JPS63299366A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63299366A JPS63299366A JP62135085A JP13508587A JPS63299366A JP S63299366 A JPS63299366 A JP S63299366A JP 62135085 A JP62135085 A JP 62135085A JP 13508587 A JP13508587 A JP 13508587A JP S63299366 A JPS63299366 A JP S63299366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- wiring
- adhesive
- tape
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07178—Means for aligning
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置、特に多端子、狭ピッチのＩＣ，Ｌ
ＳＩのパッケージング構造に関するものである。
ＳＩのパッケージング構造に関するものである。
従来の技術
近年、多端子、狭ピッチ化が急激に進んでいるＩＣ，Ｌ
ＳＩを、更に高密度にしかも薄型に実装する方法を開発
することが、よシ小型で高性能な電子機器を開発する必
要上、渇望されている。従来法としてはフリップチップ
方式や、フィルムキャリア方式といった方式が公知であ
る。以下フリップチップ方式については第２図、フィル
ムキャリア方式については第３図を用いてそれぞれ説明
する。まずフリップチップ方式であるが、この方式では
第２図の様に半導体素子１２の電極パッド上に形成した
突起電極１１と、配線基板１７上の導体配線１６を位置
合わせし、その状態のまま加熱せしめて、半田づけ固定
することにより、半導体素子イ２と配線基板１７との電
気的接続を保持するといった方式である。またフィルム
キャリア方式では、第３図に示した様に、フリップチッ
プ方式と同じく半導体素子２２の電極パッド上に突起電
極２１を形成させるのだが、この方式では、突起電極２
１と配線基板２７上の導体配線２６とを、両者の間に可
とう性フィルム２４とリード２３よシ成るフィルムリー
ド２５を介して接続する。
ＳＩを、更に高密度にしかも薄型に実装する方法を開発
することが、よシ小型で高性能な電子機器を開発する必
要上、渇望されている。従来法としてはフリップチップ
方式や、フィルムキャリア方式といった方式が公知であ
る。以下フリップチップ方式については第２図、フィル
ムキャリア方式については第３図を用いてそれぞれ説明
する。まずフリップチップ方式であるが、この方式では
第２図の様に半導体素子１２の電極パッド上に形成した
突起電極１１と、配線基板１７上の導体配線１６を位置
合わせし、その状態のまま加熱せしめて、半田づけ固定
することにより、半導体素子イ２と配線基板１７との電
気的接続を保持するといった方式である。またフィルム
キャリア方式では、第３図に示した様に、フリップチッ
プ方式と同じく半導体素子２２の電極パッド上に突起電
極２１を形成させるのだが、この方式では、突起電極２
１と配線基板２７上の導体配線２６とを、両者の間に可
とう性フィルム２４とリード２３よシ成るフィルムリー
ド２５を介して接続する。
即ち、フィルムリード２５のリード２３の一端を半導体
素子２２の突起電極２１と接続し、更にリード２３の他
端を配線基板２７の導体配線２６と接続することによシ
両者間の電気的接続を行うといった方式である。
素子２２の突起電極２１と接続し、更にリード２３の他
端を配線基板２７の導体配線２６と接続することによシ
両者間の電気的接続を行うといった方式である。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記方式にはそれぞれ以下に示す様な問題
点を有する。まずフィリップチップ方式であるが、この
方式では、電気的接続と配線基板上への半導体素子の固
定とを半田づけ固定した位置で行なうので、外部からの
熱や機械的歪によシ、配線基板が膨張したりそったりし
た場合には、半田づけ位置が強固に固定されている為、
その変化に充分に対応できなくなり、接続部や半導体素
子自体の破損をまねく。
点を有する。まずフィリップチップ方式であるが、この
方式では、電気的接続と配線基板上への半導体素子の固
定とを半田づけ固定した位置で行なうので、外部からの
熱や機械的歪によシ、配線基板が膨張したりそったりし
た場合には、半田づけ位置が強固に固定されている為、
その変化に充分に対応できなくなり、接続部や半導体素
子自体の破損をまねく。
またフィルムキャリア方式では、フィルムリードの使用
により配線基板のそシや膨張等の変化に充分対応できる
ものの、反面実装コストが高価になったシ、フィルムリ
ード部分が半導体素子からはみ出した状態で回路基板に
固定されるため、実装面積が大きくなるという欠点があ
る。
により配線基板のそシや膨張等の変化に充分対応できる
ものの、反面実装コストが高価になったシ、フィルムリ
ード部分が半導体素子からはみ出した状態で回路基板に
固定されるため、実装面積が大きくなるという欠点があ
る。
問題点を解決するための手段
本発明は、前記問題点を解決するために、半導体素子の
電極と配線基板の導体配線の接続において、電気的接続
を行なわせる部分と、半導体素子を配線基板に固定する
部分とを分離し、配線基板への固定は、絶縁性の樹脂に
よる粘着剤を有する可とう性テープを、半導体素子の電
極を有する側と反対の面及び半導体素子の周囲の配線基
板に渡って粘着することにより行い、電気的接続は電極
と導体配線の接触により行うものである。
電極と配線基板の導体配線の接続において、電気的接続
を行なわせる部分と、半導体素子を配線基板に固定する
部分とを分離し、配線基板への固定は、絶縁性の樹脂に
よる粘着剤を有する可とう性テープを、半導体素子の電
極を有する側と反対の面及び半導体素子の周囲の配線基
板に渡って粘着することにより行い、電気的接続は電極
と導体配線の接触により行うものである。
作 用
本発明は半導体素子が前記した構造を有することによシ
、温度による配線基板の膨張による歪。
、温度による配線基板の膨張による歪。
機械的歪等が比較的柔軟性を有する絶縁性テープに吸収
され、半導体素子自体に作用しないので、半導体素子が
損傷されない。
され、半導体素子自体に作用しないので、半導体素子が
損傷されない。
実施例
本発明の第１の実施例を第１図によシ説明する。
まず第１図ａの示す様に、突起電極１を有する半導体素
子２の突起電極１を有する側と反対の面を絶縁性の樹脂
による粘着剤３を有する可とう性テープ４の粘着剤を有
する面に粘着させる。可とう性テープ４は、金属、ガラ
ス繊維、樹脂等の素材を用いる。粘着剤３は、ポリイミ
ド系、エポキシ系、シリコン系、アクリル系等の樹脂を
用いる。
子２の突起電極１を有する側と反対の面を絶縁性の樹脂
による粘着剤３を有する可とう性テープ４の粘着剤を有
する面に粘着させる。可とう性テープ４は、金属、ガラ
ス繊維、樹脂等の素材を用いる。粘着剤３は、ポリイミ
ド系、エポキシ系、シリコン系、アクリル系等の樹脂を
用いる。
次に第２図すの示す様に、半導体素子２の突起電子１と
配線基板Ｔの導体配線６が一致する様に位置合わせし、
半導体素子２を加圧ツール５を用いて加圧し、突起電極
１と導体配線６を電気的に接続させ、位置ずれが起きな
い様に固定する。配線基板７はセラミック、ガラス、エ
ポキシ等よシ成シ、導体配線は８ Ｃｒ−Ａｕ 、ＡＩ
、 ＩＴＯ等よシ成る。
配線基板Ｔの導体配線６が一致する様に位置合わせし、
半導体素子２を加圧ツール５を用いて加圧し、突起電極
１と導体配線６を電気的に接続させ、位置ずれが起きな
い様に固定する。配線基板７はセラミック、ガラス、エ
ポキシ等よシ成シ、導体配線は８ Ｃｒ−Ａｕ 、ＡＩ
、 ＩＴＯ等よシ成る。
加圧ツール６は第１図すに示した様な構造をとシ、半導
体素子２の大きさに合わせた内部加圧ツール８と外部加
圧ツール９とに分かれており、外部加圧ツール９は内部
加圧ツール８の外周に沿って移動することができる。半
導体素子２の配線基板７への固定及び加圧は、この内の
内部加圧ツール８のみを用いて行う。この状態のまま外
部加圧ツール９を内部加圧ツール８に沿って配線基板７
が存在する側に向けて移動させ、第１図すに示す様に、
絶縁性の樹脂による粘着剤３を有する可とう性テープ４
を半導体素子２を包み込む様に折り曲げ、更に可とう性
のテープ４の配線基板７よシはみ出した部分はカッター
によシ切断削除する。この際、導体配線θ上の粘着剤３
は加圧の際に周囲に押し出され可とう性のテープ４は粘
着剤により配線基板７に粘着されるので、半導体素子２
は配線基板７に完全に固定され、第１図ｄの様に加圧ツ
ール６による加圧を解除した後も、半導体素子２は配線
基板７から位置ずれを起こしたり、浮きあがることもな
く、突起電極１と導体配線６との電気的接続は保持され
ることになる。
体素子２の大きさに合わせた内部加圧ツール８と外部加
圧ツール９とに分かれており、外部加圧ツール９は内部
加圧ツール８の外周に沿って移動することができる。半
導体素子２の配線基板７への固定及び加圧は、この内の
内部加圧ツール８のみを用いて行う。この状態のまま外
部加圧ツール９を内部加圧ツール８に沿って配線基板７
が存在する側に向けて移動させ、第１図すに示す様に、
絶縁性の樹脂による粘着剤３を有する可とう性テープ４
を半導体素子２を包み込む様に折り曲げ、更に可とう性
のテープ４の配線基板７よシはみ出した部分はカッター
によシ切断削除する。この際、導体配線θ上の粘着剤３
は加圧の際に周囲に押し出され可とう性のテープ４は粘
着剤により配線基板７に粘着されるので、半導体素子２
は配線基板７に完全に固定され、第１図ｄの様に加圧ツ
ール６による加圧を解除した後も、半導体素子２は配線
基板７から位置ずれを起こしたり、浮きあがることもな
く、突起電極１と導体配線６との電気的接続は保持され
ることになる。
粘着剤３が光硬化型あるいは熱硬化型である場合は、第
１図Ｃの過程において、加圧ツール６を用いて半導体素
子２及び可とり性のテープ４を配線基板７に加圧、固定
した状態のまま粘着剤３の硬化した後、加圧を除去する
。粘着剤３の硬化は粘着剤３が熱硬化型の場合は、加圧
ツール５に加熱部を取シ付けておき、加熱によシ行い、
また粘着剤３が光硬化型である場合には、加圧ツール６
に設けた光透過部よシ、紫外線を照射させて行う。
１図Ｃの過程において、加圧ツール６を用いて半導体素
子２及び可とり性のテープ４を配線基板７に加圧、固定
した状態のまま粘着剤３の硬化した後、加圧を除去する
。粘着剤３の硬化は粘着剤３が熱硬化型の場合は、加圧
ツール５に加熱部を取シ付けておき、加熱によシ行い、
また粘着剤３が光硬化型である場合には、加圧ツール６
に設けた光透過部よシ、紫外線を照射させて行う。
この場合、半導体素子２はよシ強固に配線基板７に固定
されることになる。
されることになる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば次のような効果を得るこ
とができる。
とができる。
０）半導体素子の金属突起と配線基板の導体配線との電
気的接続は圧接、半導体素子の配線基板への固定は絶縁
性の樹脂による粘着剤を有する可とう性のテープによシ
行うことによシ、温度による配線基板の膨張による歪９
機械的歪等が半導体素子自体に直接作用しないので、半
導体素子を損傷したシ、電気的接続不良が発生しない。
気的接続は圧接、半導体素子の配線基板への固定は絶縁
性の樹脂による粘着剤を有する可とう性のテープによシ
行うことによシ、温度による配線基板の膨張による歪９
機械的歪等が半導体素子自体に直接作用しないので、半
導体素子を損傷したシ、電気的接続不良が発生しない。
？） 半導体素子の金属突起と配線基板とは単に圧接し
ているのみであるので、導体配線の材質を特定の材料に
したシ、多層構成にする必要がない。すなわち、作シに
くい導体配線の材料や処理をしにくい導体配線例えばＴ
ｉ、ＩＴＯ等の材料とでも電気的接続を容易に得ること
ができる。
ているのみであるので、導体配線の材質を特定の材料に
したシ、多層構成にする必要がない。すなわち、作シに
くい導体配線の材料や処理をしにくい導体配線例えばＴ
ｉ、ＩＴＯ等の材料とでも電気的接続を容易に得ること
ができる。
（３）半導体素子と配線基板との接続を絶縁性の樹脂に
よる粘着剤分有する可とう性テープの粘着力で、また粘
着剤が光硬化型あるいは熱硬化型の場合はその接着力で
行うので、無硬化や光硬化型の粘着剤を用いて接続を行
う場合は、半導体素子や、配線基板に全く熱が加わらず
、また熱硬化型の粘着剤を用いる場合でも、加熱はせい
ぜい１５０″Ｃ以下であシ、半導体素子や配線基板にか
かる熱ストレスが、はんだづけやＡｕ・Ｓｎ合金等の従
来法に比べ極めて小さく、信頼性の高い接続を得ること
が可能となる。
よる粘着剤分有する可とう性テープの粘着力で、また粘
着剤が光硬化型あるいは熱硬化型の場合はその接着力で
行うので、無硬化や光硬化型の粘着剤を用いて接続を行
う場合は、半導体素子や、配線基板に全く熱が加わらず
、また熱硬化型の粘着剤を用いる場合でも、加熱はせい
ぜい１５０″Ｃ以下であシ、半導体素子や配線基板にか
かる熱ストレスが、はんだづけやＡｕ・Ｓｎ合金等の従
来法に比べ極めて小さく、信頼性の高い接続を得ること
が可能となる。
（４）半田づけや合金による接続を行なわないため、接
続時に発生する余剰の半田や、合金等による電極パッド
間や導体配線間の電気的短絡が生じない。
続時に発生する余剰の半田や、合金等による電極パッド
間や導体配線間の電気的短絡が生じない。
（５）半導体素子を配線基板に圧接し、それを絶縁性樹
脂による粘着剤を有する可とう性テープで固定したシ、
その粘着剤を硬化させたシするのみであるので、簡略で
あり、また、電極と導体配線の接合が一括してできるた
め効率的であシ、実装コストを低減できる。
脂による粘着剤を有する可とう性テープで固定したシ、
その粘着剤を硬化させたシするのみであるので、簡略で
あり、また、電極と導体配線の接合が一括してできるた
め効率的であシ、実装コストを低減できる。
（６） 可とう性のテープの大きさを大きくしてやれ
ば、半導体素子及び配線基板の導体配線を有する面を可
とう性テープ及びその粘着剤で完全に密閉することがで
き、モールドやコーチイン〜グのかわシとすることがで
きる。
ば、半導体素子及び配線基板の導体配線を有する面を可
とう性テープ及びその粘着剤で完全に密閉することがで
き、モールドやコーチイン〜グのかわシとすることがで
きる。
（７）可とう性テープの素材に金属を用いれば、半導体
素子からの放熱を助け、また放熱板を取シ付けることも
容易となる。
素子からの放熱を助け、また放熱板を取シ付けることも
容易となる。
（８）更にこの金属製の可とう性テープにアースを取シ
付ければ磁気シールドとしての効果もある。
付ければ磁気シールドとしての効果もある。
以上の様に本発明による実用的効果は非常に多大なもの
がある。
がある。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体装置の組み立て
工程を示す断面図、第２図はフリップチップ方式を示す
断面図、第３図はフィルムキャリア方式を示す断面図で
あろう １・・・・・・電極、２・・・・・・半導体素子、３・
・・・・・粘着剤、４・・・・・・可とう性テープ、６
・・・・・・加圧ツール、６・・・・・・導体配線、７
・・・・・・配線基板、８・・・・・・外部加圧ツール
、９・・・・・・内部加圧ツール。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図
工程を示す断面図、第２図はフリップチップ方式を示す
断面図、第３図はフィルムキャリア方式を示す断面図で
あろう １・・・・・・電極、２・・・・・・半導体素子、３・
・・・・・粘着剤、４・・・・・・可とう性テープ、６
・・・・・・加圧ツール、６・・・・・・導体配線、７
・・・・・・配線基板、８・・・・・・外部加圧ツール
、９・・・・・・内部加圧ツール。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図
Claims (2)
- （１）絶縁性基板の導体配線を有する面に半導体素子の
電極を有する面が、前記導体配線と前記半導体素子の前
記電極とが一致する様にして配置された状態で、絶縁性
の樹脂による粘着剤を有する可とう性テープが、前記半
導体素子の前記電極を有する側と反対の面及び前記半導
体素子の周囲の前記配線基板に渡って粘着されたことに
より、前記半導体素子が前記絶縁性基板に固定され、か
つ前記半導体素子の電極と前記導体配線が接触により電
気的に接続された構造を有する半導体装置。 - （２）絶縁性の樹脂による粘着剤が、光硬化型あるいは
熱硬化型である特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135085A JP2523641B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135085A JP2523641B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299366A true JPS63299366A (ja) | 1988-12-06 |
| JP2523641B2 JP2523641B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=15143479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62135085A Expired - Fee Related JP2523641B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523641B2 (ja) |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62135085A patent/JP2523641B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2523641B2 (ja) | 1996-08-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |