JPS63300549A - ダイオ−ド - Google Patents
ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS63300549A JPS63300549A JP13723887A JP13723887A JPS63300549A JP S63300549 A JPS63300549 A JP S63300549A JP 13723887 A JP13723887 A JP 13723887A JP 13723887 A JP13723887 A JP 13723887A JP S63300549 A JPS63300549 A JP S63300549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- circuit
- inductance
- resistor
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はダイオードに関し、特に同一チップ上に抵抗素
子を内蔵したダイオード素子に関する。
子を内蔵したダイオード素子に関する。
従来、ダイオード素子のチップ上にはダイオード素子本
体のみ形成された構造となっていた。
体のみ形成された構造となっていた。
上述した従来のダイオード素子を応用回路に用いる場合
、順方向特性を利用する場合は電流制限用のバイアス抵
抗を直列に挿入して順方向電流を制御する必要があり、
また逆方向の特性を利用する場合は逆降伏電圧以上の電
圧印加が加わった時の素子破壊保護の目的で同様に直列
に保護抵抗を挿入しなければならないため、回路素子を
２個必要とし、回路構成が大きくなるという欠点がある
。
、順方向特性を利用する場合は電流制限用のバイアス抵
抗を直列に挿入して順方向電流を制御する必要があり、
また逆方向の特性を利用する場合は逆降伏電圧以上の電
圧印加が加わった時の素子破壊保護の目的で同様に直列
に保護抵抗を挿入しなければならないため、回路素子を
２個必要とし、回路構成が大きくなるという欠点がある
。
本発明の目的は、このような欠点を除き、素子の同一チ
ップ上に抵抗素子を内蔵し、かつ各素子の端子をそれぞ
れ外部へ出すことにより、素子を小形化したダイオード
を提供することにある。
ップ上に抵抗素子を内蔵し、かつ各素子の端子をそれぞ
れ外部へ出すことにより、素子を小形化したダイオード
を提供することにある。
本発明のダイオードの構成は、ダイオード素子と、この
ダイオード素子の内部抵抗に比べて十分大きい抵抗を有
し前記ダイオード素子を駆動もしくは保護する抵抗素子
とを互に直列結線で同一チップ上に形成し、かつ前記各
素子の端子をそれぞれ外部へ取出したことを特徴とする
。
ダイオード素子の内部抵抗に比べて十分大きい抵抗を有
し前記ダイオード素子を駆動もしくは保護する抵抗素子
とを互に直列結線で同一チップ上に形成し、かつ前記各
素子の端子をそれぞれ外部へ取出したことを特徴とする
。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の等価回路図で、抵抗内
蔵ダイオード１を示している。図において、ダイオード
素子２のアノード側端子Ａに抵抗素子３を同一チップ上
に内部接続した構造になっている。
蔵ダイオード１を示している。図において、ダイオード
素子２のアノード側端子Ａに抵抗素子３を同一チップ上
に内部接続した構造になっている。
第２図は本実施例の応用回路の一例を示しており、フィ
ルタ回路１１のインダクタンスＬ１゜Ｌ２の選択回路１
０を構成している。
ルタ回路１１のインダクタンスＬ１゜Ｌ２の選択回路１
０を構成している。
第３図は本実施例に用いたダイオード素子２の電気的特
性図を示しており、順電流が流れると素子の抵抗性分が
低くなる性質をもっており（スイッチングダイオード）
、この特性を利用することにより、第３図においてダイ
オード２がオン（＋Ｂに正バイアス）となると、インダ
クタンスＬ２がショート状態になり、フィルタ回路１１
のインダクタンス分がインダクタンスＬｌのみとなり、
ダイオード３がオフ（＋Ｂのバイアスなし）すると、フ
ィルタ回路１１のインダクタンス分はインダクタンスＬ
２とインダクタンスＬｌの和の構成となる。
性図を示しており、順電流が流れると素子の抵抗性分が
低くなる性質をもっており（スイッチングダイオード）
、この特性を利用することにより、第３図においてダイ
オード２がオン（＋Ｂに正バイアス）となると、インダ
クタンスＬ２がショート状態になり、フィルタ回路１１
のインダクタンス分がインダクタンスＬｌのみとなり、
ダイオード３がオフ（＋Ｂのバイアスなし）すると、フ
ィルタ回路１１のインダクタンス分はインダクタンスＬ
２とインダクタンスＬｌの和の構成となる。
第４図は本実施例の抵抗内蔵ダイオード１の電気的特性
図を示す０図において、Ｒｏはダイオード素子２だけが
あり内蔵抵抗ＯΩの時の特性曲線を示しており、Ｒ１，
Ｒ２はそれぞれ内蔵抵抗値の一例の特性曲線を示してい
る。
図を示す０図において、Ｒｏはダイオード素子２だけが
あり内蔵抵抗ＯΩの時の特性曲線を示しており、Ｒ１，
Ｒ２はそれぞれ内蔵抵抗値の一例の特性曲線を示してい
る。
第５図は本発明の第２の実施例の抵抗内蔵ダイオード１
′の等価回路図である。本実施例は、ダイオード素子２
のカソード側Ｋに抵抗素子３が同一ペレット上で内部接
続された構造になっている。
′の等価回路図である。本実施例は、ダイオード素子２
のカソード側Ｋに抵抗素子３が同一ペレット上で内部接
続された構造になっている。
第６図は本実施例を用いた応用回路を示しており、第２
の実施例が同調回路１２のキャパシタンスを構成してい
る。
の実施例が同調回路１２のキャパシタンスを構成してい
る。
第７図は本実施例に用いたダイオード素子２の電気的容
量特性図を示しており、逆電圧（Ｖａ）が加わると素子
容量（Ｃ２）が変化する可変容量ダイオードを示してい
る。
量特性図を示しており、逆電圧（Ｖａ）が加わると素子
容量（Ｃ２）が変化する可変容量ダイオードを示してい
る。
第８図は第６図の抵抗内蔵ダイオード１のバイアス電圧
Ｔ、を示したものであり、可変容量ダイオード２への逆
方向電圧■λをバイアスしている。内蔵抵抗３はこのバ
イアス端子Ｔ、へのバイアス電圧が可変容量ダイト−第
３の逆降伏電圧以上になった時の保護抵抗の役割をもつ
ものである。
Ｔ、を示したものであり、可変容量ダイオード２への逆
方向電圧■λをバイアスしている。内蔵抵抗３はこのバ
イアス端子Ｔ、へのバイアス電圧が可変容量ダイト−第
３の逆降伏電圧以上になった時の保護抵抗の役割をもつ
ものである。
以上説明したように本発明は、同一チップ上にダイオー
ド素子と直列に抵抗素子を形成することにより、従来外
部に取り付けていた抵抗素子を省略でき、回路構成を小
さくできるという効果がある。
