JPS63299988A - 光記録媒体及びその製造法 - Google Patents
光記録媒体及びその製造法Info
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- JPS63299988A JPS63299988A JP62135560A JP13556087A JPS63299988A JP S63299988 A JPS63299988 A JP S63299988A JP 62135560 A JP62135560 A JP 62135560A JP 13556087 A JP13556087 A JP 13556087A JP S63299988 A JPS63299988 A JP S63299988A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 34
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 238000003490 calendering Methods 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2535—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polyesters, e.g. PET, PETG or PEN
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はレーザ光によって情報の記録及び再生を行なう
光記録媒体に関する。
光記録媒体に関する。
〈従来の技術〉
レーザ光によって情報の記録、再収を行なう光記録媒体
は、半導体レーザ、記録材料、成膜技術などの基本技術
の向上と、大容量記録が可能であるという特徴により、
最近急速に実用化の道が開かれてきた。レーザ光によっ
て記録を行うためには、レーザ光を照射した部分に何ら
かの状態変化か必要であり、これによって光学的変化を
したらすことが必要である。すでにバブル（空隙）形成
方式、ビット形成（穴あけ）方式、非結晶−結晶質転移
方式等が提案されている。
は、半導体レーザ、記録材料、成膜技術などの基本技術
の向上と、大容量記録が可能であるという特徴により、
最近急速に実用化の道が開かれてきた。レーザ光によっ
て記録を行うためには、レーザ光を照射した部分に何ら
かの状態変化か必要であり、これによって光学的変化を
したらすことが必要である。すでにバブル（空隙）形成
方式、ビット形成（穴あけ）方式、非結晶−結晶質転移
方式等が提案されている。
記録を行うために必要なレーザパワーはレーザ光源のコ
スト低減と耐久性向上のために低い方が好ましい。
スト低減と耐久性向上のために低い方が好ましい。
この目的のためにすでに多くの技術が開示されている。
例えば、吸収層や断熱層を設けたり、特別な合金薄膜を
用いた例が特開昭５７−１５９６９２号公報、特開昭５
７−１８６２４３号公報、特開昭５７−１８９３５６号
公報、特開昭５８−１５８０５４号公報、特開昭５８−
２２４４４６号公報、特開昭５１１１２８０３５号公報
に開示されている。しかしながら、いずれの場合も膜構
造は多層になり複雑となる。
用いた例が特開昭５７−１５９６９２号公報、特開昭５
７−１８６２４３号公報、特開昭５７−１８９３５６号
公報、特開昭５８−１５８０５４号公報、特開昭５８−
２２４４４６号公報、特開昭５１１１２８０３５号公報
に開示されている。しかしながら、いずれの場合も膜構
造は多層になり複雑となる。
さらに、斜め蒸着法により、金属薄膜の空隙率を増すこ
とによって、断熱性を付与しようとする特開昭５８−７
４３９２号公報、特開昭５８−１１８２９２号公報等を
例示することができる。しかし、これらも薄膜の製造方
法が複雑であるという問題点がある。
とによって、断熱性を付与しようとする特開昭５８−７
４３９２号公報、特開昭５８−１１８２９２号公報等を
例示することができる。しかし、これらも薄膜の製造方
法が複雑であるという問題点がある。
一方、表面に微細な凹凸構造を有するプラスチック基板
上に金属薄膜を設けた光記録媒体は、表面が平坦なプラ
スチック基板上に金属薄膜を設けた記録媒体に比較して
、記録用レーザを効率よく吸収するため低いパワーで記
録することが可能であり、構造を単純化できる特徴を有
し、例えば特開昭５９−１３５６４３号にその技術が開
示されている。
上に金属薄膜を設けた光記録媒体は、表面が平坦なプラ
スチック基板上に金属薄膜を設けた記録媒体に比較して
、記録用レーザを効率よく吸収するため低いパワーで記
録することが可能であり、構造を単純化できる特徴を有
し、例えば特開昭５９−１３５６４３号にその技術が開
示されている。
しかし、レーザ光への負担転減、あるいは多機能ドライ
ブ、レーザカード等の開発に伴って、より高感度な光記
録媒体への要求が強まってきた。
ブ、レーザカード等の開発に伴って、より高感度な光記
録媒体への要求が強まってきた。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明の目的は、上述した問題点を解決することを技術
的課題として、微細な凹凸構造を有する空隙形成型記録
媒体において、高感度な光記録媒体を、単純な構造、簡
単な製造方法により提供せんとするものである。
的課題として、微細な凹凸構造を有する空隙形成型記録
媒体において、高感度な光記録媒体を、単純な構造、簡
単な製造方法により提供せんとするものである。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は表面に微細な凹凸構造を有する透明樹脂基板の
上に酸素ガス及び／又は窒素ガスの＋７−ｎ：下で真空
蒸着するか、スパッタリング、イオンブレーティングに
より白金薄膜を形成することにより、ｐｔ薄膜中に白金
（Ｐｔ）１００原子に対して１０〜８０原子の範囲で酸
素及び／又は窒素を含任させることにより、高感度な光
記録媒体を得るものである。
上に酸素ガス及び／又は窒素ガスの＋７−ｎ：下で真空
蒸着するか、スパッタリング、イオンブレーティングに
より白金薄膜を形成することにより、ｐｔ薄膜中に白金
（Ｐｔ）１００原子に対して１０〜８０原子の範囲で酸
素及び／又は窒素を含任させることにより、高感度な光
記録媒体を得るものである。
本発明の記録媒体の基本構造は、表面に微細な凹凸構造
を有する透明樹脂基板トに、金属薄膜を設けた構造であ
る。該基本構造は、例えば米国特許第４．６１６，２３
７号明細書又は特開昭５９−１３５６４３号公報に開示
されろ方法により得られる。
を有する透明樹脂基板トに、金属薄膜を設けた構造であ
る。該基本構造は、例えば米国特許第４．６１６，２３
７号明細書又は特開昭５９−１３５６４３号公報に開示
されろ方法により得られる。
用いられる透明虜指としては、１尼録用レーザ光によ−
）で照射された金属薄膜層の基板部分が熱分解や熱変形
を生起する性質を有する透明なものであれば、何でも使
用できる。それらは、例えばポリエステル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂
又はポリメタクリル樹脂等の透明性に浸れた樹脂材料を
例示することができる。
）で照射された金属薄膜層の基板部分が熱分解や熱変形
を生起する性質を有する透明なものであれば、何でも使
用できる。それらは、例えばポリエステル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂
又はポリメタクリル樹脂等の透明性に浸れた樹脂材料を
例示することができる。
用いるレーザは特に限定するものではないが、ドライブ
装置をコンパクトにするためには半導体レーザが好まし
く、波長が７５０〜８５０ｎｍ領域のものが使われる。
装置をコンパクトにするためには半導体レーザが好まし
く、波長が７５０〜８５０ｎｍ領域のものが使われる。
この場合記録用パワーとしては一般に１〜ｊＯｍＷ程度
の範囲で用いられる。
の範囲で用いられる。
透明樹脂基板表面の微細な凹凸は、例えばカレンダリン
グ法、射出成形法、射出圧縮成形法、圧縮成形法、ホト
ポリマー法（２Ｐ法）等の成形方法により基板が成形さ
れるときに微細な凹凸構造を有する成形用金型を用いる
ことにより容易に得られる。
グ法、射出成形法、射出圧縮成形法、圧縮成形法、ホト
ポリマー法（２Ｐ法）等の成形方法により基板が成形さ
れるときに微細な凹凸構造を有する成形用金型を用いる
ことにより容易に得られる。
この微細な凹凸構造は、所定の波長領域のレーザ光を強
く吸収して、該レーザ光による書き込みを容易にする性
質を有する。該構造は一般に平均表面レベルに対して横
方向に測定した規［目的な周期が記録用レーザ光の波長
以下であり、その深さｆＩ Ｏ，０１〜１μｍであり、
０．０５〜１μｍであることが好ましい。横方向の周期
がレーザ光の波長を超えたり、その深さが０．０１μｍ
より小さいときは、表面が平坦な透明樹脂基板と同程度
の記録用パワーを要し、表面を凹凸構造にする効果が発
現しにくい。一方、深さが１μｍより大きくなると、記
録用レーザ光を効率よく吸収する点では好ましいが、上
述した成形方法により再現性よく、しかも短時間で成形
することが困難となる。
く吸収して、該レーザ光による書き込みを容易にする性
質を有する。該構造は一般に平均表面レベルに対して横
方向に測定した規［目的な周期が記録用レーザ光の波長
以下であり、その深さｆＩ Ｏ，０１〜１μｍであり、
０．０５〜１μｍであることが好ましい。横方向の周期
がレーザ光の波長を超えたり、その深さが０．０１μｍ
より小さいときは、表面が平坦な透明樹脂基板と同程度
の記録用パワーを要し、表面を凹凸構造にする効果が発
現しにくい。一方、深さが１μｍより大きくなると、記
録用レーザ光を効率よく吸収する点では好ましいが、上
述した成形方法により再現性よく、しかも短時間で成形
することが困難となる。
本発明で金属薄膜として用いられる金属は、主として白
金（Ｐ ｔ）である。白金は耐蝕性に優れ、しかもバブ
ル形成するときの機械的強度、伸度などの物性のバラン
スがよくとれており、バブルの機械的安定性においても
優れた特徴を有している。本発明で用いられる白金とし
ては、上記の性質を損しない範囲で他の金属との合金で
あっても良い。
金（Ｐ ｔ）である。白金は耐蝕性に優れ、しかもバブ
ル形成するときの機械的強度、伸度などの物性のバラン
スがよくとれており、バブルの機械的安定性においても
優れた特徴を有している。本発明で用いられる白金とし
ては、上記の性質を損しない範囲で他の金属との合金で
あっても良い。
金属薄膜の厚さは、一般に５〜２００ｎｍであることが
好ましい。この範囲を越え、薄すぎると膜強度が十分で
なく、記録時に亀裂が発生する。又、厚ずぎると高い記
録パワーを要し、表面を凹凸構造にする特徴が損なわれ
る。
好ましい。この範囲を越え、薄すぎると膜強度が十分で
なく、記録時に亀裂が発生する。又、厚ずぎると高い記
録パワーを要し、表面を凹凸構造にする特徴が損なわれ
る。
本発明で白金薄膜中には白金（Ｐ ｔ）ｆｆｉを１００
原子としたとき、ｌＯ〜８０原子の範囲の酸素及び／又
は窒素が含まれることが必要である。酸素及び／又は窒
素の量が少ないと十分な効果が得られない。一方、酸素
及び／又は窒素の量が多くなると、薄膜中の反射率、透
過率といった光学的な特性が大きく変化し、記録又は再
生のために好ましくない。より好ましい酸素及び／又は
窒素の白金薄膜中の含有量は白金１００原子に対して２
０〜６０である。
原子としたとき、ｌＯ〜８０原子の範囲の酸素及び／又
は窒素が含まれることが必要である。酸素及び／又は窒
素の量が少ないと十分な効果が得られない。一方、酸素
及び／又は窒素の量が多くなると、薄膜中の反射率、透
過率といった光学的な特性が大きく変化し、記録又は再
生のために好ましくない。より好ましい酸素及び／又は
窒素の白金薄膜中の含有量は白金１００原子に対して２
０〜６０である。
本発明の光記録媒体は白金を酸素ガス及び／又は窒素ガ
スの存在下で薄膜形成させることにより得られる。その
際の製法は真空蒸着による薄膜形成法又はプラズマ中で
のスパッタリング法、イオンブレーティング法などの薄
膜形成法が例示される。
スの存在下で薄膜形成させることにより得られる。その
際の製法は真空蒸着による薄膜形成法又はプラズマ中で
のスパッタリング法、イオンブレーティング法などの薄
膜形成法が例示される。
真空蒸着の場合は、最初真空槽内を約１ｘｔｏ−’丁ｏ
ｒｒ以上の高真空になるまで排気したあと、酸素ガス及
び／又は窒素ガスを導入して真空度を５×１０−５〜Ｉ
Ｘ ＩＱ ’−３Ｔｏｒｒ程度として白金を蒸着する
ことによって得られる。
ｒｒ以上の高真空になるまで排気したあと、酸素ガス及
び／又は窒素ガスを導入して真空度を５×１０−５〜Ｉ
Ｘ ＩＱ ’−３Ｔｏｒｒ程度として白金を蒸着する
ことによって得られる。
一方、プラズマ中での成膜の場合は、一度真空槽内を真
空蒸着の場合と同様に約Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ−５Ｔｏｒｒ以
上の高真空になるまで排気したあと、酸素とアルゴンの
混合ガス、または窒素ガスを導入して、真空度を５Ｘ
１０ ” 〜１ ｘ １０−３Ｔｏｒｒ程度の範囲とし
、直流電圧を印加してプラズマを発生させて白金薄１良
を形成することによって得られる。
空蒸着の場合と同様に約Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ−５Ｔｏｒｒ以
上の高真空になるまで排気したあと、酸素とアルゴンの
混合ガス、または窒素ガスを導入して、真空度を５Ｘ
１０ ” 〜１ ｘ １０−３Ｔｏｒｒ程度の範囲とし
、直流電圧を印加してプラズマを発生させて白金薄１良
を形成することによって得られる。
基板側からレーザ光を入射した時の記録前の反射率が５
〜６０％の範囲にあるように設定されるのがよい。この
範囲を超え、低すぎると記録、再生時にトラッキングが
十分行えず、安定した記録、再収が困難となる。また、
高すぎると記録用レーザ光を十分に吸収することができ
ず、全く記録できないか、記録に高パワーを要ずろので
好ましくない。
〜６０％の範囲にあるように設定されるのがよい。この
範囲を超え、低すぎると記録、再生時にトラッキングが
十分行えず、安定した記録、再収が困難となる。また、
高すぎると記録用レーザ光を十分に吸収することができ
ず、全く記録できないか、記録に高パワーを要ずろので
好ましくない。
さらに、空隙形成型記録媒体の場合、高感度化を促進す
るためには極力膜厚を薄くすればよいということが従来
から知られていた。ところが、ある範囲を越えて薄すぎ
ると、レーザ照射時に不規則な穴があいたり、生成した
空隙が経時的につぶれるという現象が見られ、ＣＮＨに
悪影響を及ぼしていた。しかるに、本発明の様な製造方
法による薄膜は、膜硬度が著しく大きくなり、記録部の
空隙強度を保持したままで、膜厚をより薄くすることが
可能である。
るためには極力膜厚を薄くすればよいということが従来
から知られていた。ところが、ある範囲を越えて薄すぎ
ると、レーザ照射時に不規則な穴があいたり、生成した
空隙が経時的につぶれるという現象が見られ、ＣＮＨに
悪影響を及ぼしていた。しかるに、本発明の様な製造方
法による薄膜は、膜硬度が著しく大きくなり、記録部の
空隙強度を保持したままで、膜厚をより薄くすることが
可能である。
本発明における効果の発現機構は必ずしも明確ではない
が、つぎのように推定できる。本発明者らの研究によれ
ば本発明の上記の酸素及び／又は窒素を含む白金薄膜は
通常の真空蒸着による膜に比較して小さい結晶サイズを
有していることが電子顕微鏡の観察により確認されてい
る。酸素ガス及び／又は窒素ガス中で蒸発、スパッタリ
ングあるいはイオンブレーティングされた金属粒子は表
面が酸化あるいは窒化されるか、酸素ガス又は窒素ガス
を吸着するためある程度以上になると結晶成長が阻止さ
れると考えられる。粒子サイズが小さいことが、薄膜の
レーザ光の吸収効率を高めたり、熱伝導率を低下させ、
記録レーザ光のパワーを局所的に吸収させるという作用
を有するため、結果として低いパワーであっても空隙（
バブル）が形成され、高いＣＮＲを得ることができるこ
とに起因するだろう。また、同様に小さな結晶サイズは
、基板と密着性を増大させるだろう。更に、本発明の薄
膜はバブルを形成する際の薄膜の強度、伸度のバランス
がうまく調和していることら別の理由として考えられる
。
が、つぎのように推定できる。本発明者らの研究によれ
ば本発明の上記の酸素及び／又は窒素を含む白金薄膜は
通常の真空蒸着による膜に比較して小さい結晶サイズを
有していることが電子顕微鏡の観察により確認されてい
る。酸素ガス及び／又は窒素ガス中で蒸発、スパッタリ
ングあるいはイオンブレーティングされた金属粒子は表
面が酸化あるいは窒化されるか、酸素ガス又は窒素ガス
を吸着するためある程度以上になると結晶成長が阻止さ
れると考えられる。粒子サイズが小さいことが、薄膜の
レーザ光の吸収効率を高めたり、熱伝導率を低下させ、
記録レーザ光のパワーを局所的に吸収させるという作用
を有するため、結果として低いパワーであっても空隙（
バブル）が形成され、高いＣＮＲを得ることができるこ
とに起因するだろう。また、同様に小さな結晶サイズは
、基板と密着性を増大させるだろう。更に、本発明の薄
膜はバブルを形成する際の薄膜の強度、伸度のバランス
がうまく調和していることら別の理由として考えられる
。
以上により製造された光記録媒体は、レーザ光を照射す
ることにより、表面の微細な凹凸構造によりレーザ光を
強く吸収し、透明樹脂基板の局部分解によるガス発生を
生起し、金属薄膜の永久変形として認められる空隙を形
成することにより、永久的記録を行うことができる。
ることにより、表面の微細な凹凸構造によりレーザ光を
強く吸収し、透明樹脂基板の局部分解によるガス発生を
生起し、金属薄膜の永久変形として認められる空隙を形
成することにより、永久的記録を行うことができる。
本発明の記録媒体は、任意の保護層により保護すること
もできる。また記録媒体の形状は円形、方形等であって
も良く、ディスク状、カード状等であってもよい。
もできる。また記録媒体の形状は円形、方形等であって
も良く、ディスク状、カード状等であってもよい。
〈実施例〉
以下に実施例をもって本発明をより詳しく説明する。
実施例１
平均表面レベルに対して、横方向に測定した規則的な周
期がＯＪμｍ１その深さが０．１μｍの凹凸を有する厚
さ１ 、２ｍｍ、内径１５１１１１１１％外径１３０１
のポリカーボネート製透明樹脂基板を射出成形により成
形した。次いで、マグネトロンスパッタリング装置を用
い、到達真空度１゜ＯＸ １０−＠Ｔｏｒｒまで真空排
気後、純度９９．９９％、直径５インチのＰｔターゲッ
トを用い、第１表に示す所定の割合で混合した酸素ガス
とアルゴンガスを導入して真空度を５．ＯＸｌ ０−”
Ｔｏｒｒとし、１００Ｗの直流電圧を印加してプラズマ
を発生させ、上記ポリカーボネート基板上に厚さ１２ｎ
ｍの白金薄膜を形成し、光記録媒体を得た。
期がＯＪμｍ１その深さが０．１μｍの凹凸を有する厚
さ１ 、２ｍｍ、内径１５１１１１１１％外径１３０１
のポリカーボネート製透明樹脂基板を射出成形により成
形した。次いで、マグネトロンスパッタリング装置を用
い、到達真空度１゜ＯＸ １０−＠Ｔｏｒｒまで真空排
気後、純度９９．９９％、直径５インチのＰｔターゲッ
トを用い、第１表に示す所定の割合で混合した酸素ガス
とアルゴンガスを導入して真空度を５．ＯＸｌ ０−”
Ｔｏｒｒとし、１００Ｗの直流電圧を印加してプラズマ
を発生させ、上記ポリカーボネート基板上に厚さ１２ｎ
ｍの白金薄膜を形成し、光記録媒体を得た。
この光記録媒体において、基板側からレーザ光を入射し
た場合の反射率は１０〜２０％であり、波長８３０ｎｍ
において、記録再生のためのフォーカシング及びトラッ
キングは充分行うことができた。記録用レーザパワーを
１〜１０ｍＷまで遂次変えながら記録を行いＣＮＲを測
定した。記録媒体の感変の目安として、それぞれの記録
媒体においてＣＮ Ｒが４５ｄＢを越えたときの記録レ
ーザーパワー（ＰＷ）を求め、結果を併せて第１表に示
した。
た場合の反射率は１０〜２０％であり、波長８３０ｎｍ
において、記録再生のためのフォーカシング及びトラッ
キングは充分行うことができた。記録用レーザパワーを
１〜１０ｍＷまで遂次変えながら記録を行いＣＮＲを測
定した。記録媒体の感変の目安として、それぞれの記録
媒体においてＣＮ Ｒが４５ｄＢを越えたときの記録レ
ーザーパワー（ＰＷ）を求め、結果を併せて第１表に示
した。
第１表
第１表より明らかなように、酸素ガスを導入することに
より、小さな記録レーザパワーでＣＮ Ｒが４５ｄＢに
達し、高感度な光記録媒体を得ることができることが確
認できた。なお、酸素の量が多くなると、薄膜中の反射
率、透過率といった光学的な特性が変化し、記録又は再
生のために好ましくない傾向があることも認められた。
より、小さな記録レーザパワーでＣＮ Ｒが４５ｄＢに
達し、高感度な光記録媒体を得ることができることが確
認できた。なお、酸素の量が多くなると、薄膜中の反射
率、透過率といった光学的な特性が変化し、記録又は再
生のために好ましくない傾向があることも認められた。
実施例２
実施例１において酸素ガスとアルゴンガスのかわりに、
窒素ガスを導入し、スパッタリング法により白金薄膜を
形成し、同様にしてＰｉを求めたところ、４．５ｍＷと
なり、高感度化が確認された。
窒素ガスを導入し、スパッタリング法により白金薄膜を
形成し、同様にしてＰｉを求めたところ、４．５ｍＷと
なり、高感度化が確認された。
〈発明の効果〉
本発明によれば、表面に微細な凹凸構造を有する透明樹
脂基板上に簡単な方法により白金薄膜層を設けることに
より、高感度で単純な構造の光学記録媒体を得ることが
できる。
脂基板上に簡単な方法により白金薄膜層を設けることに
より、高感度で単純な構造の光学記録媒体を得ることが
できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）表面に微細な凹凸構造を有する透明樹脂基板の上に
金属薄膜を積層してなり、所定の波長領域のレーザ光を
吸収して該レーザ光により空隙を形成することによって
データが書き込まれることのできる光記録媒体において
、上記金属薄膜が白金よりなり、薄膜中に白金（Ｐｔ）
１００原子に対して１０〜８０原子の範囲で酸素及び／
又は窒素を含むことを特徴とする光記録媒体。 ２）該透明樹脂基板が、平均表面レベルに対して横方向
に測定した規則的な周期が記録用レーザの波長以下であ
りその深さが０．０１〜１μｍであるような規則的な凹
凸構造を有する特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体
。 ３）透明樹脂基板側からレーザ光を照射したときの記録
前の反射率が５〜６０％の範囲にある特許請求の範囲第
１項記載の光記録媒体。 ４）透明樹脂基板表面の微細な凹凸がカレンダリング法
、射出成形法、射出圧縮成形法、圧縮成形法、ホトポリ
マー法（２Ｐ法）などのプラスチック複製法による特許
請求の範囲第１項記載の光記録媒体５）金属層が保護層
により保護されている特許請求の範囲第１項記載の光記
録媒体。 ６）透明樹脂材料が熱可塑性樹脂である特許請求の範囲
第１項記載の光記録媒体。 ７）熱可塑性樹脂がポリエステル樹脂、ポリオレフィン
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂又はポリ
メタクリル樹脂である特許請求の範囲第６項記載の光記
録媒体。 ８）表面に微細な凹凸構造を有する透明樹脂基板の上に
酸素ガス及び／又は窒素ガスの存在下で白金の薄膜を形
成することを特徴とする、所定の波長領域のレーザ光を
吸収して該レーザ光により空隙を形成することによって
データが書き込まれることのできる光記録媒体の製造法
。 ９）分圧が５×１０＾−＾５〜１×１０＾−＾４Ｔｏｒ
ｒの範囲の酸素ガス及び／又は窒素ガスの存在下で真空
蒸着により白金薄膜を形成することを特徴とする特許請
求の範囲第８項記載の光記録媒体の製造法。 １０）分圧が５×１０＾−＾５〜１×１０＾−＾３Ｔｏ
ｒｒの範囲の酸素ガス及び／又は窒素ガス雰囲気下にお
いて電圧を印加することにより発生したプラズマ化され
た酸素ガス及び／又は窒素ガスで白金薄膜を形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第８項記載の光記録媒体
の製造法。 １１）特許請求の範囲第１項乃至第１０項記載の光記録
媒体を用い、レーザ光を照射することにより透明樹脂基
板の局部的分解によるガス発生を生起し、空隙を形成す
ることにより、永久的記録を行う記録法。 １２）特許請求の範囲第１１項記載の記録媒体を用い、
空隙（バブル）を形成することにより記録された記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135560A JPS63299988A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光記録媒体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135560A JPS63299988A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光記録媒体及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299988A true JPS63299988A (ja) | 1988-12-07 |
Family
ID=15154665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62135560A Pending JPS63299988A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光記録媒体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63299988A (ja) |
-
1987
- 1987-05-30 JP JP62135560A patent/JPS63299988A/ja active Pending
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