い電圧V、になる。ヒ
ータの加熱が進んで時刻t1になると、マグネトロン9
が臨界動作状態となり、同図(西のように、マグネトロ
ン隣極′屯流が流れ始める。
これに応じて、陽極−陰極間型圧は同図(C)のように
下降する。この時、演算回路12は、陽極電流を検出し
たことにより、電源出力レベルの設定値を検出陽極電流
値の関数として、徐々に下降させる。そして、時刻t!
で、ヒータは定常温度H8に遅し、またマグネトロンの
陽極−陰極間型圧も定常電圧v1にまで下降する。
この時、制御回路2は、まだ所定の出力レベル設定値e
、より高い値にあるため、マグネトロン陽極i1流は所
定値工、より大きな値I2 となっている。またヒータ
温度も、時刻tt以後は、定常温度H1よりやや高いも
のとなる。
そして、時刻t、以後は陽極電流を所定値の11にする
ようにフィードバック動作が働(ため、時刻t、におい
て、所定値工□となり、電源出力レベルはelに、また
ヒータ温度はHlにそれぞれ落ち着(。
このようにして第2実施例によれば、マグネトロン9の
陽極−陰極間に流れる電流を所定の値に保つようにフィ
ードバック制御するだけで、起動時においてヒータを急
速加熱でき、マグネトロンが定常動作に遅するまでの時
間を短縮できる。
実施例3 本発明の第3の実施例を第5図及び第6図を用いて説明
する。
第5図は、第3図のマグネトロン陽極電流検出回路11
のかわりに、変圧器4の入力巻線5に流れる入力電流を
検出する回路13を設置して、この入力電流検出出力を
演算回路12へ接続した、マグネトロン駆動用高周波電
源である。
この回路では、電流検出回路13で検出した変圧器入力
巻線の入力電流値を演算回路12へ送り、演算回路12
内で、この電流値が所定の値になるように演算して′@
、源の出力レベル設定値を決定し、フィードバック制御
を行うものである。
演算回路12としては、第3図の場合と同様に、例えば
入力電流に対応した電源出力レベルを発生する関数発生
器を用いることができる。これによリマグネトロン9に
一定の電力が供給されることになる。
第5図の回路の動作を第6図のタイミングチャートで説
明する。
時刻t。で電源を投入すると、この時はマグネトロン9
の陽極電流はまだ流れていないため、変圧器4の出力側
は、ヒータでのみ電力が消費されている状態である。こ
のため、変圧器入力者#5の電流検出回路13に現われ
る入力電流は、第6図(e)に示したように、基準電流
Ir に比べてごくわずかな量である。
このため、演算回路12は電源の出力レベルを所定値e
1よりも大きな値e2にして、大きな出力を出そうとす
る。その結果、前述した実施例1と同様に、ヒータ温度
は、第6図(b)のように急速に上昇され、一方陽極一
陰極間′亀圧は、同図<c>のように、定常′電圧v1
 より高い電圧■2 になる。
時刻t、になるとヒータの加熱が進み、マグネトロンが
臨界動作をし、同図(e)から分るように、入力′電流
も徐々に増加する。そして、時刻t2でヒータ温度はH
工に達し、マグネトロンを定常動作させることができる
ようになる。
この時、同図(a)のように、出力レベル設定値は、所
定の値e1よりも大きくなっているため、同図(d)の
ように、陽極電流は所定値工、よりも大きな値 ■2と
なり、結局変圧器4の入力電流も所定値工、より大きく
なつCいる。
時刻t2以後、演算回路12は入力電流を所定値工、に
合致させるため、出力レベル設定値を下げる。その後、
時刻t3において、出力レベル設定値はelに、ヒータ
温度はHlに、マグネトロン陽極電流は11に、また変
圧器4の入力電流はI、に各々落ち看いて定常状態に達
する。
このようにして本芙施例によれば、変圧器4の入力巻線
5に流れる電流を所定のレベルに保つようにフィードバ
ック制御するだけで、起動時においてヒータを急速加熱
でき、マグネトロンが定常動作に達するまでの時間を短
縮することができる。
実施例4 第3図および第4図に示した実施例2の実際の回路例お
よびその動作について第7図及び第8図で説明する。
第7図では高周波電源のスイッチング素子3としてトラ
ンジスタ3−1を用いており、トランジスタと並列にコ
ンデンサ14を接続している。また、変圧器4の第1の
出力巻線6に接続される高圧整流回路8としては、コン
デンサ8−1およびダイオード8−2よりなる倍電圧半
波整流回路を用いている。
制御回路2は、電源の出力レベル設定回路2−1と高周
波のスイッチングを行うトランジスタ3−1のオン時間
を決定するためのオン時間設定回路2−2、及び増幅器
2−3、最大設定値を供給するための入力端子2−9で
構成される。
