JPH0256745A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
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- JPH0256745A JPH0256745A JP63208604A JP20860488A JPH0256745A JP H0256745 A JPH0256745 A JP H0256745A JP 63208604 A JP63208604 A JP 63208604A JP 20860488 A JP20860488 A JP 20860488A JP H0256745 A JPH0256745 A JP H0256745A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、バブル方式の情報記録媒体に関する−
（従来の技術）
レーザ光を用いて薄膜に穴（ビット）を形成し、情報を
０と１の二値で記録する方式が知られている。この場合
ガスレーザより低出力の半導体レーザでも記録できる薄
膜材料としては、ＴｅやＢ Ｌ （Ｄ、 Ｍａｙｄａｒ
、 Ｂｅ１ｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｔｅｃｈ 。
０と１の二値で記録する方式が知られている。この場合
ガスレーザより低出力の半導体レーザでも記録できる薄
膜材料としては、ＴｅやＢ Ｌ （Ｄ、 Ｍａｙｄａｒ
、 Ｂｅ１ｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｔｅｃｈ 。
Ｊ、、１７６１ （１９７１））が知られている。
一方ピットではなく、バブルの形成によって情報の書込
み・読み出しを行う方式も報告されている。
み・読み出しを行う方式も報告されている。
（Ｊ、Ａ、 Ｃｏｒｎｅｔ 、 Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇｓ ｏｆ Ｓ Ｐ Ｉ Ｅ。
ｇｓ ｏｆ Ｓ Ｐ Ｉ Ｅ。
４２０．８６ （１９８３））。
（発明が解決しようとする課題）
従来は、バブル方式による情報記録媒体においては、Ｃ
ｏｒｎｅｔの報告している通り、薄膜（記録Ｉｌ＆）材
料に有機高分子を用いていたため、脹らむ記録層と脹ら
みを開始させる層（アシスト）の二つの層が必要であっ
た。またこの場合にはどちらか一層の膜厚を最適値にし
なければならず、製造が難しいという問題があった。
ｏｒｎｅｔの報告している通り、薄膜（記録Ｉｌ＆）材
料に有機高分子を用いていたため、脹らむ記録層と脹ら
みを開始させる層（アシスト）の二つの層が必要であっ
た。またこの場合にはどちらか一層の膜厚を最適値にし
なければならず、製造が難しいという問題があった。
そこで、この発明は、情報の書込み・読み出しをバブル
方式で行う情報記録媒体において、記録膜に有機高分子
を用いず、積層技術や膜厚の厳密な′：８節などの製造
上の困難のない情報記録媒体を提供することを目的、と
する。
方式で行う情報記録媒体において、記録膜に有機高分子
を用いず、積層技術や膜厚の厳密な′：８節などの製造
上の困難のない情報記録媒体を提供することを目的、と
する。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は上記課題を解決するために、記録膜上のレーザ
光を照射した筒所にバブルを形成しての振幅の変化を通
じて該情報の読み出しを行うＰｂ−Ｔｅ合金の単層膜か
らなる記録膜と、該記録膜と付着し該レーザ光の波長に
おいて透明な基板とからなることを特徴とする情報記録
媒体を提供する。
光を照射した筒所にバブルを形成しての振幅の変化を通
じて該情報の読み出しを行うＰｂ−Ｔｅ合金の単層膜か
らなる記録膜と、該記録膜と付着し該レーザ光の波長に
おいて透明な基板とからなることを特徴とする情報記録
媒体を提供する。
（作用）
本発明によれば、バブル方式の情報記録膜にＰｂＴｅ合
金の単層膜を用いるため、積層技術は不要である。また
ＰｂＴｅ膜はＰｂＴｅ合金ターゲットをスパッタすれば
形成できるので、スパッタ時間を制御することにより容
易に所望の膜厚を得ることができる。
金の単層膜を用いるため、積層技術は不要である。また
ＰｂＴｅ膜はＰｂＴｅ合金ターゲットをスパッタすれば
形成できるので、スパッタ時間を制御することにより容
易に所望の膜厚を得ることができる。
（実施例）
以下添附の図面を参照して本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図にＰｂＴｅ合金膜を形成させるスパッタ装置の概
略図を示した。まずバルブ２をロータリーポンプ１５側
にしてチェンバ１内を大気圧から０ 、 ２ Ｔ ｏｒ
ｒまで減圧し、次にバルブ２をクライオポンプ４側にし
てＩ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ以下に排気する。チェンバ
１内の真圧度は、図示してはいないが、大気圧から０，
２Ｔｏｒｒまではピランゲージ、０．２Ｔｏｒｒ以下は
イオンゲージによって計測した。Ｉ Ｘ １０−５Ｔｏ
ｒｒ以下に排気した後、ガスライン５を通して不活性ガ
スとしてＡｒを流量２０３ＣＣＭでチェンバ１内に導入
した。この際マスフローコントローラ（図示せず）を介
して流量の制御を行った。同時に上述のイオンゲージに
よってチェンバ１内の圧力が５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ
になるようにコンダクタンスバルブ３を調節した。
略図を示した。まずバルブ２をロータリーポンプ１５側
にしてチェンバ１内を大気圧から０ 、 ２ Ｔ ｏｒ
ｒまで減圧し、次にバルブ２をクライオポンプ４側にし
てＩ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ以下に排気する。チェンバ
１内の真圧度は、図示してはいないが、大気圧から０，
２Ｔｏｒｒまではピランゲージ、０．２Ｔｏｒｒ以下は
イオンゲージによって計測した。Ｉ Ｘ １０−５Ｔｏ
ｒｒ以下に排気した後、ガスライン５を通して不活性ガ
スとしてＡｒを流量２０３ＣＣＭでチェンバ１内に導入
した。この際マスフローコントローラ（図示せず）を介
して流量の制御を行った。同時に上述のイオンゲージに
よってチェンバ１内の圧力が５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ
になるようにコンダクタンスバルブ３を調節した。
少なくとも１分間この設定圧力値に変化がないことを確
認した後、パワーサプライ６からＰｂＴｅ合金ターゲッ
ト７（直径５インチ）に１００Ｗの直流電力を印加した
。
認した後、パワーサプライ６からＰｂＴｅ合金ターゲッ
ト７（直径５インチ）に１００Ｗの直流電力を印加した
。
このとき用いたＰｂＴｅ合金ターゲットの組成は、原子
数％（ａｔ ９６ ）でＰｂ ：Ｔｅ−５０： ５０で
あった。シャッタ８を閉じたまま少なくとも１分間プレ
スパツタしてターゲット７表面をスパッタクリーニング
した後、シャッタ８を開けて、回転治具９上にセットし
たポリカーボネート（Ｐ Ｃ）基板１０上にＰｂＴｅ膜
１１全１１０人成膜した。
数％（ａｔ ９６ ）でＰｂ ：Ｔｅ−５０： ５０で
あった。シャッタ８を閉じたまま少なくとも１分間プレ
スパツタしてターゲット７表面をスパッタクリーニング
した後、シャッタ８を開けて、回転治具９上にセットし
たポリカーボネート（Ｐ Ｃ）基板１０上にＰｂＴｅ膜
１１全１１０人成膜した。
ここでは透明基板としてＰＣ樹脂を用いたが、情報の記
録に用いるレーザ光の波長が８３０ｎｍである場合には
、この波長のレーザ光に透明なポリオレフィン、ポリメ
チルメタクリレート又はガラスを用いてもよい。
録に用いるレーザ光の波長が８３０ｎｍである場合には
、この波長のレーザ光に透明なポリオレフィン、ポリメ
チルメタクリレート又はガラスを用いてもよい。
成膜後、Ｎ２ガスライン２０からＮ２ガスを導入してチ
ェンバ１内を大気圧に戻し、本発明の情報記録媒体１３
（第２図）を取出した。前述のように、本発明の情報記
録媒体１３は、ポリカーボネート基板１０の上に厚さ２
５０人のＰｂＴｅ膜１１全１１された構造になっている
。
ェンバ１内を大気圧に戻し、本発明の情報記録媒体１３
（第２図）を取出した。前述のように、本発明の情報記
録媒体１３は、ポリカーボネート基板１０の上に厚さ２
５０人のＰｂＴｅ膜１１全１１された構造になっている
。
第３図は、上述の方法で製造した記録膜の厚さがそれぞ
れ１００．２５０．５００．１０００及び１３００人の
情報記録媒体を１８００ ｒｐｍで回転させながら、Ｇ
ａＡｓ半導体レーザ（波長８３０ ｎ１ｌｌｓパルス幅
５０ ｎ５ｅｃ）で半径３０＋ａｍのエリアに、情報を
バブルの形で記録させた場合の再生信号の変調度の大き
さを示す。また第４図はＰｂＴｅ記録膜の耐酸化性（寿
命）を調べるため、膜厚がそれぞれ５０．１００．２５
０．５００．１０００及び１３００人の記録膜を６５℃
−９０％の加速条件下に放置した場合の反射率（耐酸化
性のパラメータ）の経時変化を示す。反射率は成膜直後
のそれを１として規格化しである。第３図及び第４図か
ら高感度の情報記録をするためには１０００Å以下の膜
厚とすることが望ましく、他方耐酸化性の点からは少な
くとも１００人必要なことが分る。
れ１００．２５０．５００．１０００及び１３００人の
情報記録媒体を１８００ ｒｐｍで回転させながら、Ｇ
ａＡｓ半導体レーザ（波長８３０ ｎ１ｌｌｓパルス幅
５０ ｎ５ｅｃ）で半径３０＋ａｍのエリアに、情報を
バブルの形で記録させた場合の再生信号の変調度の大き
さを示す。また第４図はＰｂＴｅ記録膜の耐酸化性（寿
命）を調べるため、膜厚がそれぞれ５０．１００．２５
０．５００．１０００及び１３００人の記録膜を６５℃
−９０％の加速条件下に放置した場合の反射率（耐酸化
性のパラメータ）の経時変化を示す。反射率は成膜直後
のそれを１として規格化しである。第３図及び第４図か
ら高感度の情報記録をするためには１０００Å以下の膜
厚とすることが望ましく、他方耐酸化性の点からは少な
くとも１００人必要なことが分る。
第５図は、上述の方法で記録した後、記録膜表面のバブ
ルを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した時の写真図で
ある。ＰｂＴｅ合金膜中の組成をＩＣＰ発光分光分析に
よって求めたところ、Ｐｂ：Ｔｅ−５０：５０ａｔ％の
ターゲットを用いた場合は、得られたＰｂＴｅ合金膜の
組成（ａｔ％）はターゲットのそれとほぼ等しかった。
ルを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した時の写真図で
ある。ＰｂＴｅ合金膜中の組成をＩＣＰ発光分光分析に
よって求めたところ、Ｐｂ：Ｔｅ−５０：５０ａｔ％の
ターゲットを用いた場合は、得られたＰｂＴｅ合金膜の
組成（ａｔ％）はターゲットのそれとほぼ等しかった。
バブル方式の記録を行うためには、記録膜中のＰｂｆｆ
１は３０〜６０ａｔ％にすることが望ましい。
１は３０〜６０ａｔ％にすることが望ましい。
実施例２
第６図のスパッタ装置（第１図の装置と同じ部分には同
一の参照符号を付した）を用いて実施例１と同じ手順を
踏み、ＰＣ基板１０上にＰｂＴｅ膜１１膜厚１０人成膜
した。
一の参照符号を付した）を用いて実施例１と同じ手順を
踏み、ＰＣ基板１０上にＰｂＴｅ膜１１膜厚１０人成膜
した。
次いでパワーサプライ６からの電力供給を停止してシャ
ッター８を閉じた後、Ａ「ガスライン５のバルブ１６を
閉じて、コンダクタンスバルブ３を全開した。そしてク
ライオポンプ４を用いてＩ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ以下
に排気した。次いで、再びＡｒガスラインのバルブ１６
を開けてチェンバ１中にＡｒガスを導入した。この際コ
ンダクタンスバルブ３を調節してチェンバ１内の圧力が
５×１Ｏ−３Ｔｏｒｒとなるようにイオ°ンゲージ（図
示せず）で少なくとも１分間圧力変化がなくなるまでモ
ニターした。次いで５ｉ０２ターゲツト１２（直径５イ
ンチ）に対してＲＦ（高周波）パワーサプライ１３から
２００ＷのＲＦ電力を印加し、シャッター１４を閉じた
まま少なくとも１分間スパッタ放電させてターゲット１
２をクリーニングした。その後シャッター１４を開けて
ＰｂＴｅ膜１５上に５ｉ０２膜１７を５０人積層した。
ッター８を閉じた後、Ａ「ガスライン５のバルブ１６を
閉じて、コンダクタンスバルブ３を全開した。そしてク
ライオポンプ４を用いてＩ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ以下
に排気した。次いで、再びＡｒガスラインのバルブ１６
を開けてチェンバ１中にＡｒガスを導入した。この際コ
ンダクタンスバルブ３を調節してチェンバ１内の圧力が
５×１Ｏ−３Ｔｏｒｒとなるようにイオ°ンゲージ（図
示せず）で少なくとも１分間圧力変化がなくなるまでモ
ニターした。次いで５ｉ０２ターゲツト１２（直径５イ
ンチ）に対してＲＦ（高周波）パワーサプライ１３から
２００ＷのＲＦ電力を印加し、シャッター１４を閉じた
まま少なくとも１分間スパッタ放電させてターゲット１
２をクリーニングした。その後シャッター１４を開けて
ＰｂＴｅ膜１５上に５ｉ０２膜１７を５０人積層した。
この時回転数はＰｂＴｅ膜積層の場合と同じ＜６０ｒｐ
ｆｆｌとした。５ｉ０２膜１６の成膜後、シャッタ１４
を閉じてＲＦの電力供給を停止した。次いでＡｒガスバ
ルブ１６を閉じてから、コンダクタンスバルブ３を全開
してＩ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ以下までクライオポンプ
４で排気した。次いでバルブ２と３を閉じてからＮ２ガ
スライン２０を通してＮ２ガスをチェンバ１内に導入し
、大気圧に戻した。
ｆｆｌとした。５ｉ０２膜１６の成膜後、シャッタ１４
を閉じてＲＦの電力供給を停止した。次いでＡｒガスバ
ルブ１６を閉じてから、コンダクタンスバルブ３を全開
してＩ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ以下までクライオポンプ
４で排気した。次いでバルブ２と３を閉じてからＮ２ガ
スライン２０を通してＮ２ガスをチェンバ１内に導入し
、大気圧に戻した。
最後に情報記録膜１８を取出した。
第７図は第６図のスパッタ装置で製造した本発明の情報
記録媒体１８の断面図である。前述のように、本発明の
情報記録媒体１８は、ポリカーボネート基板１０の上に
厚さ２５０人のＰｂＴｅ膜１１膜厚１５０人の５ＬＯ２
膜１７が順次成膜された構造になっている。
記録媒体１８の断面図である。前述のように、本発明の
情報記録媒体１８は、ポリカーボネート基板１０の上に
厚さ２５０人のＰｂＴｅ膜１１膜厚１５０人の５ＬＯ２
膜１７が順次成膜された構造になっている。
第８図は実施例１（第３図）と同じ条件下で記録した場
合の再生変調信号の大きさを示す。なお比較のためＰｂ
Ｔｅ膜の厚さは２５０人のままでＳｉ・０２の膜厚を変
化させた場合及び５ｉ０２膜を積層しないＰｂＴｅ単層
の場合の結果も併せて示した。これを見ると５ｉ０２の
膜厚が２０〜１００人のときは書込み感度に大きな影響
はないが、１００Å以上になると低感度になることが分
る。
合の再生変調信号の大きさを示す。なお比較のためＰｂ
Ｔｅ膜の厚さは２５０人のままでＳｉ・０２の膜厚を変
化させた場合及び５ｉ０２膜を積層しないＰｂＴｅ単層
の場合の結果も併せて示した。これを見ると５ｉ０２の
膜厚が２０〜１００人のときは書込み感度に大きな影響
はないが、１００Å以上になると低感度になることが分
る。
また５ｉ０２やＳ ｉｏ、Ｓ ｉ３ Ｎ４ 、Ｓ ｉＮ
ヨ、ＡＩ！Ｎなどの薄膜を積層した場合は、そうしない
場合に比べて、バブルが破れてピットになってしまうも
のが少ないということが確認されている。
ヨ、ＡＩ！Ｎなどの薄膜を積層した場合は、そうしない
場合に比べて、バブルが破れてピットになってしまうも
のが少ないということが確認されている。
このように誘電体の薄い膜をＰｂＴｅ膜上に積層すると
、パワーの高い書込みレーザ光を照射してもＰｂＴｅ膜
が急激に脹らむことがなく、バブルがビットになる確率
はほとんどない。また膜厚が薄いため反射率に対する影
響もほとんどない。
、パワーの高い書込みレーザ光を照射してもＰｂＴｅ膜
が急激に脹らむことがなく、バブルがビットになる確率
はほとんどない。また膜厚が薄いため反射率に対する影
響もほとんどない。
第９図は本実施例の記録膜の耐酸化性を調べるために、
２５０人のＰｂＴｅ膜の上に厚さ５０゜１００及び２０
０人の各５ｌｏ２膜を積層した記録膜並びに５ｉ０２膜
を積層しない記録膜を６５’Ｃ−９０％の加速条件下に
放置した場合の反射率の経時変化を示す。反射率は第４
図と同様に規格化しである。これを見ると５ｉ０２膜が
厚く積層されている方が反射率は長時間変化しないこと
が分る。しかし、第８図に示したように膜厚が厚くなる
と記録感度が低下するため、両者の特性を兼備える膜厚
は２０〜１００人である。
２５０人のＰｂＴｅ膜の上に厚さ５０゜１００及び２０
０人の各５ｌｏ２膜を積層した記録膜並びに５ｉ０２膜
を積層しない記録膜を６５’Ｃ−９０％の加速条件下に
放置した場合の反射率の経時変化を示す。反射率は第４
図と同様に規格化しである。これを見ると５ｉ０２膜が
厚く積層されている方が反射率は長時間変化しないこと
が分る。しかし、第８図に示したように膜厚が厚くなる
と記録感度が低下するため、両者の特性を兼備える膜厚
は２０〜１００人である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、基板上のＴｅ膜に
ｐｂを添加してＰｂＴｅ合金膜とすれば、バブル方式の
情報記録ができることが分った。この場合記録膜はＰｂ
Ｔｅ合金の単層でよく、アシストは不要である。従って
製造時にはＰｂＴｅ膜の厚さだけを監視していればよく
、製造が極めて容易である。
ｐｂを添加してＰｂＴｅ合金膜とすれば、バブル方式の
情報記録ができることが分った。この場合記録膜はＰｂ
Ｔｅ合金の単層でよく、アシストは不要である。従って
製造時にはＰｂＴｅ膜の厚さだけを監視していればよく
、製造が極めて容易である。
第１図は本発明の一実施例に用いるスパッタ装置の概略
図、第２図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の断
面図、第３図は書込みレーザパワーと再生信号の変調度
の関係を示すグラフ図、第４図は反射率の経時変化を示
すグラフ図、第５図はＰｂＴｅ合金膜上のバブルの形状
を示す電子顕微鏡写真図、第６図は本発明の他の実施例
に用いるスパッタ装置の概略図、第７図は本発明の他の
実施例に係る情報記録媒体の断面図、第８図は書込みレ
ーザパワーと再生信号の変調度の関係を示すグラフ図、
及び第９図は反射率の経時変化を示すグラフ図である。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 １−に１みレープパワー（ｍＷ） Ｗｓ３図 ｗＥ４Ｉ！１ 廖２Ｉ！１ 第５図 第６図 第９ 図 手続争市正書（方式） 事件の表示 特願昭６３−２０８６０４号 ２゜ 発明の名称 情 報 記 録 媒 体 ３゜ 補正をする者 事件との関係
図、第２図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の断
面図、第３図は書込みレーザパワーと再生信号の変調度
の関係を示すグラフ図、第４図は反射率の経時変化を示
すグラフ図、第５図はＰｂＴｅ合金膜上のバブルの形状
を示す電子顕微鏡写真図、第６図は本発明の他の実施例
に用いるスパッタ装置の概略図、第７図は本発明の他の
実施例に係る情報記録媒体の断面図、第８図は書込みレ
ーザパワーと再生信号の変調度の関係を示すグラフ図、
及び第９図は反射率の経時変化を示すグラフ図である。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 １−に１みレープパワー（ｍＷ） Ｗｓ３図 ｗＥ４Ｉ！１ 廖２Ｉ！１ 第５図 第６図 第９ 図 手続争市正書（方式） 事件の表示 特願昭６３−２０８６０４号 ２゜ 発明の名称 情 報 記 録 媒 体 ３゜ 補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- （１）記録膜上のレーザ光を照射した筒所にバブルを形
成して情報を書込み、該バブルによる再生反射レーザ光
の振幅の変化を通じて該情報の読み出しを行うＰｂ−Ｔ
ｅ合金の単層膜からなる記録膜と、該記録膜と付着し該
レーザ光の波長において透明な基板とからなることを特
徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208604A JPH0256745A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208604A JPH0256745A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256745A true JPH0256745A (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16558962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63208604A Pending JPH0256745A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0256745A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010241279A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Honda Motor Co Ltd | 車両用内装部材 |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP63208604A patent/JPH0256745A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010241279A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Honda Motor Co Ltd | 車両用内装部材 |
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