JPH0221812Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0221812Y2 JPH0221812Y2 JP1981197559U JP19755981U JPH0221812Y2 JP H0221812 Y2 JPH0221812 Y2 JP H0221812Y2 JP 1981197559 U JP1981197559 U JP 1981197559U JP 19755981 U JP19755981 U JP 19755981U JP H0221812 Y2 JPH0221812 Y2 JP H0221812Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- power supply
- circuit
- control circuit
- switching element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Devices For Supply Of Signal Current (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
[産業上の利用分野〕
本考案は供給された電源電圧が制御回路の動作
保証電圧に達するまでの期間、スイツチング素子
の動作を閉塞するようにした局電源式電話機にお
けるスイツチング素子の動作閉塞回路に関するも
のである。
保証電圧に達するまでの期間、スイツチング素子
の動作を閉塞するようにした局電源式電話機にお
けるスイツチング素子の動作閉塞回路に関するも
のである。
[従来の技術]
例えば、局電源方式の公衆電話機は商用電源に
よつて動作するものが多くなつているが、商用電
源のとれないところ、あるいは停電時には局電源
で動作するようになつている。ところが、電話機
によつては例えばマグネツトを動作させるような
必要があり、この場合は局電源ではエネルギが不
足するので、オフフツク時の通話電流をコンデン
サに充電してその電圧によつて動作させている。
よつて動作するものが多くなつているが、商用電
源のとれないところ、あるいは停電時には局電源
で動作するようになつている。ところが、電話機
によつては例えばマグネツトを動作させるような
必要があり、この場合は局電源ではエネルギが不
足するので、オフフツク時の通話電流をコンデン
サに充電してその電圧によつて動作させている。
[考案が解決しようとする課題]
しかしながら、近年は電話機も通話以外の各種
の機能を要求されるようになり、半導体を使用し
た制御回路を搭載するものが多くなつている。と
ころが半導体を使用した制御回路は、供給される
電圧がその制御回路の動作保障電圧以下の時、完
全な動作を保障できず、誤動作を起こすことも多
い。したがつて場合によつてはその誤動作によつ
て強制切断信号を発生してしまうこともある。と
ころが局電源方式の電話機はオフフツク時に局電
源によつて充電されるコンデンサの両端電圧を電
源電圧としているので、オフフツクした当初はそ
の端子電圧は当然のことながら制御回路の動作保
障電圧まで達していない。この場合に強制切断信
号が発生すると、局電源が強制切断されてしま
い、コンデンサに充電が行われないので、いつま
でたつてもこの電話機は使用できないことになる
という課題がある。
の機能を要求されるようになり、半導体を使用し
た制御回路を搭載するものが多くなつている。と
ころが半導体を使用した制御回路は、供給される
電圧がその制御回路の動作保障電圧以下の時、完
全な動作を保障できず、誤動作を起こすことも多
い。したがつて場合によつてはその誤動作によつ
て強制切断信号を発生してしまうこともある。と
ころが局電源方式の電話機はオフフツク時に局電
源によつて充電されるコンデンサの両端電圧を電
源電圧としているので、オフフツクした当初はそ
の端子電圧は当然のことながら制御回路の動作保
障電圧まで達していない。この場合に強制切断信
号が発生すると、局電源が強制切断されてしま
い、コンデンサに充電が行われないので、いつま
でたつてもこの電話機は使用できないことになる
という課題がある。
[課題を解決するための手段]
このような課題を解決するために本考案は、制
御電極に電源バイアス電圧が供給されていないと
きに導通状態を示す半導体素子と、電源電圧が制
御回路の動作保障電圧に達していないときには制
御電極と信号グランド間に接続された前記半導体
素子によつて制御回路の出力とは無関係にオフ動
作を行う第1のスイツチング素子と、局ループに
直列に接続され第1のスイツチング素子のオフ動
作によつてオン状態になる第2のスイツチング素
子とを備えたものである。
御電極に電源バイアス電圧が供給されていないと
きに導通状態を示す半導体素子と、電源電圧が制
御回路の動作保障電圧に達していないときには制
御電極と信号グランド間に接続された前記半導体
素子によつて制御回路の出力とは無関係にオフ動
作を行う第1のスイツチング素子と、局ループに
直列に接続され第1のスイツチング素子のオフ動
作によつてオン状態になる第2のスイツチング素
子とを備えたものである。
[作用]
オフフツクした当初はコンデンサが充電されて
いないので、この電話機の電源電圧は発生してい
ない。このため、動作閉塞用半導体素子はオン状
態となつており、第1のスイツチング素子の制御
電極は動作閉塞用半導体素子によつて信号グラン
ドに短絡されている。コンデンサの充電が進行
し、その端子電圧が上昇すると制御回路が動作可
能な状態となるが、その電圧が制御回路の動作保
障電圧以下の値であると、制御回路は強制切断信
号を発生することがある。しかし、電源電圧が制
御回路の動作保障電圧以下の場合は動作閉塞用半
導体素子がオン状態を維持しているので第1のト
ランジスタの動作は閉塞され、このため第2のト
ランジスタはオン状態を継続し、制御回路が強制
切断信号を発生しても局電源が強制切断されるこ
とはない。したがつてコンデンサは局電源による
充電が進行し、そのコンデンサの端子電圧はやが
て制御回路の動作保障電圧以上になり、制御回路
は正常な動作を行うので、電源電圧による誤動作
は起こらなくなるので、電話機の電源が遮断され
ることはない。
いないので、この電話機の電源電圧は発生してい
ない。このため、動作閉塞用半導体素子はオン状
態となつており、第1のスイツチング素子の制御
電極は動作閉塞用半導体素子によつて信号グラン
ドに短絡されている。コンデンサの充電が進行
し、その端子電圧が上昇すると制御回路が動作可
能な状態となるが、その電圧が制御回路の動作保
障電圧以下の値であると、制御回路は強制切断信
号を発生することがある。しかし、電源電圧が制
御回路の動作保障電圧以下の場合は動作閉塞用半
導体素子がオン状態を維持しているので第1のト
ランジスタの動作は閉塞され、このため第2のト
ランジスタはオン状態を継続し、制御回路が強制
切断信号を発生しても局電源が強制切断されるこ
とはない。したがつてコンデンサは局電源による
充電が進行し、そのコンデンサの端子電圧はやが
て制御回路の動作保障電圧以上になり、制御回路
は正常な動作を行うので、電源電圧による誤動作
は起こらなくなるので、電話機の電源が遮断され
ることはない。
[実施例]
第1図は本考案の一実施例を公衆電話機に適用
したブロツク図である。同図において、課金信号
受信回路1、ダイオードブリツジ2、ダイヤルイ
ンパルス送出および強制切断回路としてのスイツ
チング回路3、電源回路4、ダイヤルシヤント回
路5、通話回路6、制御回路7、フツクスイツチ
HSおよび局線端子L1,L2は公衆電話機回路
を構成する。また、8は硬貨収納等のためのマグ
ネツトである。9,10は制御電極に電源バイア
ス電圧が供給されていない時に導通状態を示し、
かつ電源バイアス電圧が所定レベルに達した時に
非導通状態となる半導体素子であり、デプレツシ
ヨン形の電界効果トランジスタ(以下FETと称
する)を使用している。11は電源バイアス発生
回路であり、電源電圧が制御回路7の動作保証電
圧に達した後に、FET9,10を非導通にする
ための、前記所定レベルの電源バイアス電圧を発
生する。また、FET9,10と電源バイアス発
生回路11は、スイツチング回路3およびマグネ
ツト回路8の動作を閉塞する回路を構成してい
る。
したブロツク図である。同図において、課金信号
受信回路1、ダイオードブリツジ2、ダイヤルイ
ンパルス送出および強制切断回路としてのスイツ
チング回路3、電源回路4、ダイヤルシヤント回
路5、通話回路6、制御回路7、フツクスイツチ
HSおよび局線端子L1,L2は公衆電話機回路
を構成する。また、8は硬貨収納等のためのマグ
ネツトである。9,10は制御電極に電源バイア
ス電圧が供給されていない時に導通状態を示し、
かつ電源バイアス電圧が所定レベルに達した時に
非導通状態となる半導体素子であり、デプレツシ
ヨン形の電界効果トランジスタ(以下FETと称
する)を使用している。11は電源バイアス発生
回路であり、電源電圧が制御回路7の動作保証電
圧に達した後に、FET9,10を非導通にする
ための、前記所定レベルの電源バイアス電圧を発
生する。また、FET9,10と電源バイアス発
生回路11は、スイツチング回路3およびマグネ
ツト回路8の動作を閉塞する回路を構成してい