マグネトロンの陽極電流検出回路11はカーレントトラ
ンス11−1、その負荷抵抗11−2、コンデンサ11
−3、及びダイオード11−4で構成される。
演算回路12は、演算増幅器12−1、基準電圧源12
−2、コンデンサ12−3、抵抗12−4、抵抗12−
5、コンデンサ12−6で構成される。前記抵抗および
コンデンサを備えたことにより、演算増幅器12−1は
遅れ要素をもつことになる。
次に、このようなマグネトロン駆動用電源の動作につい
て説明する。
直流電源1を投入してこのマグネトロン用電源を起動し
た直後は、マグネトロン9のヒータはまだ加熱されてい
ないので、第4図に関して前述したように、マグネトロ
ン9には陽極電流が流れない。それ故に、陽極電流検出
回路11の出力Bは0、演算回路12の出力りは最大と
なる。
このため、電源の出力レベル設定回路2−1の出力であ
る設定値は、その端子2−9に供給される最大値e2よ
りも大きくなる。この時、出力レベル設定回路2−1は
最大値e2を出力するので、トランジスタ3−1は、オ
ン時間設定回路で設定された最大のオン時間で高周波の
スイッチング動作を行う。
トランジスタ3−1のオン期間には、直流電源1の電圧
が変圧器4の入力巻線5に印加され、巻数比で定まる電
圧が第2の出力巻線7に出力されるので、ヒータ9の刀
口熱が開始される。
なおこの時、第1の出力巻線6にも電圧が出力されるが
、この段階では、ヒータがまた所足の値まで加熱されて
いないので、陽極電流は流れない。
最大のオン時間の経過後トランジスタ3−1をオフにす
ると、オン時間中変圧器4の励磁インダクタンスに蓄え
られたエネルギーが第1の出力巻線6と82の出力巻線
7を介して放出される。第2の出力巻線7の分はヒータ
の加熱作用をし、また第1の出力巻#!6の分は高圧整
流回路のコンデンサ8−1の充電に役立つ。
トランジスタオフ時のヒータ加熱電圧は、第1の出力巻
線6と第2の出力巻線7の巻数比とコンデンサ8−1の
充電電圧、およびトランジスタのオン期間中に変圧器4
の励磁インダクタンスに蓄積されたエネルギーの大きざ
で決沫る。
したがって、トランジスタ3のオン時間を最大にすると
、そのオン・オフ周期が最大となってマグネトロン9の
ヒータに印加される加熱電圧の周波数が低下し、且つ変
圧器4の励磁インダクタンスに蓄積されるエネルギーが
増大する。
この両者が相まってトランジスタ3−1のオフ期間に発
生するヒータ加熱電圧が大きくなる。このため、ヒータ
電流が増大し、ヒータの加熱時間を短縮することができ
る。
ヒータの加熱が進むと、マグネトロン9の陽極電流が流
れ始める。マグネトロンの陽極′wL流は陽極電流検出
回路11で検出され、その出力Bは演算回路12に入力
される。
演算回路では、マグネトロン9の陽極電流の所定値に相
応した基準′電圧源12−2の電圧と、陽極電流検出回
路11の出力Bを平均化した値Cとで演算が行われる。
演算回路12の出力りで出力レベル設定回路2の出力で
ある設定値を所定値まで下降させ、マグネトロン9の陽
極電流が所定値になるようにフィードバック制御が行わ
れる。
次に、マグネトロン9の陽極電流を検出してトランジス
タ3−1のオン時間フィードバンク制御を行う動作につ
いて、第8図の波形図を参照して説明する。
第8図は、第7図中に符号A−Dで示した部分の出力波
形を示すもので、Aはカーレントトランス11−1の負
荷抵抗11−2の両端にあられれる出力波形、Bは陽極
電流検出回路11の出力、Cは演算増幅器12−1の反
転端子入力(波形Bの平均値)、またDは演算増幅器1
2−1の出力である。
トランジスタ3−1のオン期間を第8図Sのように仮定
すると、この期間にマグネトロン9に流れる陽極電流は
、カーレントトランス11−1および抵抗11−2によ
って電圧変換され、第8図人のような電圧波形となる。
波形人は、この時点で0を中心に変動する交流電圧にな
っているため、コンデンサ11−3とダイオード11−
4で直流再生をして、そのOレベルを固定する。
これによって、マグネトロン9の陽極電流は半波交流電
圧波形Bに変換される。次に、抵抗12−4とコンデン
サ12−3で、波形Bを平滑化して陽極電流の平均値C
とする。波形Cの平均値電圧は、遅れ要素をもった演算
増幅器12−1で、基準電圧源12−2の所定値Vre
f  と比較される。
そして、演算増幅器12−1の出力には、波形Cが所定
値Vrafよりも小であれば大であり、また反対に波形
Cが大であれば小であるという具合に演算された、第8
図りのような電圧が発生される。この波形りの出力電圧
が出力レベル設定回路2−1に供給される。
第8図において、時刻t4からt6の間では、陽極電流
の平均値は、(C)のように所定値Vrefより小さい
ため、演算増幅器12−1の出力からは、(D)のよう
に高い電圧が発生され、トランジスタ3−1のオン時間
を長くして電源の出力レベルを太き(しようと働きかけ
る。
出力レベル設定回路2−1においては、演算増幅器12
−1の出力りと、端子2−9から供給されて設定される
最大値e2とが比較され、小さい方が設定値として選択
され、オン時間設定回路2−2に印加されるe 第8図に示したように、時刻t4からt、までの間は、
出力レベル設足回路2−1の出力りの方が前記最大値e
2よりも大きいので、最大値e2の方が選択され、また
時刻t、以後は、反対に出力りが選択される。また、時
刻t6以降は、前述とは逆に動作する。
このような演算および動作をすることによって、陽極電
流を女定に保つフィードバック制御が行なわれる。
第5図および第6図の実施例においても、電流検出を変
圧器4の1次側で行なうようにすることにより、第7図
と同様の回路構成が採用できる。
なお、この場合、演算回路12の各回路定数を適宜変更
する必要があることは当然である。
第12図は前述の制御回路2の具体例を示す回路図であ
り、図において第7図と同一の符号は、同一または同等
部分をあられしている。
この図においては、入力端子2−9に与えられる最大(
出力レベル)設定値e2および演算回路出力電圧りのう
ちのいずれか低い方が電源出力レベル設定値となる。こ
のように選択された出力レベル設定値を極性反転し、加
算器において直流電源電圧と重畳した後、その和出力を
モノステーブルマルチ2−6に入力する。
出力レベル設定回路2−1の出力が太き(、モノステー
ブルマルチ2−6の入力電圧が小さいときは、モノステ
ーブルマルチの出力パルス、すなわち、トランジスタ3
−1のオン時間が長くなり、反対に入力電圧が大きいと
きはトランジスタ3−1のオン時間が短か(なる。
なお、モノステーブルマルチ2−6のトリガ信号は、前
に述べたスイッチング素子3の印加電圧を利用し、例え
ば、前記印加電圧が正側から負側へ零点を切るときに発
生されるようにすることができる。
以上のようにして、マグネトロン9の陽極電流を所定の
レベルに保つようにフィードバック制御すれば、第3図
、第4図に関して前述したように、起動時において、ヒ
ータを急速加熱することができ、マグネトロンが定常動
作に達するまでの時間を短縮できる。
な#、以上では、スイッチング素子3の制御をオン時間
制御するものとして説明したが、デユーティ制御、周波
数制御などの制御方法をとることも可能である。また、
スイッチング素子3に並列に接続したコンデンサを省略
しても同様な動作と効果を得ることができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、マグネトロン駆動用電源として高周波
電源を用いた際、起動時においてヒータを急速に加熱で
きるので、マグネトロンが定常動作するまでの時間を短
縮できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1の回路図、第2図は第1図の
動作説明のための波形図、第3図は本発明の実施例2の
回路図、第4図は第3図の動作説明のための波形図、第
5図は本発明の実施例3の回路図、第6図は第5図の動
作説明のための波形図、第7図は実施例2の具体的回路
例を示す図、第8図は第7図の動作説明のための波形図
、第9図は従来のマグネトロン装置の回路図、第10図
は従来電源でのヒータの動作説明図、第11図は高周波
電源でのヒータの動作説明図、第12図は本発明に好適
な制御回路の1例を示すブロック図である。 1・・・直流電源、2・・・制御回路、3・・・スイッ
チング素子、4・・・変圧器、5・・・変圧器の入力巻
線、6・・・変圧器の第1の出力巻線、7・・・変圧器
の第2の出力巻線、訃・・高圧整流回路、9・・・マグ
ネトロン、10・・・時間設定回路、11・・・マグネ
トロンの陽極電流検出回路、12・・・演算回路、13
・・・変圧器入力巻線の電流検出回路。 代理人弁理士 平  木  道  人 ↑01lt2      1B t4       t5      t6to    
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Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)直流電源に、変圧器の入力巻線とスイッチング素
    子が直列接続され、前記変圧器の第1の出力巻線は整流
