KR200206519Y1

KR200206519Y1 - 험노이즈 감소를 위한 디아이오디 및 디아이디 회로

Info

Publication number: KR200206519Y1
Application number: KR2019980026658U
Authority: KR
Inventors: 박문경
Original assignee: 윤종용; 삼성전자주식회사
Priority date: 1998-12-26
Filing date: 1998-12-26
Publication date: 2001-01-15
Also published as: KR20000013486U

Abstract

본 고안은, 사설교환기에서 트랜지스터를 사용하여 전원을 공급하는 DIOD(Direct Inward/Outward Dialing) 및 DID(Direct Inward Dialing) 회로에 관한 것으로, 디오디(DOD)기능을 위한 릴레이 KA 및 루프회로 2와, 디아이디(DID)나 디오디로 동작할 수 있도록 절체하는 릴레이 KB,KC와, 팁단 및 링단의 라인에 정전류 공급을 위한 회로소자 TA,TB,RA,RB,RC,RD,CA와, 라인에 직류가 인가되지 못하게 차단을 위한 커패시터 CB,CC와, 직류분리를 위한 트랜스포머 4와, 디오디 및 디아이디 선택에 따라 접지 GND2를 상기 트랜스포머 4의 중간탭에 선택적으로 연결시키는 릴레이 KD로 구성함을 특징으로 하는 디아이오디(DIOD) 회로를 구비하여, DIOD 또는 DID회로의 트랜지스터에 의한 전원공급방식에서 저주파에서의 횡종평형도가 상대적으로 좋지 않았던 것을 개선하므로 험노이즈를 감소시킨다.

Description

험노이즈 감소를 위한 디아이오디 및 디아이디 회로

본 고안은 사설교환기에 관한 것으로, 특히 트랜지스터를 사용하여 전원을 공급하는 DIOD(Direct Inward/Outward Dialing) 및 DID(Direct Inward Dialing) 회로에 관한 것이다.

키폰시스템과 같은 사설교환기에서 DID(Direct Inward Dialing)는 구내자동착신 회선이고, DOD(Direct Outward Dialing)는 구내자동발신 회선을 말한다. DID기능은 외부로부터 구내교환기에 접속된 단말기와 통신을 하고자 할 때 할당된 DID회선을 이용해 구내교환원을 통하지 않고 직접 호출할 수 있는 기능을 말하고, DOD기능은 구내단말기로부터 단말기를 호출하고자 할 경우에 DOD회선을 이용해 구내교환기를 사용하지 않고 직접 호출할 수 있는 기능을 말한다.

사설교환기에서는 필요에 따라서 DID와 DID기능을 모두 수행하는 DIOD회로를 구비시킬 수 있고, DID기능 또는 DOD기능 하나만을 수행하는 DID회로 또는 DOD회로를 구비시킬 수 있다. DIOD회로 및 DID 또는 DOD회로는 사설교환기의 국선인터페이스에 구비된다.

도 1은 트랜지스터를 사용하여 전원을 공급하는 종래기술의 DIOD(Direct Inward/Outward Dialing)회로를 도시하고 있다.

도 1의 회로에서, 릴레이 KA와 루프회로는 DOD(Direct Outward Dialing)기능을 위한 회로이며, 릴레이 KB,KC는 도 1의 회로를 DID나 DOD로 동작하는 절체하는 기능을 한다. 도 1에서 상기 릴레이 KA,KB,KC 및 루프회로 2를 제외한 나머지 회로 소자들이 DID회로가 된다. 도 1의 회로가 DID로 동작할 경우에 피딩전원은 내부에서 외부측(국설교환기측)으로 공급되고, DOD로 동작할 경우에 피딩전원은 외부측(국설교환기측)에서 내부측으로 공급된다. DID회로에서, 트랜지스터 TA,TB, 저항 RA,RB,RC,RD 및 커패시터 CA는 라인으로 피딩전원 공급을 위한 정전류를 제공하는 회로이고, 커패시터 CB,CC는 트랜스포머 4로 직류전류가 유입되지 않게 하기 위한 기능을 한다. 트랜스포머 4는 시스템 내부와 외부를 DC(Direct Current)적으로 분리하기 위한 용도이다.