る。
さらに、スイツチング回路3はトランジスタ3
1〜33、制御回路7によつて制御電極を制御さ
れてオンオフ動作を行うトランジスタ34、およ
び抵抗35〜38から構成され、電源回路4はコ
ンデンサ41とツエナーダイオード42から構成
されている。このうち、トランジスタ34は第1
のスイツチング素子として作用し、トランジスタ
33は第2のスイツチング素子として作用する。
また、マグネツト回路8は制御回路7によつて制
御電極を制御されてオンオフ動作を行うトランジ
スタ81とマグネツト82とで構成されている。
1〜33、制御回路7によつて制御電極を制御さ
れてオンオフ動作を行うトランジスタ34、およ
び抵抗35〜38から構成され、電源回路4はコ
ンデンサ41とツエナーダイオード42から構成
されている。このうち、トランジスタ34は第1
のスイツチング素子として作用し、トランジスタ
33は第2のスイツチング素子として作用する。
また、マグネツト回路8は制御回路7によつて制
御電極を制御されてオンオフ動作を行うトランジ
スタ81とマグネツト82とで構成されている。
電源バイアス発生回路11は例えば第2図に示
すように発振回路11a、バツフア回路11b、
変換回路11cおよび出力端子11dから構成さ
れている。そして、発振回路11aはインバータ
110〜112、コンデンサ113,114、抵
抗115,116、水晶発振子117から構成さ
れ、電源電圧VDDが供給されると水晶発振子11
7で決まる周波数の信号を発生し、その振幅は供
給される電源電圧VDDに対応し、電源電圧VDDは
所定値までは時間と共に増加するので、発振回路
11aの発振波形のマイナス側振幅側は第3図の
実線に示すようになる。また、バツフア回路11
bはインバータ118,119とで構成され、変
換回路11cはコンデンサ120,121、抵抗
112,123、ダイオード124,125から
構成される。そして、変換回路11cはバツフア
11bから供給される第3図実線の波形を整形
し、第3図点線に示すような直流電圧に変換し、
FET9,10に供給する電源バイアス電圧を発
生する。この場合、変換回路11cは、電源電圧
VDDが制御回路7の動作保証電圧に達するまでの
時間Tの間はFET9,10をオンに保つ電圧、
即ち−V1以上の電圧を出力し、時間T経過後は
FET9,10をオフにする−V1以上の電圧を出
力するようにその定数が決められている。
すように発振回路11a、バツフア回路11b、
変換回路11cおよび出力端子11dから構成さ
れている。そして、発振回路11aはインバータ
110〜112、コンデンサ113,114、抵
抗115,116、水晶発振子117から構成さ
れ、電源電圧VDDが供給されると水晶発振子11
7で決まる周波数の信号を発生し、その振幅は供
給される電源電圧VDDに対応し、電源電圧VDDは
所定値までは時間と共に増加するので、発振回路
11aの発振波形のマイナス側振幅側は第3図の
実線に示すようになる。また、バツフア回路11
bはインバータ118,119とで構成され、変
換回路11cはコンデンサ120,121、抵抗
112,123、ダイオード124,125から
構成される。そして、変換回路11cはバツフア
11bから供給される第3図実線の波形を整形
し、第3図点線に示すような直流電圧に変換し、
FET9,10に供給する電源バイアス電圧を発
生する。この場合、変換回路11cは、電源電圧
VDDが制御回路7の動作保証電圧に達するまでの
時間Tの間はFET9,10をオンに保つ電圧、
即ち−V1以上の電圧を出力し、時間T経過後は
FET9,10をオフにする−V1以上の電圧を出
力するようにその定数が決められている。
このように構成された回路の動作は次の通りで
ある。オフフツクによりフツクスイツチHSがオ
ンして直流ループが形成されると、局電源が抵抗
37を介してスイツチング回路3のトランジスタ
31に供給されるので、トランジスタ31はオン
になる。これにともなつて、トランジスタ32,
33もオンとなり、コンデンサ41が通話電流に
よつて充電され始め、コンデンサ41に発生した
電圧が電源電圧VDDとして制御回路7、マグネツ
ト回路8、電源バイアス発生回路11に供給され
る。この結果、電源電圧VDDは時間の経過と共に
その電圧が増加する。
ある。オフフツクによりフツクスイツチHSがオ
ンして直流ループが形成されると、局電源が抵抗
37を介してスイツチング回路3のトランジスタ
31に供給されるので、トランジスタ31はオン
になる。これにともなつて、トランジスタ32,
33もオンとなり、コンデンサ41が通話電流に
