JPS63285955A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS63285955A
JPS63285955A JP62122056A JP12205687A JPS63285955A JP S63285955 A JPS63285955 A JP S63285955A JP 62122056 A JP62122056 A JP 62122056A JP 12205687 A JP12205687 A JP 12205687A JP S63285955 A JPS63285955 A JP S63285955A
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JP
Japan
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display symbol
resin
semiconductor device
symbol
groove
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Pending
Application number
JP62122056A
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English (en)
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Yasuhito Suzuki
康仁 鈴木
Shizukatsu Nakamura
中村 倭勝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS63285955A publication Critical patent/JPS63285955A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は樹脂封止型半導体装置に関し、更に詳しくは
表示記号などを含む封止樹脂表面にコーティング層を形
成した樹脂封止型半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
第3図、第4図は従来知られているIa!脂封止型半導
体装置を示す平面図およびその断面図であって、半導体
素子を封止している封止樹脂1の表面に半導体素子の種
類や、特性などを示す表示記号2がレーザビームなどに
より封止樹脂の表面を5〜10.tA■の深さに刻み刻
設されており、リード3により半導体素子の端子が封止
樹脂1の外部に導出された構成になっている。
前記封止樹脂1にレーザビームで刻設された表示記号2
はその表面を被わせることもなく外面に露呈されたまま
の状態である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述のような従来の半導体装置では封止11表面の表示
記号2は凹溝として形成されているためにその凹溝中に
塵埃や、油などが付着すると表示記号2の視認が困難に
なるため、その都度アルコールなどの溶射を含んだダス
タクロスなどで拭い取ることが必要であった。この表示
記号中に塵埃や油が付着しないようにするには半導体装
置を特別の客語中に保管しなければならず、管理上厄介
であった。
そこで、この発明は上述のような問題点を解決するため
に、封止樹脂表面の表示記号2の視認を困難にする塵埃
や油から半導体装置を保護しようとするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
そこで、この発明は半導体装置6表面、特に表示記号を
被せた面を透明なコーテイング材で被覆して表示記号を
塵埃などから保護するように構成したことを特徴とする
ものである。
〔作用〕
この発明の樹脂封止型半導体装置の表面がコーティング
層で被われているので、レーザ加工された表示記号を保
護している。
〔実施例〕
す下、この発明の一実施例を第1図および第2図によっ
て説明する。
これらの図において、従来例と同一部分には同一符号が
施されており、符号1は半導体封止樹脂、同符号2はリ
ード、符号3はレーザビームにより加工され、刻設され
た半導体素子の性能、特性を表す表示記号3を示し、文
字図形などが含まれろ。
この表示記号3は封止樹W11の表面に表示記号に対応
したマスキングが施されて、レーザビームなとの熱エネ
ルギにより5〜10.%JIIIIl程度の深さの凹溝
を設けることで刻設されている。
そして、凹溝で表現された表示記号3中に塵埃などの異
物が付着しないように、封止樹脂1の少な(とも表示記
号3側の表面が透明であって、耐熱性のあるコーテイン
グ材4で被覆されている。
このコーティングH4は表示記号3を形成する凹溝中に
充填されている。この場合コーティング層4は表示記号
3の溝深さより厚く塗布され、耐熱。
耐薬品性に優れたものであり、表示記号の視認を妨げる
透明な材料が用いられる。
゛〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように、この発明によれば、半
導体装置を構成する封止樹脂に施した表示記号を透明で
耐熱性に富むコーテイング材を用いてコーティング層を
設けることで被覆したから表示記号の良好な視認性を永
く保持することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置の平面図
、第2図は第1図の■−■線に沿う断面図、第3図は従
来の半導体装置の平面図、第4図は第3図It/−Il
l/線に沿う断面図である。 1・・封止樹脂、2・・・リード、3・・・表示記号、
4・・・コーティング層。 なお、図中同一符号lよ同−又は相当部分を示す。 代理人  大暑 増雄(外2名) 第1図 ■ ■ ■・・・封止装置     2・・・リード3・・・表
示記号     4・・・コーティング層第3図 ■ 第2図 第4図 手続補正書(自発) 63    、ご     、4’ 昭和  年  月  日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)樹脂封止されていて、樹脂表面に機能を表示する
    表示記号などが、刻設された樹脂封止型半導体装置にお
    いて、表示記号を含む封止樹脂表面に透明で、かつ耐熱
    性のコーティング層を形成して表面を被って構成したこ
    とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP62122056A 1987-05-18 1987-05-18 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS63285955A (ja)

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JP62122056A JPS63285955A (ja) 1987-05-18 1987-05-18 樹脂封止型半導体装置

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JP62122056A JPS63285955A (ja) 1987-05-18 1987-05-18 樹脂封止型半導体装置

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JPS63285955A true JPS63285955A (ja) 1988-11-22

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ID=14826525

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US7871899B2 (en) 2006-01-11 2011-01-18 Amkor Technology, Inc. Methods of forming back side layers for thinned wafers

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