JPS63282913A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度記録化に対応する垂直磁気記録媒体に
関するものである。
関するものである。
本発明は、高密度記録化に対応する垂直磁気記録媒体に
おいて、非磁性支持体上にＣｏ−０系面内磁化膜及びＣ
ｏ−０系垂直磁化膜を順次形成することにより、記録・
再生における磁気ヘッドとＣｏ−０系垂直磁化膜との間
の磁気的相互作用が強化され、記録・再生の高効率化を
達成する垂直磁気記録媒体を提供しようとするものであ
る。
おいて、非磁性支持体上にＣｏ−０系面内磁化膜及びＣ
ｏ−０系垂直磁化膜を順次形成することにより、記録・
再生における磁気ヘッドとＣｏ−０系垂直磁化膜との間
の磁気的相互作用が強化され、記録・再生の高効率化を
達成する垂直磁気記録媒体を提供しようとするものであ
る。
近年、磁気記録における短波長化と狭トランク化による
記録密度の向上は目覚ましく、光記録に近い面記録密度
の実用化が膜面の垂直方向に磁化可能な、いわゆる垂直
磁化膜を利用した垂直磁気記録媒体を用いることで期待
されている。このような状況の中にあって、垂直磁化膜
としてＣｏ−０系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録媒体
が提案されている。
記録密度の向上は目覚ましく、光記録に近い面記録密度
の実用化が膜面の垂直方向に磁化可能な、いわゆる垂直
磁化膜を利用した垂直磁気記録媒体を用いることで期待
されている。このような状況の中にあって、垂直磁化膜
としてＣｏ−０系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録媒体
が提案されている。
従来、上記Ｃｏ−０系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録
媒体としては、非磁性支持体上に直接Ｃ０−ＣＯＯ組成
からなるＣｏ−０系垂直磁化膜を簗着形成した単層構造
からなるものが提案されている。しかし、上述のような
Ｃ０−０系垂直磁化膜を直接非磁性支持体上に蒸着形成
した単層構造からなる垂直磁気記録媒体では、垂直配向
性や垂直記録・再生時の磁気ヘッドとの磁気的相互作用
が充分でなく、記録・再生の高効率化を図ることが困難
であった。
媒体としては、非磁性支持体上に直接Ｃ０−ＣＯＯ組成
からなるＣｏ−０系垂直磁化膜を簗着形成した単層構造
からなるものが提案されている。しかし、上述のような
Ｃ０−０系垂直磁化膜を直接非磁性支持体上に蒸着形成
した単層構造からなる垂直磁気記録媒体では、垂直配向
性や垂直記録・再生時の磁気ヘッドとの磁気的相互作用
が充分でなく、記録・再生の高効率化を図ることが困難
であった。
ところで、Ｃｏ−Ｃｒ系の垂直磁気記録媒体の分野では
、Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜の垂直配向性を向上させる手
段として、非磁性支持体とＣ０−Ｃｒ系垂直磁化膜との
間にパーマロイ等の高透磁率材を下地膜として形成する
手法が広く用いられている。上述のようにＣｏ−Ｃｒ系
垂直磁化膜の場合には、高透磁率材を下地膜として形成
することにより垂直配向性が向上する。
、Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜の垂直配向性を向上させる手
段として、非磁性支持体とＣ０−Ｃｒ系垂直磁化膜との
間にパーマロイ等の高透磁率材を下地膜として形成する
手法が広く用いられている。上述のようにＣｏ−Ｃｒ系
垂直磁化膜の場合には、高透磁率材を下地膜として形成
することにより垂直配向性が向上する。
ところが、上記Ｃｏ−Ｃｒ系の垂直磁気記録媒体の下地
