JPS6330051A

JPS6330051A - 電話機

Info

Publication number: JPS6330051A
Application number: JP62171298A
Authority: JP
Inventors: ジェームズ　オリバー　マイケル　ジェンキンズ
Original assignee: SHIRIKONITSUKUSU Ltd
Current assignee: SHIRIKONITSUKUSU Ltd
Priority date: 1986-07-14
Filing date: 1987-07-10
Publication date: 1988-02-08
Also published as: GB8617117D0; US4887295A; GB2193414B; EP0254405B1; DE3785503D1; EP0254405A3; EP0254405A2; GB2193414A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は電子操作回路を有する電話機に関する。

〔従来の技術、および発明が解決しようとする問題点〕

典型的には、電話機の２本の受信線がフック・スイッチ
の端子に接続される。このフック・スイッチとは受話器
を持上げることにより操作される１対のスイッチである
。受話器を置く、すなわち「オン・フック」すると、フ
ック・スイッチの接点は該２つの受信線をリンギング回
路に接続し、該受信線を通話回路（ｓｐｅ、ｅｃｈ　ｃ
ｉｒｃｕｉｔｒｙ）から絶縁する。他方、受話器を持ち
上げる、すなわち「オン・フック」すると、受信線は通
話回路を与える整流器に接続される。該受信線の対の閣
の電圧の極性は知られていないが、整流器は電話機の電
子通話、および操作回路によって要求される正しい極性
の一方向の電圧分与える。

このように、フック・スイッチは、加入者が「オフ・フ
ック」するまで、通話および操作回路を受信線から絶縁
する。

フック・スイッチの接点は約−５０Ｖの休止ライン電圧
、約８０Ｖ（実効値）のリンギング電圧、そして、落雷
やライン・テストのような例外的な状況においては最大
２４０Ｖのサージ電圧に晒される。このような電圧に耐
え得るフック・スイッチの製造コストは、電話機の他の
部品と比較して相対的に高く、これは、特に、要求され
る機械的部品の組立てのためである。

本発明の目的は、より安価な型のフック・スイッチを用
いることを可能にする電話機を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段、および作用〕本発明に
よれば、電子操作回路を有する電話機が、電話のライン電圧から、前記電子操作回路のために所定
の極性を有する直流供給電圧を与える整流器、および該
電話機がオフ・フックのときに直流電圧を印加するため
に操作可能なフック・スイッチを備え、前記整流器の出力に直列に接続され、該整流器から前記
操作回路へ前記直流電圧を供給するためＣフッツク・ス
イッチによって制御されるスイッチング・トランジスタ
を有する。

該フック・スイッチは、従来技術におけるようにライン
電圧を直接スイッチするのでなく、スイッチング・トラ
ンジスタを制御するためのみに用いられるので、任意の
信顆できる低電流メイク／ブレイク・スイッチが用いら
れ得る。

〔実施例〕

本発明の１つのＲ様においては、最初に述べたスイッチ
ング・トランジスタを制御するために操作可能で、前記
フック・スイッチによって制御される、もう一つのスイ
ッチング・トランジスタが存在する。

１つの実施例においては、前記スイッチング・トランジ
スタは電界効果トランジスタからなる。

本発明のもう１つの態様によれば、前記スイッチング・
トランジスタを制御する際に前記フック・スイッチに優
先する制御信号を受信する制御端子が備えられている。

１つの実施例においては、電話のライン上のダイヤリン
グ・パルスを生成するために操作可能なライン電流中断
スイッチ、および、前記制御端子へ制御信号を供給する
ダイヤリング制御パルス生成手段が備えられている。

