KR930017380A - 원격제어 마스터 스위치장치 - Google Patents

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KR930017380A
KR930017380A KR1019920025175A KR920025175A KR930017380A KR 930017380 A KR930017380 A KR 930017380A KR 1019920025175 A KR1019920025175 A KR 1019920025175A KR 920025175 A KR920025175 A KR 920025175A KR 930017380 A KR930017380 A KR 930017380A
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혼 로버트
라드머 안드레아스
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롤프 군홀드, 펠리시타스 알파로
크로네 악티엔게젤샤프트
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Abstract

원격제어 마스터 스위치장치로서는, 한쪽 오퍼레이팅 컴퍼니의 전기통신 네트워크과 다른쪽 오퍼레이팅 컴퍼니의 전기통신 네트워크 사이의 교환지점에서, 연결된 네트워크의 어느 부분에서 에러가 발생했는지를 결정하여 측정을 위해 서로로 부터 네트워크이 DC분할을 조성할 수 있도록 된 것이 요망된다.
트라이악 및 MOS-FET에 기초하여 공통 스위치 임계치를 이용하는 원격제어 마스터 스위치장치가 공지되어 있다. 전자스위치로서 제어 실리콘 정류기를 사용하는 경우에는 스위치들이 연결소자를 매개해서 서로 접속되어 다이얼 펄스가 전화기로부터 교환기로 전송될 수 있도록 되어 있고, 또한 덜 민감한 제어단자를 갖춘 스위치를 사용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 인핸스먼트형 정상적-오프 MOS-FET를 사용하여 높은 턴온 임계치와 낮은 턴오프임계치를 조성해서, 전압을 낮추는 통상의 측정처리를 적용할 수 있게 된다. 또한, 턴온 임계치가 전압의 극성에 의존 하도록 하는 것도 가능하게 된다.

Description

원격제어 마스터 스위치장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 가입자 선로의 개략적인 도면, 제2도는 제어 실리콘 정류기를 구비한 원격제어 마스터 스위치장치를 나타낸 도면, 제3도는 펄스 다이얼링용 연결소자를 갖추고서 제어 실리콘 정류기를 구비한 원격제어 마스터 스위치장치의 특성곡선과, 펄스 다이얼링용 연결소자를 갖추지 않고서 제어 실리콘 정류기를 구비한 원격제어 마스터 스위치장치의 특성곡선을 나타낸 도면.

Claims (22)

  1. 가입자 선로(11a, 11b)에 각각 접속된 2개의 전자스위치를 구비하고,(12a, 12b) 상기 각각의 스위치(12a, 12b)가 제어입력이 저항(R1,R2)과 병렬접속된 제너다이오드(D1,D2)에 의해 구동되는 제어 실리콘 정류기(SI,S2)와, 캐패시터(C1, C2)와 저항(R3,R4)으로 이루어진 상기 실리콘 정류기(SI,S2)의 병렬분기(20,21)를 포함하는 원격제어 마스터 스위치장치에 있어서, 실리콘 정류기(S1,S2)의 제어입력은 연결소자(40)에 의해 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  2. 제1항에 있어서, 연결소자(40)는 캐패시터(C3)와 저항(R5)의 직렬접속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  3. 제2항에 있어서, 전자스위치(12a, 12b)는 서로 반대 극성으로 선로(11a,11b)에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  4. 가입자 선로(11a, 11b)에 각각 접속된 2개의 전자스위치(12a, 12b)를 구비하고, 상기 각각의 스위치 (12a, 12b)가 적어도 한개의 MOS-FET를 포함하고 있는 원격제어 마스터 스위치장치에 있어서, 상기 MOS-EFT는 인핸스먼트형 정상적-오프 MOS-FET인 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 MOS-EFT스위치(12a, 12b)는 높은 턴온 임계치와 낮은 턴오프 임계치를 나타내도록 제어되는 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제어 MOS-EFT(12a, 12b)의 제어회로는 적어도 한개의 전압 디바이더(Rt1,Rt8;Rt2,Rt7;Rt3,Rt6;Rt4,Rt5)와 적어도 한개의 제어 MOS-FET(Q5,Q10)로 이루어진 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기제어 MOS-FET(Q5,Q10)는 모두 동일한 형태인 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기제어 MOS-FET(Q5,Q10)는 모두 n챈널형인 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  9. 제6항 내지 제8항에 있어서, 턴온 전압은 전기통신 네트워크에 대한 공급전압의 크기 정도인 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 턴온 전압은 통신 네트워크의 공급전압의 약15%인 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  11. 제5항 내지 제10항에 있어서, 상기 MOS-EFT스위치(12a, 12b)는 n챈널 MOS-FET분기(101;102)와, 이n챈널 MOS-FET분기(101;102)에 병렬접속된 p챈널 MOS-FET분기(100;103)로 이루어진 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치
  12. 제11항에 있어서, 상기 MOS-EFT분기(100,101,102,103)의 공통 소오스 선로와 게이트선로 사이에 각각 접속된 캐패시터(Cg1,Cg2,Cg3,Cg4)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 MOS-FET분기(100,101,102,103)는 각각 한개의 MOS-EFT(Q1,Q3,Q6,Q8)로 이루어진 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치,
  14. 제13항에 있어서, 상기 기판 다이오드에 애노드는 가입자쪽으로 배선 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  15. 제11항 내지 제12항에 있어서, 상기 MOS-EFT분기(100,101,102,103)는 각각 한쌍의 MOS-EFT(Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6,Q7,Q8,)를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 MOS-EFT쌍(Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6,Q7,Q8,)의 챈널기판 다이오드는 각각 서로 반대방향으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 MOS-EFT쌍(Q1,Q2;Q3,Q4;Q5,Q6;Q7,Q8,)의 각 게이트단자와 소오스단자는 서로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  18. 제15항 내지 제10항에 있어서, 상기 MOS-EFT스위치(12a;12b)는 각각의 게이트단자 및 소오스단자가 서로 접속된 한쌍의 MOS-FET((Q1,Q2;Q8,Q9)를 포함하는 p챈널 분기(100,103)로 이루어진 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 각 분기(100,103)의 게이트선로는 DC/DC변환기(150,151)에 의해 부가적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  20. 제5항에 있어서, 부의 전압에 대한 턴온 임계치는 정의 전압에 대한 턴온 임계치와 다른 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  21. 제20항과, 제6항과 제9항과 내지 제17항중 한개 이상의 항에 있어서, 상기 2개의 제어MOS-FET(Q5,Q10)중 한개는 p챈널형이고 다른 한개는 n챈널형이며, 한개의 코어내에 있는 MOS-FET(Q1,Q3;Q6,Q8)는 교환될 수 있는 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
  22. 상기 항중 한개 이상의 항에 있어서, 상기 회로가 상보적인 구조로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 원격제어 마스터 스위치장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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