JPS6366892A - 高周波加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子レンジ等のいわゆる誘電加熱により食品
や液体などを加熱するための高周波加熱装置の改良に関
し、さらに詳しくぎえば、トランジスタ等の半導体スイ
ッチを用いたインバータにより高周波電力を発生し、マ
グネトロンに高圧電力およびヒータ電力を供給するよう
Ｃｍ　５１した高周波加熱装置の改良に関するものであ
る。

従来の技術 このような方式の高周波加熱装置は、その電源トランス
の小型・軽量・低コスト化の為に様々な構成のものが提
案されている。

第７図は従来の高周波加熱装置の回路図であり、特願昭
５１−９９８９２号に示されたものと同等の作用を有す
るものである。

図に於て、商用電源１、ダイオードブリッジ２、コンデ
ンサ３によりインバータ４の電源部５が構成され、イン
バータ４は、リセットインダクタ６、サイリスタ７、ダ
イオード８、共振コンデン４ｊ９などより構成されてい
る。サイリスタ７は、インバータ制御回路１０により定
められた周波＆　ｆ　。

でトリガされ、その結果昇圧トランス１１の１次巻線オ
ンと共振コンデンサ９との直列共振回路とリセットイン
ダクタ６とで構成さ７１＝た施張発振型インバータが動
作周波数１ｏで動作し、昇圧トランス１１の高圧２次巻
線１３とヒータ巻線１４）：にはそれぞれ高圧電力Ｐｏ
およびヒータ電力ｐＨが発生する。高圧２次巻線１３に
生じる高圧電力ＰＯは、高圧ダイオード１５．１６、コ
ンデンサ１７．１Ｂにより整流されてマグネトロン１９
に供給される。また、ヒータ巻線１４はコンデンサ２０
と共振回路を構成しており、マグネトロン１９のカソー
ドヒータにこの共振回路を介してヒータ電力ＰＨが供給
されるように構成されている。

２１は起動制御回路であり、インバータの起動時、一定
の時間インバータ制御回路１０を制御してそのトリガ周
波数ｆｏを低下させるよう構成されている。これは起動
時にマグネトロン１９のカソードがヒートアップするま
での間に高圧２次巻線１ａに生じる無負荷電圧を低く押
えるためである。

第８図は、このインバータ４の動作周波数１０に対する
高圧電力Ｐｏ　　ヒータ電力ＰＨ１無負荷時のマグネト
ロン１９のアノード電圧ＶＡＫＯの変度化を示す図であ
る。ｆＯが定められた定常時の周波数ｆｏＩのとさ、Ｐ
ＯおよびｐＨはそれぞれ定格値のＩＫＷおよび４０Ｗと
なるよう構成されている。

起動時において、このｆｏＩでインバータ４を起動する
と、無負荷時アノード電圧ＶＡＫＯは、２０Ｗ以上にも
達し、絶縁耐圧処理が技術的にも、また製造コスト面で
も難しいものになる。そのため、起動時の一定の時間ｆ
ｏをｆＯＳ　まで低下させるよう起動制御回路２１でイ
ンバータ制御回路１０を制御する構成となっている。ｆ
ｏ＝ｆｏｓのとき、ＶＡＫＯは１０ＫＶ以下の低い値と
することができ、一方、ヒータ回路に設けられたコンデ
ンサ２０の共振作用によりｐＨはあまり低下せず約３０
Ｗとなる。したがって、ＰＨ＝４０Ｗの定格時に比べて
カソード加熱完了までの時間が長くなるけれども、異常
に高いＶＡＫＯを発生することなく、高周波加熱装置を
起動することができるものである。

第９図、（ａｔ、（ｂｌ、ｆｃｌは、この高周波加熱装
置の動作周波＆ｆｏ、マグネトロンのアノード電圧ＶＡ
Ｋ、アノード電流ＩＡが、起動時にどのように変化する
かを示す図である。

同図ｆａｔに示すように時刻１＝０からｔ　＝　ｔ　１
までの間は、ｆｏ＝ｆｏｓに制御され、その後、ｔ＝ｔ
２で、ｆｏ”ｆｏＩ　　となるよう起動制御回路２１は
インバータＭ」御回路１０を制御する。このため、同図
ｔｂ＋のようにＶＡＫはＶＡＫＯｍ、、＜１０ＫＶＫ制
御され、同図（ｃｌのようにｔ　１　＜　ｔ　＜　ｔ　
２の間にアノード電流ＩＡが立ち上がりＩＡＩに達し定
格高圧出力Ｐｏ＝ＩＫＷが得られる。すなわち、動域Ａ
のブレヒート期間を経て゛領域Ｂの遷移期間を径た後、
領域Ｃの定常状態に達するよう構成されているのである
。

このように４０を起動時にｆｏｓに低下させること、お
よび、ヒ」り回路に設けたコンデンサ２ｏの共振作用と
を両立させることにより、初めて起動時の異常高圧発生
を防止し、安定な起動を可能とする高周波加熱装置を実
現することができるものであった。

発明が解決しようとする問題点 しかしながらこのような従来の高周波加熱装置には、次
のような欠点があった。

ヒータ電力ＰＨは、高圧電力ｐｏを出力する高圧２次巻
線１３と同一のコアに施されたヒーク巻線１４より供給
される構成となっている。このため、第８図に示すよう
にｐＨをｆＯに対して一定に保つことは困難であり、共
振コンデンサ２０を設けてもＰｏに比例してｐＨが変化
するのを防止できる程度であり、同図に破線で示すよう
な曲線の特性にすることができる程度であった。すなわ
ち、ｆ□＝’４０ＳまでｆＯを下げた時、ｐ　Ｈ＝３０
Ｗにすることができる程度であった。

第１０図は、ヒータ電力ｐＨと、ｐＨが供給されてから
カソードが十分加熱されマグネトロンが発振開始するま
での時間、すなわち発振開始時間ｔＢ　との関係の例を
示す図である。このように従来の技術では異常高圧の発
生は防止できるが、起動時に十分なヒータ電力ｐＨを供
給することが困難であるので発振開始時間ｔｓが大きく
なり、定格のＰＨ（＝４０Ｗ）を供給する場合に比べて
、数倍の時間になってしまう欠点があった。すなわち、
第９図（ｃｌに示した領域Ａが長くなってしまうという
結果となり特に電子レンジなどの秒速調理がその特徴で
ある高周波加熱装置にこの技術を適用すする場合、重大
な機能低下を余儀なくされるというものであった。また
、第１１図（ａｌにおいて、ｔ＝ｔ１からｔ＝ｔ２″！
での間は、ヒータ電力Ｐ、が除々に増加していく期間で
あると同時にマグネトロンへの高圧電力Ｐｏ（すなわち
アノード電流Ｉ　Ａ）も同図ｆｃｌのように増加してい
く期間である。

第１１図ｆａｌ、ｆｂｌ、ｆｃ）はこの１０がｆｏｓか
らｆｏｒに立ち上がる時にヒータ電力ＰＨ、カソード温
度１（。

高圧電力ＰＯがどのような関係で立ち上がるかを示す図
である。同図より明らかなように、ｐＨの増加に対して
カソードの温度１（そのものは一定の熱時定数を持って
いるのでτだけ遅れて立ち上がりｔ＝ｔ３で定格の温度
になる。一方、ＰｏはｐＨと同時に増加していくのでこ
の間、すなわち、領域Ｂは、カソードのエミッション不
足又は、それに近い状態に陥りやすい期間である。そし
てこのような領域が長く存在することは、マグネトロン
のカソードの寿命を著しく低下させる結果となるという
極めて重大な欠点があった。

また、マグネトロン１９のヒータ回路にコンデンサ２０
を設けて共振回路を構成すること自体も、カンードイン
ピーダンスが小さいこと、高重位であることなどから極
めて面倒であった。