도 1의 회로에서 커패시터 CA는 라인으로부터 인입된 AC신호(음성신호)에 대해서 저항 RA와 RD측으로 AC전류가 흐르지 못하게 함으로써 트랜지스터 TA,TB가 정전류만 흐르게 하도록 하는 역할을 한다. 그런데 상기 커패시터 CA의 임피던스(

Xc=1/jwC

)는 저주파로 갈수록 커지기 때문에 저주파에서는 트랜지스터 TA,TB가 정전류회로로 동작할 수 없게 한다. 즉 바이어스가 불안정하여 상기 트랜지스터 TA,TB는 완전한 턴온/턴오프가 되지 못한다(불안정한 턴온/턴오프가 된다). 따라서 TA,RA,RB회로와 TB,RC,RD회로는 불평형 상태가 되고, 상기 불평형은 험노이즈로 작용한다. 즉 라인으로부터 인입되는 저주파신호가 팁-접지(TIP-GND1) 사이, 링-접지(RING-[-48N]) 사이에 서로 차이가 나므로 이것이 통화중 험노이즈(hum noise)가 되어 사용자에게 들리게 된다.

따라서 본 고안의 목적은 트랜지스터를 사용하여 전원을 공급하는 DID,DIOD회로에서 험노이즈를 감소하기 위한 DIOD 및 DID회로를 제공하는데 있다.

상기한 목적에 따라, 본 고안은, 험노이즈 감소를 위한 디아이오디(DIOD) 회로에 있어서, 디오디(DOD)기능을 위한 릴레이 KA 및 루프회로 2와, 디아이디(DID)나 디오디로 동작할 수 있도록 절체하는 릴레이 KB,KC와, 팁단 및 링단의 라인에 정전류 공급을 위한 회로소자 TA,TB,RA,RB,RC,RD,CA와, 라인에 직류가 인가되지 못하게 차단을 위한 커패시터 CB,CC와, 직류분리를 위한 트랜스포머 4와, 디오디 및 디아이디 선택에 따라 접지 GND2를 상기 트랜스포머 4의 중간탭에 선택적으로 연결시키는 릴레이 KD로 구성함을 특징으로 한다.

또한 본 고안은, 험노이즈 감소를 위한 디아이디(DID) 회로에 있어서, 팁단 및 링단의 라인에 정전류 공급을 위한 회로소자 TA,TB,RA,RB,RC,RD,CA와, 라인에 직류가 인가되지 못하게 차단을 위한 커패시터 CB,CC와, 직류분리를 위한 트랜스포머와, 상기 트랜스포머의 중간탭에 연결된 접지 GND2로 구성함을 특징으로 한다.

도 1은 트랜지스터를 사용하여 전원을 공급하는 종래기술의 DIOD회로 구성도,

도 2는 본 고안의 실시예에 따라, 트랜지스터를 사용하여 전원을 공급하는 DIOD회로 구성도.

도 3은 본 고안의 실시예에 따라, 트랜지스터를 사용하여 전원을 공급하는 DID회로 구성도.

이하 본 고안의 바람직한 실시예들을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도면들중 동일한 구성요소들은 가능한한 어느 곳에서든지 동일한 부호들로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 또한 본 고안의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.

도 2는 본 고안의 실시예에 따라, 트랜지스터를 사용하여 전원을 공급하는 DIOD회로 구성도이다. 본 고안의 실시예에 따른 회로는 DOD를 위한 릴레이 KA 및 루프회로, 도 2의 DIOD회로를 DID나 DOD로 동작할 수 있도록 절체하는 릴레이 KB,KC와, 정전류 공급을 위한 TA,TB,RA,RB,RC,RD,CA와, DC차단을 위한 커패시터 CB,CC와, DC분리를 위한 트랜스포머 4, 그리고 접지 GND2를 상기 트랜스포머 4의 중간탭에 연결시키거나 차단시킬 수 있도록 하는 릴레이 KD로 구성한다.

도 2의 구성을 참조하여 본 고안의 실시예에 따른 동작을 상세히 설명한다.

