JPH05336234A - 遠隔制御主切替装置 - Google Patents
遠隔制御主切替装置Info
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- JPH05336234A JPH05336234A JP5002652A JP265293A JPH05336234A JP H05336234 A JPH05336234 A JP H05336234A JP 5002652 A JP5002652 A JP 5002652A JP 265293 A JP265293 A JP 265293A JP H05336234 A JPH05336234 A JP H05336234A
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- switching device
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- main switching
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- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/30—Modifications for providing a predetermined threshold before switching
- H03K17/305—Modifications for providing a predetermined threshold before switching in thyristor switches
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M3/00—Automatic or semi-automatic exchanges
- H04M3/22—Arrangements for supervision, monitoring or testing
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
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- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
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- H04M3/28—Automatic routine testing ; Fault testing; Installation testing; Test methods, test equipment or test arrangements therefor
- H04M3/30—Automatic routine testing ; Fault testing; Installation testing; Test methods, test equipment or test arrangements therefor for subscriber's lines, for the local loop
- H04M3/301—Circuit arrangements at the subscriber's side of the line
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- Monitoring And Testing Of Transmission In General (AREA)
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- Remote Monitoring And Control Of Power-Distribution Networks (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 所謂中間切分け点から先に私設電話システム
が設置されている場合、障害時にその所在が容易に判別
できるように、直流測定のため該切分け点で加入者側を
切り離す遠隔制御主切替装置で、ダイアル・パルスの伝
送中に何らの問題も起きないもの、且つ通常の測定過程
の適用を許容するものを開発する。 【構成】 両線に挿入する制御されたシリコン整流器を
電子スイッチとして用い、それらを結合デバイスにより
相互に接続して、電話機から交換局へのダイアル・パル
スを疎通させる。エンハンスメント型で正常オフのMOS-
FET を応用すればオンに切替えるしきい値を高く、オフ
に切替えるしきい値を低くすることができ、通常の測定
過程が適用できる。オンに切替える電圧を電圧の極性に
依存するようにすることもできる。
が設置されている場合、障害時にその所在が容易に判別
できるように、直流測定のため該切分け点で加入者側を
切り離す遠隔制御主切替装置で、ダイアル・パルスの伝
送中に何らの問題も起きないもの、且つ通常の測定過程
の適用を許容するものを開発する。 【構成】 両線に挿入する制御されたシリコン整流器を
電子スイッチとして用い、それらを結合デバイスにより
相互に接続して、電話機から交換局へのダイアル・パル
スを疎通させる。エンハンスメント型で正常オフのMOS-
FET を応用すればオンに切替えるしきい値を高く、オフ
に切替えるしきい値を低くすることができ、通常の測定
過程が適用できる。オンに切替える電圧を電圧の極性に
依存するようにすることもできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加入者線の両線に接ぎ
込まれている電子スイッチから成り、これらの電子スイ
ッチの各々は制御されたシリコン整流器を含み、その制
御入力は抵抗を持つ並列に接続されたツェナーダイオー
ドにより駆動され、また、該シリコン整流器に並列のコ
ンデンサ及び抵抗から成るブリッジ経路を含む遠隔制御
主切替装置<remote-controlled master switch facilit
y>に関する。
込まれている電子スイッチから成り、これらの電子スイ
ッチの各々は制御されたシリコン整流器を含み、その制
御入力は抵抗を持つ並列に接続されたツェナーダイオー
ドにより駆動され、また、該シリコン整流器に並列のコ
ンデンサ及び抵抗から成るブリッジ経路を含む遠隔制御
主切替装置<remote-controlled master switch facilit
y>に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気通信接続の私有化の進展の過程で、
ある境界点、すなわち所謂中間切分け点<interchange p
oint> から先は、加入者が私設電話ないし私設電話シス
テムを自由に設置運営できる。そのような私設電話シス
テムの保守は私設運営者がこれを行い、通信網サービス
提供者の責任ではない。従って通信網サービス提供者に
とって障害の場合に、問題が自分の通信網内にあるのか
私設電話システムの内部にあるのかを出来るだけ容易に
判別できることは格別に有益である。それは通信網サー
ビス提供者にとっては中間切分け点までの不具合を解消
する責任しか有しないからである。中間切分け点から後
に生じた不具合は加入者自身によって解消されなければ
ならない。中央の試験台から障害の場所を確認すること
は、中間切分け点でラインに挿入されている遠隔制御主
切替装置によってたやすく可能になる。そのような遠隔
制御主切替装置はほぼ電子スイッチから成り、該電子ス
イッチは測定を実行する目的で加入者側を切り離すこと
ができる。正常の電話運用中にはこれらのスイッチは閉
じている。障害が起きると、試験装置を用いて電気通信
保守センターから測定がなされ、その場合には電子信号
又は電圧がスイッチを開くのに用いられて、それにより
加入者が切り離された状態で加入者線の試験ができる。
これらの測定は通常は抵抗を判定するのに役立つ純粋の
直流測定のみである。
ある境界点、すなわち所謂中間切分け点<interchange p
oint> から先は、加入者が私設電話ないし私設電話シス
テムを自由に設置運営できる。そのような私設電話シス
テムの保守は私設運営者がこれを行い、通信網サービス
提供者の責任ではない。従って通信網サービス提供者に
とって障害の場合に、問題が自分の通信網内にあるのか
私設電話システムの内部にあるのかを出来るだけ容易に
判別できることは格別に有益である。それは通信網サー