問題点を解決するための手段 本発明は、上記従来の欠点を一掃するためになされたも
のであり、次のような構成によりなるものである。

商用電源などより得られる電源部と、半導体スイッチお
よび共振コンデンサより成るインバータと、マグネトロ
ンに高圧・ヒータ電力を供給する昇圧トランスと、マグ
ネトロンのカソードに直列に接続されたインダクタンス
要素と、共振電圧又は電流を検出し、これに同期して半
導体スイッチの導通時間を制御するインバータ制御部と
、前記インバータの起動時に前記インバータ制御部に変
調指４？を与え、定常時よシも導通時間を短くし、かつ
非導通時間を長くして非同期制御を行い、実質上その動
作周波数を低く制御するインパーク制御部を構成したも
のである。

作　　用 本発明は以上の構成により次のような作用を有する。す
なわち、起動時において、半導体スイッチの導通時間を
定常時より短くし、かつ非導通時間を長くして非同期状
態の低い周波数でインバータを動作させることによシ高
圧出力電圧を低くおさえつつ、十分なカソードヒータ電
流を供給せしめ、一方、定常動作時は、共振電圧などに
同期して半導体スイッチの導通時間を制御するのでスイ
ッチロスの小さい高効率のスイッチング動作を行わせし
めるものである。

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を用いて説明す
る。

第１図は、本発明の一実施例を示す高周波加熱装置のブ
ロック図である。同図において、電源部３１は商用電源
あるいはバッテリーなどより得られる直流または脈流電
圧の単方向電源であり、トランジスタ等の半導体スイッ
チ３２を１つ又は複数個と、共振コンデンサ５６とを備
えたインパ−タ３３に電力を供、給する。インバータ制
御部３４は、半導体スイッチ３２を定められた導通時間
と非導通時間とで動作させ、昇圧トランス３５の１次巻
線３６に高周波電力を供給する。従って昇圧トランス３
５の高圧２次巻線３７とヒータ巻線３８には高圧電力ｐ
ｏとヒータ電力ｐ、が発生し、それぞれマグネトロン３
９のアノードカソード間およびカソードヒータ４０に供
給されるよう構成されている。

カソードヒータ４０（すなわちカソード）には直列にイ
ンダクタンス要素４１が設けられ、と−タ巻線３Ｂの負
荷はインダクタンス要素４１とカソードヒータ４０の直
列回路となっている。

起動制御部４２は、インバータ３３の起動時に変調指令
をインパーク制御部３４に与えるものであり、この変調
指令によりインバータ制御部３４は起動時に半導体スイ
ッチ３２の導通時間を定常時より小さく、かつ、非導通
時間を定常時より大きく制御して非同期状態とすること
によりインバータ３３の出力電圧と動作周波数とを同時
に低下させ、インダクタンス要素４１のインピーダンス
を小さくして実質的にカソードヒータ４０に流れる電流
を定常時の電流と同等またはそれ以上の適な値の電流に
せしめるものである。そして、定常時は、同期状態とな
るように半導体スイッチ３２の導通時間と非導通時間と
を制御し、スイッチング損失の少ないインバータ動作を
実現せしめるものである。

この構成により、高圧２次巻線３７に発生する電圧は異
常な高電圧とならず、かつ、カソードヒータ４０には、
安定で良好な動作を保証することができるヒータ電流（
すなわちヒータ電力ＰＨ）を供給することができる。し
たがって、ヒータ回路に面倒な共振回路を構成すること
なく、マグネトロン３９の発振開始時間を十分小さくし
てスピーディ−な誘電加熱開始を可能とすると共に、カ
ソードのエミッション不足が生じやすい状態の発生を防
止して寿命が長く、極めて高い信頼性を保証することが
でき、同時に高効率な高周波加熱装置を実現することが
できる。

第２図は、第１図に示した本発明の一実施例を示す高周
波加熱装置のさらに詳しい一実施例を示す回路図であり
、第１図と同符号のものは相当する構成要素であり説明
を省略する。