도 2의 회로가 DOD로 동작을 할 때는 릴레이 KA는 "온"되고 릴레이 KB,KC는 "오프"된다. 도 2의 회로가 상기와 같이 DOD로 동작하는 상태에서는, 만약 릴레이 KD를 "온"시켜 접지 GND2와 연결하게 되면 전원이 팁단(TIP)과 링단(RING)을 통해 접지 GND2로 흘러가는 루프가 형성되므로 험노이즈가 증가된다. 따라서 DOD로 동작하는 상태에서는 릴레이 KD를 "오프"시킨다.

반대로 도 2의 회로가 DID로 동작을 할 때는 릴레이 KA는 "오프"되고 릴레이 KB,KC는 "온"된다. 그리고, 릴레이 KD를 "온"시킨다. 도 2의 회로가 DID로 동작을 할 때 상기 릴레이 KD를 "온"시키는 이유는 하기와 같다.

트랜스포머 4의 임피던스(

X_L=jwL

)는 저주파에서는 매우 낮기 때문에 트랜지스터 TA,TB, 저항 RA,RB,RC,RD, 커패시터 CA로 구성되는 정전류회로의 불평형에 의해서 발생하는 유기전력을 대부분 커패시터 CB → 트랜스포머 4 → 릴레이 KD → 접지 GND2의 경로와 커패시터 CC → 트랜스포머 4 → 릴레이 KD → 접지 GND2의 경로로 흘려버린다. 따라서 라인으로 흘러 나가는 저주파 신호를 줄임으로써 험노이즈의 발생이 억제된다.

도 3에서는 본 고안의 실시예에 따라, 트랜지스터를 사용하여 전원을 공급하는 DID회로 구성을 보여주고 있다. 도 3의 DID회로 구성을 보면 도 2의 DIOD회로구성에서 DOD구성 회로소자 즉, 릴레이 KA, 루프회로 2와, DID/DOD 절체를 위한 릴레이 KB,KC가 빠져 있고, 릴레이 KD도 빠져 있다.

DID동작시 동작을 설명하면 하기와 같다. 트랜스포머 4의 임피던스(

X_L=jwL

)는 저주파에서는 매우 낮기 때문에 트랜지스터 TA,TB, 저항 RA,RB,RC,RD, 커패시터 CA로 구성되는 정전류회로의 불평형에 의해서 발생하는 유기전력을 대부분 커패시터 CB → 트랜스포머 4 → 접지 GND2의 경로와 커패시터 CC → 트랜스포머 4 → 접지 GND2의 경로로 흘려버린다. 따라서 라인으로 흘러 나가는 저주파 신호를 줄임으로써 험노이즈의 발생이 억제된다.

상술한 본 고안의 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 여러가지 변형이 본 고안의 범위에서 벗어나지 않고 실시할 수 있다. 따라서 본 고안의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 실용신안등록청구범위와 실용신안등록청구범위의 균등한 것에 의해 정해 져야 한다.

상술한 바와 같이 본 고안은 DIOD 및 DID회로의 트랜지스터에 의한 전원공급방식에서 저주파에서의 횡종평형도가 상대적으로 좋지 않았던 것을 개선하므로 험노이즈를 감소시킨다.

Claims

험노이즈 감소를 위한 디아이오디(DIOD) 회로에 있어서,

디오디(DOD)기능을 위한 릴레이 KA 및 루프회로 2와,

디아이디(DID)나 디오디로 동작할 수 있도록 절체하는 릴레이 KB,KC와,

팁단 및 링단의 라인에 정전류 공급을 위한 회로소자 TA,TB,RA,RB,RC,RD,CA와,

라인에 직류가 인가되지 못하게 차단을 위한 커패시터 CB,CC와,

직류분리를 위한 트랜스포머 4와,

디오디 및 디아이디 선택에 따라 접지 GND2를 상기 트랜스포머 4의 중간탭에 선택적으로 연결시키는 릴레이 KD로 구성함을 특징으로 하는 디아이오디(DIOD) 회로.
험노이즈 감소를 위한 디아이디(DID) 회로에 있어서,

팁단 및 링단의 라인에 정전류 공급을 위한 회로소자 TA,TB,RA,RB,RC,RD,CA와,

라인에 직류가 인가되지 못하게 차단을 위한 커패시터 CB,CC와,

직류분리를 위한 트랜스포머와,

상기 트랜스포머의 중간탭에 연결된 접지 GND2로 구성함을 특징으로 하는 디아이디(DID) 회로.