    回路を通してマグネトロンの陽極と陰極間に接続され、
    前記変圧器の第2の出力巻線はマグネトロンのヒータに
    接続され、前記スイッチング素子にはこれをオン、オフ
    する制御回路が接続されてなるマグネトロン用高周波電
    源装置において、 前記制御回路は、前記スイッチング素子のオン時間を設
    定する回路を有し、 前記オン時間は、起動当初においては長く、その後は短
    かくなるように制御されることを特徴とするマグネトロ
    ン用高周波電源装置。
  2. (2)前記オン時間は、起動からの時間経過に応じて段
    階的に短かくされることを特徴とする前記特許請求の範
    囲第1項記載のマグネトロン用高周波電源装置。
  3. (3)前記オン時間は、起動からの時間経過に応じて連
    続的に短かくされることを特徴とする前記特許請求の範
    囲第1項記載のマグネトロン用高周波電源装置。
  4. (4)前記オン時間は、その最大値が予め定められてい
    ることを特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載のマ
    グネトロン用高周波電源装置。
  5. (5)前記オン時間のオフ時間に対する比率が、起動か
    らの時間経過に応じて段階的に小さくされることを特徴
    とする前記特許請求の範囲第1項記載のマグネトロン用
    高周波電源装置。
  6. (6)ヒータにはローパスフィルタが接続されたことを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載のマグネトロン用
    高周波電源装置。
  7. (7)直流電源に、変圧器の入力巻線とスイッチング素
    子が直列接続され、前記変圧器の第1の出力巻線は整流
    回路を通してマグネトロンの陽極と陰極間に接続され、
    前記変圧器の第2の出力巻線はマグネトロンのヒータに
    接続され、前記スイッチング素子にはこれをオン、オフ
    する制御回路が接続されてなるマグネトロン用高周波電
    源装置において、 マグネトロンの陽極電流および変圧器の入力巻線に流れ
    る電流の一方を検出する手段と、 検出された電流の基準値からの偏差を検出する手段と、 前記制御回路に含まれ、前記偏差が零になるように、前
    記スイッチング素子のオン時間を設定する回路とを有す
    ることを特徴とするマグネトロン用高周波電源装置。
  8. (8)前記オン時間は、その最大値が予め定められてい
    ることを特徴とする前記特許請求の範囲第7項記載のマ
    グネトロン用高周波電源装置。
  9. (9)ヒータにはローパスフィルタが接続されたことを
    特徴とする特許請求の範囲第7項記載のマグネトロン用
    高周波電源装置。
JP62138769A 1987-04-08 1987-06-02 マグネトロン用高周波電源装置 Pending JPS63304593A (ja)

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KR1019880003998A KR920004033B1 (ko) 1987-04-08 1988-04-08 전압공진형 스위칭전원장치

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2227134B (en) * 1989-01-06 1993-07-14 Hitachi Ltd High frequency heating system
JP2011191137A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Furuno Electric Co Ltd マグネトロンの陰極加熱装置、マイクロ波発生装置、及びマグネトロンの陰極予熱方法

Cited By (3)

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US8664860B2 (en) 2010-03-12 2014-03-04 Furuno Electric Company, Limited Cathode heating device of magnetron, microwave generating device and method of preheating cathode of magnetron

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