第２図に於て、商用電源５１は運転スイッチ５２を介し
てダイオードブリッジ５３に接続されると共にインバー
タ制御部３４に接続される。従って、運転スイッチ５２
が投入されるとインダクタ５４、コンアンｆ５５を介し
単方向電力がインバータ３３に供給され、同時にインバ
ータ制御部３４および起動制御部４２が作動する。

インバータ３３は共振コンデンサ５６と、バイポーラト
ランジスタ５７、ＭＯ３ＦＥＴ５Ｂ、ダイオード５９よ
り成る複合半導体スイッチ３２とにより構成され、バイ
ポーラトランジスタ５７は直流電源６０によシ付勢され
ＭＯ８ＦＥＴ５Ｂはインバータ制御部３４の同期発振器
６１にてその導通時間と非導通時間を制御される。

起動制御部４２は運転スイッチ５２が投入された時一定
の時間、インバータ制御部３４の同期発振器６１の動作
に変調指令を与えるものである。

ここで、第２図の実施例の動作【ついて、第３図を参照
して説明する。

第３図、（、）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、および（ａ
）は、複合半導体スイッチに流れる電流１ｃ／ｄ、それ
にかかる電圧Ｖｃｇ、ＭＯＳＦＥＴ５Ｂのゲートに加え
られる制御電圧ＶＧ、マグネトロン３９のアノードカソ
ード間電圧ＶＡＫ、アノード電流ＩＡの波形図である。

同期発振器６１は、同図（ｂ）に示す点Ｐ１すなわち、
コンデンサ５５の電圧ＶＣＣとＶＣＥがクロスした点を
検出し、その後一定時間Ｔｄだけ遅れてＭＯ５ＦＥＴ５
ＢにＶａ’を与えルヨう構成サレ、共振コンデンサ５６
と昇圧トランス３５の１次巻線３６との共振により発生
する電圧ＶＣＥが零になるタイミングと同期してＭＯ３
ＦＥＴ５Ｂをオンにする（同期制御）ものであシ、スイ
ッチングロスを大幅に低減することができるよう構成さ
れている。

イン／＜−夕３３の出力は、このＭＯ３ＦＥＴ５８の導
通時間Ｔｏｎと非導通時間ＴｏｆｆＯ比を制御すること
により調整することができる。実際には、前述の同期制
御によ、ｊ）Ｔｏｆｆは、前記共振回路の回路定数によ
って決定されるので、Ｔｏｎを制御することで、インバ
ータ３３の出力を調整することができる。

マタ、コンデンサ５５の電圧は、脈流電圧であるので、
第３図ｆａ）、（ｂ）のＩ　ｃ／ｄ　、　ＶＣＥは、同
図（ｆ）、［ｇ）のような包格線を持った波形となって
いる。

このように定常時は、同期制御により、インノ（−夕３
３は同期発振動作を行う。しかしながら。

同期発振器６１は、インバータ３３の起動時の一定時間
（例えば１〜２秒）、起動制御部４２の変調指令により
次のような変調動作を行う。

第４図は、このズ調動作におけるＩ　ｃ／ｄ、ＶＣＥ、
ＶＧの波形を示すものであり、第３図（、）、（ｂ）、
ｆｃ）のような同期制御は行われず、非同期制御を行う
よう構成されておシ、インバータ３３は、非同期発振動
作を行うのである。

この時のＭＯ３ＦＥＴ５Ｂの導通時開Ｔ　ｏ　ｎ’は、
定常時のＴｏｎに比べて小さく制御され、同時に、非導
通時間Ｔｏｆｆ’は、定常時のＴｏｆｆに比べて大きく
なるよう制御されている。そして、くり返し周期Ｔｏ’
は、定常時のＴｏと比べてＴ　ｏ　（Ｔ　ｏ’となるよ
う制御されている。これらＴｏｎ’　、Ｔｏｎ、Ｔｏｆ
ｆ’、Ｔｏｆｆ、Ｔｏ、Ｔｏ’は、マグネトロン３９の
ヒータ回路に設けられたイングクタンス要素４１ａ１お
よび４１））のインピーダンスとカソードヒータのイン
ピーダンスとの比をどの程度に選ぶかによって適切に設
計することができる。