ビス提供者にとっては中間切分け点までの不具合を解消
する責任しか有しないからである。中間切分け点から後
に生じた不具合は加入者自身によって解消されなければ
ならない。中央の試験台から障害の場所を確認すること
は、中間切分け点でラインに挿入されている遠隔制御主
切替装置によってたやすく可能になる。そのような遠隔
制御主切替装置はほぼ電子スイッチから成り、該電子ス
イッチは測定を実行する目的で加入者側を切り離すこと
ができる。正常の電話運用中にはこれらのスイッチは閉
じている。障害が起きると、試験装置を用いて電気通信
保守センターから測定がなされ、その場合には電子信号
又は電圧がスイッチを開くのに用いられて、それにより
加入者が切り離された状態で加入者線の試験ができる。
これらの測定は通常は抵抗を判定するのに役立つ純粋の
直流測定のみである。
【０００３】遠隔制御主切替装置には種々様々な既知の
回路があり、それらはそれぞれ回路構成概念が相互に異
なるものである。或る型の回路配置では切替えデバイス
として MOS電界効果トランジスタ(MOS-FET) を使用する
が、他の型では切替えエレメントとしてシリコン整流器
を用いる。
回路があり、それらはそれぞれ回路構成概念が相互に異
なるものである。或る型の回路配置では切替えデバイス
として MOS電界効果トランジスタ(MOS-FET) を使用する
が、他の型では切替えエレメントとしてシリコン整流器
を用いる。
【０００４】シリコン整流器を用いる遠隔制御主切替装
置はドイツ国特許第DE-39 23 981号及びヨーロッパ特許
第EP-0168840号に記載されている。用いられている制御
されたシリコン整流器はサイリスタ<thyristors>とトラ
イアック<triacs>とであって、これらは２つの主接続<m
ain connections>と１つのゲート<gate>接続とを構成す
る。ゲートに与えられるトリガー・パルスの助けをかり
てこれらのコンポネントを低抵抗の状態にすることがで
きる。この状態は、スイッチを経由して流れる電流が、
保持電流と称する或る一定の値を下回るまで維持され
る。制御回路は通常１個の抵抗と１個ないし２個のツェ
ナーダイオードとから成り、茲でツェナーダイオードは
破断電圧<breaking voltage>を設定するのに用いること
ができる。更にまた、交流ブリッジ経路がスイッチから
スイッチへ渡されて交流リンギング電圧が転送できるよ
うにする。ブリッジ経路には10−20マイクロファラッド
という相対的に高い容量のコンデンサが設けられてい
る。このコンデンサが多くの国で使われているパルス式
のダイアル信号方式に関して問題を起こす、というの
は、パルス式のダイアル方式については50−60ミリ秒の
クロック範囲にある急速な切替え応答が抑制されるから
である。従って、既存の遠隔制御主切替装置では、ブリ
ッジ経路にあるコンデンサの容量を出来るだけ小さくし
て置く必要がある。その上更に、鋭敏なゲート端子を持
つスイッチを用いなければならない。すると、鋭敏なゲ
ート端子を持つスイッチが意図に反して閉じることを防
止するために、別の回路技術が必要になってくる。例え
ば、短い電圧パルスを短絡するために、スイッチのゲー
ト端子と主接続端子との間にコンデンサが挿入される。
置はドイツ国特許第DE-39 23 981号及びヨーロッパ特許
第EP-0168840号に記載されている。用いられている制御
されたシリコン整流器はサイリスタ<thyristors>とトラ
イアック<triacs>とであって、これらは２つの主接続<m
ain connections>と１つのゲート<gate>接続とを構成す
る。ゲートに与えられるトリガー・パルスの助けをかり
てこれらのコンポネントを低抵抗の状態にすることがで
きる。この状態は、スイッチを経由して流れる電流が、
保持電流と称する或る一定の値を下回るまで維持され
る。制御回路は通常１個の抵抗と１個ないし２個のツェ
ナーダイオードとから成り、茲でツェナーダイオードは
破断電圧<breaking voltage>を設定するのに用いること
ができる。更にまた、交流ブリッジ経路がスイッチから
スイッチへ渡されて交流リンギング電圧が転送できるよ
うにする。ブリッジ経路には10−20マイクロファラッド
という相対的に高い容量のコンデンサが設けられてい
る。このコンデンサが多くの国で使われているパルス式
のダイアル信号方式に関して問題を起こす、というの
は、パルス式のダイアル方式については50−60ミリ秒の
クロック範囲にある急速な切替え応答が抑制されるから
である。従って、既存の遠隔制御主切替装置では、ブリ
ッジ経路にあるコンデンサの容量を出来るだけ小さくし
て置く必要がある。その上更に、鋭敏なゲート端子を持
つスイッチを用いなければならない。すると、鋭敏なゲ
ート端子を持つスイッチが意図に反して閉じることを防
止するために、別の回路技術が必要になってくる。例え
ば、短い電圧パルスを短絡するために、スイッチのゲー
ト端子と主接続端子との間にコンデンサが挿入される。
【０００５】制御されたシリコン整流器の代わりに、遠
隔制御主切替装置内のスイッチとして MOS電界効果トラ
ンジスタを使用することもできる。MOS-FET の主な利点
は、オンに切替えられた状態で直流抵抗<ohmic resista
nce>が低くゲート端子が高インピーダンスであることで
ある。直流抵抗が低いことによりシリコン整流器よりも
良好な伝送特性がもたらされる。ゲート端子を適切に制
御することにより、交流リンギング電流は MOSトランジ
スタ経由で転送されることができ、従って、制御された
シリコン整流器をもつ遠隔制御主切替装置に関して必要
だった交流ブリッジ経路が不要になる。
隔制御主切替装置内のスイッチとして MOS電界効果トラ
ンジスタを使用することもできる。MOS-FET の主な利点
は、オンに切替えられた状態で直流抵抗<ohmic resista
nce>が低くゲート端子が高インピーダンスであることで
ある。直流抵抗が低いことによりシリコン整流器よりも
良好な伝送特性がもたらされる。ゲート端子を適切に制
御することにより、交流リンギング電流は MOSトランジ
スタ経由で転送されることができ、従って、制御された
シリコン整流器をもつ遠隔制御主切替装置に関して必要
だった交流ブリッジ経路が不要になる。
【０００６】米国特許第US 4.635.084号、及びシリコニ
ックス刊行「ロー・パワー・ディスクリート・データ・
ブック」1989年、第9-152f頁 <Siliconix publication
"LowPower Discrete Data Book,1989,p.9-152f"> に
は、スイッチとしてデプリーション型正常オンMOS-FET<
depletion-type normally-on MOS-FETs>を使用する遠隔
制御主切替装置が記載されている。この回路配置の不利
な点は、供給電圧より高い電圧パルスによって遠隔制御
主切替装置が能動化されることである。従って電話回線
は中間切分け点で短時間だけ開となり、その時間中に測
定が為され得る。この時間間隔は時定数により定まる、
すなわちそれは所与の固定した時間である。それ故に電
圧がそこで低下するような標準測定過程は実行できな
い。
ックス刊行「ロー・パワー・ディスクリート・データ・
ブック」1989年、第9-152f頁 <Siliconix publication
"LowPower Discrete Data Book,1989,p.9-152f"> に
は、スイッチとしてデプリーション型正常オンMOS-FET<
depletion-type normally-on MOS-FETs>を使用する遠隔
制御主切替装置が記載されている。この回路配置の不利
な点は、供給電圧より高い電圧パルスによって遠隔制御
主切替装置が能動化されることである。従って電話回線
は中間切分け点で短時間だけ開となり、その時間中に測
定が為され得る。この時間間隔は時定数により定まる、
すなわちそれは所与の固定した時間である。それ故に電
圧がそこで低下するような標準測定過程は実行できな
い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明はその目的とし
て、上述のような加入者線用の遠隔制御主切替装置であ
って、ダイアル・パルスの伝送中に何らの問題も起きな
いもの、且つ通常の測定過程の適用を許容するものを開
発しようとするものである。
て、上述のような加入者線用の遠隔制御主切替装置であ
って、ダイアル・パルスの伝送中に何らの問題も起きな
いもの、且つ通常の測定過程の適用を許容するものを開
発しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的は、遠隔制御主
切替装置が請求項１に記載の特徴、すなわち加入者線の
両線に接ぎ込まれている電子スイッチから成り、これら
の電子スイッチの各々は制御されたシリコン整流器を含
み、その制御入力は抵抗を持つ並列に接続されたツェナ
ーダイオードにより駆動され、また、該シリコン整流器
に並列のコンデンサ及び抵抗から成るブリッジ経路を含
む遠隔制御主切替装置において、シリコン整流器の制御
入力は、結合デバイスにより相互に結合していることに
より達成される。また、これと同等の解答が、請求項４
に記載の特徴、すなわち加入者線の両線に接ぎ込まれて
いる電子スイッチから成り、これらのスイッチの各々
は、少なくとも１個のMOS-FET を含む遠隔制御主切替装
置において、エンハンスメント型で正常オフのMOS-FET<
enhancement-type normally-off MOS-FETs> が使用され
ることにより達成される。もし遠隔制御主切替装置が制
御されたシリコン整流器と共に動作するならば、その場
合には本発明により、その各々が１つのツェナーダイオ
ードと１つの抵抗とから成る２つの制御分枝が結合デバ
イスに接続される。結合デバイスは直列に接続されたコ
ンデンサと抵抗とから成る。本発明の、結合デバイスに
よる２つの制御分枝間の接続は、シリコン整流器に対す
る急速な応答時間を保証する。従って交流ブリッジ経路
中に高容量のコンデンサを用いてもダイアル・パルス送
出中にいかなる妨害も起きないことが可能となる。その
上、ブリッジ経路中の高容量はライン抵抗及び終端抵抗
に関し高域通過フィルターを造り出し、これはディジタ
ル信号の伝送を許容する。更にまた、本発明の制御回路
の実施例はゲート入力に鋭敏さの低いスイッチの使用を
許容し、従ってスイッチが意図に反して閉じることを抑
制するための余分なコンポネントを適用するに及ばな
い。
切替装置が請求項１に記載の特徴、すなわち加入者線の
両線に接ぎ込まれている電子スイッチから成り、これら
の電子スイッチの各々は制御されたシリコン整流器を含
み、その制御入力は抵抗を持つ並列に接続されたツェナ
ーダイオードにより駆動され、また、該シリコン整流器
に並列のコンデンサ及び抵抗から成るブリッジ経路を含
む遠隔制御主切替装置において、シリコン整流器の制御
入力は、結合デバイスにより相互に結合していることに
より達成される。また、これと同等の解答が、請求項４
に記載の特徴、すなわち加入者線の両線に接ぎ込まれて
いる電子スイッチから成り、これらのスイッチの各々
は、少なくとも１個のMOS-FET を含む遠隔制御主切替装
置において、エンハンスメント型で正常オフのMOS-FET<
enhancement-type normally-off MOS-FETs> が使用され
ることにより達成される。もし遠隔制御主切替装置が制
御されたシリコン整流器と共に動作するならば、その場
合には本発明により、その各々が１つのツェナーダイオ
ードと１つの抵抗とから成る２つの制御分枝が結合デバ
イスに接続される。結合デバイスは直列に接続されたコ
ンデンサと抵抗とから成る。本発明の、結合デバイスに
よる２つの制御分枝間の接続は、シリコン整流器に対す
る急速な応答時間を保証する。従って交流ブリッジ経路
中に高容量のコンデンサを用いてもダイアル・パルス送
出中にいかなる妨害も起きないことが可能となる。その
上、ブリッジ経路中の高容量はライン抵抗及び終端抵抗
に関し高域通過フィルターを造り出し、これはディジタ
ル信号の伝送を許容する。更にまた、本発明の制御回路
の実施例はゲート入力に鋭敏さの低いスイッチの使用を
許容し、従ってスイッチが意図に反して閉じることを抑
制するための余分なコンポネントを適用するに及ばな
い。
【０００９】もしスイッチとしてサイリスタが使われる
ならば、加入者から流れ出る電流を運ぶためにそれらと
並列にダイオードが接続されなければならない。遠隔制
御主切替装置は極性とは無関係に動作しなければならな
いから、サイリスタを１つ、ダイオードを１つ各ライン
上に設ける。遠隔制御主切替装置の極性に対応して、サ
イリスタが一方の線の電流を通し、ダイオードがもう一
方の線の電流を通すのである。もしトライアックがスイ
ッチとして用いられるならば、トライアックは両方向の
電流を通すからダイオードは省略できる。
ならば、加入者から流れ出る電流を運ぶためにそれらと
並列にダイオードが接続されなければならない。遠隔制
御主切替装置は極性とは無関係に動作しなければならな
いから、サイリスタを１つ、ダイオードを１つ各ライン
上に設ける。遠隔制御主切替装置の極性に対応して、サ
イリスタが一方の線の電流を通し、ダイオードがもう一
方の線の電流を通すのである。もしトライアックがスイ
ッチとして用いられるならば、トライアックは両方向の
電流を通すからダイオードは省略できる。
【００１０】もし遠隔制御主切替装置中に MOS-FETがス
イッチとして使われるならば、その場合には本発明によ
れば、エンハンスメント型通常オフMOS-FET が使用され
る。各 MOS-FETスイッチは、オンに切り替えるしきい値
を定義する電圧分割器により選択される。遠隔制御主切
替装置のオフに切り替えるしきい値を低くすることは、
直列の低抵抗値を接続してオンに切り替えるしきい値の
電圧分割器を部分的にブリッジする別のMOS-FET により
達成される。これは制御回路に対し履歴効果を生成す
る。 MOS-FETスイッチは、少なくとも１つ、多くとも２
つの MOS-FET分枝から成り、これは更に１個ないし２個
のMOS-FET を含む。もし１つの MOS-FETスイッチが２つ
の分枝から成るならば、一方の分枝はｎチャネルMOS-FE
T を、またもう一方の分枝はｐチャネルMOS-FET を持つ
であろう、そしてこれらの分枝は並列に接続される。電
圧分割器が各分枝に設けられ、履歴効果のために必要な
ブリッジは、それぞれのスイッチの一分枝のみがこれに
関係する。オンに切り替える電圧は電気通信網の供給電
圧より数ボルト下でよい、またオフに切り替える電圧は
10ボルトより下でよい。コンデンサを用いることは MOS
-FETをオフに切り替えるのを遅延させる効果があり、従
って交流リンギング電流の伝送を可能にする。エンハン
スメント型MOS-FET を用いることによって、制御された
シリコン整流器を持つ遠隔制御主切替装置と同じ測定方
法を、制御電圧を下げることにより用いることができる
という事実は、格別に有利である。 DC/DCコンバータを
使用することによりｎチャネル分枝を不要とすることも
可能である。その場合には相補回路<complementary cir
cuits>が含まれる。
イッチとして使われるならば、その場合には本発明によ
れば、エンハンスメント型通常オフMOS-FET が使用され
る。各 MOS-FETスイッチは、オンに切り替えるしきい値
を定義する電圧分割器により選択される。遠隔制御主切
替装置のオフに切り替えるしきい値を低くすることは、
直列の低抵抗値を接続してオンに切り替えるしきい値の
電圧分割器を部分的にブリッジする別のMOS-FET により
達成される。これは制御回路に対し履歴効果を生成す
る。 MOS-FETスイッチは、少なくとも１つ、多くとも２
つの MOS-FET分枝から成り、これは更に１個ないし２個
のMOS-FET を含む。もし１つの MOS-FETスイッチが２つ
の分枝から成るならば、一方の分枝はｎチャネルMOS-FE
T を、またもう一方の分枝はｐチャネルMOS-FET を持つ
であろう、そしてこれらの分枝は並列に接続される。電
圧分割器が各分枝に設けられ、履歴効果のために必要な
ブリッジは、それぞれのスイッチの一分枝のみがこれに
関係する。オンに切り替える電圧は電気通信網の供給電
圧より数ボルト下でよい、またオフに切り替える電圧は
10ボルトより下でよい。コンデンサを用いることは MOS
-FETをオフに切り替えるのを遅延させる効果があり、従
って交流リンギング電流の伝送を可能にする。エンハン
スメント型MOS-FET を用いることによって、制御された
シリコン整流器を持つ遠隔制御主切替装置と同じ測定方
法を、制御電圧を下げることにより用いることができる
という事実は、格別に有利である。 DC/DCコンバータを
使用することによりｎチャネル分枝を不要とすることも
可能である。その場合には相補回路<complementary cir
cuits>が含まれる。
【００１１】試験のために唯一つの測定電圧しか使えな
いとする場合には、もし遠隔制御主切替装置がやはり１
つの電圧で制御され得るならばそれは有利である。これ
は線上の電子スイッチの極性を逆にすることにより達成
される。そうすると、遠隔制御主切替装置の切替え機能
は、測定電圧の極性を逆にすることによって、もし後者
がスイッチの破断電圧より下にあれば、達成され得る。
このことは双方のタイプの遠隔制御主切替装置に対し、
すなわちスイッチとしてシリコン整流器を持つタイプに
対しても或いは MOS-FETを持つタイプに対しても実現で
きる。
いとする場合には、もし遠隔制御主切替装置がやはり１
つの電圧で制御され得るならばそれは有利である。これ
は線上の電子スイッチの極性を逆にすることにより達成
される。そうすると、遠隔制御主切替装置の切替え機能
は、測定電圧の極性を逆にすることによって、もし後者
がスイッチの破断電圧より下にあれば、達成され得る。
このことは双方のタイプの遠隔制御主切替装置に対し、
すなわちスイッチとしてシリコン整流器を持つタイプに
対しても或いは MOS-FETを持つタイプに対しても実現で
きる。
【００１２】本発明のその他の好適な実施例は上述以外
の請求項の記載により達成される。
の請求項の記載により達成される。
【００１３】以下、本発明の更に詳細な説明が図面に示
される実施例により記述される。
される実施例により記述される。
【００１４】
【実施例】図１は加入者線を示し、茲では加入者線11(1
1a及び11b の２線から成る) が、簡単のために保守セン
ターを兼ねるものとする交換局10から、遠隔制御主切替
装置12のある中間切分け点に延びている。中間切分け点
12の後には私設通信網13とその端末装置14がある。遠隔
制御主切替装置12は加入者を切り分けることのできる２
つの電子回路12a,12b からほぼ成る。これらの切り分け
スイッチは適切な制御電圧により電圧に依存して制御さ
れる。切断電圧は加入者線11に対する供給電圧よりも低
いので、正常な電話運用中にはスイッチは閉じている。
障害時には、交換局10から２つの電圧で動作する適切な
試験装置を使って測定が行われる。これらの電圧のうち
の１つは切断電圧よりも高く、もう１つはそれより低
い。電圧を切替えしきい値より低くすることによりスイ
ッチが開き、加入者線は加入者が接続されない状態で試
験できる。
1a及び11b の２線から成る) が、簡単のために保守セン
ターを兼ねるものとする交換局10から、遠隔制御主切替
装置12のある中間切分け点に延びている。中間切分け点
12の後には私設通信網13とその端末装置14がある。遠隔
制御主切替装置12は加入者を切り分けることのできる２
つの電子回路12a,12b からほぼ成る。これらの切り分け
スイッチは適切な制御電圧により電圧に依存して制御さ
れる。切断電圧は加入者線11に対する供給電圧よりも低
いので、正常な電話運用中にはスイッチは閉じている。
障害時には、交換局10から２つの電圧で動作する適切な
試験装置を使って測定が行われる。これらの電圧のうち
の１つは切断電圧よりも高く、もう１つはそれより低
い。電圧を切替えしきい値より低くすることによりスイ
ッチが開き、加入者線は加入者が接続されない状態で試
験できる。
【００１５】図２は、遠隔制御主切替装置の好適実施例
を示し、此処ではでは線 a-a'(11a)及び線 b-b'(11b)に
つなぎ込まれているサイリスタ S1 及び S2 がスイッチ
として使われる。遠隔制御主切替装置に対して極性が無
関係であるようにするために、ダイオード D3 及び D4
が、サイリスタS1及びS2と並列に接続され、茲ではダイ
オードD3及びD4の正方向はサイリスタの正方向とは逆向
きになっている。遠隔制御主切替装置の極性に対応し
て、２線のうちの一方ではサイリスタが電流を疎通し、
もう一方ではダイオードが電流を疎通する。例えば、も
し電気通信回路の線11a が線11b に較べて正<positive>
であるならば、動作中には供給電流はサイリスタS1及び
ダイオードD4を経由して流れる。本発明のもう１つの可
能な実施例は、トライアック<triacs>を持つ遠隔制御主
切替装置である。この場合には、トライアックが双方向
に電流を疎通させるので、ダイオードD3及びD4は余分な
ものである。ブリッジ経路20, 21がスイッチに並列に接
続されている。サイリスタS1及びS2の、電圧に依存して
オンとなる特性は、制御分枝30, 31を設けることにより
達成される。パルス式のダイアル信号が送出中のサイリ
スタS1及びS2の急速な応答を達成するために、両方の制
御分枝は結合デバイス40を経由して接続している。
を示し、此処ではでは線 a-a'(11a)及び線 b-b'(11b)に
つなぎ込まれているサイリスタ S1 及び S2 がスイッチ
として使われる。遠隔制御主切替装置に対して極性が無
関係であるようにするために、ダイオード D3 及び D4
が、サイリスタS1及びS2と並列に接続され、茲ではダイ
オードD3及びD4の正方向はサイリスタの正方向とは逆向
きになっている。遠隔制御主切替装置の極性に対応し
て、２線のうちの一方ではサイリスタが電流を疎通し、
もう一方ではダイオードが電流を疎通する。例えば、も
し電気通信回路の線11a が線11b に較べて正<positive>
であるならば、動作中には供給電流はサイリスタS1及び
ダイオードD4を経由して流れる。本発明のもう１つの可
能な実施例は、トライアック<triacs>を持つ遠隔制御主
切替装置である。この場合には、トライアックが双方向
に電流を疎通させるので、ダイオードD3及びD4は余分な
ものである。ブリッジ経路20, 21がスイッチに並列に接
続されている。サイリスタS1及びS2の、電圧に依存して
オンとなる特性は、制御分枝30, 31を設けることにより
達成される。パルス式のダイアル信号が送出中のサイリ
スタS1及びS2の急速な応答を達成するために、両方の制
御分枝は結合デバイス40を経由して接続している。
【００１６】パルス式のダイアル信号を送出する方法で
は、電話機14内にあるダイアル・パルス・スイッチをパ
ルスの頻度で開閉することにより、ダイアル・パルスが
電話機14で生成される。ダイアル・パルス・スイッチが
閉じている時に電流が流れるので、ダイアル・パルスは
交換局10により認識されることができる。その結果、ダ
イアル・パルス送出中には遠隔制御主切替装置12の対応
するサイリスタが閉じて電流が流れることを許容する。
電話機内のダイアル・パルス・スイッチが開になる時、
サイリスタも保持電流を下回るので開になるであろう。
サイリスタは約100ミリ秒毎に閉じることになる。結合
デバイス40がないときには、ブリッジ経路中のコンデン
サによりこれが妨げられる、その理由は、直前のパルス
中にこのコンデンサは導通しているサイリスタ経由で放
電しており、ダイアル・パルス・スイッチが開いている
30−40ミリ秒の間には前のように再充電できなかったか
らである。電話機の高インピーダンスの故に、ブリッジ
経路20, 21中のコンデンサC1及びC2を充電するための時
定数は、20ミリ秒ないし 100ミリ秒の範囲の辺にある。
結合デバイス40に対する時定数は10ミリ秒より小さいの
で、結合デバイス40のコンデンサC3は、電話機内のダイ
アル・パルス・スイッチが閉じたときサイリスタS1, S2
に対するトリガー・パルスを供給できる。こうして結合
デバイス40は、ダイアル・パルス・スイッチが開いた後
に立ち上がる充電電流を利用し、それによってこの電流
の一部は結合デバイス40のコンデンサC3に蓄積されて、
ダイアル・パルス・スイッチが再び閉じたときにサイリ
スタに対するトリガー・エネルギーとして使用できる。
は、電話機14内にあるダイアル・パルス・スイッチをパ
ルスの頻度で開閉することにより、ダイアル・パルスが
電話機14で生成される。ダイアル・パルス・スイッチが
閉じている時に電流が流れるので、ダイアル・パルスは
交換局10により認識されることができる。その結果、ダ
イアル・パルス送出中には遠隔制御主切替装置12の対応
するサイリスタが閉じて電流が流れることを許容する。
電話機内のダイアル・パルス・スイッチが開になる時、
サイリスタも保持電流を下回るので開になるであろう。
サイリスタは約100ミリ秒毎に閉じることになる。結合
デバイス40がないときには、ブリッジ経路中のコンデン
サによりこれが妨げられる、その理由は、直前のパルス
中にこのコンデンサは導通しているサイリスタ経由で放
電しており、ダイアル・パルス・スイッチが開いている
30−40ミリ秒の間には前のように再充電できなかったか
らである。電話機の高インピーダンスの故に、ブリッジ
経路20, 21中のコンデンサC1及びC2を充電するための時
定数は、20ミリ秒ないし 100ミリ秒の範囲の辺にある。
結合デバイス40に対する時定数は10ミリ秒より小さいの
で、結合デバイス40のコンデンサC3は、電話機内のダイ
アル・パルス・スイッチが閉じたときサイリスタS1, S2
に対するトリガー・パルスを供給できる。こうして結合
デバイス40は、ダイアル・パルス・スイッチが開いた後
に立ち上がる充電電流を利用し、それによってこの電流
の一部は結合デバイス40のコンデンサC3に蓄積されて、
ダイアル・パルス・スイッチが再び閉じたときにサイリ
スタに対するトリガー・エネルギーとして使用できる。
【００１７】図３に、パルス・ダイアル用の遠隔制御主
切替装置のパルス電流の状態を、結合デバイス40がある
場合（破線で示す）及び結合デバイス40がない場合（実
線で示す）について示す。茲で、線11a の電位は線11b
の電位に対して正になっている。図3-I は電話機14内の
ダイアル・パルスの状態を示す。図3-IIはブリッジ経路
20のコンデンサC1の充電電圧を時間の関数として示す。
図3-III はループ電流を時間の関数として示す。図3-IV
は結合デバイス内の電流を示す。
切替装置のパルス電流の状態を、結合デバイス40がある
場合（破線で示す）及び結合デバイス40がない場合（実
線で示す）について示す。茲で、線11a の電位は線11b
の電位に対して正になっている。図3-I は電話機14内の
ダイアル・パルスの状態を示す。図3-IIはブリッジ経路
20のコンデンサC1の充電電圧を時間の関数として示す。
図3-III はループ電流を時間の関数として示す。図3-IV
は結合デバイス内の電流を示す。
【００１８】若しこの回路が結合デバイス無しで動作す
るならば、最初のダイアル・パルス50に先立ってコンデ
ンサC1はダイオードD1により定まる切断電圧にまで充電
される。すると、サイリスタS1は点火される<fire>こと
ができ、パルスの間中は定常ループ電流70が流れる。ダ
イアル・パルス50に続いてコンデンサC1はゆっくり再充
電される。しかし、パルスとパルスの間の電話機のイン
ピーダンスは 100キロオームから数メグオームの範囲に
あるので、時定数は極めて高い。従って次のダイアル・
パルス51の始めにはコンデンサ電圧61は切断電圧には未
だ達しておらず、サイリスタS1は点火されることができ
ない。ダイアル・パルス時間中は電話機が低インピーダ
ンス（典型的には約 300オーム）になるので、パルス51
の間に、増大した充電電流71が流れる。この増大した充
電電流により、それに対応してコンデンサC1の電圧62が
急速に上がる。３番目のパルス52の始めには電圧は未だ
切断電圧に達しておらず、従ってサイリスタS1はパルス
の始めにではなく幾らか遅れた時点72に点火される。コ
ンデンサC1の放電により４番目のパルスの状態は２番目
のパルス51の間の状態と同様になる。
るならば、最初のダイアル・パルス50に先立ってコンデ
ンサC1はダイオードD1により定まる切断電圧にまで充電
される。すると、サイリスタS1は点火される<fire>こと
ができ、パルスの間中は定常ループ電流70が流れる。ダ
イアル・パルス50に続いてコンデンサC1はゆっくり再充
電される。しかし、パルスとパルスの間の電話機のイン
ピーダンスは 100キロオームから数メグオームの範囲に
あるので、時定数は極めて高い。従って次のダイアル・
パルス51の始めにはコンデンサ電圧61は切断電圧には未
だ達しておらず、サイリスタS1は点火されることができ
ない。ダイアル・パルス時間中は電話機が低インピーダ
ンス（典型的には約 300オーム）になるので、パルス51
の間に、増大した充電電流71が流れる。この増大した充
電電流により、それに対応してコンデンサC1の電圧62が
急速に上がる。３番目のパルス52の始めには電圧は未だ
切断電圧に達しておらず、従ってサイリスタS1はパルス
の始めにではなく幾らか遅れた時点72に点火される。コ
ンデンサC1の放電により４番目のパルスの状態は２番目
のパルス51の間の状態と同様になる。
【００１９】結合デバイス40を持つ回路の状態を、図3-
I ないし図3-IVに実線で示す。最初のパルス50に対しサ
イリスタS1はコンデンサC1の故に点火される。２番目の
パルス51に対し、充電電圧はサイリスタが点火されるの
に十分ではない。そこでパルスとパルスの間に充電され
た結合デバイス40によりトリガー・パルス80が供給され
る。
I ないし図3-IVに実線で示す。最初のパルス50に対しサ
イリスタS1はコンデンサC1の故に点火される。２番目の
パルス51に対し、充電電圧はサイリスタが点火されるの
に十分ではない。そこでパルスとパルスの間に充電され
た結合デバイス40によりトリガー・パルス80が供給され
る。
【００２０】図４は本発明の好適実施例を示し、茲では
スイッチ12a, 12bはMOS-FET で構成される。 MOS-FETス
イッチ12a は２つの MOS-FET分枝100,101 を含み、 MOS
-FETスイッチ12b は２つの MOS-FET分枝102,103 により
形成される。それによって、MOS-FET分枝100,103 はｐ
チャネルMOS-FET の形体ををとり、また MOS-FET分枝10
1,102 はｎチャネルMOS-FET の形体をとる。各MOS-FET
分枝はそれぞれ一対のMOS-FET (Q1, Q2), (Q3, Q4), (Q
6, Q7), (Q8, Q9)から成り、それぞれの場合毎に１つの
MOS-FET対のゲート端子とソース端子とは接続してい
る。チャネル基板ダイオードは相互に反対に接続されて
いるので、加入者と交換局との間では電流は MOSトラン
ジスタ・チャネルを経由してのみ流れる。またはソース
端子の代わりにドレイン端子を相互に接続して電流が基
板ダイオードを経由して流れるのを防止することも考え
られる。ｐチャネル分枝100,103 はそれぞれ加入者へ流
れる電流を通し、またｎチャネル分枝101,102 は加入者
からと交換局へ流れる電流を通す。各スイッチ12a, 12b
はｎチャネルとｐチャネルを共に有するので、回路は極
性には無関係に動作する。
スイッチ12a, 12bはMOS-FET で構成される。 MOS-FETス
イッチ12a は２つの MOS-FET分枝100,101 を含み、 MOS
-FETスイッチ12b は２つの MOS-FET分枝102,103 により
形成される。それによって、MOS-FET分枝100,103 はｐ
チャネルMOS-FET の形体ををとり、また MOS-FET分枝10
1,102 はｎチャネルMOS-FET の形体をとる。各MOS-FET
分枝はそれぞれ一対のMOS-FET (Q1, Q2), (Q3, Q4), (Q
6, Q7), (Q8, Q9)から成り、それぞれの場合毎に１つの
MOS-FET対のゲート端子とソース端子とは接続してい
る。チャネル基板ダイオードは相互に反対に接続されて
いるので、加入者と交換局との間では電流は MOSトラン
ジスタ・チャネルを経由してのみ流れる。またはソース
端子の代わりにドレイン端子を相互に接続して電流が基
板ダイオードを経由して流れるのを防止することも考え
られる。ｐチャネル分枝100,103 はそれぞれ加入者へ流
れる電流を通し、またｎチャネル分枝101,102 は加入者
からと交換局へ流れる電流を通す。各スイッチ12a, 12b
はｎチャネルとｐチャネルを共に有するので、回路は極
性には無関係に動作する。
【００２１】MOS-FET分枝100,101,102,103 の制御はそ
れぞれ１つの電圧分割器(Rt1, Rt8), (Rt2, Rt7), (Rt
3, Rt6), (Rt4, Rt5)を経由して実行される。分枝100
に対する電圧分割器の抵抗Rt8 は、直列抵抗Rs1 及びダ
イオードDs1 をもつMOS-FET Q5によりブリッジされるこ
ともできる。制御用MOS-FET Q5は電圧分割器Rs2, Rs3に
より駆動される。同じことが分枝103 にも当てはまり、
此処では直列抵抗Rs4 及びダイオードDs2 を持つ制御用
MOS-FET Q10 が、MOS-FET の導通状態で抵抗Rt5とブリ
ッジする。MOS-FET Q10 のゲートは抵抗Rs5 及びRs6 を
含む電圧分割器に布線されている。電圧を限定する目的
で、ツェナーダイオードの対Z1, Z2, Z4,Z5がそれぞれ
の分枝100,101,102,103 のソース線とベース線との間に
布線されている。同じことがMOS-FET Q5及びQ10 にも当
