KR860000839B1 - 집적회로화가 용이한 리세트 회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

집적회로화가 용이한 리세트 회로

제1도는 본 발명의 회로도.

제2(a)도, 제2(b)도는 본 발명을 이해 하려는 동작 파형도.

제3도는 종래의 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 다이오드 2 : 슈미트 회로

본 발명은 집적 회로내에 리세트회로를 집적 시킬때, 저항이나 캐패시터의 점유면적을 비교적 적게하여 집적회로화가 가능한 만큼의 용량으로 하고 이외에도 이러한 리세트회로에 저렴한 가격으로 응용될 수 있는 리세트회로에 관한 것이다.

종래의 리세트회로는 제3도와 같이 저항(4)과 캐패시터(3)의 RC 시정수를 이용한 회로로서 널리 이용되어 왔다.

이때 이러한 관계에서 설정된 시간 상수는

리세트시간 t=αRC(α는 상수 0.1-1 사이)로 되어 왔다.

이럴때 α는 0.1이고, 저항값 1KΩ에서 t₁=1msec의 값을 얻으려면 캐패시터값이 10μF정도가 된다.

그러나, 이때 IC 구성 소자로서 캐패시터를 집적할 수 있는 용량은 적어도 C

200PF 정도 이므로 이는 비교된 바와 같이 리세트회로의 집적회로화가 용이치 않음을 알 수 있고, 집적회로에서 캐패시터가 차지하는 면적은 그 용량값에 비례하여 상당히 커지므로 캐패피터의 캐패시터의 용량은 가능한한 적은 것이 필요하다.

한편, 일반전자회로에 있어서도 캐패시터의 용량값이 비교적 크므로 그 크기나 가격이 비싸 전체적인 물품의 가격을 상승시키는 단점이 대두되는 것이다. 또한, 상기 캐패시터의 용량값을 적게하기 위하여 비례적으로 수동 소자인 저항소자를 이용하려할때 상당한 고저항을 유지하여야 하고 이 또한 저항 소자를 집적화 할때 차지하는 면적이 비례적으로 증가되어 소정의 집적회로화가 불가능하게 되는 것이다.

본 발명은 종래의 이러한 단점을 개선하고자 발명한 것인데, 이는 능동소자인 다이오드의 역방향 포화전류를 이용해서 캐패시터를 충전시키도록하고, 이를 슈미트회로등을 이용해 리세트 시간을 얻도록 하므로서 비교적 저용량의 캐패시터로 리세트회로가 가능하여 소형, 경량의 집적회로화의 가능과 경제적 이점을 가질 수 있는 리세트회로를 제공하려는데 그 목적이 있는 것이다.

이하에서 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.

제1도와 같이 기존의 전원단에 능동 소자인 다이오드(1)를 거쳐 소용량의 캐패시터(3)를 연결하고 이사이에 슈미트회로(2)를 연결한후 이의 출력으로 리세트파형을 얻도록한 것이다.

미설명부호, 0는 출력단, 5는 IC회로이다. 이러한 구성의 본 발명은 최초 다이오드(1)의 역방향 포화전류는 제조공정에 따라 다르나 약 1mA-1μA 정도의 일정 미소전류량으로서, 이는 캐패시터(3)의 충전전압이

으로 된다.

여기서 캐패시터(3)의 충전전압 V는 제2(a)도와 같다.

이후, 슈미트회로는 충전전압 V가 스레스홀드(THRES HOLD)전압 T_T가 되면 제2(b)도와 같이 리세트 파형을 형성한다.

일례로, 다이오드(1)의 역방향전류 1μA, 공급전원 Vcc는 5V, 리세트시간 t는 1msec, V_T가 0.5Vcc인 경우 캐패시터(3)의 용량값은 400정도로 되어 종래의 것에 비해 약 4×10 정도의 값으로 줄게된다. 그러므로 본 발명을 이용하므로 이러한 리세트회로의 집적회로화가 극히 용이하게 이뤄지며, 일반 전자회로의 적용시는 소용량 캐패시터의 사용으로 그 설계에 가격이 저렴해지고, 전체적인 물품의 가격을 염가로 제공할수 있는 경제적 이점과 신뢰성면에서 향상된 매우 유익한 특징이 있는 것이다.

Claims (1)

1. 저항(4), 캐패시터(3)를 이용하는 리세트회로에 있어서공급전원과 캐패시터(3) 사이에 다이오드(1)를 개재하고, 이에 슈미트회로(2)를 연결하여 다이오드(1)의 역방향 포화전류에 의한 캐패시터(3)의 용량값이 최소가 되도록 하므로서, 집적회로의 용이화와 경제적 이점을 동시에 살릴 수 있는 것을 특징으로하는 집적 회로화가 용이한 리세트회로.

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