ド素子と直列に抵抗素子を形成することにより、従来外
部に取り付けていた抵抗素子を省略でき、回路構成を小
さくできるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の抵抗内蔵ダイオードの
等価回路図、第２図は本実施例の応用回路の一例の回路
図、第３図は第１図のダイオードの一例の抵抗特性図、
第４図は第１図のダイオードの電流特性図、第５図は本
発明の第２の実施例の抵抗内蔵ダイオードの等価回路図
、第６図は第２の実施例の応用回路の一例の回路図、第
７図は第２の実施例の容量特性図、第８図は第６図の回
路に印加されるバイアス電圧Ｔ、のタイムチャートであ
る。 １．１′・・・抵抗内蔵ダイオード、２・・・ダイオー
ド素子、３・・・抵抗素子、１１・・・フィルタ回路、
１２・・・同調回路、Ｒ・・・抵抗端子、Ａ・・・アノ
ード端子、Ｋ・・・カソード端子、＋Ｂ、Ｔｕ・・・バ
イアス端子。 第３図 第１Ｌ図 ＶＲ（Ｖ） 哨諏ｔ）閉′７図
第３又
等価回路図、第２図は本実施例の応用回路の一例の回路
図、第３図は第１図のダイオードの一例の抵抗特性図、
第４図は第１図のダイオードの電流特性図、第５図は本
発明の第２の実施例の抵抗内蔵ダイオードの等価回路図
、第６図は第２の実施例の応用回路の一例の回路図、第
７図は第２の実施例の容量特性図、第８図は第６図の回
路に印加されるバイアス電圧Ｔ、のタイムチャートであ
る。 １．１′・・・抵抗内蔵ダイオード、２・・・ダイオー
ド素子、３・・・抵抗素子、１１・・・フィルタ回路、
１２・・・同調回路、Ｒ・・・抵抗端子、Ａ・・・アノ
ード端子、Ｋ・・・カソード端子、＋Ｂ、Ｔｕ・・・バ
イアス端子。 第３図 第１Ｌ図 ＶＲ（Ｖ） 哨諏ｔ）閉′７図
第３又
Claims (1)
- ダイオード素子と、このダイオード素子の内部抵抗に比
べて十分大きい抵抗を有し前記ダイオード素子を駆動も
しくは保護する抵抗素子とを互に直列結線で同一チップ
上に形成し、かつ前記各素子の端子をそれぞれ外部へ取
出したことを特徴としたダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13723887A JPS63300549A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13723887A JPS63300549A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63300549A true JPS63300549A (ja) | 1988-12-07 |
Family
ID=15194001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13723887A Pending JPS63300549A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63300549A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362960A (en) * | 1992-01-30 | 1994-11-08 | Terumo Kabushiki Kaisha | Photoelectric transducing device having a self-exciting oscillating mechanism |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS523389A (en) * | 1975-06-27 | 1977-01-11 | Toshiba Corp | Field effect semiconductor device |
| JPS53110382A (en) * | 1977-03-08 | 1978-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Overvoltage protective circuit for integrated circuit |
| JPS61227414A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-09 | Seiko Epson Corp | 帯域可変フイルタ |
| JPS61252703A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-10 | Hitachi Ltd | 帯域通過フイルタ |
| JPS623389A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Toshiba Corp | 光学的文字読取装置 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13723887A patent/JPS63300549A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS523389A (en) * | 1975-06-27 | 1977-01-11 | Toshiba Corp | Field effect semiconductor device |
| JPS53110382A (en) * | 1977-03-08 | 1978-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Overvoltage protective circuit for integrated circuit |
| JPS61227414A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-09 | Seiko Epson Corp | 帯域可変フイルタ |
| JPS61252703A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-10 | Hitachi Ltd | 帯域通過フイルタ |
| JPS623389A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Toshiba Corp | 光学的文字読取装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362960A (en) * | 1992-01-30 | 1994-11-08 | Terumo Kabushiki Kaisha | Photoelectric transducing device having a self-exciting oscillating mechanism |
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