JPS63299308A - アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- -1 etc. Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 3
- 229910003158 γ-Al2O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N trisodium borate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]B([O-])[O-] BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
近年、産業用機器の伸びは目ざましく、コンデンサ式溶
接機等の急速充放電用に大電圧、大容量の電解コンデン
サが利用される様になった。また半導体素子の性能アッ
プに伴いインバーター回路等の一次側平滑の電解コンデ
ンサにかかるリップル電流も太き(なっている。
接機等の急速充放電用に大電圧、大容量の電解コンデン
サが利用される様になった。また半導体素子の性能アッ
プに伴いインバーター回路等の一次側平滑の電解コンデ
ンサにかかるリップル電流も太き(なっている。
従来から、急速な充放電や超高リップル電流がかかるア
ルミ電解コンデンサの電極箔として、均一な無定形の陽
極酸化皮膜を利用している。これは、急速な充放電や超
高リップル電流が皮膜を流れるとき、均一な無定形の皮
膜では、結晶粒界等がないため、ストレスを生じないが
、一部に結晶化の部分があると、結晶生成に伴うボイド
や結晶粒界の存在のためストレスが集中し、皮膜破壊を
生じる。この皮膜破壊は、誘電体が破壊され、コンデン
サの漏れ電流が増大し、IR損により発熱し、最終的に
は皮膜を溶かしショートしてしまう。
ルミ電解コンデンサの電極箔として、均一な無定形の陽
極酸化皮膜を利用している。これは、急速な充放電や超
高リップル電流が皮膜を流れるとき、均一な無定形の皮
膜では、結晶粒界等がないため、ストレスを生じないが
、一部に結晶化の部分があると、結晶生成に伴うボイド
や結晶粒界の存在のためストレスが集中し、皮膜破壊を
生じる。この皮膜破壊は、誘電体が破壊され、コンデン
サの漏れ電流が増大し、IR損により発熱し、最終的に
は皮膜を溶かしショートしてしまう。
そこで、この均一な無定形皮膜を得る一例として、多孔
質の酸化皮膜を利用する方法がある。
質の酸化皮膜を利用する方法がある。
これは、AI箔をまず、蓚酸、硫酸、リン酸等の水溶液
中で陽極酸化を行う。すると皮膜の生成と溶解とが同時
に審港するため多孔質の酸化、皮膜を形成する。この多
孔質の酸化皮膜を利用し誘電体となる無定形のバリアー
皮膜をホウ酸、リン酸水溶液中で陽極酸化することによ
って得る。これは、多孔質酸化皮膜を埋めてゆ(ように
バリアー皮膜が成長してゆく。この方法は、エネルギー
ロスが少いため、均一な無定形のバリアー型酸化皮膜が
形成可能である。
中で陽極酸化を行う。すると皮膜の生成と溶解とが同時
に審港するため多孔質の酸化、皮膜を形成する。この多
孔質の酸化皮膜を利用し誘電体となる無定形のバリアー
皮膜をホウ酸、リン酸水溶液中で陽極酸化することによ
って得る。これは、多孔質酸化皮膜を埋めてゆ(ように
バリアー皮膜が成長してゆく。この方法は、エネルギー
ロスが少いため、均一な無定形のバリアー型酸化皮膜が
形成可能である。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記の方法では、多孔質の酸化皮膜が活性
なため、液中や大気中の不純物を吸着しやすい。また、
熱処理等を行なうと、多孔質なため吸熱性が高く、無定
形の多孔質皮膜の表面に熱酸化によるγ−AI203の
微結晶を形成する。これらの不純物やγ−AI203の
微結晶は、無定形のバリアー皮膜を形成する際、結晶化
の起点となり、結晶質を皮膜中に形成してしまうという
問題点を有している。
なため、液中や大気中の不純物を吸着しやすい。また、
熱処理等を行なうと、多孔質なため吸熱性が高く、無定
形の多孔質皮膜の表面に熱酸化によるγ−AI203の
微結晶を形成する。これらの不純物やγ−AI203の
微結晶は、無定形のバリアー皮膜を形成する際、結晶化
の起点となり、結晶質を皮膜中に形成してしまうという
問題点を有している。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、多孔質
酸化皮膜を洗浄することによって、結晶化の起点となる
不純物やγ−AI、、03の微結晶を取り除き、安定に
無定形バリアー皮膜を形成することを目的とする。
酸化皮膜を洗浄することによって、結晶化の起点となる
不純物やγ−AI、、03の微結晶を取り除き、安定に
無定形バリアー皮膜を形成することを目的とする。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のアルミ電解コンデン
サ用電極箔の製造方法は、蓚酸、リン酸、硫酸等の水溶
液中で多孔質皮膜を形成した後、化学洗浄を行い、その
後本化成としてホウ酸、リン酸等の水溶液中で陽極酸化
して誘電体皮膜を形成する方法である。
サ用電極箔の製造方法は、蓚酸、リン酸、硫酸等の水溶
液中で多孔質皮膜を形成した後、化学洗浄を行い、その
後本化成としてホウ酸、リン酸等の水溶液中で陽極酸化
して誘電体皮膜を形成する方法である。
作 用
本発明により得られるアルミ電解コンデンサ用電極箔は
、多孔質皮膜を形成後、洗浄を行っており、このことに
よって多孔質皮膜の表面に吸着した不純物や熱処理等に
よって形成されたγ−AI203の微結晶を溶解、除去
し、lり浄な而にしてからバリアー形の無定形皮膜を形
成することとなり、バリアー型の無定形皮膜形成時に結
晶化を防ぐことができる。
、多孔質皮膜を形成後、洗浄を行っており、このことに
よって多孔質皮膜の表面に吸着した不純物や熱処理等に
よって形成されたγ−AI203の微結晶を溶解、除去
し、lり浄な而にしてからバリアー形の無定形皮膜を形
成することとなり、バリアー型の無定形皮膜形成時に結
晶化を防ぐことができる。
実施例
以下、本発明の実施例を図を参照して説明する。
まず、第1図のようにAI箔1表面に多孔質酸1ヒ皮膜
2を形成させるため、Al箔を50g/eの蓚酸水溶液
中で陽極電化を行う。この際の陽極酸化を行う。この際
の陽極酸化条件は、浴温10℃、電流密度L A /
crK処理時間20分間とした。その後、本発明の洗浄
は、以下の条件で行った。(1)5wt%のリン酸1−
13PO4水溶液、浴温60℃に2分間浸漬、(2)5
讐t%のリン酸(H,PO4)水溶液、浴温80℃に2
分間浸漬、(3)50 g / f!のショウ酸水溶液
[(COOH)21 、浴温60℃に2分間浸漬、(4
)50 g/ e ノショウ酸[(COOH)2] 、
水溶液、浴温80℃に2分間浸漬する。この後、無定形
バリアー皮膜の形成のため、ホウ酸40g/f!、ホウ
酸ナトリウム0.5g/l!の水溶液で550vまで陽
極酸化し、その電圧を30分間保持した。このようにし
て得られた本発明の皮膜断面の概念図は、第2図aのよ
うになる。
2を形成させるため、Al箔を50g/eの蓚酸水溶液
中で陽極電化を行う。この際の陽極酸化を行う。この際
の陽極酸化条件は、浴温10℃、電流密度L A /
crK処理時間20分間とした。その後、本発明の洗浄
は、以下の条件で行った。(1)5wt%のリン酸1−
13PO4水溶液、浴温60℃に2分間浸漬、(2)5
讐t%のリン酸(H,PO4)水溶液、浴温80℃に2
分間浸漬、(3)50 g / f!のショウ酸水溶液
[(COOH)21 、浴温60℃に2分間浸漬、(4
)50 g/ e ノショウ酸[(COOH)2] 、
水溶液、浴温80℃に2分間浸漬する。この後、無定形
バリアー皮膜の形成のため、ホウ酸40g/f!、ホウ
酸ナトリウム0.5g/l!の水溶液で550vまで陽
極酸化し、その電圧を30分間保持した。このようにし
て得られた本発明の皮膜断面の概念図は、第2図aのよ
うになる。
また洗浄しないと、第2図すのようになる。なお、3は
無定形バリアー皮膜、4は無定形バリアー皮膜中に形成
された結晶である。ここで製品での漏れ電流値と、単位
断面積当りの結晶欠陥数は下記のようになる。
無定形バリアー皮膜、4は無定形バリアー皮膜中に形成
された結晶である。ここで製品での漏れ電流値と、単位
断面積当りの結晶欠陥数は下記のようになる。
(1)の条件では漏れ電源0.18mA、欠陥数1〜2
個/μ+j 、 (2)の条件では漏れ電流0.14m
A、欠陥数=0個/μnf、(3)の条件では漏れ電流
0.26mA。
個/μ+j 、 (2)の条件では漏れ電流0.14m
A、欠陥数=0個/μnf、(3)の条件では漏れ電流
0.26mA。
欠陥数1〜2個/μd 、(4)の条件では漏れ電流0
.26mA、欠陥数二〇個、従来法では漏れ電流2JO
mA、欠陥数20個/ u J 以上のように本実施例によれば洗浄をしたことによって
結晶化による欠陥がなくなり、漏れ電流も改善されたこ
とがわかる。下表にその結果を示す。
.26mA、欠陥数二〇個、従来法では漏れ電流2JO
mA、欠陥数20個/ u J 以上のように本実施例によれば洗浄をしたことによって
結晶化による欠陥がなくなり、漏れ電流も改善されたこ
とがわかる。下表にその結果を示す。
発明の効果
以上のように本発明のアルミ電解コンデンサ用電極箔の
製造方法は、洗浄をすることによって、無定形バリア皮
膜中に結晶化する欠陥をなくすことができ、さらにコン
デンサの漏れ電流を低減させる効果を得るこてができる
優れたアルミ電解コンデンサ用電極箔を実現できるもの
である。
製造方法は、洗浄をすることによって、無定形バリア皮
膜中に結晶化する欠陥をなくすことができ、さらにコン
デンサの漏れ電流を低減させる効果を得るこてができる
優れたアルミ電解コンデンサ用電極箔を実現できるもの
である。
第1図は本発明による電極箔の概念図、第2図a、bは
洗浄処理を施した場合、施さなかった場合の電極箔の概
念図である。 1・・・・・・AI箔、2・・・・・・多孔質酸化皮膜
、3・・・・・・無定形バリアー皮膜、4・・・・・・
無定形バリア皮膜中に形成された結晶。
洗浄処理を施した場合、施さなかった場合の電極箔の概
念図である。 1・・・・・・AI箔、2・・・・・・多孔質酸化皮膜
、3・・・・・・無定形バリアー皮膜、4・・・・・・
無定形バリア皮膜中に形成された結晶。
Claims (2)
- (1)蓚酸、リン酸、硫酸等の水溶液中で陽極酸化して
多孔質皮膜を形成した後、化学洗浄を行い、その後本化
成としてホウ酸、リン酸等の水曜液中で陽極酸化して誘
電体皮膜を形成することを特徴とするアルミ電解コンデ
ンサ用電極箔の製造方法。 - (2)化学洗浄を蓚酸、リン酸、硫酸等の多孔質皮膜形
成の酸により行うことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62135207A JPH0812836B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62135207A JPH0812836B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63299308A true JPS63299308A (ja) | 1988-12-06 |
JPH0812836B2 JPH0812836B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=15146355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62135207A Expired - Fee Related JPH0812836B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0812836B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999065043A1 (fr) * | 1998-06-09 | 1999-12-16 | Showa Denko K.K. | Feuille electrode pour condensateur electrolytique solide, son procede de fabrication, et condensateur electrolytique solide |
JP2001332452A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
CN102312262A (zh) * | 2011-08-22 | 2012-01-11 | 吴江市精工铝字制造厂 | 铜铝合金的混合酸硬质阳极氧化法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6043812A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の化成方法 |
JPS6065517A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の化成方法 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62135207A patent/JPH0812836B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6043812A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の化成方法 |
JPS6065517A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の化成方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999065043A1 (fr) * | 1998-06-09 | 1999-12-16 | Showa Denko K.K. | Feuille electrode pour condensateur electrolytique solide, son procede de fabrication, et condensateur electrolytique solide |
JP2001332452A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP4660884B2 (ja) * | 2000-05-24 | 2011-03-30 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
CN102312262A (zh) * | 2011-08-22 | 2012-01-11 | 吴江市精工铝字制造厂 | 铜铝合金的混合酸硬质阳极氧化法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0812836B2 (ja) | 1996-02-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |