JPS633655A - ブリツジ整流回路 - Google Patents
ブリツジ整流回路Info
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- JPS633655A JPS633655A JP61147865A JP14786586A JPS633655A JP S633655 A JPS633655 A JP S633655A JP 61147865 A JP61147865 A JP 61147865A JP 14786586 A JP14786586 A JP 14786586A JP S633655 A JPS633655 A JP S633655A
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 241001590997 Moolgarda engeli Species 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/21—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M7/219—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration
- H02M7/2195—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a bridge configuration the switches being synchronously commutated at the same frequency of the AC input voltage
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は極性を一致させるための低電圧降下のブリッジ
整流回路に関する。
整流回路に関する。
（従来の技術）
従来のブリッジ整流回路はシリコンダイオードによって
構成されるのが一般的であった。
構成されるのが一般的であった。
（発明が解決しようとする問題点）
そのため、ダイオードブリッジの各々のシリコンダイオ
ードは順方向電圧として約０．７■の電圧降下を生じ、
ブリッジ整流後の電圧はシリコンダイオードを２零通過
するため約１．４■降下する。
ードは順方向電圧として約０．７■の電圧降下を生じ、
ブリッジ整流後の電圧はシリコンダイオードを２零通過
するため約１．４■降下する。
このようなシリコンダイオードをブリッジ整流回路に使
用するとブリッジ整流回路の直流出力側に接続される回
路に供給される電圧が降下してしまい、直流出力側に接
続される回路が満足に働かない場合も起こる。
用するとブリッジ整流回路の直流出力側に接続される回
路に供給される電圧が降下してしまい、直流出力側に接
続される回路が満足に働かない場合も起こる。
（問題点を解決するための手段）
本発明は供給される電圧が少ない場合でも、ブリッジ整
流回路での電圧降下を最小にして、後に接続される回路
に十分な電圧を与えるようにすることを目的としたもの
で、構成は以下のようである。
流回路での電圧降下を最小にして、後に接続される回路
に十分な電圧を与えるようにすることを目的としたもの
で、構成は以下のようである。
交流入力側の一方に第１のＰチャンネル電界効果トラン
ジスタのドレインと第１のＮチャンネル電界効果トラン
ジスタのドレインと第１の抵抗の一方を接続し、交流入
力側の他方に第２のＰチャンネル電界効果トランジスタ
のドレインと第２のＮチャンネル電界効果トランジスタ
のドレインと第２の抵抗の一方を接続し、第１のＰチャ
ンネル電界効果トランジスタのゲートと第１のＮチャン
ネル電界効果トランジスタのゲートと第２の抵抗の他方
を接続し、第２のＰチャンネル電界効果トランジスタの
ゲートと第２のＮチャンネル電界効果トランジスタのゲ
ートと第１の抵抗の他方とを接続し、直流出力側の一方
に第１のＰチャンネル電界効果トランジスタのソースと
第２のＰチャンネル電界効果トランジスタのソースとを
接続し、直流出力の他方に第１のＮチャンネル電界効果
トランジスタのソースと第２のＮチャンネル電界効果ト
ランジスタのソースとを接続することにより電圧効果を
少なくしたブリッジ整流回路。
ジスタのドレインと第１のＮチャンネル電界効果トラン
ジスタのドレインと第１の抵抗の一方を接続し、交流入
力側の他方に第２のＰチャンネル電界効果トランジスタ
のドレインと第２のＮチャンネル電界効果トランジスタ
のドレインと第２の抵抗の一方を接続し、第１のＰチャ
ンネル電界効果トランジスタのゲートと第１のＮチャン
ネル電界効果トランジスタのゲートと第２の抵抗の他方
を接続し、第２のＰチャンネル電界効果トランジスタの
ゲートと第２のＮチャンネル電界効果トランジスタのゲ
ートと第１の抵抗の他方とを接続し、直流出力側の一方
に第１のＰチャンネル電界効果トランジスタのソースと
第２のＰチャンネル電界効果トランジスタのソースとを
接続し、直流出力の他方に第１のＮチャンネル電界効果
トランジスタのソースと第２のＮチャンネル電界効果ト
ランジスタのソースとを接続することにより電圧効果を
少なくしたブリッジ整流回路。
（作用）
従来のダイオードの順方向電圧がそれぞれの電界効果ト
ランジスタの導通電圧（ドレイン・ソース間電圧）に置
きえることにより、それぞれの電界効果トランジスタの
導通電圧はダイオードに比べかなり少ない電圧降下とす
ることができる。よって低い供給電圧でもその電圧を有
効に使用することが可能である。
ランジスタの導通電圧（ドレイン・ソース間電圧）に置
きえることにより、それぞれの電界効果トランジスタの
導通電圧はダイオードに比べかなり少ない電圧降下とす
ることができる。よって低い供給電圧でもその電圧を有
効に使用することが可能である。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例である低電圧降下のブリッジ
整流回路を用いた電話機の系統図である。第２図は従来
のダイオードブリッジ整流回路である。
整流回路を用いた電話機の系統図である。第２図は従来
のダイオードブリッジ整流回路である。
第３図は電界効果トランジスタでプリフジを構成した回
路図である。
路図である。
１は電話機、２はブリッジ整流回路、３はダイヤル回路
、４は通話回路、ＩＰはＰチャンネル電界効果トランジ
スタ（以下ＦＥＴという）、ＩＮはＮチャンネルＦＥＴ
、２ＰはＰチャンネルＦＥＴ、２ＮはＮチャンネルＦＥ
Ｔ、Ｄ＋、Ｄｚ、Ｄｚ、Ｄ４はＦＥＴそれぞれの寄生ダ
イオードでありＦＥＴの構造から必然的にＦＥＴ内部に
構成される。Ｒ，は抵抗、Ｒ２は抵抗である。Ｌｌ、Ｒ
２は回線端子である。６はトランジスタ、７は抵抗であ
る。
、４は通話回路、ＩＰはＰチャンネル電界効果トランジ
スタ（以下ＦＥＴという）、ＩＮはＮチャンネルＦＥＴ
、２ＰはＰチャンネルＦＥＴ、２ＮはＮチャンネルＦＥ
Ｔ、Ｄ＋、Ｄｚ、Ｄｚ、Ｄ４はＦＥＴそれぞれの寄生ダ
イオードでありＦＥＴの構造から必然的にＦＥＴ内部に
構成される。Ｒ，は抵抗、Ｒ２は抵抗である。Ｌｌ、Ｒ
２は回線端子である。６はトランジスタ、７は抵抗であ
る。
近年電話機１のダイヤル回路や通話回路は電子化され、
回路の大部分はＩＣ化されてきた。このようなＩＣ化さ
れた回路を備える電話機１内の整流回路２にダイオード
ブリッジ回路を使用した場合、ダイヤル回路や通話回路
に供給する電圧の降下が生じる。
回路の大部分はＩＣ化されてきた。このようなＩＣ化さ
れた回路を備える電話機１内の整流回路２にダイオード
ブリッジ回路を使用した場合、ダイヤル回路や通話回路
に供給する電圧の降下が生じる。
その為、電話機１と加入電話局との線路が長い場合に於
ては線路による電圧降下が大きい上、さらにダイオード
ブリフジによる電圧降下が重なり電話機として充分な動
作を保証できなくなる場合がある。本発明はダイオード
の代わりにＦＥＴを用いて整流回路の電圧降下を少なく
し、線路条件が悪くても電話機の機能を充分発揮させる
ようにしたもので以下にその動作を説明する。
ては線路による電圧降下が大きい上、さらにダイオード
ブリフジによる電圧降下が重なり電話機として充分な動
作を保証できなくなる場合がある。本発明はダイオード
の代わりにＦＥＴを用いて整流回路の電圧降下を少なく
し、線路条件が悪くても電話機の機能を充分発揮させる
ようにしたもので以下にその動作を説明する。
一例として最遠端にある電話機に於いて、−電話回線に
流れる電流を２０ｍＡとすると、通常の電話機の直流抵
抗は２２０Ωであって、このときの線間電圧は４．４■
となる。
流れる電流を２０ｍＡとすると、通常の電話機の直流抵
抗は２２０Ωであって、このときの線間電圧は４．４■
となる。
第２図に示すシリコンダイオードで構成された従来のブ
リッジ整流回路では ４、４ Ｖ −０，７Ｖ Ｘ ２ ＝ ３． ＯＶの有
効電圧のみしかダイヤル回路や通話回路の供給電圧とし
て利用できない。
リッジ整流回路では ４、４ Ｖ −０，７Ｖ Ｘ ２ ＝ ３． ＯＶの有
効電圧のみしかダイヤル回路や通話回路の供給電圧とし
て利用できない。
その為導通電圧の低い素子を使用することが考えられる
。第３図はＦＥＴで構成したブリッジ整流回路である。
。第３図はＦＥＴで構成したブリッジ整流回路である。
第４図、第５図に一例としてＮチャンネ）ＬｉＦ ＥＴ
（７）Ｖｏｓ Ｉ ｏ特性を示す。Ｄ １． Ｄ ｚ
、 Ｄ ：１． Ｄ ａ各々はＦＥＴに必然的に備わっ
た寄生ダイオードである。第３図の回路動作を以下に説
明する。
（７）Ｖｏｓ Ｉ ｏ特性を示す。Ｄ １． Ｄ ｚ
、 Ｄ ：１． Ｄ ａ各々はＦＥＴに必然的に備わっ
た寄生ダイオードである。第３図の回路動作を以下に説
明する。
回線端子Ｌ１が（＋）のとき以下のルートで電流が流れ
る。
る。
Ｌｌ （＋） −ＦＥＴ Ｉ Ｐ （ソース−ド
レイン）□端子Ｂ（＋）。
レイン）□端子Ｂ（＋）。
さらに第４図の■。ｓｌ。特性が示すようにＦＥＴＩＮ
の寄生ダイオードＤ、により以下のルートで端子Ｂ（−
）に電流が流れ第３図の回路は整流器としての機能をは
たさな（なってしまう。
の寄生ダイオードＤ、により以下のルートで端子Ｂ（−
）に電流が流れ第３図の回路は整流器としての機能をは
たさな（なってしまう。
Ｌｌ （＋） −Ｄ、 −Ｂ （−）。
次に第１図に示す本発明の一実施例であるブリッジ整流
回路を説明する。
回路を説明する。
本回路は第３図に示すＦＥＴＩＰ、２Ｐ、ＩＮ。
２Ｎのすべてのドレインとソースとを逆に接続したもの
である。そのため、寄生ダイオードの向きも逆となって
いる。ブリッジ整流回路を除いた他の電話機の回路は従
来のものと同一である。
である。そのため、寄生ダイオードの向きも逆となって
いる。ブリッジ整流回路を除いた他の電話機の回路は従
来のものと同一である。
電話機１の送受器が上げられており、トランジスタ６が
導通していると仮定すると、ブリッジ整流回路の直流出
力側に通話回路のみが接続されていることになる。
導通していると仮定すると、ブリッジ整流回路の直流出
力側に通話回路のみが接続されていることになる。
回線端子Ｌ＋に（＋）電位、Ｌ２に（−）電位が印加さ
れるとＦＥＴＩＰとＦＥＴＩＮとのゲートにＬｚ （
−）から抵抗Ｒ２を介してゲート電圧が与えられると共
に、ＦＥＴ２ＰとＦＥＴ２ＮとのゲートにＬｌ （＋
）から抵抗Ｒ１を介してゲート電圧が与えられる。
れるとＦＥＴＩＰとＦＥＴＩＮとのゲートにＬｚ （
−）から抵抗Ｒ２を介してゲート電圧が与えられると共
に、ＦＥＴ２ＰとＦＥＴ２ＮとのゲートにＬｌ （＋
）から抵抗Ｒ１を介してゲート電圧が与えられる。
ＦＥＴＩＮは第４図の第１象限の特性からドレイン電流
は流れない。ＦＥＴ２Ｎにおいては、第５図のｖＩ、ｓ
−■。特性図に示される第３象限の直線部が適用される
。この直線部のオーミック抵抗は約５Ωである。よって
ＦＥＴ２ＮはＬｌ （＋）から抵抗Ｒ１を介しゲート
電圧を与えられ導通ずる。導通抵抗は約５Ωである。
は流れない。ＦＥＴ２Ｎにおいては、第５図のｖＩ、ｓ
−■。特性図に示される第３象限の直線部が適用される
。この直線部のオーミック抵抗は約５Ωである。よって
ＦＥＴ２ＮはＬｌ （＋）から抵抗Ｒ１を介しゲート
電圧を与えられ導通ずる。導通抵抗は約５Ωである。
またＦＥＴＩＰ、ＦＥＴ２Ｐは第４図及び第５図とほぼ
対象特性となるＰチャンネルＦＥＴを用いる。
対象特性となるＰチャンネルＦＥＴを用いる。
よってＦＥＴＩＰは第５図のドレイン・ソース間電圧■
、及びドレイン電流Ｉ・。の符号が逆となる特性をもつ
ので導通し、その導通抵抗が同じく約５Ωとなる。
、及びドレイン電流Ｉ・。の符号が逆となる特性をもつ
ので導通し、その導通抵抗が同じく約５Ωとなる。
またＦＥＴ２Ｐは第４図のドレイン・ソース間電圧■。
、及びドレイン電流ＩＤの符号が逆となる特性をもつの
で不導通となる。
で不導通となる。
すなわち、回線端子Ｌｌ （＋）からの電流はＦＥＴ
ＩＰとＦＥＴ２Ｎとを導通させ、ＦＥＴ２ＰとＦＥＴＩ
Ｎとを不導通とさせるので電話機の回路には電流が以下
のルートで流れる。
ＩＰとＦＥＴ２Ｎとを導通させ、ＦＥＴ２ＰとＦＥＴＩ
Ｎとを不導通とさせるので電話機の回路には電流が以下
のルートで流れる。
Ｌｌ （＋） □フックスイッチ８− ＦＥＴＩ
Ｐ（ドレイン−ソース） −Ｂ （＋） −トラン
ジスタ６□通話回路４− Ｂ （−）−ＦＥＴ２Ｎ（ソ
ース−ドレイン）□ Ｌｘ （）。
Ｐ（ドレイン−ソース） −Ｂ （＋） −トラン
ジスタ６□通話回路４− Ｂ （−）−ＦＥＴ２Ｎ（ソ
ース−ドレイン）□ Ｌｘ （）。
ここで抵抗Ｒ，，Ｒ２は１００にΩ程度である。
次に回線端子間の極性が逆になった場合を説明する。回
線端子Ｌ２が（＋） 、Ｌｌが（−）になると上述した
ことと同じ理由によりＦＥＴ２ＰとＦＥＴ１Ｎが導通し
、ＦＥＴ２ＮとＦＥＴＩＰが不導通となる。
線端子Ｌ２が（＋） 、Ｌｌが（−）になると上述した
ことと同じ理由によりＦＥＴ２ＰとＦＥＴ１Ｎが導通し
、ＦＥＴ２ＮとＦＥＴＩＰが不導通となる。
よって回線端子Ｌｚ （＋）からの電流は以下のルー
トで流れる。
トで流れる。
Ｌ、（＋）−ＦＥＴ２Ｐ （ドレイン−ソース）−Ｂ
（＋） −）ランジスタロ□通話回路４− Ｂ （
−） −Ｆ ＥＴ Ｉ Ｎ （ソース−ドレイン）□
フックスイッチ８− Ｌｌ （−）。
（＋） −）ランジスタロ□通話回路４− Ｂ （
−） −Ｆ ＥＴ Ｉ Ｎ （ソース−ドレイン）□
フックスイッチ８− Ｌｌ （−）。
以上説明したように回線端子Ｌ１が十極性の場合ＦＥＴ
ＩＰのドレイン・ソース間の導通電圧を約０．ＩＶ＝２
０ （ｍＡ）ｘ５ （Ω）、ＦＥＴＩＮのドレイン
・ソース間の導通電圧を約０．１Ｖ合計０．２ Ｖのブ
リッジ整流回路による電圧降下が生じ、通話回路４には
４．４ Ｖ −０，２Ｖ ＝ ４．２ Ｖ程度の有効電
圧が供給される。回線端子Ｌ２が十極性の場合も同様に
４．２Ｖの有効電圧が得られる。
ＩＰのドレイン・ソース間の導通電圧を約０．ＩＶ＝２
０ （ｍＡ）ｘ５ （Ω）、ＦＥＴＩＮのドレイン
・ソース間の導通電圧を約０．１Ｖ合計０．２ Ｖのブ
リッジ整流回路による電圧降下が生じ、通話回路４には
４．４ Ｖ −０，２Ｖ ＝ ４．２ Ｖ程度の有効電
圧が供給される。回線端子Ｌ２が十極性の場合も同様に
４．２Ｖの有効電圧が得られる。
よって通話回路がＩＣによって構成されていた場合でも
本発明の回路を用いることにより極性は常に一定であり
、有効電圧も高いため、ＩＣを余裕をもって動作させる
ことができる。電話機１は上述した電流が流れることに
より安定した通話が行なえる。
本発明の回路を用いることにより極性は常に一定であり
、有効電圧も高いため、ＩＣを余裕をもって動作させる
ことができる。電話機１は上述した電流が流れることに
より安定した通話が行なえる。
また電話機１からダイヤル発信をする場合、送受器を上
げた後、ダイヤル回路３のダイヤルＩＣ５を動作させダ
イヤルパルス又はＭＦ倍信号送出させるのであるが、こ
のダイヤルＩＣ５の動作も供給される電圧のロスが少な
くＩＣを余裕をもって動作させることができる。
げた後、ダイヤル回路３のダイヤルＩＣ５を動作させダ
イヤルパルス又はＭＦ倍信号送出させるのであるが、こ
のダイヤルＩＣ５の動作も供給される電圧のロスが少な
くＩＣを余裕をもって動作させることができる。
次に一電話回線に２台の電話機を接続し、この二台の電
話機と電話局を介した他の電話機と同時に通話を行うブ
ランチ通話について説明する。
話機と電話局を介した他の電話機と同時に通話を行うブ
ランチ通話について説明する。
２台の電話機が接続されている電話回線が長く線路抵抗
が高い場合、−台の電話機には約１０ｍＡの電流しか流
れないとする。この場合電話機へ供給される電圧は２２
０ΩｘｌＯｍＡ＝２．２Ｖとなる。この電話機に従来の
シリコンダイオードで構成されたブリッジ整流回路を用
いると２．２ Ｖ −１，４＝ ０．８ Ｖの有効電圧
になっしてしまいダイヤルＩＣ，通話回路のＩＣ等は動
作不可能となってしまう。しかし電話機に本発明のブリ
ッジ整流回路を用いると２、２ Ｖ −０，２Ｖ ＝
２． ＯＶの有効電圧となり、ダイヤルＩＣ５、通話回
路のＩＣ等は動作することができる。
が高い場合、−台の電話機には約１０ｍＡの電流しか流
れないとする。この場合電話機へ供給される電圧は２２
０ΩｘｌＯｍＡ＝２．２Ｖとなる。この電話機に従来の
シリコンダイオードで構成されたブリッジ整流回路を用
いると２．２ Ｖ −１，４＝ ０．８ Ｖの有効電圧
になっしてしまいダイヤルＩＣ，通話回路のＩＣ等は動
作不可能となってしまう。しかし電話機に本発明のブリ
ッジ整流回路を用いると２、２ Ｖ −０，２Ｖ ＝
２． ＯＶの有効電圧となり、ダイヤルＩＣ５、通話回
路のＩＣ等は動作することができる。
以上説明したように本発明のブリッジ整流回路を使用し
た場合の有効電圧は線路条件が非常に悪い場合において
もダイヤル回路の安定動作、通話回路のダイナミックレ
ンジが改善される。またブランチ通話をする場合にも極
めて有効となる。
た場合の有効電圧は線路条件が非常に悪い場合において
もダイヤル回路の安定動作、通話回路のダイナミックレ
ンジが改善される。またブランチ通話をする場合にも極
めて有効となる。
本発明のブリッジ整流回路は電話機の使用に限定される
ものでなく、電圧降下に影響を受ける装置にすべて応用
できるものである。
ものでなく、電圧降下に影響を受ける装置にすべて応用
できるものである。
また、本発明のブリッジ整流回路を一体化すれば使用上
便利である。
便利である。
本発明の実施例においてはＰチャンネルＦＥＴ２個、Ｎ
チャンネルＦＥＴ２個でブリッジ整流回路を構成したが
、ＰチャンネルＦＥＴ又はＮチャンネルＦＥＴの代わり
にショートキーダイオードを使用して経済的な回路とす
ることもできる。
チャンネルＦＥＴ２個でブリッジ整流回路を構成したが
、ＰチャンネルＦＥＴ又はＮチャンネルＦＥＴの代わり
にショートキーダイオードを使用して経済的な回路とす
ることもできる。
（効果）
以上説明したように本発明は従来のダイオードブリッジ
整流回路より格段に電圧降下を少なくしたものであり、
供給される電圧の有効利用が図られる。
整流回路より格段に電圧降下を少なくしたものであり、
供給される電圧の有効利用が図られる。
第１図は本発明の一実施例である低電圧降下のブリッジ
整流回路を用いた電話機の系統図である。第２図は従来
のダイオードブリッジ整流回路である。 第３図は電界効果トランジスタでブリフジを構成した回
路図である。第４図はＶｎｓ ＩＤ特性図、第５図は
Ｖｎｓ ＩＤ特性図ある。 １・・・・・・電話機、２・・・・・・ブリッジ整流回
路、３・・・・・・ダイヤル回路、４・・・・・・通話
回路、Ｐ・・・・・・ＰチャンネルＦＥＴ、ＩＮ・・・
・・・ＮチャンネルＦＥＴ、２Ｐ・・・・・・Ｐチャン
ネルＦＥＴ、２Ｎ・・・・・・ＮチャンネルＦＥＴ。 Ｄ Ｉ＋ Ｄ Ｚ＋ Ｄ ３．Ｄ ４・・・・・・ＦＥ
Ｔ各々の寄生ダイオード、Ｒｔ 、 Ｒ２・・・・・・
抵抗、Ｌ＋、Ｌｚ・・・・・・回線端子、８・・・・・
・フックスイッチ。 特許出願人 神田通信工業株式会社 第＋１固 館Ｓ１児 一工）
整流回路を用いた電話機の系統図である。第２図は従来
のダイオードブリッジ整流回路である。 第３図は電界効果トランジスタでブリフジを構成した回
路図である。第４図はＶｎｓ ＩＤ特性図、第５図は
Ｖｎｓ ＩＤ特性図ある。 １・・・・・・電話機、２・・・・・・ブリッジ整流回
路、３・・・・・・ダイヤル回路、４・・・・・・通話
回路、Ｐ・・・・・・ＰチャンネルＦＥＴ、ＩＮ・・・
・・・ＮチャンネルＦＥＴ、２Ｐ・・・・・・Ｐチャン
ネルＦＥＴ、２Ｎ・・・・・・ＮチャンネルＦＥＴ。 Ｄ Ｉ＋ Ｄ Ｚ＋ Ｄ ３．Ｄ ４・・・・・・ＦＥ
Ｔ各々の寄生ダイオード、Ｒｔ 、 Ｒ２・・・・・・
抵抗、Ｌ＋、Ｌｚ・・・・・・回線端子、８・・・・・
・フックスイッチ。 特許出願人 神田通信工業株式会社 第＋１固 館Ｓ１児 一工）
Claims (1)
- 極性を一致させるブリッジ整流回路において、交流入力
側の一方に第１のＰチャンネル電界効果トランジスタの
ドレインと第１のＮチャンネル電界効果トランジスタの
ドレインと第１の抵抗の一方を接続し、交流入力側の他
方に第２のＰチャンネル電界効果トランジスタのドレイ
ンと第２のＮチャンネル電界効果トランジスタのドレイ
ンと第２の抵抗の一方を接続し、第１のＰチャンネル電
界効果トランジスタのゲートと第１のＮチャンネル電界
効果トランジスタのゲートと第２の抵抗の他方を接続し
、第２のＰチャンネル電界効果トランジスタのゲートと
第２のＮチャンネル電界効果トランジスタのゲートと第
１の抵抗の他方とを接続し、直流出力側の一方に第１の
Ｐチャンネル電界効果トランジスタのソースと第２のＰ
チャンネル電界効果トランジスタのソースとを接続し、
直流出力の他方に第１のＮチャンネル電界効果トランジ
スタのソースと第２のＮチャンネル電界効果トランジス
タのソースとを接続することにより電圧降下を少なくし
たことを特徴とするブリッジ整流回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61147865A JPS633655A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | ブリツジ整流回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61147865A JPS633655A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | ブリツジ整流回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633655A true JPS633655A (ja) | 1988-01-08 |
Family
ID=15439992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61147865A Pending JPS633655A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | ブリツジ整流回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS633655A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2731851A1 (fr) * | 1995-03-15 | 1996-09-20 | Schlumberger Ind Sa | Pont redresseur a chute de tension reduite |