例えば、１例を示すと次のようになる。今、第２図に示
すように、ヒータ回路のインダクタンス要１４１ａ、４
１ｂは、マグネトロンのＴＶノイズ制御用のフィルタを
構成するチョークコイルと兼用するよう構成されている
。従ってそのインダクタンスそれぞれは、１．８μＨ程
度に選ばれている。また、カソードヒータのインピーダ
ンスは、０．３Ω程度でよく実用に供されている。

このような条件のマグネトロンを用いた発明者らの実験
によれば、同期発振器６１を起動制御部４２により次の
ように変調させることにより、起動時のアノードカソー
ド聞電圧ＶＡＫＯを１０ＫＶ以下に維持したうえで、起
動時のヒータ電流ＩＨ／を、定常時の１．より大きくす
ることが可能であった。

すなわち、Ｔｏ”４０ｇ５％Ｔｏｎ＝２９μＳ、Ｔｏ１
１＝１１μＳｌて対して、Ｔｏ’　＝　６３　μＳ　、
　Ｔｏｎ’　＝　ＢμＳ　。

Ｔｏ目′＝５５μＳＫ変調させることにより、１Ｈ＝１
０．５ＡでＩＨ’＝オンＡを実現し、極めて安定な起動
を実現することができた。

したがっ”Ｃ１起動時のヒータ電力ＰＨ′は、定常時の
ｐ、に比べて、Ｐ　Ｈ’　／　ＰＨ＝　（オンＡ／　１
０．５Ａ）２キ１．３となり、極めてすみやかなヒータ
の加熱を実現できるのである。

第５図は、上述の起動時の状態を示す図であり、同図（
、）〜（ｆ）は、それぞれインバータの動作周波数ｆｏ
（”１／Ｔｏ）、Ｔｏｎ、Ｔｏｉｆ、ＩＨ，ＶＡＫ、　
ＩＡが、起動時から定常時にかけてどのように変化する
かを示したものである。

起動制＠部４２によりＴ　ｏ　ｎ　ｓ　Ｔ　ｏ　ｆ　１
がＴｏｎ’、Ｔｏｆｆ’に制御されている時間ｔｓ＝１
．５秒の同は、インバータ出力が低くおさえられて、Ｖ
ＡＫＯ”８ＫＶに制御されるにもかかわらず、Ｉ　Ｈ／
は定常時の１８＝１０．５Ａよシ大きいオンＡに制御さ
れている。

以上のように制御することによシ、高電位になるヒータ
回路に面倒な共振回路を構成することなく、異常高電圧
の発生を防止したうえでスピーディ−なマグネトロンの
発振開始を実現することができ、しかも、カソードのエ
ミッション不足が生じることを防止して、極めて高い信
頌性を実現した高周波加熱装置を実現することが可能で
ある。

第６図は第２図のインバータ制御部３４、起動制御部４
２のさらに詳し論−実施例を示す回路図であシ、第２図
と同符号のものは相当する機能の構成要素であり詳しい
説明を省略する。

インバータ制御部３４の同期発振器６１と、起動制御部
４２の具体的構成例を示すものであり、第３図（ｂ）に
示した同期信号を得るために、コンデンサ５５の電圧ｖ
ｃｃとバイポーラトランジスタ５７のコレクタ電圧とが
、それぞれ抵抗器１００．１０１および１０２．１０３
による分割電圧としてコンパレーク１０４で検出される
。コンパレータ１０４の立ち上り出力は、遅延回路１０
５、微分回路１０６とでパルス信号となシ、オア回路１
０７を介してＲ８−ＦＦ１０Ｂをリセットする。Ｒ５−
ＦＦのｄ出力はＭＯＳＦＥＴ５Ｂのゲートを駆動し、同
時にＴｏｎを決定するオン時間タイマを起動する。オン
時間タイマは抵抗器１０９〜１１１、コンデンサ１オン
、ダイオード１１３、コンパレータ１１４、基準電圧源
１１５より構成されている。１１６はインバータバッフ
ァでありコンパレータ１１４の出力はこれを介してＲ３
−ＦＦのＳ入力に加えられる。従って、◇出力がＨｉに
なってから基準電圧源１１５で決まるＴｏｎが経過する
と６がＬｏになるようにＦＦがセットされる。

ＦＦの出力Ｑは、抵抗器１１７〜１１９、コンデンサオ
ン０、ダイオードオン１、コンパレータオン２より成る
オフ時間タイマを起動するよう構成され、Ｔｏｆｆの最
大値を決定する。すなわち、コンパレータオン２の出力
は、インバータバッファオン３、ビブン回路オン４を介
してオア回路１０７に供給されており、ＱがＨｉ　（す
なわち６がＬｏでＭＯＳＦＥＴ５Ｂがオフ）になってか
ら一定時間が経過しても同期信号がコンパレータ１０４
にて検出されなかった場合、Ｒ８−ＦＦを強制的にリセ
ットしＱ　ｆ　Ｈｉにするものである。なお、オン５は
スタート回路で、インバータの起動時１パルスだけオア
回路１０７にパルス全与えＲ５−ＦＦをリセットし、こ
の回路を起動させるものである。

インバータ３３の定常動作時は、コンパレータ１０４よ
り同期パルスがＲ５−ＦＦに−１られ、前述した同期発
振を行いインバータの各動作波形は第３図のようになる
。

イン／＜−夕の起動時は、抵抗器オン５〜オン８、コン
デンサオン９、コンパレータ１３０、インバータバッフ
ァ１３１、ダイオード１３２．１３３、抵抗器１３４よ
り成る起動制御部４２により、この同期発振状態が阻止
されて非同期発振状態に制御されると同時に、’ｌ’ｏ
ｎは定常動作時より小さい値に制御される。すなわち、
インパークの起動時ハ、一定の時間ｔ　！ｌ　（１，５
秒）の間、コンパレータの出力はＨｉであるので、抵抗
器１０３は実質上短絡されてしまい、コンパレータ１０
４は同期信号を検出することができなくなる。このため
インバータは非同期状態となシ、ＭＯＳＦＥＴ５Ｂの非
導通時間Ｔｏｆｆはコンパレータオン２などより成るオ
フ時間タイマで決定される。このオフ時間を例えば５５
μｓとしておけば、第５図（ｃ）のような状態を実現で
きるわけである。

また、コンパレータ１３０の出力は同時に抵抗器１３４
によシ基準電圧源１１５の電圧を抵抗器１１０とで分割
してコンパレータ１１４に与えるよう動作する。したが
って、ｔｓＯ間のＴｏｎはこのオン時間タイマの設定時
間が小さくなるので、定常時より小さくなり、例えば、
このオフ時間タイマの設定を８μｓとすることで、第５
図（ｂ）の状態を実現できるわけである。

このように、非導通時間を制限するタイマを有する同期
発振型のインパτり制御部を措成し、インバータの起動
時に一定時間ｔｓの間、同期信号を遮断し、同時にＴｏ
ｎを定常時のＴｏｎより小さく制御することで、従来の
不都合を解消し、面倒な共振回路をヒータ回路に設ける
ことなく、スピーディ−な立ち上がりと高信頼性を保証
することができる高周波加熱装置を実現することができ
る。

発明の効果 以上に述べたように、本発明は、共振コンデンサを有す
る共振型のインバータの出力を昇圧トランスを介してマ
グネトロンのアノードカソード同とカソードヒータとに
供給する構成とし、カソードヒータに直列にイングクタ
ンス要素を設けると共に、インバータの起動時に変調指
令を与える起動制御部を設け、この変調指令によりイン
バータ制御部が半導体スイッチの導通時間を定常時より
小さくし、かつ、非導通時間音大きくして、非同期状態
とすることにより実質上インバータの動作周波数を低下
させるよう構成し、定常時は同期状態で、インバータを
動作させる構成としたので、高電位になるヒータ回路に
面倒な共振回路を設けることなく、起動時の異常高電圧
の発生を防止し、しかもスピーディ−なマグネトロンの
発振開始ｔ実現することができる。さらに、起動時に十
分なカソードのブレヒートができるのでカソードのエミ
ッション不足現象の発生を防止し、カソードの劣化を防
ぐことができるので、高い信頼性を保証し念高周波加熱
装置を実現することができる。そして、定常時は共振コ
ンデンサなどより成る共振回路に同期してインバータを
動作させるのでスイッチングロスの小さい極めて高効率
の高周波加熱装置を提供できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す高周波加熱装置のブロ
ック図、第２図は同装置のさらに詳しい回路を示す回路
図、第３図 和芒≠は同回路の各部動作波形図、第４図に）平参共−
は同回路の起動時における各部動作波形図、第５図　　
　　　　　　　　　は同回路の各動作パラメータの起動
時の変化を示す図、第６図は同回路のインバータ制御部
および起動制御部のさらに詳しい回路を示す回路図、第
７図は従来の高周波加熱装置の回路図、第８図は同装置
の欠点を説明する動作特性図、第９図□□□テ□□□テ
榊は同装置の起動特性図、第１０図は同装置のヒータ電
力と発振開始時間の関係図、第１１図−〒→芒→は同装
置のカソード温度の立ち上シ特性を説明する図である。 ３１・・・・・・電源部、３２・・・・・・半導体スイ
ッチ、３３・・・・・・インバータ、３４・・・・・・
インバータ制御部、３５・・・・・・昇圧トランス、３
９・・・・・・マグネトロン、４０・・・・・・カソー
ドヒータ、４１・・・・・・イングクタンス要素、４２
・・・・・・起動制御部、５６・・・・・・共振コンデ
ンサ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　斂　男　ほか１名菓　
１　図 第　２　図 第　３　図 第４図 第　５７ 第　７　図 第９図 Ｏｉｔ　　　　第２ 堀 １−　　　　　　　と

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）商用電源などより得られる電源部と、少なくとも
   １つの半導体スイッチ、および共振コンデンサを有する
   インバータと、前記インバータで付勢され、マグネトロ
   ンに高圧電力とヒータ電力を供給する昇圧トランスと、
   前記マグネトロンのカソードに直列に接続されたインダ
   クタンス要素と、前記共振コンデンサと昇圧トランスと
   の共振電圧又は共振電流を検出し、共振電圧又は電流に
   同期して前記半導体スイッチの導通時間などを制御する
   インバータ制御部と、前記インバータの起動時に前記イ
   ンバータ制御部に変調指令を与え、定常時よりも前記導
   通時間を短くし、かつ、非導通時間を長くして非同期制
   御を行い、実質上、前記インバータの動作周波数を定常
   時より低くするよう前記インバータ制御部を構成した高
   周波加熱装置。
2. （２）インバータ制御部は、半導体スイッチのオン時間
   を決定するオン時間タイマ回路と、オフ時間の最大値を
   決定するオフ時間タイマ回路と、共振電圧などの同期信
   号を得るタイミング回路と、これら３つの回路により駆
   動されるフリップフロップ回路とからなり、起動制御部
   により前記タイミング回路の動作を禁止すると共に、オ
   ン時間タイマの設定時間を小さく制御する構成とした特
   許請求の範囲第１項記載の高周波加熱装置。
3. （３）インダクタンス要素をマグネトロンのカソードに
   直列に設けたノイズフィルタ用インダクタと兼用する構
   成とした特許請求の範囲第１項または第２項記載の高周
   波加熱装置。