本発明の１例については以下に図面を参照しつつ述べる
。それぞれの図面は電子操作回路を有する電話機の回路
の一部の図である。

第１図を参照して、サージ保護ユニット３を介して接続
された電話線１，２は、さらにブリッジ型整流器４の入
力端子に接続される。端子５はブリッジ型整流器４から
の正極性のライン電圧を受ける。スイッチング・トラン
ジスタ６は端子５と端子７の間に接続され、端子７は電
話機の通話回路に接続される。トランジスタ６はＮ−チ
ャンネル・エンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴからなり、
そのドレイン　Ｄ６は端子５に、そのソース　Ｓ６は端
子７に接続される。フローティング・ドライバがＭＯＳ
ＦＥＴ６のゲート　Ｇ６とソース　Ｓ６との間に接続さ
れており、該フローティング・ドライバはダイオード・
ポンプを形成し、ＨＡＮＤゲート１０の出力に２つのコ
ンデンサ９によって容量的に結合されている。発振器１
１が該ＮＡＮＤゲート１０の１つの入力端に接続され、
インバータ１２の出力が該ＨＡＮＤゲート１０の他の入
力端に接続されている。

該インバータ１２の入力は端子１５に接続され、端子１
５から、さらに抵抗１４を介して端子１６に接続されて
いる。端子１６は、ダイヤリング制御パルス生成回路（
図示せず）から制御信号を受信する。端子１５は、さら
にＮ−チャンネル・エンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴ
１７のゲート　Ｇ１７に接続される。該ＭＯＳＦＥＴ１
７のソース　Ｓ１７は直接、接地され、ドレインは直接
、端子１８に接続される。

端子１８は端子１つに接続され、そして、さらに、高電
圧Ｎ−チャンネル・エンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴ２
０のゲート　Ｇ２０にも接続される。ＭＯＳＦＥＴ２０
のソース　Ｓ２０は直接、接地され、ドレインＤ２０は
抵抗２１を介して端子２２に接続される。

端子２２は直接、高電圧Ｐ−チャンネル・エンハンスメ
ント型ＭＯＳＦＥＴ２３のゲート　Ｇ２３に接続され、
抵抗２４を介してＭＯＳＦＥＴ２３のソース　Ｓ２３に
接続される。

ソース２３は抵抗２５を介して端子２６に接続され、端
子２６は直接、端子５に、そして、さらに抵抗２８を介
して端子２７に接続される。ドレイン　Ｄ２３は端子３
つに接続され、端子３つは発振器１１および論理ゲー）
−１０、１２そして１３の電力供給端子に接続される。

端子２７は抵抗２つを介してＭＯＳＦＥＴ２０のゲート
　Ｇｏｏに接続され、逆バイヤスされたダイオード３０
を介して接地され、さらに端子３２に接続される。端子
３２は抵抗３８を介してフック・スイッチ３４の一方の
端子に接続され、フック・スイッチ３４の他方の端子は
直接、接地される。端子３２は、さらに、２つの直列に
接続されたインバータ３３からなるバッファ・ユニット
を介して端子３１に接続される。

第３の電話受信線３５は高電圧Ｎ−チャンネル・エンハ
ンスメント型ＭＯＳＦＥＴ３６のドレイン　Ｄ３６に接
続される。ＭＯＳＦＥＴ３６のソース　Ｓ３６は直接、
接地され、ゲート　Ｇ３６は端子３７に接地される。

本回路の動作は以下のとおりである：フック・スイッチ
３４が閉じられている、すなわち受話器が置かれている
とき、端子２７は、端子３２、抵抗３８、およびフック
・スイッチを介してアースへの低抵抗の経路を有する。

休止状Ｂ　（ＱＬＩ　１ｅｓｃｅｎ　ｔｃｏｎｓｉｔｉ
ｏｎｓ）の間、端子５における約５０Ｖの直流電圧は抵
抗２８を介して、はぼ完全に降下し、端子２７はほぼア
ース電位に近く保持される。こうして、本電話機はオン
・フック時においてさえ、受信線から数マイクロ・アン
ペアの電流を取り出している。端子２７はアース電位に
近いので、ＭＯＳＦＥＴ２０のゲート　Ｇ２０は、ＭＯ
ＳＦＥＴ２０をオンにするに十分な程、ソース　Ｓ２０
に関して正極性に保たれていない。こうして、トランジ
スタ２１　、２４および２５を介してはドレイン電流は
流れず、ＭＯＳＦＥＴ２３のゲート　Ｇ２３は、ＭＯＳ
ＦＥＴ２３をオンにするＧこ十分な程、ソース　Ｓ２３
に関して負極性に保たれていない、こうして、端子２つ
は端子５から絶縁され、これにより発振器１１および論
理ゲート１０゜１２そして１３への電力供給を妨げ、そ
して、結局、フローティング・ドライバ８および９への
電力供給をも妨げる。

