JPS63285955A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS63285955A JPS63285955A JP62122056A JP12205687A JPS63285955A JP S63285955 A JPS63285955 A JP S63285955A JP 62122056 A JP62122056 A JP 62122056A JP 12205687 A JP12205687 A JP 12205687A JP S63285955 A JPS63285955 A JP S63285955A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
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-
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- H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は樹脂封止型半導体装置に関し、更に詳しくは
表示記号などを含む封止樹脂表面にコーティング層を形
成した樹脂封止型半導体装置に関する。
表示記号などを含む封止樹脂表面にコーティング層を形
成した樹脂封止型半導体装置に関する。
第3図、第4図は従来知られているIa!脂封止型半導
体装置を示す平面図およびその断面図であって、半導体
素子を封止している封止樹脂1の表面に半導体素子の種
類や、特性などを示す表示記号2がレーザビームなどに
より封止樹脂の表面を5〜10.tA■の深さに刻み刻
設されており、リード3により半導体素子の端子が封止
樹脂1の外部に導出された構成になっている。
体装置を示す平面図およびその断面図であって、半導体
素子を封止している封止樹脂1の表面に半導体素子の種
類や、特性などを示す表示記号2がレーザビームなどに
より封止樹脂の表面を5〜10.tA■の深さに刻み刻
設されており、リード3により半導体素子の端子が封止
樹脂1の外部に導出された構成になっている。
前記封止樹脂1にレーザビームで刻設された表示記号2
はその表面を被わせることもなく外面に露呈されたまま
の状態である。
はその表面を被わせることもなく外面に露呈されたまま
の状態である。
上述のような従来の半導体装置では封止11表面の表示
記号2は凹溝として形成されているためにその凹溝中に
塵埃や、油などが付着すると表示記号2の視認が困難に
なるため、その都度アルコールなどの溶射を含んだダス
タクロスなどで拭い取ることが必要であった。この表示
記号中に塵埃や油が付着しないようにするには半導体装
置を特別の客語中に保管しなければならず、管理上厄介
であった。
記号2は凹溝として形成されているためにその凹溝中に
塵埃や、油などが付着すると表示記号2の視認が困難に
なるため、その都度アルコールなどの溶射を含んだダス
タクロスなどで拭い取ることが必要であった。この表示
記号中に塵埃や油が付着しないようにするには半導体装
置を特別の客語中に保管しなければならず、管理上厄介
であった。
そこで、この発明は上述のような問題点を解決するため
に、封止樹脂表面の表示記号2の視認を困難にする塵埃
や油から半導体装置を保護しようとするものである。
に、封止樹脂表面の表示記号2の視認を困難にする塵埃
や油から半導体装置を保護しようとするものである。
そこで、この発明は半導体装置6表面、特に表示記号を
被せた面を透明なコーテイング材で被覆して表示記号を
塵埃などから保護するように構成したことを特徴とする
ものである。
被せた面を透明なコーテイング材で被覆して表示記号を
塵埃などから保護するように構成したことを特徴とする
ものである。
この発明の樹脂封止型半導体装置の表面がコーティング
層で被われているので、レーザ加工された表示記号を保
護している。
層で被われているので、レーザ加工された表示記号を保
護している。
す下、この発明の一実施例を第1図および第2図によっ
て説明する。
て説明する。
これらの図において、従来例と同一部分には同一符号が
施されており、符号1は半導体封止樹脂、同符号2はリ
ード、符号3はレーザビームにより加工され、刻設され
た半導体素子の性能、特性を表す表示記号3を示し、文
字図形などが含まれろ。
施されており、符号1は半導体封止樹脂、同符号2はリ
ード、符号3はレーザビームにより加工され、刻設され
た半導体素子の性能、特性を表す表示記号3を示し、文
字図形などが含まれろ。
この表示記号3は封止樹W11の表面に表示記号に対応
したマスキングが施されて、レーザビームなとの熱エネ
ルギにより5〜10.%JIIIIl程度の深さの凹溝
を設けることで刻設されている。
したマスキングが施されて、レーザビームなとの熱エネ
ルギにより5〜10.%JIIIIl程度の深さの凹溝
を設けることで刻設されている。
そして、凹溝で表現された表示記号3中に塵埃などの異
物が付着しないように、封止樹脂1の少な(とも表示記
号3側の表面が透明であって、耐熱性のあるコーテイン
グ材4で被覆されている。
物が付着しないように、封止樹脂1の少な(とも表示記
号3側の表面が透明であって、耐熱性のあるコーテイン
グ材4で被覆されている。
このコーティングH4は表示記号3を形成する凹溝中に
充填されている。この場合コーティング層4は表示記号
3の溝深さより厚く塗布され、耐熱。
充填されている。この場合コーティング層4は表示記号
3の溝深さより厚く塗布され、耐熱。
耐薬品性に優れたものであり、表示記号の視認を妨げる
透明な材料が用いられる。
透明な材料が用いられる。
゛〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、半
導体装置を構成する封止樹脂に施した表示記号を透明で
耐熱性に富むコーテイング材を用いてコーティング層を
設けることで被覆したから表示記号の良好な視認性を永
く保持することができる。
導体装置を構成する封止樹脂に施した表示記号を透明で
耐熱性に富むコーテイング材を用いてコーティング層を
設けることで被覆したから表示記号の良好な視認性を永
く保持することができる。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置の平面図
、第2図は第1図の■−■線に沿う断面図、第3図は従
来の半導体装置の平面図、第4図は第3図It/−Il
l/線に沿う断面図である。 1・・封止樹脂、2・・・リード、3・・・表示記号、
4・・・コーティング層。 なお、図中同一符号lよ同−又は相当部分を示す。 代理人 大暑 増雄(外2名) 第1図 ■ ■ ■・・・封止装置 2・・・リード3・・・表
示記号 4・・・コーティング層第3図 ■ 第2図 第4図 手続補正書(自発) 63 、ご 、4’ 昭和 年 月 日
、第2図は第1図の■−■線に沿う断面図、第3図は従
来の半導体装置の平面図、第4図は第3図It/−Il
l/線に沿う断面図である。 1・・封止樹脂、2・・・リード、3・・・表示記号、
4・・・コーティング層。 なお、図中同一符号lよ同−又は相当部分を示す。 代理人 大暑 増雄(外2名) 第1図 ■ ■ ■・・・封止装置 2・・・リード3・・・表
示記号 4・・・コーティング層第3図 ■ 第2図 第4図 手続補正書(自発) 63 、ご 、4’ 昭和 年 月 日
Claims (1)
- (1)樹脂封止されていて、樹脂表面に機能を表示する
表示記号などが、刻設された樹脂封止型半導体装置にお
いて、表示記号を含む封止樹脂表面に透明で、かつ耐熱
性のコーティング層を形成して表面を被って構成したこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62122056A JPS63285955A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62122056A JPS63285955A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63285955A true JPS63285955A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14826525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62122056A Pending JPS63285955A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63285955A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03123060A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-24 | Nec Kyushu Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
US6023094A (en) * | 1998-01-14 | 2000-02-08 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor wafer having a bottom surface protective coating |
US6885109B2 (en) * | 2001-08-21 | 2005-04-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a step-like section on the back side of the substrate, and method for manufacturing the same |
US7871899B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-18 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming back side layers for thinned wafers |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP62122056A patent/JPS63285955A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03123060A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-24 | Nec Kyushu Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
US6023094A (en) * | 1998-01-14 | 2000-02-08 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor wafer having a bottom surface protective coating |
US6175162B1 (en) | 1998-01-14 | 2001-01-16 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor wafer having a bottom surface protective coating |
USRE38789E1 (en) | 1998-01-14 | 2005-09-06 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor wafer having a bottom surface protective coating |
US6885109B2 (en) * | 2001-08-21 | 2005-04-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a step-like section on the back side of the substrate, and method for manufacturing the same |
US7871899B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-18 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming back side layers for thinned wafers |
US8643177B2 (en) | 2006-01-11 | 2014-02-04 | Amkor Technology, Inc. | Wafers including patterned back side layers thereon |
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