よつて充電され始め、コンデンサ41に発生した
電圧が電源電圧VDDとして制御回路7、マグネツ
ト回路8、電源バイアス発生回路11に供給され
る。この結果、電源電圧VDDは時間の経過と共に
その電圧が増加する。
電源バイアス発生回路11の発振回路11a
は、前述したように電源電圧VDDが供給されると
発振を開始し、その発振出力の振幅は電源電圧
VDDに対応するものであるから、電源電圧VDDが
時間の経過とともに増加している期間は振幅が増
加する。
は、前述したように電源電圧VDDが供給されると
発振を開始し、その発振出力の振幅は電源電圧
VDDに対応するものであるから、電源電圧VDDが
時間の経過とともに増加している期間は振幅が増
加する。
この発振出力はバツフア回路11bを介して供
給される変換回路11cで直流に変換され、第3
図の点線に示すような直流電圧が出力端子11d
から出力され、FET9,10の電源バイアス電
圧として供給される。
給される変換回路11cで直流に変換され、第3
図の点線に示すような直流電圧が出力端子11d
から出力され、FET9,10の電源バイアス電
圧として供給される。
電源電圧VDDが制御回路7の動作保証電圧以下
の時、制御回路7は誤制御信号として強制切断信
号またはマグネツト動作信号を発生することがあ
る。しかし、制御回路7の出力信号が供給される
トランジスタ34,81のベースと信号グランド
間にはFET9,10が接続されており、この
FET9,10はデプレツシヨン形であるため、
ゲート電圧が所定値−V1以上の時は常にオンと
なつているものである。そして、電源バイアス発
生回路11は前述したように電源電圧VDDが制御
回路7の動作保証電圧未満の時はFET9,10
をオンさせる信号を発生するように定数が設定さ
れている。このため、電源電圧VDDが制御回路7
の動作保証電圧未満であるとき、制御回路7から
誤制御信号が発生しても、この誤制御信号は
FET9,10で信号グランドに短絡されてしま
い、スイツチング回路3およびマグネツト回路8
は誤制御されることがない。
の時、制御回路7は誤制御信号として強制切断信
号またはマグネツト動作信号を発生することがあ
る。しかし、制御回路7の出力信号が供給される
トランジスタ34,81のベースと信号グランド
間にはFET9,10が接続されており、この
FET9,10はデプレツシヨン形であるため、
ゲート電圧が所定値−V1以上の時は常にオンと
なつているものである。そして、電源バイアス発
生回路11は前述したように電源電圧VDDが制御
回路7の動作保証電圧未満の時はFET9,10
をオンさせる信号を発生するように定数が設定さ
れている。このため、電源電圧VDDが制御回路7
の動作保証電圧未満であるとき、制御回路7から
誤制御信号が発生しても、この誤制御信号は
FET9,10で信号グランドに短絡されてしま
い、スイツチング回路3およびマグネツト回路8
は誤制御されることがない。
オフフツク後、時間が経過して、制御回路7に
供給される電圧が動作保証電圧以上になると、制
御回路7は誤制御信号を発生しなくなるが、この
時FET9,10のゲートに供給される電源バイ
アス電圧は前述のようにFET9,10をオフと
するものであるので、制御回路7から必要時期に
出力される制御信号によつてスイツチング回路3
およびマグネツト回路8は正確に制御される。
供給される電圧が動作保証電圧以上になると、制
御回路7は誤制御信号を発生しなくなるが、この
時FET9,10のゲートに供給される電源バイ
アス電圧は前述のようにFET9,10をオフと
するものであるので、制御回路7から必要時期に
出力される制御信号によつてスイツチング回路3
およびマグネツト回路8は正確に制御される。
なお、以上の実施例は公衆電話機について説明
したが、本考案はこれに限定されることなく、所
定期間スイツチング素子の動作を閉塞する必要の
あるものに対して同様に使用できる。
したが、本考案はこれに限定されることなく、所
定期間スイツチング素子の動作を閉塞する必要の
あるものに対して同様に使用できる。
[考案の効果]
以上説明したように本考案に係る局電源式電話
機におけるスイツチング素子の動作閉塞回路は、
制御回路の制御信号によつて第1のスイツチング
素子を制御するようにし、その第1のスイツチン
グ素子の動作を電源電圧が制御回路の動作保障電
圧に達するまでは閉塞するようにし、第1のスイ
ツチング素子で局とのループを形成する第2のス
イツチング素子を制御し、第2のスイツチング素
子がオンとなることでコンデンサを充電し、その
とコンデンサの端子電圧で制御回路を動作させる
ようにしている。このためオンフツクによつてコ
ンデンサの端子電圧が徐々に上昇する過程で制御
回路の動作保障電圧以下の状態が発生しても局ル
ープが遮断されることがなくなり、やがてコンデ
ンサの端子電圧は制御回路の動作保障電圧以上と
なるので、制御回路は動作が保障され、誤動作を
起こさなくなる。したがつて、制御回路に半導体
素子を用いても従来のような不確実な動作となら
ず、確実な動作を行わせることができるようにな
るという効果がある。
機におけるスイツチング素子の動作閉塞回路は、
制御回路の制御信号によつて第1のスイツチング
素子を制御するようにし、その第1のスイツチン
グ素子の動作を電源電圧が制御回路の動作保障電
圧に達するまでは閉塞するようにし、第1のスイ
ツチング素子で局とのループを形成する第2のス
イツチング素子を制御し、第2のスイツチング素
子がオンとなることでコンデンサを充電し、その
とコンデンサの端子電圧で制御回路を動作させる
ようにしている。このためオンフツクによつてコ
ンデンサの端子電圧が徐々に上昇する過程で制御
回路の動作保障電圧以下の状態が発生しても局ル
ープが遮断されることがなくなり、やがてコンデ
ンサの端子電圧は制御回路の動作保障電圧以上と
なるので、制御回路は動作が保障され、誤動作を
起こさなくなる。したがつて、制御回路に半導体
素子を用いても従来のような不確実な動作となら
ず、確実な動作を行わせることができるようにな
るという効果がある。
第1図は本考案の一実施例を公衆電話機に適用
したブロツク図、第2図は第1図に示す電源バイ
アス発生回路の回路図、第3図は第2図に示す変
換回路の出力電圧特性を示す図である。 3……ダイヤルインパルス送出および強制切断
回路(スイツチング回路)、4……電源回路、7
……制御回路、8……マグネツト回路、9,10
……電界効果トランジスタ(FET)、11……電
源バイアス発生回路、34,81……トランジス
タ。
したブロツク図、第2図は第1図に示す電源バイ
アス発生回路の回路図、第3図は第2図に示す変
換回路の出力電圧特性を示す図である。 3……ダイヤルインパルス送出および強制切断
回路(スイツチング回路)、4……電源回路、7
……制御回路、8……マグネツト回路、9,10
……電界効果トランジスタ(FET)、11……電
源バイアス発生回路、34,81……トランジス
タ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 局とのループ電流によつて充電されるコンデン
サの両端電圧を電源電圧にして制御回路に供給す
る局電源式電話機において、 制御用端子に電源バイアス電圧が供給されてい
ないときに導通状態を示し、かつ電源バイアス電
圧が所定レベルに達したときに非導通状態となる
動作閉塞用半導体素子と、 電源電圧が制御回路の動作保障電圧に達したと
きには制御回路によつて制御電極が制御されてオ
ン・オフ動作を行い、かつ電源電圧が制御回路の
動作保障電圧に達していないときには制御電極と
信号グランド間に接続された動作閉塞用半導体素
子によつて制御回路の出力とは無関係にオフ動作
を行う第1のスイツチング素子と、 局ループに直列に接続され第1のスイツチング
素子のオフ動作によつてオン状態になる第2のス
イツチング素子とを備えたことを特徴とする局電
源式電話機におけるスイツチング素子の動作閉塞
回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19755981U JPS58101537U (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 局電源式電話機におけるスイッチング素子の動作閉塞回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19755981U JPS58101537U (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 局電源式電話機におけるスイッチング素子の動作閉塞回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58101537U JPS58101537U (ja) | 1983-07-11 |
JPH0221812Y2 true JPH0221812Y2 (ja) | 1990-06-12 |
Family
ID=30110774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19755981U Granted JPS58101537U (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 局電源式電話機におけるスイッチング素子の動作閉塞回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58101537U (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5282179A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-09 | Fujitsu Ltd | Transistor protection circuit |
JPS54157075A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-11 | Omron Tateisi Electronics Co | Contactless switch |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP19755981U patent/JPS58101537U/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5282179A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-09 | Fujitsu Ltd | Transistor protection circuit |
JPS54157075A (en) * | 1978-05-31 | 1979-12-11 | Omron Tateisi Electronics Co | Contactless switch |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58101537U (ja) | 1983-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0756409B1 (en) | Spurious ting suppression device particularly for auxiliary ringers in socket telephone systems | |
US4380687A (en) | Power supply control circuit for subscriber carrier telephone system | |
JPS6113523A (ja) | 電話機におけるラツチング・リレ−駆動回路 | |
EP0254405B1 (en) | Telephone instrument | |
GB1415461A (en) | Switching circuit for tone-ringer or like load means | |
JPH0221812Y2 (ja) | ||
EP0034843B1 (en) | Line interruption arrangement | |
GB1474769A (en) | Telephone trunk supervisory circuits | |
JPS6338593Y2 (ja) | ||
US4145572A (en) | Power supply control circuit for subscriber carrier telephone system | |
US4374307A (en) | Ringer system for a telephone | |
JP2511404B2 (ja) | 電子化電話機 | |
JPS6312603Y2 (ja) | ||
US5317634A (en) | Telephone subset arrangement | |
JPH0355955A (ja) | 電話機の電源制御回路 | |
KR870001638B1 (ko) | 전화기의 후크 프레시(Hook Flash)회로 | |
JPS6211099Y2 (ja) | ||
CA1179079A (en) | Power supply control circuit for subscriber carrier telephone system | |
JPH0350469B2 (ja) | ||
JPH0450787B2 (ja) | ||
JPS6312604Y2 (ja) | ||
JPH0127316Y2 (ja) | ||
KR0123172Y1 (ko) | 전화기의 라인 인터럽트 방지회로 | |
JPH0422588Y2 (ja) | ||
JPH071878Y2 (ja) | ダイヤル送出用電源回路 |