ＭＯＳＦＥＴ８のゲート　Ｇ６は、こうしてソースＳ６
に関して正極性に保たれず、ＭＯＳＦＥＴ６はオフであ
り、ライン電流しゃ断状態にする。交換機が、受信線上
に実効値約８０Ｖのリンギング電圧を重畳するとき、リ
ンギング回Ｂ（図示せず）は活性化される。端子５の電
圧は該リンギング電圧に従うが、端子２７は依然、はぼ
接地状態に保持され、ＭＯＳＦＥＴ６同様、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２０および２３もオフのままである。

フック・スイッチ３４が開のとき、すなわち、受話器が
オフ・フックのとき、端子２７はもはや接地に近い状態
には保持されない。最小のライン電圧のときにおいてさ
え、端子２７はＭＯＳＦＥＴ２０をオンにするに十分な
正の電圧をＭＯＳＦＥＴ２０のゲートＧ２０に与える。

ドレイン電流は端子５から抵抗２５゜２４および２１、
そしてＭＯＳＦＥＴ２０を介してアースに流れる。そし
て、抵抗２４における電圧降下は、ソース　Ｓ２３に関
してゲート　Ｇ２３を十分に負極性に保持し、ＭＯＳＦ
ＥＴ２３はオンする。

こうして、端子２つは、発振器１１および論理ゲート１
０　、１２そして１３に電力を供給するに十分な正電圧
にある。通話伝送の間、（ラインしゃ断と標識付けられ
、ダイヤリング制御パルス生成回路に接続された）端子
１６は論理レベル０にあり、インバータ１２の出力は結
局、連続的に論理レベル１にある。ＮＡＮＤゲート１０
の出力は、しかしながら発振器１１により発振する。ダ
イオード・ポンプ８およびコンデンサ９からなるフロー
ティング・ドライバはＭＯＳＦＥＴ６のゲート　Ｇ６を
ソースＳ６に関し正極性に保持する。こうして、ＭＯＳ
ＦＥＴ８がオンし、ライン電流が通話回路へ伝送される
ようにする。

端子１６が論理レベル１のダイヤリング制御パルスを受
信するとき、インバータ１２の出力は論理レベル０とな
り、ＮＡＮＤゲート】０の出力はこのとき連続的に論理
レベル１であり、ダイオード・ポンプ８の機能を停止さ
せる。こうしてＭＯＳＦＥＴ８のゲート　Ｇ６は、ソー
ス　Ｓ６に関して正極性に保持されず、ＭＯＳＦＥＴ６
はオフとなる。こうして、端子１６にて制御パルスが受
信されると、ライン電流が、しゃ断される。通常の、瞬
間的なし＋断は、端子１６に接続されるダイヤリング制
御パルス生成回路によって行なわれる。パルス列は伝送
線１および２を介して自動ライン選択装置を操作する受
信端子へ伝送される。

さらに、受話器がオフ・フックであるとき、正常な条件
の間、端子２つに接続された電源を伝送線にロードする
ことは、抵抗２５によって最小限にされる。そして、ま
た、端子１つを介して、フック・スイッチに対するオー
バー・ライド（ｏｖｅｒ−ｒｉｃｌｅ）が提供される：
フック・スイッチが閉、すなわち、正常なオフ・フック
条件において、端子１９に論理レベル１が印加されると
、ＭＯＳＦＥＴ２０のゲート　Ｇ２０を正極性にし、そ
れによってＭＯＳＦＥＴ２０をオンにし、結局、ＭＯＳ
ＦＥＴ２３および６をオンにする。このようにして、オ
ン・フック状態でダイヤルすることが可能になる。

加えて、端子３７を介してのリコール（ｒｅｃａｌｌ）
機能が備えられている：フック・スイッチが開のとき、
端子３７に印加される論理レベル１は、ＭＯＳＦＥＴ３
６のゲート　Ｇ３６をソース　Ｓ３６に関して十分に正
極性にすることによりＭＯＳＦＥＴ３６をオンにする。

こうしてライン３５上の電流に対して、ＭＯＳＦＥＴ３
６のドレインとソースを介してアースへの経路を与え、
リコール通知状態にする。

第２図を参照して（本図においてはこれまでに述べた構
成要素に対応する参照番号が用いられている）、サージ
保護ユニット３を介して接続された電話伝送線１，２は
、さらにブリッジ型整流器４の入力端子に接続される。

整流器４は、Ｎ−チャンネル・エンハンスメント型高電
圧ＭＯＳＦＥＴのブリッジからなり、該ブリッジは、伝
送線１，２上の電圧によって直接スイッチされる最初の
対のＭＯＳＦＥＴ４６および４７、および、電圧４倍器
ネットワーク４０および４１の各々の対によってスイッ
チされる第２の対４７および４８を有してなるものであ
る。該電圧４倍器はフローティング・ドライバとして働
き、発振器１１が動作するときＭＯＳＦＥＴ４７および
４８をオンにするに十分なゲート−ソース間バイアスを
生成する。ドライバ４０および４１によってゲート−ソ
ース間バイアスが印加されないときには該ブリッジから
端子５へは数マイクロ・アンペアの電流のみが取り込ま
れる。

逆に、ゲート−ソース間バイアスが印加されるとき、Ｍ
ＯＳＦＥＴ４７あるいは４８は、取り込まれた電流を従
来のダイオードのブリッジ整流器の各ダイオードにおい
て降下する０、７Ｖの数分の１であるＭＯＳＦＥＴにお
ける電圧降下をもって通過させる。こうして、伝送線１
および２の間の小さい作動電圧が取り扱い得る。このＭ
ＯＳＦＥＴブリッジ型整流器のより詳細な動作と特性に
ついては英国特許第８３３２５４９号に示されている。

受信線１および２は、さらに、それぞれ、絶縁コンデン
サを介して端子４５へ、そして、一方向のデプレッショ
ン・モードのスイッチ４３と直列に接続されたもう１つ
の絶縁コンデンサを介して端子４４へ接続される。リン
グ検出回路は端子４５および４４に接続される。電圧４
倍器４２は、該一方向スイッチ４３のそれぞれのＭＯＳ
ＦＥＴのゲートとソースとの間にフローティング・ドラ
イバとして接続される。該電圧４倍器は発振器１１に接
続されている。その結果、発振器１１が動作していると
き、スイッチ４３中のＭＯＳＦＥＴは非導通で、こうし
て、スイッチをオフにし、伝送線１，２からリング検出
器を絶縁している。

逆に、発振器１１が動作していないとき、そして、前記
電圧４倍器４２によってスイッチ４３のＭＯＳＦＥＴに
負のゲート−ソース間バイアスが印加されないとき、Ｍ
ＯＳＦＥＴの残りのチャンネルがリンギング信号を端子
４４および４５に接続されるリング検出回路に伝送する
。

端子５はブリッジ整流器４から正極性のライン電圧を受
信する。端子５への他の接続とその動作は、先に第１図
を参照しつつ述べたとおりであるので、以下に例外的特
徴についてのみ述べる。

電話機の内部電源に接続される端子５０は、さらに、ダ
イオード５４に直列に接続される抵抗５３を介して接続
されている。抵抗５３は端子５５を介してダイオード５
４に接続される。端子５５は、さらに端子５６に接続さ
れる。端子５６は、端子６０に、そして、ダイオード５
１とＮ−チャンネル・エンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴ
５２とを介して端子５７に接続される。端子５７は抵抗
５８を介して接地されている。端子６０はコンデンサの
ような外部制御回路に接続され得、端子３１上に現われ
る入力信号が内部電源のパワー・アップの後に調整され
得る。端子３１は、フック・スイッチ３４の状態を信号
として伝えるために電話機のマイクロプロセッサの入力
端に接続される。

第２図に示される回路の他の特徴は、ＭＯＳＦＥＴ６を
制御するフローティング・ドライバ、すなわち、電圧４
倍器が電圧２倍器（ｖｏｌｔａｇｅ　ｄｏｕｂｌｅｒ）
に対して用いられていることである。

フック・スイッチ３４は高抵抗接点の対、例えば導電性
ゴム・パッドの対のみが必要であって、機械的なマイク
ロ・スイッチの必要性は完全に取り除かれることは明ら
かであろう。

また、該フック・スイッチ３４は該電話機本体上の第１
の接点と、該電話機の取りはずし可能な受話器部分上の
第２の接点とを有するようにできる。

さらに、回路の高度のＳ積化が可能であることも明らか
であろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例の構成図、そして、第２図
は本発明の第２実施例の構成図である。（符号の説明）１．２・・・受信線、　　３・・・サージ保護ユニット
、４・・・ブリッジ型整流器、５・・・ライン電圧端子、６．１７・・・Ｎ−チャンネル・エンハンスメント型Ｍ
ＯＳＦＥＴ、７・・・通話回路への出力端子、８・・・ダイオード・ポンプ、９・・・コンデンサ、　　　１ｏ・・・ＮＡＮＤゲート
、１１・・・発振器、　　　１２　、１３・・・インバ
ータ、１４・・・抵抗、１６・・・制御パルス受信端子、１つ・・・オーバーライド制御信号受信端子、２０　、
３６・・・高電圧Ｎ−チャンネル・エンハンスメント型
ＭＯＳＦＥＴ、２１　、２４　、２５　、２８・・・抵抗、２３・・・
高電圧Ｐ−チャンネル・エンハンスメント型ＭＯＳＦＥ
Ｔ、３３・・・バッファ・ユニット、３４・・・フック・スイッチ、３５・・・第３の受信線、４０　、４１　、４２・・・４倍器。以下金白

Claims

【特許請求の範囲】１、電子操作回路を有し、電話のライン電圧から、前記電子操作回路のために所定
の極性を有する直流供給電圧を与える整流器（４）、お
よび該電話機がオフ・フックのときに直流電圧を印加す
るために操作可能なフック・スイッチ（３４）を備え、前記整流器（４）の出力に直列に接続され、該整流器（
４）から前記操作回路へ前記直流電圧を供給するために
フック・スイッチ（３４）によって制御されるスイッチ
ング・トランジスタ（２３）を有する電話機。２、前記スイッチング・トランジスタ（２３）を制御す
るために操作可能で、前記フック・スイッチ（３４）に
よって制御される、もう１つのスイッチング・トランジ
スタ（２０）を有する特許請求の範囲第１項記載の電話
機。３、前記スイッチング・トランジスタ（２０、２３）が
電界効果トランジスタからなる特許請求の範囲第１項ま
たは２項記載の電話機。４、前記スイッチング・トランジスタ（２０、２３）を
制御する際に前記フック・スイッチに優先する制御信号
を受信するための制御端子（１５）を有する特許請求の
範囲第１〜３項のいずれかに記載の電話機。５、電話線上のダイヤリング・パルスを生成するための
操作可能なライン電流しや断スイッチ（６）、および、
前記制御端子（１５）に制御パルスを供給するダイヤリ
ング制御パルス生成手段を有する特許請求の範囲第４項記載の電話機。６、前記ライン電流しや断スイッチ（６）が前記ダイヤ
リング制御パルス生成手段からの制御パルスによって制御される特許請求の範囲第５項記
載の電話機。７、前記フック・スイッチ（３４）は、該電話機本体上
の第１の接点と、該電話機の取りはずし可能な受話器部
分上の第２の接点とを有する特許請求の範囲第１〜６項
のいずれかに記載の電話機。