JPS63291434A - 半導体集積回路の配線方法 - Google Patents

半導体集積回路の配線方法

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Publication number
JPS63291434A
JPS63291434A JP12750287A JP12750287A JPS63291434A JP S63291434 A JPS63291434 A JP S63291434A JP 12750287 A JP12750287 A JP 12750287A JP 12750287 A JP12750287 A JP 12750287A JP S63291434 A JPS63291434 A JP S63291434A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
feedthrough
patterns
pattern
unused
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12750287A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoe Iwasaki
岩崎 知恵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP12750287A priority Critical patent/JPS63291434A/ja
Publication of JPS63291434A publication Critical patent/JPS63291434A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、LSI 、VLSI等の半導体集積回路の配
線方法に関するものである。
従来の技術 配線通過可能ブロックに使用されるセルには、配線が上
下に突き抜けるフィードスルーが存在する。
第6図は、従来の半導体集積回路の配線方法を示すブロ
ック図である。31は、セルフイードスルー位置と仮想
パターンの定義手段で、32は、配線及び使用フィード
スルーの選択手段である。
第7図は、セル上フィードスルー位置、仮想パターンの
定義手段を示す図である。21はセル、26はフィード
スルー用トラック、27はフィードスルーの為の仮想パ
ターンである。第8図は、配線及び使用フィードスルー
の選択手段32の結果を示す図である。23は使用フィ
ードスルーパターン、28は未使用トラックである。
以上のように構成された従来の半導体集積回路の配線方
法においては、セル21上に、フィードスルー用トラッ
ク26を割り当て、この部分に、指定された幅をもった
フィードスルーの為の仮想パターン27を発生させ、配
線処理を行う方法をとっていた。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような方法では、第8図に示すよ
うに、配線の結果、未使用トラック28が生じることが
ある。この未使用トラック28の部分に浮遊容量が生じ
、問題となっている。また、フィードスルー用に割シ当
てたトラック2eのうち、配線の結果、実際に使用され
るのは、8〜9割であり、仮想パターン27を発生させ
、更にフィードスルーのパターン23を発生させている
ので、データ量が多くなるという問題点があった。
本発明は、上記のような問題点に鑑み、浮遊容量を発生
することなく、データ量を削減する半導体集積回路の配
線方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するだめの手段 本発明は、未使用フィードスルーパターンの記録手段と
、前記未使用フィードスルーパターンの除去手段を備え
未使用のフィードスルーパターンを除去することを特徴
とする半導体集積回路の配線方法である。
作用 本発明は、最初にフィードスルーの為の実パターンをセ
ル上に定義しておき、配線処理後、未使用フィードスル
ーパターンをファイル等に記録しておき、前記未使用フ
ィードスルーパターンを前記フィードスルー実パターン
から除去するため、浮遊容量の減少が可能となる。
実施例 本発明の実施例を第1図を参照しながら説明する。第1
図は、本発明の配線方法を示すブロック図である。1は
セル上フィードスルー実パターンの定義手段、2は配線
及び使用フィードスルーの選択手段、3は未使用フィー
ドスルーパターンの記録手段、4は未使用フィードスル
ーパターンの除去手段である。
第2図は、本発明のフローチャート図である。
第3図は、本実施例を実現した配線パターンを示す図で
ある。21はセル、22は未使用フィードスルーパター
ン、23は使用フィードスルーパターン、24は除去す
るパターンである。
第4図は、セル上フィードスルーパターンの定義手段1
を示す図である。26はフィードスルー実パターンであ
る。
以上のように構成された本実施例の半導体集積回路の配
線方法について、その方法を第2図を用いて説明する。
第1段階として、第4図に示すように、セル21上に、
フィードスルー実パターンの定義11を行う。第2段階
は、配線及び使用フィードスルーの選択12を行う。配
線処理後、各フィードスルー実パターン26について、
判定14でそのフィードスルーは使用されたかどうか調
べ、未使用ならば、その未使用フィードスルーパターン
22を、ファイルへの記録16で指定したマスフレイア
のファイルに記録する。判定13で全てのフィードスル
ー実パターン26について処理済みかどうか調べ、処理
済みならば、パターン除去16でフィードスルー実パタ
ーン22から、未使用フィードスルーパターン22を除
去する。除去した結果を出カバターンとして、終了とす
る。第6図に出カバターンを示す。
以上のように、本実施例によれば、未使用の無駄なパタ
ーンが残らないので、浮遊容量の発生を防ぐことができ
る。
発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、未使用フィードス
ルーパターンを記録し、初めに定義されたフィードスル
ー実パターンから除去することによって、無駄なパター
ンが残らないので、チップ上の浮遊容量を減少すること
ができる。
また、第2の効果として、フィードスルーの使用率は一
般に80〜90%である。この為、従来の方法のように
、使用するパターンを発生させる方法と比較して、除去
するパターンのみ発生させるだけで良い為、パターンデ
ータ量が少なくてすむ。
【図面の簡単な説明】 第1図は、本発明における実施例の半導体集積回路の配
線方法のブロック図、第2図は本発明のフローチャート
図、第3図は配線処理後のセル上フイードスルーパター
ン図、 第4図はフィードスルー実パターン図、第6図
は最終出カバターン図、第6図は従来の配線方法のブロ
ック図、第7図は従来の方法のフィードスルーの為の仮
想パターン図、第8図は、従来の方法の最終出カバター
ン図である。 21・・・・・・セル、22・・・・・・未使用フィー
ドスルーパターン、23・・・・・・使用フィードスル
ーパターン、26・・・・・・フィードスルー実ハター
ン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3図 第 5 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. スタンダードセル方式LSI、又は、ゲートアレイ方式
    LSIの配線通過可能ブロックの配線方法において、セ
    ル上のフィードスルーの実パターンを定義する手段と、
    実際の配線で使用するフィードスルーを選択する手段と
    、これらフィードスルーの実パターンのうち未使用フィ
    ードスルーパターンを記録する手段とを備え、前記未使
    用フィードスルーパターンを前記フィードスルーの実パ
    ターンから除去することを特徴とする半導体集積回路の
    配線方法。
JP12750287A 1987-05-25 1987-05-25 半導体集積回路の配線方法 Pending JPS63291434A (ja)

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JP (1) JPS63291434A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02278829A (ja) * 1989-04-20 1990-11-15 Fujitsu Ltd 半導体装置の配線方法
JPH04280668A (ja) * 1991-03-08 1992-10-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02278829A (ja) * 1989-04-20 1990-11-15 Fujitsu Ltd 半導体装置の配線方法
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