てはまり、此処ではツェナーダイオードの対Z6及びZ3が
用いられる。布線及び電圧分割器の設計は、オンに切り
替える電圧が高く、またオフに切り替える電圧が低く得
られるように為される。オンに切り替える電圧は通信網
の供給電圧より数ボルト下に、またオフに切り替える電
圧は10ボルトより下にするのがよい。この回路配置は、
低インピーダンス端末装置が動作に入ったとき、遠隔制
御主切替装置のオンに切り替えるしきい値より十分低く
電圧が低下することを考慮に入れている。制御MOS-FET
Q5及びQ10 が、ｎチャネル分枝 101及び102 に対して切
り換えしきい値に履歴行動を生成する。電源と分枝100,
101,102,103 のゲート線との間に布線されているコンデ
ンサ Cg1ないしCg4 はMOS-FET のオフへの切り替えの遅
延を引起し、それにより交流リンギング電流の送出を容
易なものにする。
れぞれ１つの電圧分割器(Rt1, Rt8), (Rt2, Rt7), (Rt
3, Rt6), (Rt4, Rt5)を経由して実行される。分枝100
に対する電圧分割器の抵抗Rt8 は、直列抵抗Rs1 及びダ
イオードDs1 をもつMOS-FET Q5によりブリッジされるこ
ともできる。制御用MOS-FET Q5は電圧分割器Rs2, Rs3に
より駆動される。同じことが分枝103 にも当てはまり、
此処では直列抵抗Rs4 及びダイオードDs2 を持つ制御用
MOS-FET Q10 が、MOS-FET の導通状態で抵抗Rt5とブリ
ッジする。MOS-FET Q10 のゲートは抵抗Rs5 及びRs6 を
含む電圧分割器に布線されている。電圧を限定する目的
で、ツェナーダイオードの対Z1, Z2, Z4,Z5がそれぞれ
の分枝100,101,102,103 のソース線とベース線との間に
布線されている。同じことがMOS-FET Q5及びQ10 にも当
てはまり、此処ではツェナーダイオードの対Z6及びZ3が
用いられる。布線及び電圧分割器の設計は、オンに切り
替える電圧が高く、またオフに切り替える電圧が低く得
られるように為される。オンに切り替える電圧は通信網
の供給電圧より数ボルト下に、またオフに切り替える電
圧は10ボルトより下にするのがよい。この回路配置は、
低インピーダンス端末装置が動作に入ったとき、遠隔制
御主切替装置のオンに切り替えるしきい値より十分低く
電圧が低下することを考慮に入れている。制御MOS-FET
Q5及びQ10 が、ｎチャネル分枝 101及び102 に対して切
り換えしきい値に履歴行動を生成する。電源と分枝100,
101,102,103 のゲート線との間に布線されているコンデ
ンサ Cg1ないしCg4 はMOS-FET のオフへの切り替えの遅
延を引起し、それにより交流リンギング電流の送出を容
易なものにする。
【００２２】図５は、図４による回路を簡単化した回路
の一部分、及びこれに伴う交換局側と加入者側の布線を
示す。図５は、図４に示す回路の動作モードを説明する
のに使われる。交換局は簡単化して、直流電圧源Ｖamt
と、供給抵抗及び線 11a及び11b に対するライン抵抗を
表す抵抗Ｒa,Ｒb から成るものとする。この簡単化した
記法では、加入者側の電話機はフックスイッチGUと抵抗
Ｒtel とから成る。フックスイッチが開のとき、すなわ
ち受話器が掛けてあるときには、抵抗Ｒa 及びＲb は電
話機の絶縁抵抗に較べて小さいから、供給電圧Ｖamt の
全部が加入者に加わり、従って遠隔制御主切替装置の入
力にも加わる。フックスイッチGUが閉じられると、電話
機14は低インピーダンスになり、Ｒa,Ｒb 及びＲtel が
電圧分割器を形成し、それによりラインの長さに依存し
て局電圧Ｖamt の15％ないし30％のみが電話機14に到達
する。従って遠隔制御主切替装置の切替えしきい値はこ
の限界より高くなければならないのであって、それは局
電圧Ｖamt の60V に対しては9Vとなろう。しかし試験の
状態では、加入者側が接続されることなく 10Vから20V
の間の電圧で測定が実施できることが望ましい。これは
単に切替え限界が9Vということに関連しては不可能であ
る。従って、オンに切り替えるしきい値を高く設定し、
オフに切り替えるしきい値を低く設定する制御回路、す
なわち履歴行動を採る制御回路が必要となる。加入者線
11a に直列に布線され、それぞれのソース端子及びゲー
ト端子が相互に接続されている２つのMOS-FET Q1及びQ2
はオンにスイッチされた状態の電話機14へ電流を導く。
Q1及びQ2を含む分枝100 に対する制御は電圧分割器 Rt1
及びRt8 を通して実行される。これら２つの抵抗がオン
に切り替えるしきい値を決定し、それは例えば局電圧
（供給電圧）の50％とすることができる。従ってオンに
切り替える電圧は、フックスイッチGUが閉じている間の
遠隔制御主切替装置の入力に出ている電圧よりかなり高
い。もしオンに切り替えるしきい値を越えたならばMOS-
FET Q1及びQ2は導通状態になり、遠隔制御主切替装置の
入力に出ている電圧と同じ電圧が、遠隔制御主切替装置
の出力、すなわち電圧分割器 Rs2, Rs3 にも出ている。
電圧分割器 Rs2, Rs3 は、局電圧の約15％ないし20％と
いう低い電圧に対しては、ｎチャネルMOS-FET Q5が導通
するように設定される。それによって高インピーダンス
抵抗Rt8 は低インピーダンス抵抗Rt1 によりブリッジさ
れる。これの結果として、もしフックスイッチGUが閉じ
ていたとしても、MOS-FET Q1及びQ2は低電圧に対してさ
えも導通状態のままである。MOS-FET は実際には電力を
用いないで制御できるから、電圧分割器抵抗は極めて高
く、すなわちメグオームの範囲に維持され、従ってそれ
自身の電力消費は極めて小さい。
の一部分、及びこれに伴う交換局側と加入者側の布線を
示す。図５は、図４に示す回路の動作モードを説明する
のに使われる。交換局は簡単化して、直流電圧源Ｖamt
と、供給抵抗及び線 11a及び11b に対するライン抵抗を
表す抵抗Ｒa,Ｒb から成るものとする。この簡単化した
記法では、加入者側の電話機はフックスイッチGUと抵抗
Ｒtel とから成る。フックスイッチが開のとき、すなわ
ち受話器が掛けてあるときには、抵抗Ｒa 及びＲb は電
話機の絶縁抵抗に較べて小さいから、供給電圧Ｖamt の
全部が加入者に加わり、従って遠隔制御主切替装置の入
力にも加わる。フックスイッチGUが閉じられると、電話
機14は低インピーダンスになり、Ｒa,Ｒb 及びＲtel が
電圧分割器を形成し、それによりラインの長さに依存し
て局電圧Ｖamt の15％ないし30％のみが電話機14に到達
する。従って遠隔制御主切替装置の切替えしきい値はこ
の限界より高くなければならないのであって、それは局
電圧Ｖamt の60V に対しては9Vとなろう。しかし試験の
状態では、加入者側が接続されることなく 10Vから20V
の間の電圧で測定が実施できることが望ましい。これは
単に切替え限界が9Vということに関連しては不可能であ
る。従って、オンに切り替えるしきい値を高く設定し、
オフに切り替えるしきい値を低く設定する制御回路、す
なわち履歴行動を採る制御回路が必要となる。加入者線
11a に直列に布線され、それぞれのソース端子及びゲー
ト端子が相互に接続されている２つのMOS-FET Q1及びQ2
はオンにスイッチされた状態の電話機14へ電流を導く。
Q1及びQ2を含む分枝100 に対する制御は電圧分割器 Rt1
及びRt8 を通して実行される。これら２つの抵抗がオン
に切り替えるしきい値を決定し、それは例えば局電圧
（供給電圧）の50％とすることができる。従ってオンに
切り替える電圧は、フックスイッチGUが閉じている間の
遠隔制御主切替装置の入力に出ている電圧よりかなり高
い。もしオンに切り替えるしきい値を越えたならばMOS-
FET Q1及びQ2は導通状態になり、遠隔制御主切替装置の
入力に出ている電圧と同じ電圧が、遠隔制御主切替装置
の出力、すなわち電圧分割器 Rs2, Rs3 にも出ている。
電圧分割器 Rs2, Rs3 は、局電圧の約15％ないし20％と
いう低い電圧に対しては、ｎチャネルMOS-FET Q5が導通
するように設定される。それによって高インピーダンス
抵抗Rt8 は低インピーダンス抵抗Rt1 によりブリッジさ
れる。これの結果として、もしフックスイッチGUが閉じ
ていたとしても、MOS-FET Q1及びQ2は低電圧に対してさ
えも導通状態のままである。MOS-FET は実際には電力を
用いないで制御できるから、電圧分割器抵抗は極めて高
く、すなわちメグオームの範囲に維持され、従ってそれ
自身の電力消費は極めて小さい。
【００２３】図６は、本発明の簡略化された実施例を示
し、これは各分枝100,101,102,103のそれぞれに MOS-FE
T対の代わりに唯一つのMOS-FET が用いられている。ス
イッチ 12a及び12b は、１つのｎチャネルMOS-FET(Q1,Q
8)及び１つのｐチャネルMOS-FET(Q3,Q6)から成り、それ
らは基板ダイオードの陽極が加入者の方を向いて布線さ
れるようなやり方で並列に接続されている。この場合に
は MOS-FETの基板ダイオードは加入者から交換局へ向け
てのみ電流を流すことができる。それは帰還流分枝に対
する切り替えしきい値が 0.6V より大きくはないからで
ある。それ以外では回路設計は図４による実施例に対応
する。
し、これは各分枝100,101,102,103のそれぞれに MOS-FE
T対の代わりに唯一つのMOS-FET が用いられている。ス
イッチ 12a及び12b は、１つのｎチャネルMOS-FET(Q1,Q
8)及び１つのｐチャネルMOS-FET(Q3,Q6)から成り、それ
らは基板ダイオードの陽極が加入者の方を向いて布線さ
れるようなやり方で並列に接続されている。この場合に
は MOS-FETの基板ダイオードは加入者から交換局へ向け
てのみ電流を流すことができる。それは帰還流分枝に対
する切り替えしきい値が 0.6V より大きくはないからで
ある。それ以外では回路設計は図４による実施例に対応
する。
【００２４】図７は、本発明のもう一つの好適実施例を
示し、これには分枝に対する制御の概略が表されており
図４に示すものと対応する。もし履歴行動を起こす上述
の制御回路160,161 に付加してｐチャネル分枝100,103
が各々 DC/DCコンバータ150,151 により制御されるなら
ば、図４の回路中のｎチャネルMOS-FET 分枝101,102は
省くことができる。コンバータ150,160 は、対応するｐ
チャネル対100,103 が通信ラインの負の分枝にあり、端
末装置から交換局へ電流を通す時には、負の電圧を生成
する。ｎチャネル・スイッチと DC/DCコンバータとを持
ち、正の分枝中にあるｎチャネル・スイッチ用に正の電
位を生成する相補的回路<complementarycircuit> も考
えられる。
示し、これには分枝に対する制御の概略が表されており
図４に示すものと対応する。もし履歴行動を起こす上述
の制御回路160,161 に付加してｐチャネル分枝100,103
が各々 DC/DCコンバータ150,151 により制御されるなら
ば、図４の回路中のｎチャネルMOS-FET 分枝101,102は
省くことができる。コンバータ150,160 は、対応するｐ
チャネル対100,103 が通信ラインの負の分枝にあり、端
末装置から交換局へ電流を通す時には、負の電圧を生成
する。ｎチャネル・スイッチと DC/DCコンバータとを持
ち、正の分枝中にあるｎチャネル・スイッチ用に正の電
位を生成する相補的回路<complementarycircuit> も考
えられる。
【００２５】図８は、制御されたシリコン整流器を持つ
遠隔制御主切替装置を示し、図２の回路の一変形を表
す。線ｂ中の電子スイッチ12b はスイッチ12a とはその
極性が逆になっている。従ってダイオードD2及びD4並び
にサイリスタS2の前向き方向は、線ａ中のダイオードD1
及びD3並びにサイリスタS1のそれとは逆並列である。線
ａが線ｂに関して正の電圧を持つときには、サイリスタ
S1及びS2は、もし測定電圧が切替え電圧より下であれば
抑制される。測定電圧が負のときはダイオードD3及びD4
が導通となり、加入者側が測定過程に含まれる、すなわ
ちスイッチ 12a及び12b は再びオンに戻る。
遠隔制御主切替装置を示し、図２の回路の一変形を表
す。線ｂ中の電子スイッチ12b はスイッチ12a とはその
極性が逆になっている。従ってダイオードD2及びD4並び
にサイリスタS2の前向き方向は、線ａ中のダイオードD1
及びD3並びにサイリスタS1のそれとは逆並列である。線
ａが線ｂに関して正の電圧を持つときには、サイリスタ
S1及びS2は、もし測定電圧が切替え電圧より下であれば
抑制される。測定電圧が負のときはダイオードD3及びD4
が導通となり、加入者側が測定過程に含まれる、すなわ
ちスイッチ 12a及び12b は再びオンに戻る。
【００２６】図９は、図６に対応して変形された MOS-F
ET回路を示す。これでは線ｂ中にある MOS-FETトランジ
スタが入れ換えられている。すなわち茲ではトランジス
タQ6がｎチャネル型であり、トランジスタQ8がｐチャネ
ル型である。これに反して図６の回路ではスイッチが対
称になっている。更に、対応する制御のそれぞれのシュ
ミット<Schmitt> トリガー・トランジスタ Q10は、相補
ｐチャネル型に置き換えられている。
ET回路を示す。これでは線ｂ中にある MOS-FETトランジ
スタが入れ換えられている。すなわち茲ではトランジス
タQ6がｎチャネル型であり、トランジスタQ8がｐチャネ
ル型である。これに反して図６の回路ではスイッチが対
称になっている。更に、対応する制御のそれぞれのシュ
ミット<Schmitt> トリガー・トランジスタ Q10は、相補
ｐチャネル型に置き換えられている。
【図１】図１は、加入者線の概略を示す図である。
【図２】図２は、制御されたシリコン整流器を持つ遠隔
制御主切替装置を示す図である。
制御主切替装置を示す図である。
【図３】図３は、制御されたシリコン整流器を持つ遠隔
制御主切替装置が、パルス式のダイアル信号に関して、
結合デバイスを持つ場合及び持たない場合について、そ
の行動様式をグラフで示す図である。
制御主切替装置が、パルス式のダイアル信号に関して、
結合デバイスを持つ場合及び持たない場合について、そ
の行動様式をグラフで示す図である。
【図４】図４は、MOS-FET スイッチを持つ遠隔制御主切
替装置を示す図である。
替装置を示す図である。
【図５】図５は、図４の回路の簡略化された回路部分を
示す図である。
示す図である。
【図６】図６は、MOS-FET スイッチを持つ遠隔制御主切
替装置の２番目の実施例を示す図である。
替装置の２番目の実施例を示す図である。
【図７】図７は、MOS-FET スイッチと DC/DCコンバータ
を持つ遠隔制御主切替装置の３番目の実施例を示す図で
ある。
を持つ遠隔制御主切替装置の３番目の実施例を示す図で
ある。
【図８】図８は、制御されたシリコン整流器と極性を逆
にした電子スイッチとを持つ遠隔制御主切替装置を示す
図である。
にした電子スイッチとを持つ遠隔制御主切替装置を示す
図である。
【図９】図９は、MOS-FET スイッチを持ち、それらのス
イッチは相互に極性が逆になっている遠隔制御主切替装
置を示す図である。
イッチは相互に極性が逆になっている遠隔制御主切替装
置を示す図である。
10 交換局（保守センターを兼ねる） 11 加入者線 11a, 11b 加入者線の両線（いわゆるａ線、ｂ線） 12 遠隔制御主切替装置（中間切分け点） 12a, 12b 電子スイッチ（遠隔制御主切替装置を構成す
る） 13 私設通信網 14 私設通信網の端末装置 20, 21 ブリッジ経路 30, 31 制御分枝 40 結合デバイス 100,101,102,103 MOS-FET 分枝 150,151 DC/DCコンバータ（制御部） C1, C2, C3; Cg1,Cg2,Cg3,Cg4 コンデンサ D1, D2, D3, D4 ダイオード Ds1.Ds2 MOS-FET Q5,Q10に直列のダイオード Q1,Q2; Q3,Q4; Q6,Q7; Q8,Q9 MOS-FET対 Q5,Q10 ブリッジするMOS-FET R1, R2, R3, R4, R5 抵抗 Rs1,Rs4 MOS-FET Q5,Q10に直列の抵抗 Rs2.Rs3; Rs5.Rs6 Q5,Q10の電圧分割器 Rt1.Rt8; Rt2.Rt7; Rt3.Rt6; Rt4.Rt5 制御用の電圧分
割器 S1, S2 シリコン整流器（サイリスタ） Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, Z6 ツェナーダイオードの対
る） 13 私設通信網 14 私設通信網の端末装置 20, 21 ブリッジ経路 30, 31 制御分枝 40 結合デバイス 100,101,102,103 MOS-FET 分枝 150,151 DC/DCコンバータ（制御部） C1, C2, C3; Cg1,Cg2,Cg3,Cg4 コンデンサ D1, D2, D3, D4 ダイオード Ds1.Ds2 MOS-FET Q5,Q10に直列のダイオード Q1,Q2; Q3,Q4; Q6,Q7; Q8,Q9 MOS-FET対 Q5,Q10 ブリッジするMOS-FET R1, R2, R3, R4, R5 抵抗 Rs1,Rs4 MOS-FET Q5,Q10に直列の抵抗 Rs2.Rs3; Rs5.Rs6 Q5,Q10の電圧分割器 Rt1.Rt8; Rt2.Rt7; Rt3.Rt6; Rt4.Rt5 制御用の電圧分
割器 S1, S2 シリコン整流器（サイリスタ） Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, Z6 ツェナーダイオードの対
Claims (22)
- 【請求項１】 加入者線の両線(11a, 11b)に接ぎ込まれ
ている電子スイッチ(12a, 12b)から成り、これらのスイ
ッチ(12a, 12b)の各々は制御されたシリコン整流器(S1,
S2)を含み、その制御入力は抵抗(R1, R2)を持つ並列に
接続されたツェナーダイオード(D1, D2)により駆動さ
れ、また、シリコン整流器(S1, S2)に並列のコンデンサ
(C1, C2)及び抵抗(R3, R4)から成るブリッジ経路(20, 2
1)を含む遠隔制御主切替装置において、 シリコン整流器(S1, S2)の制御入力は、結合デバイス(4
0)により相互に結合していることを特徴とする遠隔制御
主切替装置。 - 【請求項２】 結合デバイス(40)は、コンデンサ(C3)と
抵抗(R5)との直列接続から成ることを特徴とする請求項
１に記載の遠隔制御主切替装置。 - 【請求項３】 電子スイッチ(12a, 12b)は、加入者線の
両線(11a, 11b)に極性を反対にして挿入されていること
を特徴とする請求項２に記載の遠隔制御主切替装置。 - 【請求項４】 加入者線の両線(11a, 11b)に接ぎ込まれ
ている電子スイッチ(12a, 12b)から成り、これらのスイ
ッチ(12a, 12b)の各々は、少なくとも１個のMOS-FET を
含む遠隔制御主切替装置において、 該MOS-FET としてエンハンスメント型で正常オフのMOS-
FET が使用されることを特徴とする遠隔制御主切替装
置。 - 【請求項５】 MOS-FETスイッチ(12a, 12b)は、オンに
切替えるしきい値が高く、またオフに切替えるしきい値
が低くなるように制御されることを特徴とする請求項４
に記載の遠隔制御主切替装置。 - 【請求項６】 MOS-FETスイッチ(12a, 12b)に対する制
御部は、少なくとも１つの電圧分割器((Rt1, Rt8), (Rt
2, Rt7), (Rt3, Rt6), (Rt4,Rt5)) 及び１つの MOS-FET
(Q5, Q10) から成ることを特徴とする請求項５に記載の
遠隔制御主切替装置。 - 【請求項７】 制御MOS-FET は双方とも同じ型のもので
あることを特徴とする請求項６に記載の遠隔制御主切替
装置。 - 【請求項８】 制御MOS-FET は双方ともｎチャネル型で
あることを特徴とする請求項７に記載の遠隔制御主切替
装置。 - 【請求項９】 オンに切替える電圧は、電気通信網に対
する供給電圧の大きさと同程度であることを特徴とする
請求項６ないし８のうちのいずれか１項に記載の遠隔制
御主切替装置。 - 【請求項１０】 オフに切替える電圧は、電気通信網に
対する供給電圧の約15％であることを特徴とする請求項
９に記載の遠隔制御主切替装置。 - 【請求項１１】 １個の MOS-FETスイッチ(12a, 12b)
は、１つのｎチャネルMOS-FET分枝(101, 102)及びそれ
に並列に接続されている１つのｐチャネルMOS-FET 分枝
(100, 103)から成ることを特徴とする請求項５ないし10
のうちのいずれか１項に記載の遠隔制御主切替装置。 - 【請求項１２】 MOS-FET分枝(100, 101, 102, 103)の
共通のソース線とゲート線との間にはコンデンサ(Cg1,
Cg2, Cg3, Cg4)があることを特徴とする請求項11に記載
の遠隔制御主切替装置。 - 【請求項１３】 MOS-FET分枝(100, 101, 102, 103)
は、１つのMOS-FET(Q1, Q3, Q6, Q8) から成ることを特
徴とする請求項12に記載の遠隔制御主切替装置。 - 【請求項１４】 基板ダイオードの陽極は加入者に向か
って布線されていることを特徴とする請求項13に記載の
遠隔制御主切替装置。 - 【請求項１５】 １個の MOS-FET分枝(100, 101, 102,
103)は、１対のMOS-FET((Q1, Q2), (Q3, Q4), (Q6, Q
7), (Q8, Q9)) を含むことを特徴とする請求項11または
12に記載の遠隔制御主切替装置。 - 【請求項１６】 MOS-FET対((Q1, Q2), (Q3, Q4), (Q
6, Q7), (Q8, Q9))のチャネル基板ダイオードは相互に
反対に接続されていることを特徴とする請求項15に記載
の遠隔制御主切替装置。 - 【請求項１７】 MOS-FET対((Q1, Q2), (Q3, Q4), (Q
6, Q7), (Q8, Q9))のそれぞれのゲート及びソース端子
は相互に接続されていることを特徴とする請求項16に記
載の遠隔制御主切替装置。 - 【請求項１８】 MOS-FETスイッチ(12a, 12b)は、ｐチ
ャネル MOS-FET分枝(100, 103)から成り、該分枝は１対
のMOS-FET((Q1, Q2), (Q8, Q9)) を含み、それらのそれ
ぞれのゲート及びソース端子は相互に接続されているこ
とを特徴とする請求項５ないし10のうちのいずれか１項
に記載の遠隔制御主切替装置。 - 【請求項１９】 各分枝(100, 103)のゲート線は、更に
また DC/DCコンバータ(150, 151)によっても制御される
ことを特徴とする請求項18に記載の遠隔制御主切替装
置。 - 【請求項２０】 負の電圧に対してオンに切替えるしき
い値は、正の電圧に対してオンに切替えるしきい値とは
異なることを特徴とする請求項５に記載の遠隔制御主切
替装置。 - 【請求項２１】 ２つの制御MOS-FET(Q5, Q10)の一方は
ｐチャネル型でもう一方はｎチャネル型であること、及
びライン上の MOS-FETトランジスタ(Q1,Q3;Q6,Q8)は入
れ換えられていることを特徴とする請求項６、請求項９
ないし17、又は請求項20のうちのいずれか１項に記載の
遠隔制御主切替装置。 - 【請求項２２】 回路は相補的に構築されていることを
特徴とする請求項１ないし21のうちのいずれか１項に記
載の遠隔制御主切替装置。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| DE4200775:5 | 1992-01-11 | ||
| DE4200775A DE4200775C1 (ja) | 1992-01-11 | 1992-01-11 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5002652A Pending JPH05336234A (ja) | 1992-01-11 | 1993-01-11 | 遠隔制御主切替装置 |
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| JP (1) | JPH05336234A (ja) |
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| CA (1) | CA2083205A1 (ja) |
| DE (1) | DE4200775C1 (ja) |
| FI (1) | FI925107A (ja) |
| HU (1) | HUT63530A (ja) |
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| MX (1) | MX9300052A (ja) |
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| PL (1) | PL297217A1 (ja) |
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-
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-
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