JPS63284224A - 液晶性オルガノポリシロキサンの製造方法 - Google Patents
液晶性オルガノポリシロキサンの製造方法Info
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K19/408—Polysiloxanes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明はヒドロシリル化仄応を用いずに容易にメソーゲ
ン基を導入できる液晶性オルガノポリシロキサンの製造
方法に関するものである。
ン基を導入できる液晶性オルガノポリシロキサンの製造
方法に関するものである。
[従来技術及び問題点1
従来、ある一定の温度範囲において液晶の性質を示す有
機化合物は数多く提案されている。
機化合物は数多く提案されている。
また、主鎖あるいは側鎖に液晶性を示す基を含み、それ
自体が液晶の性質を示す高分子化合物も多く提案されて
いる。そのうち、液晶の性質を示すオルガノポリシロキ
サンについては例えば、特開昭56−79173号公報
、特開昭57−165480号公報、特開昭f30−2
52486公報に示されている。特開昭56−7917
3号公報には側鎖にメソーゲン基を有する直鎖状オルガ
ノポリシロキサンについての記載があり、特開昭57−
16548’0号公報には同じく環状オルガノポリシロ
キサン14ついて、待面昭60−252486号公報に
は分1岐状オル〃ノボリシロキサンについての記載があ
る。
自体が液晶の性質を示す高分子化合物も多く提案されて
いる。そのうち、液晶の性質を示すオルガノポリシロキ
サンについては例えば、特開昭56−79173号公報
、特開昭57−165480号公報、特開昭f30−2
52486公報に示されている。特開昭56−7917
3号公報には側鎖にメソーゲン基を有する直鎖状オルガ
ノポリシロキサンについての記載があり、特開昭57−
16548’0号公報には同じく環状オルガノポリシロ
キサン14ついて、待面昭60−252486号公報に
は分1岐状オル〃ノボリシロキサンについての記載があ
る。
しかしながら、これらに記載された液晶性オルガノポリ
シロキサンの製造方法は、珪素原子結合、水素原子を有
するオルガノポリシロキサンとメソーゲン基に結合した
アルケニル基との付加反応のみであり、他の方法は示さ
れていない。
シロキサンの製造方法は、珪素原子結合、水素原子を有
するオルガノポリシロキサンとメソーゲン基に結合した
アルケニル基との付加反応のみであり、他の方法は示さ
れていない。
このオルガノポリシロキサンの珪素原子結合水素原子と
アルケニル基との付加反応(以後、ヒドロシリル化反応
と呼ぶ)では白金などのけ金属触媒を用いているが、こ
の触媒は被毒されやすく、用いる溶媒や原料中に混入し
ている不純物あるいは、反応容器に付着している不純物
、例えば、アルケン、アルキン、アミン類、リン化合物
、イオウ化合物、有W錫化合物などの存在によって反応
が進行しないという欠点があル、*た、アルケニル基を
含むメソーゲン化合物は合成が困難であり、収率も低い
ため、この化合物の入手が非常に困難が、入手できても
非常に高価であるため、それを用いてヒドロシリル化反
応によって合成した液晶性オルガノポリシロキサンは、
必然的に非常1こ高価であるという欠点がある。
アルケニル基との付加反応(以後、ヒドロシリル化反応
と呼ぶ)では白金などのけ金属触媒を用いているが、こ
の触媒は被毒されやすく、用いる溶媒や原料中に混入し
ている不純物あるいは、反応容器に付着している不純物
、例えば、アルケン、アルキン、アミン類、リン化合物
、イオウ化合物、有W錫化合物などの存在によって反応
が進行しないという欠点があル、*た、アルケニル基を
含むメソーゲン化合物は合成が困難であり、収率も低い
ため、この化合物の入手が非常に困難が、入手できても
非常に高価であるため、それを用いてヒドロシリル化反
応によって合成した液晶性オルガノポリシロキサンは、
必然的に非常1こ高価であるという欠点がある。
[発明の目的]
