JPH0822901A - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
電子部品とその製造方法Info
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- JPH0822901A JPH0822901A JP6153503A JP15350394A JPH0822901A JP H0822901 A JPH0822901 A JP H0822901A JP 6153503 A JP6153503 A JP 6153503A JP 15350394 A JP15350394 A JP 15350394A JP H0822901 A JPH0822901 A JP H0822901A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は電子部品とその製造方法に関するも
ので、水分などから素子を保護する保護膜の付着強度を
高めるものである。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
保護膜４を、素子１表面に、その少なくとも一部が拡散
した反応助剤層と、この反応助剤層表面に設けられた保
護層とにより構成したものである。
ので、水分などから素子を保護する保護膜の付着強度を
高めるものである。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
保護膜４を、素子１表面に、その少なくとも一部が拡散
した反応助剤層と、この反応助剤層表面に設けられた保
護層とにより構成したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品とその製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、素子を外部雰囲気より保護す
るために、その外周部に保護膜を設けることが行われて
いる。
るために、その外周部に保護膜を設けることが行われて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の保護膜は、
例えばガラスを素子の外周部に塗布することにより形成
されたものであったが、その接着強度が低いと言う問題
があった。即ち、ガラスは素子の外表面に単に付着して
いるだけであったので、衝撃や熱による膨張収縮によ
り、はく離してしまうのであった。そこで本発明は、こ
の保護膜の付着強度を高めることを目的とするものであ
る。
例えばガラスを素子の外周部に塗布することにより形成
されたものであったが、その接着強度が低いと言う問題
があった。即ち、ガラスは素子の外表面に単に付着して
いるだけであったので、衝撃や熱による膨張収縮によ
り、はく離してしまうのであった。そこで本発明は、こ
の保護膜の付着強度を高めることを目的とするものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、保護膜を、素子表面に、その少なく
とも一部が拡散した反応助剤層と、この反応助剤層表面
に設けられた保護層とにより構成したものである。
るために本発明は、保護膜を、素子表面に、その少なく
とも一部が拡散した反応助剤層と、この反応助剤層表面
に設けられた保護層とにより構成したものである。
【０００５】
【作用】上記構成とすれば、下層の反応助剤層の一部が
素子表面に拡散しており、また上層の保護層にもこの反
応助剤層が拡散しているので、結論として保護膜の素子
に対する付着強度は極めて強く、水分などによる素子の
変成を防止することが出来る。
素子表面に拡散しており、また上層の保護層にもこの反
応助剤層が拡散しているので、結論として保護膜の素子
に対する付着強度は極めて強く、水分などによる素子の
変成を防止することが出来る。
【０００６】
【実施例】図１において、１はバリスタ素子で、その内
部には複数の内部電極２が設けられ、その両端には外部
電極３が設けられている。バリスタ素子１は、ＳｒＴｉ
Ｏ 3を主成分とし、副成分としてＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，
ＳｉＯ2，ＭｎＯ2などを添加して形成したものである。
また、内部電極２はＮｉを主成分とし、副成分としてＬ
ｉ2ＣＯ3などを添加して形成したものである。さらに外
部電極３は、下層３ａがＮｉを主成分とし、副成分とし
てＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成され、上層３ｂがＡｇ
で形成されたものである。以上の構成においてバリスタ
素子１の上下面およびそれに接する上層３ｂ表面には、
保護膜４が付着形成されている。この保護膜は、上下二
層の構成となっており、下層はバリスタ素子１表面と上
層３ｂに少なくともその一部が拡散した反応助剤層とな
っている。この反応助剤層はＢｉ，Ｓｂの少なくとも一
方を含むものである。また、上層は、保護層となってお
りＳｉ，Ｔｉ，Ａｌの少なくとも一種類以上を含む構造
となっており、その下面には前記反応助剤層の一部が拡
散している。従って、バリスタ素子１は、その外表面を
保護膜４および外部電極３で覆われ、しかも、これらの
保護膜４と外部電極３の当接部分においては、反応助剤
層の一部が外部電極３に拡散しているので、その気密性
は極めて高く、水分などからの保護が確実に行われる。
部には複数の内部電極２が設けられ、その両端には外部
電極３が設けられている。バリスタ素子１は、ＳｒＴｉ
Ｏ 3を主成分とし、副成分としてＮｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，
ＳｉＯ2，ＭｎＯ2などを添加して形成したものである。
また、内部電極２はＮｉを主成分とし、副成分としてＬ
ｉ2ＣＯ3などを添加して形成したものである。さらに外
部電極３は、下層３ａがＮｉを主成分とし、副成分とし
てＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成され、上層３ｂがＡｇ
で形成されたものである。以上の構成においてバリスタ
素子１の上下面およびそれに接する上層３ｂ表面には、
保護膜４が付着形成されている。この保護膜は、上下二
層の構成となっており、下層はバリスタ素子１表面と上
層３ｂに少なくともその一部が拡散した反応助剤層とな
っている。この反応助剤層はＢｉ，Ｓｂの少なくとも一
方を含むものである。また、上層は、保護層となってお
りＳｉ，Ｔｉ，Ａｌの少なくとも一種類以上を含む構造
となっており、その下面には前記反応助剤層の一部が拡
散している。従って、バリスタ素子１は、その外表面を
保護膜４および外部電極３で覆われ、しかも、これらの
保護膜４と外部電極３の当接部分においては、反応助剤
層の一部が外部電極３に拡散しているので、その気密性
は極めて高く、水分などからの保護が確実に行われる。
【０００７】図２は、保護膜４の形成方法を示したもの
である。即ち、受皿５上に、セラミック製の板６を設
け、その上にバリスタ素子１を粉体７内に埋設した状態
で設け、最後にセラミック製のフタ８を被せ、７００〜
８５０℃で３０分加熱する。この場合、粉体７はＡｌ2
Ｏ3，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，ＭｇＯ，ＺｒＯ2の少なくとも
一種類以上の反応抑制剤と、Ｂｉ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3の少な
くとも一方の反応助剤を混合したものであって、その重
量比は後者１に対して前者を２としている。
である。即ち、受皿５上に、セラミック製の板６を設
け、その上にバリスタ素子１を粉体７内に埋設した状態
で設け、最後にセラミック製のフタ８を被せ、７００〜
８５０℃で３０分加熱する。この場合、粉体７はＡｌ2
Ｏ3，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，ＭｇＯ，ＺｒＯ2の少なくとも
一種類以上の反応抑制剤と、Ｂｉ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3の少な
くとも一方の反応助剤を混合したものであって、その重
量比は後者１に対して前者を２としている。
【０００８】さらに、ここで後者１に対して前者を２未
満とした場合では、反応助剤が多量に素子内部に拡散す
るため電気特性の変化や、形状の変化が激しく発生す
る。この現象は特に積層体に顕微に現われる。また、こ
の場合後者の粒径は前者よりも細かい方が望ましいもの
である。この図２に示す状態にする前に、バリスタ素子
１は、（Ｃ2Ｈ5Ｏ）4Ｓｉ，（Ｃ3Ｈ7Ｏ）4Ｔｉ，（Ｃ4
Ｈ9Ｏ）3Ａｌを含む液体中に浸漬されているので、その
表面にはこの液体が付着している。この状態で加熱すれ
ば図１に示すごとく保護膜４が形成される。但し、この
状態においては、外部電極３の外表面全面にも保護膜４
が形成されているので、面とりにより図１に示す状態ま
で取り除く。
満とした場合では、反応助剤が多量に素子内部に拡散す
るため電気特性の変化や、形状の変化が激しく発生す
る。この現象は特に積層体に顕微に現われる。また、こ
の場合後者の粒径は前者よりも細かい方が望ましいもの
である。この図２に示す状態にする前に、バリスタ素子
１は、（Ｃ2Ｈ5Ｏ）4Ｓｉ，（Ｃ3Ｈ7Ｏ）4Ｔｉ，（Ｃ4
Ｈ9Ｏ）3Ａｌを含む液体中に浸漬されているので、その
表面にはこの液体が付着している。この状態で加熱すれ
ば図１に示すごとく保護膜４が形成される。但し、この
状態においては、外部電極３の外表面全面にも保護膜４
が形成されているので、面とりにより図１に示す状態ま
で取り除く。
【０００９】
【発明の効果】以上のごとく本発明は、素子の表面に、
その少なくとも一部が拡散した反応助剤層と、この反応
助剤層表面に設けられた保護層とにより構成された保護
膜を設けたものである。
その少なくとも一部が拡散した反応助剤層と、この反応
助剤層表面に設けられた保護層とにより構成された保護
膜を設けたものである。
【００１０】上記構成とすれば、下層の反応助剤層の一
部が素子表面に拡散しており、また上層の保護層にもこ
の反応助剤層が拡散しているので、結論として保護膜の
素子に対する付着強度は極めて強く、水分などによる素
子の変成を防止することが出来る。
部が素子表面に拡散しており、また上層の保護層にもこ
の反応助剤層が拡散しているので、結論として保護膜の
素子に対する付着強度は極めて強く、水分などによる素
子の変成を防止することが出来る。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図
【図２】その製造工程を示す断面図
１ バリスタ素子 ２ 内部電極 ３ 外部電極 ４ 保護膜
Claims (9)
- 【請求項１】 素子と、この素子の外周部に設けた保護
膜とを備え、前記保護膜は、前記素子表面にその少なく
とも一部が拡散した反応助剤層と、この反応助剤層表面
に設けられた保護層とにより構成された電子部品。 - 【請求項２】 反応助剤層は、Ｂｉ，Ｓｂの少なくとも
一方を含む請求項１記載の電子部品。 - 【請求項３】 保護層は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌの少なくと
も一種類以上を含む請求項１または２記載の電子部品。 - 【請求項４】 素子の表面に保護層形成用物質を付着さ
せ、次にこの物質の外表面に反応助剤を付着させ、その
後加熱する電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 保護層形成用物質を含む液体中に素子を
浸漬し、その後素子を液体中から取出した後に、反応助
剤を付着させる請求項４記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 液体は、（Ｃ2Ｈ5Ｏ）4Ｓｉ，（Ｃ3Ｈ7
Ｏ）4Ｔｉ，（Ｃ4Ｈ9Ｏ）3Ａｌの少なくとも一種類以上
を含む請求項５記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項７】 反応助剤と反応抑制剤を混合し、この混
合体を素子の外表面に当接させる請求項４または５記載
の電子部品の製造方法。 - 【請求項８】 重量比で反応助剤１に対して反応抑制剤
を２以上混合させる請求項７記載の電子部品の製造方
法。 - 【請求項９】 反応抑制剤は、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ｔ
ｉＯ2，ＭｇＯ，ＺｒＯ 2の少なくとも一種類以上のもの
よりなる請求項７または８記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15350394A JP3255799B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15350394A JP3255799B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822901A true JPH0822901A (ja) | 1996-01-23 |
| JP3255799B2 JP3255799B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=15563985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15350394A Expired - Fee Related JP3255799B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3255799B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177085A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Tdk Corp | セラミック素子 |
| CN107705945A (zh) * | 2017-09-25 | 2018-02-16 | 江苏时瑞电子科技有限公司 | 一种热敏电阻铜电极的制备方法及其所用压封模具 |
-
1994
- 1994-07-05 JP JP15350394A patent/JP3255799B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177085A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Tdk Corp | セラミック素子 |
| US7813104B2 (en) | 2008-01-28 | 2010-10-12 | Tdk Corporation | Ceramic element |
| CN107705945A (zh) * | 2017-09-25 | 2018-02-16 | 江苏时瑞电子科技有限公司 | 一种热敏电阻铜电极的制备方法及其所用压封模具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3255799B2 (ja) | 2002-02-12 |
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