JPS63280462A - 電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents

電界効果トランジスタの製造方法

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JPS63280462A JP11559387A JP11559387A JPS63280462A JP S63280462 A JPS63280462 A JP S63280462A JP 11559387 A JP11559387 A JP 11559387A JP 11559387 A JP11559387 A JP 11559387A JP S63280462 A JPS63280462 A JP S63280462A
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Yasuhito Nakagawa
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02211638A (ja) * 1989-02-13 1990-08-22 Mitsubishi Electric Corp 非対称構造ｆｅｔの製造方法
US5153683A (en) * 1990-04-19 1992-10-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02211638A (ja) * 1989-02-13 1990-08-22 Mitsubishi Electric Corp 非対称構造ｆｅｔの製造方法
US5153683A (en) * 1990-04-19 1992-10-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor
US5296398A (en) * 1990-04-19 1994-03-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making field effect transistor
US5344788A (en) * 1990-04-19 1994-09-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making field effect transistor
US5510280A (en) * 1990-04-19 1996-04-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making an asymmetrical MESFET having a single sidewall spacer

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