本発明の目的は、前記したようなヒドロシリル化反応の
欠点に鑑み、メソーゲン基の導入に際してヒドロシリル
化反応を用いることなく、入手容易な材料を用いて、容
易にメソーゲン基を導入できる液晶性オルガノポリシロ
キサンの製造方法を提供することにある。
欠点に鑑み、メソーゲン基の導入に際してヒドロシリル
化反応を用いることなく、入手容易な材料を用いて、容
易にメソーゲン基を導入できる液晶性オルガノポリシロ
キサンの製造方法を提供することにある。
[発明の構成]
前記した本発明の目的は、
直接もしくはアルキレン基を介して珪素原子に結合して
いる式 x cH,−()= C式中、Xはハロゲン
原子である。)で示される基を1分子中に少なくとも1
個有するオルガノポリシロキサンと、式 R−0−A
(式中、Rは一価の有機基であって、その中に置換ま
たは非r!!換の単環または多環の芳香族炭化水素基、
もしくは置換または非置換のmwa式炭化炭化水素基な
くとも1個含む、Aは水素原子またはアルカリ金属原子
である。)で示される化合物を反応させることを特徴と
する、液晶性オルff/ポリシロキサンの製造方法によ
ってa戊することができる。
いる式 x cH,−()= C式中、Xはハロゲン
原子である。)で示される基を1分子中に少なくとも1
個有するオルガノポリシロキサンと、式 R−0−A
(式中、Rは一価の有機基であって、その中に置換ま
たは非r!!換の単環または多環の芳香族炭化水素基、
もしくは置換または非置換のmwa式炭化炭化水素基な
くとも1個含む、Aは水素原子またはアルカリ金属原子
である。)で示される化合物を反応させることを特徴と
する、液晶性オルff/ポリシロキサンの製造方法によ
ってa戊することができる。
これを詳しく説明すると、式 X CHz台で示され
るハロメチルフェニル基を1分子中に1個有するオルガ
ノポリシロキサンは、珪素原子と酸素原子とが交互に並
んだポリシロキサンを主骨格とするもので、その構造は
直鎖、環式、分岐、網目の何れのvI?Lもとり得るが
、好ましくは直鎖補遺もしくは分岐構造であり、最も好
ましぐは直鎖補遺である。ハロメチルフェニル基を構成
するハロゲン原子としては、塩素、臭素および沃素原子
が反応の際の活性の点で好ましく、そのうち入手し易さ
の点で塩素原子が好ましい、ハロメチルフェニル晶はオ
ルガノポリシロキサンの珪素原子に直接結合していても
よいし、フルキレン基を介して珪素原子に結合していて
も良い、目的とするオルガノポリシロキサンの液晶性を
良好に発揮させる観点からハロメチルフェニル基はメチ
レン基、エチレン基、プロピレン基等の炭素原子数1〜
10程度のアルキレン基を介しているのが好ましい、ハ
ロメチルフェニル基およびハロメチルフェニル基を含む
基以外の珪素原子に結合する有機基としては、全有機基
の50モルパーセント以上が低級アルキル基であること
が望ましく、好ましくは全有機基の50モルパーセント
以上がメチル基である。メチル基以外の有機基としては
、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキ
シル基のようなアルキル基;ビニル基、アリル基、プロ
ペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基の
ようなアルケニル基:フェニル基、トリル基、キシリル
基のようなアリール基;ベンジル基、7エネチル基のよ
うなアラルキル基が例示される。また、珪素原子に結合
する基として、少ユの水素原子、水酸基、フルキレ基が
含まれていてもよい。
るハロメチルフェニル基を1分子中に1個有するオルガ
ノポリシロキサンは、珪素原子と酸素原子とが交互に並
んだポリシロキサンを主骨格とするもので、その構造は
直鎖、環式、分岐、網目の何れのvI?Lもとり得るが
、好ましくは直鎖補遺もしくは分岐構造であり、最も好
ましぐは直鎖補遺である。ハロメチルフェニル基を構成
するハロゲン原子としては、塩素、臭素および沃素原子
が反応の際の活性の点で好ましく、そのうち入手し易さ
の点で塩素原子が好ましい、ハロメチルフェニル晶はオ
ルガノポリシロキサンの珪素原子に直接結合していても
よいし、フルキレン基を介して珪素原子に結合していて
も良い、目的とするオルガノポリシロキサンの液晶性を
良好に発揮させる観点からハロメチルフェニル基はメチ
レン基、エチレン基、プロピレン基等の炭素原子数1〜
10程度のアルキレン基を介しているのが好ましい、ハ
ロメチルフェニル基およびハロメチルフェニル基を含む
基以外の珪素原子に結合する有機基としては、全有機基
の50モルパーセント以上が低級アルキル基であること
が望ましく、好ましくは全有機基の50モルパーセント
以上がメチル基である。メチル基以外の有機基としては
、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキ
シル基のようなアルキル基;ビニル基、アリル基、プロ
ペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基の
ようなアルケニル基:フェニル基、トリル基、キシリル
基のようなアリール基;ベンジル基、7エネチル基のよ
うなアラルキル基が例示される。また、珪素原子に結合
する基として、少ユの水素原子、水酸基、フルキレ基が
含まれていてもよい。
このハロメチルフェニル基含有オルガノポリシロキサン
の製造方法には特に制限はないが、次に示す■もしくは
■の方法で製造するのが簡便である。
の製造方法には特に制限はないが、次に示す■もしくは
■の方法で製造するのが簡便である。
■ 珪素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキ
サン、例えばメチルハイドロジエンポリシロキサンに、
ビニルベンノルクロライド等のフルケニルペンシルハラ
イドを、白金等の汁金属触媒を用いてヒドロシリル化反
応させる方法。
サン、例えばメチルハイドロジエンポリシロキサンに、
ビニルベンノルクロライド等のフルケニルペンシルハラ
イドを、白金等の汁金属触媒を用いてヒドロシリル化反
応させる方法。
本発明の製造方法の前段階であるハロメチルフェニル基
含有オルガノポリシロキサンの製造には従来技術と同じ
ヒドロシリル化反応を用いることになるが、原料となる
フルケニルペンシルハライドは、複雑な補遺のフルケニ
ル基含有メソーゲン化合物に比べ合成が容易であり、収
率も高く、比較的安価に入手できるため、液晶性オルガ
ノポリシロキサンの製造方法の全体を通して見た場合、
本発明の製造方法の方が、従来のフルケニル基含有メソ
ーデン化合物のヒドロシリル化反応によって111造す
る方法よりも、製造が容易であり、収率も高く安価に製
造できルトいう利点がある。*た、アルケニルベンジル
ハライドが蒸留可能なため、触媒毒を含まないようにす
ることができるという利点がある。
含有オルガノポリシロキサンの製造には従来技術と同じ
ヒドロシリル化反応を用いることになるが、原料となる
フルケニルペンシルハライドは、複雑な補遺のフルケニ
ル基含有メソーゲン化合物に比べ合成が容易であり、収
率も高く、比較的安価に入手できるため、液晶性オルガ
ノポリシロキサンの製造方法の全体を通して見た場合、
本発明の製造方法の方が、従来のフルケニル基含有メソ
ーデン化合物のヒドロシリル化反応によって111造す
る方法よりも、製造が容易であり、収率も高く安価に製
造できルトいう利点がある。*た、アルケニルベンジル
ハライドが蒸留可能なため、触媒毒を含まないようにす
ることができるという利点がある。
■ メチルトリルジクロロシランに、紫外線を照射しつ
つハロゲンガス例えば塩素〃スを作用させることにより
トリル基のメチル基をハロゲン化して、メチルーハロメ
チルフェニルーノクロロシランを得、更にこれを加水分
解及び引き続いて縮合重合させる方法。
つハロゲンガス例えば塩素〃スを作用させることにより
トリル基のメチル基をハロゲン化して、メチルーハロメ
チルフェニルーノクロロシランを得、更にこれを加水分
解及び引き続いて縮合重合させる方法。
一方、式 R−0−Aで示される化合物は、上記のオル
ガノポリシロキサンに液晶性を与える役割を有するもの
である。すなわち八で示される酸素原子に結合する水素
原子またはアルカリ金属原子とオルガノポリシロキサン
に結合したハロメチルフェニル基のハロゲン原子が反応
して、ハロゲン化水素またはハロゲン化アルカリ金属が
脱離することによってC−0−C結合が形成され、この
反応によってメソー2ン基が導入されてオルガノポリシ
ロキサンに液晶性を与えるものである。したがって、R
は置換または非置換の単環または多環の芳香板炭化水素
基、もしくは置換または非置換の脂環式炭化水素基を少
なくとも1個含む一価の有機基である必要がある。Rと
して例示されるのは、置換または非置換のフェニル基、
ビフェニル基、フェニルアルキル基、ビフェニルフルキ
ル基、ベンゾイル基、フェニルベンゾイル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘキシルフェニル基、及びコレステロ
ールの誘導体である。オルガノポリシロキサンに容易に
液晶性を与えるものとして、置換または非置換のビフェ
ニル基が好ましい、さらに、パラ位にフルコキシ基、シ
ア/基などの極性基を有するビフェニル基が好ましい。
ガノポリシロキサンに液晶性を与える役割を有するもの
である。すなわち八で示される酸素原子に結合する水素
原子またはアルカリ金属原子とオルガノポリシロキサン
に結合したハロメチルフェニル基のハロゲン原子が反応
して、ハロゲン化水素またはハロゲン化アルカリ金属が
脱離することによってC−0−C結合が形成され、この
反応によってメソー2ン基が導入されてオルガノポリシ
ロキサンに液晶性を与えるものである。したがって、R
は置換または非置換の単環または多環の芳香板炭化水素
基、もしくは置換または非置換の脂環式炭化水素基を少
なくとも1個含む一価の有機基である必要がある。Rと
して例示されるのは、置換または非置換のフェニル基、
ビフェニル基、フェニルアルキル基、ビフェニルフルキ
ル基、ベンゾイル基、フェニルベンゾイル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘキシルフェニル基、及びコレステロ
ールの誘導体である。オルガノポリシロキサンに容易に
液晶性を与えるものとして、置換または非置換のビフェ
ニル基が好ましい、さらに、パラ位にフルコキシ基、シ
ア/基などの極性基を有するビフェニル基が好ましい。
上記の反応は通常有機溶媒中で行なわれるが、溶媒を用
いなくても行ない得る。用いられる有は基溶媒には特に
限定はないが、ハロメチルフェニル基含有オルガノポリ
シロキサン及び式R−0−Aで示される化合物を溶解す
る必要があるところから、それらの溶媒として一般に使
用されている溶媒が推奨される0例えば、ベンゼン、ト
ルエン、キシレンのような芳香族類、ヘキサン、ヘプタ
ンのような脂肪族類、テトラヒドロ7ラン、ジエチルエ
ーテルのようなエーテル類、メタノール、エタノール、
プロパツール、ブタ7−ルのようなアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトンのようなケトン類、酢酸エチ
ル、酢酸ブチルのようなエステル類、四塩化炭素、トリ
クロロエタン、クロロホルムのような塩素化炭化水素類
、さらにはジメチル7オルムアミド、ツメチルスル7オ
キシド等が推奨される。
いなくても行ない得る。用いられる有は基溶媒には特に
限定はないが、ハロメチルフェニル基含有オルガノポリ
シロキサン及び式R−0−Aで示される化合物を溶解す
る必要があるところから、それらの溶媒として一般に使
用されている溶媒が推奨される0例えば、ベンゼン、ト
ルエン、キシレンのような芳香族類、ヘキサン、ヘプタ
ンのような脂肪族類、テトラヒドロ7ラン、ジエチルエ
ーテルのようなエーテル類、メタノール、エタノール、
プロパツール、ブタ7−ルのようなアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトンのようなケトン類、酢酸エチ
ル、酢酸ブチルのようなエステル類、四塩化炭素、トリ
クロロエタン、クロロホルムのような塩素化炭化水素類
、さらにはジメチル7オルムアミド、ツメチルスル7オ
キシド等が推奨される。
また、2mM以上の溶媒を組み合わせて使用しても一向
に差し支えない、触媒は通常不要であるが、溶媒に式R
−0−Aで示される化合物が溶解しない場合、反応速度
が非常に遅くなるため、テトラブチル7オス7オニウム
クロライドなどの相間移動触媒を用いると良好な反応速
度が得られる0反応温度は通常室温から200℃のm囲
で使用されるが、好ましくは50〜150℃であり、反
応時間は温度にもよるが1〜100時間である0式R−
0−Aで示される化合物のAが水素原子の時は、反応で
゛発生する塩酸をトラップするために塩基性化合物を式
R−0−Aで示される化合物と等モル以上共存させるこ
とが好ましい、この塩基性化合物としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウムのような
水酸化物、水素化ナトリツム、水素化カリウムのような
水素化物、トリエチルアミン、ビリノンのようなアミン
類などが例示される。
に差し支えない、触媒は通常不要であるが、溶媒に式R
−0−Aで示される化合物が溶解しない場合、反応速度
が非常に遅くなるため、テトラブチル7オス7オニウム
クロライドなどの相間移動触媒を用いると良好な反応速
度が得られる0反応温度は通常室温から200℃のm囲
で使用されるが、好ましくは50〜150℃であり、反
応時間は温度にもよるが1〜100時間である0式R−
0−Aで示される化合物のAが水素原子の時は、反応で
゛発生する塩酸をトラップするために塩基性化合物を式
R−0−Aで示される化合物と等モル以上共存させるこ
とが好ましい、この塩基性化合物としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウムのような
水酸化物、水素化ナトリツム、水素化カリウムのような
水素化物、トリエチルアミン、ビリノンのようなアミン
類などが例示される。
[実施例1
以下に実施例を示して本発明を説明する0例中「部」と
あるのは「重i部jのことであり、F%」とあるのは「
重量パーセント」のことであり、粘度は25℃での値で
ある。また、液晶性は、試料を2枚の直交偏光板の間に
おき、温度を変えながら透過光を顕微鏡で観察すること
によって行なった。実施例での液晶性を示す範囲とは「
固体と、流動性をもつ液晶状態との境界となる温度」と
「液晶状態と、等方性の液体との境界となる温度」の2
点を示している。
あるのは「重i部jのことであり、F%」とあるのは「
重量パーセント」のことであり、粘度は25℃での値で
ある。また、液晶性は、試料を2枚の直交偏光板の間に
おき、温度を変えながら透過光を顕微鏡で観察すること
によって行なった。実施例での液晶性を示す範囲とは「
固体と、流動性をもつ液晶状態との境界となる温度」と
「液晶状態と、等方性の液体との境界となる温度」の2
点を示している。
実施例1
両末端トリメチルシロキシ基!を鎖の7チルハイドロノ
エンボリシロキサン(粘度30cs)15部、トルエン
100部、塩化白金酸のイソプロピルアルコール溶液(
2%)0.3部を4つロフラスコに仕込み、70°Cに
加熱しながらビニルベンジルクロライド36部を滴下し
た1滴下終了後6時開り7ラツクスさせたところ、赤外
分光分析(I R)、核磁気共鳴分析(N M R’)
によりSiHの消失が確認された。ろ過の後、減圧蒸留
によりトルエンおよび未反応物を留去した。
エンボリシロキサン(粘度30cs)15部、トルエン
100部、塩化白金酸のイソプロピルアルコール溶液(
2%)0.3部を4つロフラスコに仕込み、70°Cに
加熱しながらビニルベンジルクロライド36部を滴下し
た1滴下終了後6時開り7ラツクスさせたところ、赤外
分光分析(I R)、核磁気共鳴分析(N M R’)
によりSiHの消失が確認された。ろ過の後、減圧蒸留
によりトルエンおよび未反応物を留去した。
こうして得られたオルガ/ポリシロキサンをCP−1と
呼称する。NMRにより、cp−iは両末端トリメチル
シロキシ基封鎖のメチル(クロロメチルフェニルエチル
)ポリシロキサンであることが確認された。
呼称する。NMRにより、cp−iは両末端トリメチル
シロキシ基封鎖のメチル(クロロメチルフェニルエチル
)ポリシロキサンであることが確認された。
4つロフラスコに41−7ヱニル7エ/−ル25部、エ
タノール100部、微粒状水酸化ナトリウム4.9部を
仕込み、水酸化ナトリウムが完全に溶けるまで加熱攪拌
した。これにCP−1を25部とトルエンを200部投
入し15時間リフラックスした。希塩酸をフラスコ内が
弱酸性になるように加えた後、減圧蒸留により溶媒を留
去した。内容物をクロロホルムに溶解し、水洗した後ク
ロロホルムを留去すると、白色の固体が得られた。この
ポリマは90〜120°Cの範囲で液晶性を示した。
タノール100部、微粒状水酸化ナトリウム4.9部を
仕込み、水酸化ナトリウムが完全に溶けるまで加熱攪拌
した。これにCP−1を25部とトルエンを200部投
入し15時間リフラックスした。希塩酸をフラスコ内が
弱酸性になるように加えた後、減圧蒸留により溶媒を留
去した。内容物をクロロホルムに溶解し、水洗した後ク
ロロホルムを留去すると、白色の固体が得られた。この
ポリマは90〜120°Cの範囲で液晶性を示した。
cp−iと1)−7二二ル7エ/−ルとの反応の際、系
内に0.5%のエチレンジアミンが混在していても、反
応で得られる結果は同じであった。
内に0.5%のエチレンジアミンが混在していても、反
応で得られる結果は同じであった。
比較例として、従来例であるヒドロシリル化反応による
合成を試みた6両末端トリメチルシロキシ基封鎖のメチ
ルハイドロジエンポリシロキサン(粘度30cs)16
部、トルエン100部、塩化白金酸のイソプロピルアル
コール溶液(2%)0.3部を4つロフラスコに仕込み
、70℃に加熱しながらp−(p’−シアノフェニル)
7ソロキシベンゼン60部を投入し、1.17ラツクス
させることにより液晶性オル〃ノボリシロキサンを合成
する際、系内に0.3%のエチレンジアミンが混在して
いると、合成は不可能であった。
合成を試みた6両末端トリメチルシロキシ基封鎖のメチ
ルハイドロジエンポリシロキサン(粘度30cs)16
部、トルエン100部、塩化白金酸のイソプロピルアル
コール溶液(2%)0.3部を4つロフラスコに仕込み
、70℃に加熱しながらp−(p’−シアノフェニル)
7ソロキシベンゼン60部を投入し、1.17ラツクス
させることにより液晶性オル〃ノボリシロキサンを合成
する際、系内に0.3%のエチレンジアミンが混在して
いると、合成は不可能であった。
実施例2
4つロフラスコlこp−(p’−シアノフェニル)7エ
7−ルのナトリウム塩のエタ/−ルW 液(10%)1
67部、トルエン200部、実施例1で使用したcp−
iを15.8部を仕込み、20時間リフラックスさせた
。希塩酸をフラスコ内が弱酸性になるように加えた後、
減圧蒸留により溶媒を留去した。内容物をクロロホルム
に溶解し、水洗した後クロロホルムを留去すると、淡褐
色の固体が得られた。このポリマは40〜140 ’C
の範囲で液晶性を示した。
7−ルのナトリウム塩のエタ/−ルW 液(10%)1
67部、トルエン200部、実施例1で使用したcp−
iを15.8部を仕込み、20時間リフラックスさせた
。希塩酸をフラスコ内が弱酸性になるように加えた後、
減圧蒸留により溶媒を留去した。内容物をクロロホルム
に溶解し、水洗した後クロロホルムを留去すると、淡褐
色の固体が得られた。このポリマは40〜140 ’C
の範囲で液晶性を示した。
実施例3
4つ口7ラスコにテトラキス(ジメチルハイドロジエン
)シラン20部、トルエン80部、塩化白金酸のイソプ
ロピルアルコール溶1(2%)0.2部を仕込み、70
°Cに加熱した。ビニルヘンシルクロライドの50%ト
ルエンRa74部を滴下ロートにより滴下した0滴下終
了後6時間リフラックスさせ、NMRで分析したところ
、SiHのtl’f失が確認された。ろ過の後減圧蒸留
により溶媒及び未反応物を除去した。
)シラン20部、トルエン80部、塩化白金酸のイソプ
ロピルアルコール溶1(2%)0.2部を仕込み、70
°Cに加熱した。ビニルヘンシルクロライドの50%ト
ルエンRa74部を滴下ロートにより滴下した0滴下終
了後6時間リフラックスさせ、NMRで分析したところ
、SiHのtl’f失が確認された。ろ過の後減圧蒸留
により溶媒及び未反応物を除去した。
これをCP−2と呼称する。
4つロフラスコにp−(p’−シアノフェニル)フェノ
ール15部、エタノール100部、微粒状水酸化す)
+7ウム3.1部を仕込み、水酸化ナトリウムが完全に
溶けるまで加熱攪拌した。
ール15部、エタノール100部、微粒状水酸化す)
+7ウム3.1部を仕込み、水酸化ナトリウムが完全に
溶けるまで加熱攪拌した。
これにCP−2を17.1部とトルエンを200部投入
し18時間97ラツクスした。希塩酸をフラスコ内が弱
酸性になるように加えた後、減圧蒸留により溶媒を留去
した。内容物をクロロホルムに溶解し、水洗した後クロ
ロホルムを留去すると、白色のアメ状物質が得られた。
し18時間97ラツクスした。希塩酸をフラスコ内が弱
酸性になるように加えた後、減圧蒸留により溶媒を留去
した。内容物をクロロホルムに溶解し、水洗した後クロ
ロホルムを留去すると、白色のアメ状物質が得られた。
このポリマは25〜136℃の範囲で液晶性を示した。
[発明の効果]
本発明の液晶性オルガノポリシロキサンの製造方法は、
ハロメチルフェニル基を含有するオル〃ノボリシロキサ
ンと特定のメソーデン化合物を縮合反応させてメソーゲ
ン基を導入するため、従来法のヒドロシリル化反応を用
いないので、触媒毒になる物質を除去する操作を必要と
せずに、反応を行なわ亡ることかできる。また、本発明
は従来技術と比べて、入手容易で安価な原料を用いて液
晶性オルガノポリシロキサンを合成することができるた
め産業上大いに有益である。
ハロメチルフェニル基を含有するオル〃ノボリシロキサ
ンと特定のメソーデン化合物を縮合反応させてメソーゲ
ン基を導入するため、従来法のヒドロシリル化反応を用
いないので、触媒毒になる物質を除去する操作を必要と
せずに、反応を行なわ亡ることかできる。また、本発明
は従来技術と比べて、入手容易で安価な原料を用いて液
晶性オルガノポリシロキサンを合成することができるた
め産業上大いに有益である。
本発明により得られた液晶性オルガ/ポリシロキサンは
、その光学特性を利用して、光情報の記録、表示などに
有用である。
、その光学特性を利用して、光情報の記録、表示などに
有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 直接もしくはアルキレン基を介して珪素原子に結合
している式▲数式、化学式、表等があります▼(式中、 Xはハロゲン原子である。)で示される基を1分子中に
少なくとも1個有するオルガノポリシロキサンと、式R
−O−A(式中、Rは一 価の有機基であって、その中に置換または非置換の単環
または多環の芳香族炭化水素基、もしくは置換または非
置換の脂環式炭化水素基を少なくとも1個含む。Aは水
素原子またはアルカリ金属原子である。)で示される化
合物を反応させることを特徴とする、液晶性オルガノポ
リシロキサンの製造方法。 2 Xで示されるハロゲン原子が塩素原子である特許請
求の範囲第1項に記載の液晶性オルガノポリシロキサン
の製造方法。 3 Rで示される基が、置換または非置換のビフェニル
基である特許請求の範囲第1項に記載の液晶性オルガノ
ポリシロキサンの製造方法。 4 オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合する有機
基の内50モルパーセント以上がメチル基である特許請
求の範囲第1項に記載の液晶性オルガノポリシロキサン
の製造方法。
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