| FR2756679A1 (fr) * | 1996-11-29 | 1998-06-05 | France Telecom | Dispositif de redressement de tension a composants integres |
| JP2008011584A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Tohoku Univ | 整流回路 |
| WO2008119206A1 (fr) * | 2007-04-02 | 2008-10-09 | Shang Hai Kilopass Microelectronics Inc. | Redresseur résistant à une tension élevée, doté de transistors cmos standard |
| JP2009201265A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Masatoshi Imori | インダクタンスを使用しない電圧降下の小さい整流装置 |
| JP2013031556A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Daikoku Denki Co Ltd | 遊技機用電源ユニット |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP61147865A patent/JPS633655A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2731851A1 (fr) * | 1995-03-15 | 1996-09-20 | Schlumberger Ind Sa | Pont redresseur a chute de tension reduite |
| FR2756679A1 (fr) * | 1996-11-29 | 1998-06-05 | France Telecom | Dispositif de redressement de tension a composants integres |
| WO1998024172A3 (fr) * | 1996-11-29 | 2002-09-26 | France Telecom | Dispositif de redressement de tension a composants integres |
| JP2008011584A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Tohoku Univ | 整流回路 |
| WO2008119206A1 (fr) * | 2007-04-02 | 2008-10-09 | Shang Hai Kilopass Microelectronics Inc. | Redresseur résistant à une tension élevée, doté de transistors cmos standard |
| JP2009201265A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Masatoshi Imori | インダクタンスを使用しない電圧降下の小さい整流装置 |
| JP2013031556A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Daikoku Denki Co Ltd | 遊技機用電源ユニット |
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