膜として形成されるパーマロイ等の高透磁率材をＣｏ−
０系の垂直磁気記録媒体に適用しようとした場合、高透
磁率材の上層に被着形成されるＣｏ−○系垂直磁化膜と
の間において充分な整合性が得られず、従って充分な記
録・再生効率を得ることが難しいこと、また下地膜とＣ
ｏ−０系垂直磁化膜とを別々に製造しなくてはならす製
造工程が煩雑になる等の問題点がある。
膜として形成されるパーマロイ等の高透磁率材をＣｏ−
０系の垂直磁気記録媒体に適用しようとした場合、高透
磁率材の上層に被着形成されるＣｏ−○系垂直磁化膜と
の間において充分な整合性が得られず、従って充分な記
録・再生効率を得ることが難しいこと、また下地膜とＣ
ｏ−０系垂直磁化膜とを別々に製造しなくてはならす製
造工程が煩雑になる等の問題点がある。
そこで、本発明は上述の実情に鑑みて提案されたもので
あって、容易に製造でき、記録・再生の高効率化を達成
する垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
あって、容易に製造でき、記録・再生の高効率化を達成
する垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
本発明者等は、上述の目的を達成しようと鋭意研究の結
果、Ｃｏ−０系面内磁化膜を下地膜として成膜し、その
上部にＣ０−０系垂直磁化膜を成膜することによって良
好な記録・再生効率が得られるとの知見を得た。
果、Ｃｏ−０系面内磁化膜を下地膜として成膜し、その
上部にＣ０−０系垂直磁化膜を成膜することによって良
好な記録・再生効率が得られるとの知見を得た。
本発明は、上述の知見に基づいて提案されたものであっ
て、第１図に示すように、非磁性支持体（１）上にＣｏ
−０系面内磁化膜（２）及びＣｏ−○系垂直磁化膜（３
）を順次形成したことを特徴とするものである。
て、第１図に示すように、非磁性支持体（１）上にＣｏ
−０系面内磁化膜（２）及びＣｏ−○系垂直磁化膜（３
）を順次形成したことを特徴とするものである。
ここで、非磁性支持体（１）上に下地膜として形成する
ＣＯ−○糸面内磁化膜（２）は、Ｃｏを主体とするＣｏ
−Ｃｏ０組成からなる面内磁化膜（２）であり、その上
部に形成するＣｏ−０系垂直磁化膜（３）と磁気ヘッド
との間における記録・再生時の閉磁路を形成し易くする
ことにより、磁気的相互作用を良好なものとし、記録・
再生効率の向上を図るものである。上記Ｃｏ−〇糸面内
磁化膜（２）は、高純度のＣｏを非磁性支持体（１）上
に華着させる際に導入する酸素濃度を高濃度に調整する
ことによって容易に作製されるものである。
ＣＯ−○糸面内磁化膜（２）は、Ｃｏを主体とするＣｏ
−Ｃｏ０組成からなる面内磁化膜（２）であり、その上
部に形成するＣｏ−０系垂直磁化膜（３）と磁気ヘッド
との間における記録・再生時の閉磁路を形成し易くする
ことにより、磁気的相互作用を良好なものとし、記録・
再生効率の向上を図るものである。上記Ｃｏ−〇糸面内
磁化膜（２）は、高純度のＣｏを非磁性支持体（１）上
に華着させる際に導入する酸素濃度を高濃度に調整する
ことによって容易に作製されるものである。
上記Ｃｏ−０系面内磁化膜（２）は、その有する保磁力
Ｈｃは比較的低いものが好ましく、１０ （Ｏｅ）≦Ｈ
ｅ≦１５０ （Ｏｅ）の範囲とすることが好ましい。
Ｈｃは比較的低いものが好ましく、１０ （Ｏｅ）≦Ｈ
ｅ≦１５０ （Ｏｅ）の範囲とすることが好ましい。
これはＣｏ−０系垂直磁化膜（３）に記録された記録信
号に悪影響を与えない程度の保磁力であり、保磁力の範
囲が１０ （Ｏｅ）より小さい場合には、再生時のノイ
ズ発生の原因となり、また１ ５０ （Ｏｅ）より大き
い場合には、記録の際の阻害要因となる虞がある。
号に悪影響を与えない程度の保磁力であり、保磁力の範
囲が１０ （Ｏｅ）より小さい場合には、再生時のノイ
ズ発生の原因となり、また１ ５０ （Ｏｅ）より大き
い場合には、記録の際の阻害要因となる虞がある。
また、上記Ｃｏ−０系面内磁化膜（２）は、その膜厚ｔ
を５０人＜ｔ＜５００人の範囲とすることが好ましい。
を５０人＜ｔ＜５００人の範囲とすることが好ましい。
Ｃｏ−０系面内磁化膜（２）の膜厚が５０Å以下の場合
には下地層としてＣｏ−０系面内磁化膜（２）を形成し
た効果が期待できず、また５００Å以上の場合には、所
定の記録・再生特性を得ることが難しくなる虞があるか
らである。
には下地層としてＣｏ−０系面内磁化膜（２）を形成し
た効果が期待できず、また５００Å以上の場合には、所
定の記録・再生特性を得ることが難しくなる虞があるか
らである。
一方、上記Ｃｏ−０系面内磁化膜（２）上に形成するＣ
０−０系垂直磁化膜（３）は、高純度のＣＯを面内磁化
膜を形成する際の導入酸素濃度よりも低い酸素濃度雰囲
気中で非磁性支持体（１）上に真空蒸着させることによ
って作製されるもので、Ｃｏを主体とするＣｏ−Ｃｏ０
組成からなる垂直磁化膜（３）である。上記Ｃｏ−０系
垂直磁化膜（３）は、その膜厚ｔを１５００人≦ｔ≦４
０００人とすることが好ましい。Ｃ０−０系垂直磁化膜
（３）の膜厚ｔが上述の範囲を外れた場合には、良好な
記録・再生が期待できなくなるためである。
０−０系垂直磁化膜（３）は、高純度のＣＯを面内磁化
膜を形成する際の導入酸素濃度よりも低い酸素濃度雰囲
気中で非磁性支持体（１）上に真空蒸着させることによ
って作製されるもので、Ｃｏを主体とするＣｏ−Ｃｏ０
組成からなる垂直磁化膜（３）である。上記Ｃｏ−０系
垂直磁化膜（３）は、その膜厚ｔを１５００人≦ｔ≦４
０００人とすることが好ましい。Ｃ０−０系垂直磁化膜
（３）の膜厚ｔが上述の範囲を外れた場合には、良好な
記録・再生が期待できなくなるためである。
上述のように、非磁性支持体（１）上に下地膜としてＣ
ｏ−０系面内磁化膜（２）を介してＣ０−０系垂直磁化
膜（３）を形成する二層構造の垂直磁気記録媒体とする
ことにより、Ｃｏを主体とし酸化の程度が異なる両膜間
の整合性が非常に良好なものとなる。又、Ｃｏを主体と
し、酸素ガスの導入量を変えることにより形成すること
ができるため、容易に製造することができる。
ｏ−０系面内磁化膜（２）を介してＣ０−０系垂直磁化
膜（３）を形成する二層構造の垂直磁気記録媒体とする
ことにより、Ｃｏを主体とし酸化の程度が異なる両膜間
の整合性が非常に良好なものとなる。又、Ｃｏを主体と
し、酸素ガスの導入量を変えることにより形成すること
ができるため、容易に製造することができる。
上記二層構造の垂直磁気記録媒体を作製するには、先ず
非磁性支持体（１）上に高純度Ｃｏを多量の酸素ガスを
導入しながら真空蒸着法により蒸着形成する。そして、
その後Ｃｏ−０系面内磁化膜（２）上に該Ｃｏ−○系面
内磁化膜（２）作製時よりも少量の酸素ガスを導入しな
がら高純度のｃｏを真空蒸着法により蒸着させＣｏ−〇
系面内磁化膜（３）を作製すればよい。又、導入酸素ガ
ス量を一定としておき、高純度Ｃｏを蒸着する際の蒸着
速度を変化させ、蒸着速度を遅くすることにより、見掛
は上の酸素ガスの導入量を多くしてＣｏ−０面内磁化膜
（２）を形成し、その後蒸着速度を速くして見掛は上の
酸素ガス導入量を少なくしてＣ。
非磁性支持体（１）上に高純度Ｃｏを多量の酸素ガスを
導入しながら真空蒸着法により蒸着形成する。そして、
その後Ｃｏ−０系面内磁化膜（２）上に該Ｃｏ−○系面
内磁化膜（２）作製時よりも少量の酸素ガスを導入しな
がら高純度のｃｏを真空蒸着法により蒸着させＣｏ−〇
系面内磁化膜（３）を作製すればよい。又、導入酸素ガ
ス量を一定としておき、高純度Ｃｏを蒸着する際の蒸着
速度を変化させ、蒸着速度を遅くすることにより、見掛
は上の酸素ガスの導入量を多くしてＣｏ−０面内磁化膜
（２）を形成し、その後蒸着速度を速くして見掛は上の
酸素ガス導入量を少なくしてＣ。
−Ｏ系面内磁化膜（３）を形成してもよい。
このようにして作製された垂直磁気記録媒体は、Ｃ０−
０系面内磁化膜（２）が軟磁性であるため記録・再生に
おける磁気ヘッドとＣｏ−○系面内磁化膜（３）との磁
気的相互作用を強めることになり、記録・再生の高効率
化を達成することができる。
０系面内磁化膜（２）が軟磁性であるため記録・再生に
おける磁気ヘッドとＣｏ−○系面内磁化膜（３）との磁
気的相互作用を強めることになり、記録・再生の高効率
化を達成することができる。
本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性支持体上に下地膜
としてＣｏ−ＣＯＯ系面内磁化膜を介してＣｏ−Ｃｏ０
系垂直磁化膜を形成する二層構造としているため、Ｃｏ
を主体とし酸化の程度が異なる両膜間の整合性が非常に
良好なものとなるとともに、酸素ガスの導入量を変える
ことにより上記Ｃｏ−Ｃｏｏ系面内面内磁化膜ｏ−Ｃｏ
ｏ系垂面垂直磁化膜成することができるため、容易に製
造することができる。
としてＣｏ−ＣＯＯ系面内磁化膜を介してＣｏ−Ｃｏ０
系垂直磁化膜を形成する二層構造としているため、Ｃｏ
を主体とし酸化の程度が異なる両膜間の整合性が非常に
良好なものとなるとともに、酸素ガスの導入量を変える
ことにより上記Ｃｏ−Ｃｏｏ系面内面内磁化膜ｏ−Ｃｏ
ｏ系垂面垂直磁化膜成することができるため、容易に製
造することができる。
また、本発明の垂直磁気記録媒体は、Ｃｏ−〇−系面内
磁化膜が軟磁性であるため、記録・再生における磁気ヘ
ッドとＣｏ−０系垂直磁化膜との間の磁気的相互作用を
強めることになり、記録・再生の高効率化を達成するこ
とができる。
磁化膜が軟磁性であるため、記録・再生における磁気ヘ
ッドとＣｏ−０系垂直磁化膜との間の磁気的相互作用を
強めることになり、記録・再生の高効率化を達成するこ
とができる。
以下、本発明を適用した実施例について説明するが、本
発明はこの実施例に限定されるものではないことはいう
までもない。
発明はこの実施例に限定されるものではないことはいう
までもない。
実施炎上
長尺状非磁性支持体に対して、第２図に示す２キヤンタ
イプの連続巻き取り蒸着装置を用いて実施例を行った。
イプの連続巻き取り蒸着装置を用いて実施例を行った。
２キヤンタイプの蒸着装置は、供給ローラー（１８）、
第１の冷却キャン（１２）、中間ローラー（１９）、第
２の冷却キャン（１３）、巻き取りローラー（２０）か
らなる走行系と、壁（１１）によって仕切られ、Ｃｏが
備えられたルツボ（１４）と酸素ガス導入管（２３）及
びＣｏを加熱蒸発させるための電子銃（１６）とからな
り上記第１の冷却キャン（１２）においてＣ０−０面内
磁化膜を形成するＣｏ−０面内磁化膜形成部と、Ｃｏが
備えられたルツボ（１５）と酸素ガス導入管（２２）及
びＣｏを加熱蒸発させるための電子銃（１７）とからな
り第２の冷却キャン（１３）においてＣｏ−〇垂直磁化
膜を形成するＣｏ−０系垂直磁化膜形成部とからなるも
のである。
第１の冷却キャン（１２）、中間ローラー（１９）、第
２の冷却キャン（１３）、巻き取りローラー（２０）か
らなる走行系と、壁（１１）によって仕切られ、Ｃｏが
備えられたルツボ（１４）と酸素ガス導入管（２３）及
びＣｏを加熱蒸発させるための電子銃（１６）とからな
り上記第１の冷却キャン（１２）においてＣ０−０面内
磁化膜を形成するＣｏ−０面内磁化膜形成部と、Ｃｏが
備えられたルツボ（１５）と酸素ガス導入管（２２）及
びＣｏを加熱蒸発させるための電子銃（１７）とからな
り第２の冷却キャン（１３）においてＣｏ−〇垂直磁化
膜を形成するＣｏ−０系垂直磁化膜形成部とからなるも
のである。
上記Ｃｏ−０面内磁化膜形成部においては、電子銃（１
６）からの電子ビームによりルツボ（１４）内に備えら
れたＣｏが加熱されることにより蒸発し、酸素ガス導入
管（２３）から導入された酸素ガスとともに第１の冷却
キャン（１２）に達し、該第１の冷却キャン（１２）上
を走行している非磁性支持体（２１）上に上記Ｃｏ蒸発
蒸気流として蒸着形成される。このとき、酸素導入量は
４００ ｃｃ／ｍｉｎであり、この酸素導入量と非磁性
支持体の走行速度、Ｃｏの蒸発速度等が加味されてＣｏ
を主体とするＣｏ−Ｃｏ０系面内磁化膜が形成される。
６）からの電子ビームによりルツボ（１４）内に備えら
れたＣｏが加熱されることにより蒸発し、酸素ガス導入
管（２３）から導入された酸素ガスとともに第１の冷却
キャン（１２）に達し、該第１の冷却キャン（１２）上
を走行している非磁性支持体（２１）上に上記Ｃｏ蒸発
蒸気流として蒸着形成される。このとき、酸素導入量は
４００ ｃｃ／ｍｉｎであり、この酸素導入量と非磁性
支持体の走行速度、Ｃｏの蒸発速度等が加味されてＣｏ
を主体とするＣｏ−Ｃｏ０系面内磁化膜が形成される。
一方、上記Ｃｏ−０垂直磁化膜形成部においては、電子
銃（１７）からの電子ビームによりルツボ（１５）内に
備えられたＣｏが加熱されることにより蒸発し、酸素ガ
ス導入管（２２）から導入された酸素ガスとともに第２
の冷却キャン（１３）に達し、該第２の冷却キャン（１
３）上を走行している非磁性支持体（２１）上に上記Ｃ
ｏ蒸発蒸気流として蒸着形成される。このとき、酸素導
入量は３００ｃｃ／ｍｉｎであり、この酸素導入量と非
磁性支持体の走行速度、Ｃｏの蒸発速度等が加味されて
Ｃｏを主体とするＣｏ−Ｃｏ０系垂直磁化膜が形成され
る。
銃（１７）からの電子ビームによりルツボ（１５）内に
備えられたＣｏが加熱されることにより蒸発し、酸素ガ
ス導入管（２２）から導入された酸素ガスとともに第２
の冷却キャン（１３）に達し、該第２の冷却キャン（１
３）上を走行している非磁性支持体（２１）上に上記Ｃ
ｏ蒸発蒸気流として蒸着形成される。このとき、酸素導
入量は３００ｃｃ／ｍｉｎであり、この酸素導入量と非
磁性支持体の走行速度、Ｃｏの蒸発速度等が加味されて
Ｃｏを主体とするＣｏ−Ｃｏ０系垂直磁化膜が形成され
る。
上記Ｃｏ−Ｃｏｏ系面内面内磁化膜ｏ−Ｃｏ。
系垂直磁化膜とは、連続して形成されるものであり、酸
素ガスの導入量を変えることにより上記ｃｏ−Ｃｏｏ系
面内磁化膜面内磁化膜−Ｃｏｏ系垂面垂直磁化膜成する
ことができるため、容易に製造することができる。
素ガスの導入量を変えることにより上記ｃｏ−Ｃｏｏ系
面内磁化膜面内磁化膜−Ｃｏｏ系垂面垂直磁化膜成する
ことができるため、容易に製造することができる。
尚、上記電子銃（１６） 、 （１７）によって加熱さ
れ蒸着されるＣｏは、その蒸着速度を任意に制御して蒸
着することができる。また、第１の冷却キャン（１２）
及び第２の冷却キャン（１３）は、その表面温度が０℃
付近になるように制御されている。
れ蒸着されるＣｏは、その蒸着速度を任意に制御して蒸
着することができる。また、第１の冷却キャン（１２）
及び第２の冷却キャン（１３）は、その表面温度が０℃
付近になるように制御されている。
上述のような装置を使用して垂直磁気記録媒体を作製し
た。このとき、第１のルツボ（１４）には純度９９．９
％のＣｏを備え、酸素導入量４００ｃｃ／ｍｉｎ 、
Ｃｏの蒸着速度３６０八／ｓｅｃ、膜厚２００人の条件
でＣｏ−０系面内磁化膜を成膜した。
た。このとき、第１のルツボ（１４）には純度９９．９
％のＣｏを備え、酸素導入量４００ｃｃ／ｍｉｎ 、
Ｃｏの蒸着速度３６０八／ｓｅｃ、膜厚２００人の条件
でＣｏ−０系面内磁化膜を成膜した。
そして、第２のルツボ（１５）には純度９９．９％のＣ
Ｏを備え、酸素流入量３００ｃｃ／ｍｉｎ 、 Ｃｏの
蒸着速度３６００人／５ｅｃｓ膜厚２０００人の条件で
Ｃｏ−０系垂直磁化膜を成膜した。
Ｏを備え、酸素流入量３００ｃｃ／ｍｉｎ 、 Ｃｏの
蒸着速度３６００人／５ｅｃｓ膜厚２０００人の条件で
Ｃｏ−０系垂直磁化膜を成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は１６ｍ／
ｍｉｎであり、蒸着中の雰囲気ガス圧は２Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒであった。このようにしてサンプルテープを作
製した。
ｍｉｎであり、蒸着中の雰囲気ガス圧は２Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒであった。このようにしてサンプルテープを作
製した。
比較例１
長尺状高分子フィルムに対して、第２図に示す２キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第２図中の第１のルツボ（１４）には何も入
れず、下地膜を形成しない状態で直接非磁性支持体上に
純度９９．９％のＣｏを、酸素導入量３００ｃｃ／ｍｉ
ｎ ％ Ｃｏの蒸着速度３６００人／ｓｅｃ、膜厚２０
００人の条件でＣｏ−０系垂直磁化膜を成膜した。
れず、下地膜を形成しない状態で直接非磁性支持体上に
純度９９．９％のＣｏを、酸素導入量３００ｃｃ／ｍｉ
ｎ ％ Ｃｏの蒸着速度３６００人／ｓｅｃ、膜厚２０
００人の条件でＣｏ−０系垂直磁化膜を成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は１６ｍ／
ｍｉｎであり、蒸着中の雰囲気ガス圧は２Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテ−プを作製
した。
ｍｉｎであり、蒸着中の雰囲気ガス圧は２Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒとした。このようにしてサンプルテ−プを作製
した。
此較桝業
長尺状高分子フィルムに対して、第２図に示す２キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第１のルツボ（１４）には純度９９．９％の
Ｃｏを備え、酸素導入量４００ｃ’ｃ／ｍｉｎ 、 Ｃ
。
Ｃｏを備え、酸素導入量４００ｃ’ｃ／ｍｉｎ 、 Ｃ
。
の蒸着速度１８００人／ｓｅｃ、膜厚１０００人の条件
でＣｏ−０系面内磁化膜を成膜した。そして、第２のル
ツボ（１５）には純度９９．９％のＣＯを備え、酸素流
入量３００ｃｃ／ｍｉｎ 、 Ｃｏの蒸着速度３６００
人／ｓｅｃ、膜厚２０００人の条件でＣ０−０系垂直磁
化膜を成膜した。
でＣｏ−０系面内磁化膜を成膜した。そして、第２のル
ツボ（１５）には純度９９．９％のＣＯを備え、酸素流
入量３００ｃｃ／ｍｉｎ 、 Ｃｏの蒸着速度３６００
人／ｓｅｃ、膜厚２０００人の条件でＣ０−０系垂直磁
化膜を成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は１５ｍ／
ｍｉｎであり、蒸着中の雰囲気ガス圧は３Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒであった。このようにしてサンプルテープを作
製した。
ｍｉｎであり、蒸着中の雰囲気ガス圧は３Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒであった。このようにしてサンプルテープを作
製した。
ル較桝立
長尺状高分子フィルムに対して、第２図に示す２キヤン
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
タイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行った。
このとき、第１のルツボ（１４）には純度９９．９％の
Ｃｏを備え、酸素導入量３５０ｃｃ／ｍｉｎ 、 Ｃ。
Ｃｏを備え、酸素導入量３５０ｃｃ／ｍｉｎ 、 Ｃ。
の蒸着速度５４０人／ｓｅｃ、膜厚３００人の条件でＣ
ｏ−〇糸面内磁化膜を成膜した。そして、第２のルツボ
（１５）には純度９９．９％のＣＯを備え、酸素流入量
３００ｃｃ／ｍｉｎ 、 Ｃｏの薄着速度３６００人／
５ｅｃｓ膜厚２０００人の条件でＣ０−０系垂直磁化膜
を成膜した。
ｏ−〇糸面内磁化膜を成膜した。そして、第２のルツボ
（１５）には純度９９．９％のＣＯを備え、酸素流入量
３００ｃｃ／ｍｉｎ 、 Ｃｏの薄着速度３６００人／
５ｅｃｓ膜厚２０００人の条件でＣ０−０系垂直磁化膜
を成膜した。
このときの長尺状高分子フィルムの走行速度は１５ｍ／
ｍｉｎであり、蒸着中の雰囲気ガス圧は２Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒであった。このようにしてサンプルテープを作
製した。
ｍｉｎであり、蒸着中の雰囲気ガス圧は２Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒであった。このようにしてサンプルテープを作
製した。
上述のようにして作製した各サンプルテープについて、
面内磁化膜の保磁力Ｈｃ、垂直磁化膜の飽和磁束密度Ｂ
Ｓ、垂直方向の保磁力ＨＣ１異方性磁界Ｈｋについて測
定を行った。その結果を第１表に示す。また、実施例１
．比較例１〜比較例３についての記録波長と再生出力の
関係を第３図に示す。尚、第３図中記号Ａは実施例１に
、記号Ｂは比較例１に、記号Ｃは比較例２に、記号りは
比較例３にそれぞれ対応している。
面内磁化膜の保磁力Ｈｃ、垂直磁化膜の飽和磁束密度Ｂ
Ｓ、垂直方向の保磁力ＨＣ１異方性磁界Ｈｋについて測
定を行った。その結果を第１表に示す。また、実施例１
．比較例１〜比較例３についての記録波長と再生出力の
関係を第３図に示す。尚、第３図中記号Ａは実施例１に
、記号Ｂは比較例１に、記号Ｃは比較例２に、記号りは
比較例３にそれぞれ対応している。
第１表
第１表及び第３図より明らかなように、本発明を適用し
た垂直磁気記録媒体は、優れた磁気特性、電磁変換特性
を兼ね備えていることがわかる。
た垂直磁気記録媒体は、優れた磁気特性、電磁変換特性
を兼ね備えていることがわかる。
以上の説明から明らかなように、本発明を適用した垂直
磁気記録媒体は、導入する酸素ガス量を変えて非磁性支
持体上にＣｏを蒸着形成することにより面内磁化膜と垂
直磁化膜とを作製しているため、両膜ともにＣｏを主体
としたＣｏ−Ｃｏ。
磁気記録媒体は、導入する酸素ガス量を変えて非磁性支
持体上にＣｏを蒸着形成することにより面内磁化膜と垂
直磁化膜とを作製しているため、両膜ともにＣｏを主体
としたＣｏ−Ｃｏ。
組成から構成されるものであることから両者の整合性が
高い。また、非磁性支持体上に下地膜として軟磁性のＣ
ｏ−０系面内磁化膜を介してＣｏ−○系垂直磁化膜を形
成しているため、磁気ヘッドとｃｏ−Ｏ系垂直磁化膜と
の磁気的相互作用が強化され、記録・再生の高効率化を
達成することができる。
高い。また、非磁性支持体上に下地膜として軟磁性のＣ
ｏ−０系面内磁化膜を介してＣｏ−○系垂直磁化膜を形
成しているため、磁気ヘッドとｃｏ−Ｏ系垂直磁化膜と
の磁気的相互作用が強化され、記録・再生の高効率化を
達成することができる。
また、酸素の導入量を変化させることによりＣ０−０系
面内磁化膜とＣ０−０系垂直磁化膜とを作製できるため
、容易に垂直磁気記録媒体を製造することができる。
面内磁化膜とＣ０−０系垂直磁化膜とを作製できるため
、容易に垂直磁気記録媒体を製造することができる。
第１図は本発明を適用した垂直磁気記録媒体の一例を示
す要部拡大断面図である。 第２図は本発明を適用した垂直磁気記録媒体を作製する
真空蒸着装置の一例を示す概略図である。 第３図は本発明を適用して作製した垂直磁気記録媒体の
記録波長と再生出力との関係を示す特性図である。 １・・・非磁性支持体 ２・・・Ｃｏ−０系面内磁化膜 ３・・・Ｃｏ−０系垂直磁化膜 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小部 晃 同 円柱 榮− 同 佐藤 勝
す要部拡大断面図である。 第２図は本発明を適用した垂直磁気記録媒体を作製する
真空蒸着装置の一例を示す概略図である。 第３図は本発明を適用して作製した垂直磁気記録媒体の
記録波長と再生出力との関係を示す特性図である。 １・・・非磁性支持体 ２・・・Ｃｏ−０系面内磁化膜 ３・・・Ｃｏ−０系垂直磁化膜 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小部 晃 同 円柱 榮− 同 佐藤 勝
Claims (1)
- 非磁性支持体上にＣｏ−Ｏ系面内磁化膜及びＣｏ−Ｏ系
垂直磁化膜を順次形成したことを特徴とする垂直磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11703887A JP2508711B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11703887A JP2508711B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63282913A true JPS63282913A (ja) | 1988-11-18 |
| JP2508711B2 JP2508711B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=14701898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11703887A Expired - Fee Related JP2508711B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2508711B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244751A (en) * | 1988-03-11 | 1993-09-14 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium, its fabrication method and read-write machine using it |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11703887A patent/JP2508711B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244751A (en) * | 1988-03-11 | 1993-09-14 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium, its fabrication method and read-write machine using it |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2508711B2 (ja) | 1996-06-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |