JPS6328026A - 巻回型固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
巻回型固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPS6328026A JPS6328026A JP61171059A JP17105986A JPS6328026A JP S6328026 A JPS6328026 A JP S6328026A JP 61171059 A JP61171059 A JP 61171059A JP 17105986 A JP17105986 A JP 17105986A JP S6328026 A JPS6328026 A JP S6328026A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は巻回型固体電解コンデンサの製造方法に関する
。
。
[従来の技術]
固体電解コンデンサは、陽極を構成する弁金属基体表面
に誘導体である酸化物層を形成し、該酸化物層上に半導
体層及び導電体層を順次積層形成して構成される。
に誘導体である酸化物層を形成し、該酸化物層上に半導
体層及び導電体層を順次積層形成して構成される。
陽極を構成する弁金属としては、アルミニウム、タンタ
ル、ニオブ、チタン等の弁作用を有する金属が用いられ
、これらのうら、アルミニウム及びタンタルが多く採用
されている。陽極弁金属自体の形状は、多孔質焼結体、
板(箔)、線状等であり、このうち板(箔)を渦巻状に
巻いたタイプのコンデンサは、小形大容量のコンデンサ
となり(qる。
ル、ニオブ、チタン等の弁作用を有する金属が用いられ
、これらのうら、アルミニウム及びタンタルが多く採用
されている。陽極弁金属自体の形状は、多孔質焼結体、
板(箔)、線状等であり、このうち板(箔)を渦巻状に
巻いたタイプのコンデンサは、小形大容量のコンデンサ
となり(qる。
[発明が解決しようとする問題点1
しかし、この渦巻状に巻いたタイプのコンデンサでも、
従来の電解液を用いた電解コンデンサや特開昭58−1
7609号公報に記載されているTCNQ塩を用いたコ
ンデンサの様に、2枚の電極箔をセパレーター紙を挾ん
で巻き込むタイプのコンデンサは、溝底上から小容積化
に限度があった。
従来の電解液を用いた電解コンデンサや特開昭58−1
7609号公報に記載されているTCNQ塩を用いたコ
ンデンサの様に、2枚の電極箔をセパレーター紙を挾ん
で巻き込むタイプのコンデンサは、溝底上から小容積化
に限度があった。
また、電解液やTCNQ塩を用いると、電気伝導度が1
O−IS−c「1以下と小さく、コンデンサの損失係数
(勧δ)やインピーダンス特性等の性能に良い影響を及
ぼさなかった。
O−IS−c「1以下と小さく、コンデンサの損失係数
(勧δ)やインピーダンス特性等の性能に良い影響を及
ぼさなかった。
本発明は、従来の問題点を解決し、従来品よりさらに、
小型、小容積化が可能で、しかもコンデンサ性能の良好
な巻回型固体″市解コンデンサの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
小型、小容積化が可能で、しかもコンデンサ性能の良好
な巻回型固体″市解コンデンサの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は上記目的を達成すべくなされたもので、その要
旨は、表面に越電体酸化物層を有する陽極弁金属基体の
前記誘電体酸化物層上に、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分と
する半導体層を形成させて積層体を作製し、次いで該積
層体を渦巻状に巻回した後導電体層を形成する巻回型固
体゛電解コンデンサの製造方法にある。
旨は、表面に越電体酸化物層を有する陽極弁金属基体の
前記誘電体酸化物層上に、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分と
する半導体層を形成させて積層体を作製し、次いで該積
層体を渦巻状に巻回した後導電体層を形成する巻回型固
体゛電解コンデンサの製造方法にある。
[発明の具体的構成および作用]
以下、本発明の巻回型固体電解コンデンサの製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
陽極として用いられる弁金属基体としては、アルミニウ
ム、タンタル、ニオブ、チタン、及びこれらを基質とす
る合金等弁作用を有する金属の何れを用いてもよい。こ
のうち、アルミニウムを使用するのが有利である。半導
体層及び導電体層を形成させる前の陽極基体の形状は、
通常は板状(箔、リボン等を包含する。)である。
ム、タンタル、ニオブ、チタン、及びこれらを基質とす
る合金等弁作用を有する金属の何れを用いてもよい。こ
のうち、アルミニウムを使用するのが有利である。半導
体層及び導電体層を形成させる前の陽極基体の形状は、
通常は板状(箔、リボン等を包含する。)である。
陽極基体表面の酸化物層は、陽極基体表層部分に設けら
れた陽極基体自体の酸化物層であってもよく、あるいは
陽極基体の表面上に設けられた他のX導体酸化物の層で
あってもよい。このうち、陽極弁金属自体の酸化物から
成る層であることが望ましい。何れの場合にも、酸化物
層を設ける方法としては、従来公知の方法を用いること
ができる。例えば、陽極基体としてアルミニウム箔を用
いる場合、アルミニウム箔の表面を電気化学的にエツチ
ングし、さらに、ホウ酸及びホウ酸アンモニウムの水溶
液中で電気化学的に処理すれば、陽極基体であるアルミ
ニウム箔上にアルミナ誘電体から成る酸化物層が形成さ
れる。なお、陽極弁金N基体には、酸化物層を設ける前
後に、かしめ付け、高周波接合等の方法により陽極リー
ド線が接続される。
れた陽極基体自体の酸化物層であってもよく、あるいは
陽極基体の表面上に設けられた他のX導体酸化物の層で
あってもよい。このうち、陽極弁金属自体の酸化物から
成る層であることが望ましい。何れの場合にも、酸化物
層を設ける方法としては、従来公知の方法を用いること
ができる。例えば、陽極基体としてアルミニウム箔を用
いる場合、アルミニウム箔の表面を電気化学的にエツチ
ングし、さらに、ホウ酸及びホウ酸アンモニウムの水溶
液中で電気化学的に処理すれば、陽極基体であるアルミ
ニウム箔上にアルミナ誘電体から成る酸化物層が形成さ
れる。なお、陽極弁金N基体には、酸化物層を設ける前
後に、かしめ付け、高周波接合等の方法により陽極リー
ド線が接続される。
本発明において使用される半導体層は、二酸化鉛と硫酸
鉛を主成分とする層で構成される。
鉛を主成分とする層で構成される。
半導体層を、本来半導体の役割を果たす二酸化鉛と絶縁
物質である硫酸鉛とを主成分とする層で構成すると、硫
酸鉛の配合により、コンデンサの漏れ電流値を低減せし
めることができる。一方、硫酸鉛の配合により半導体層
の電気伝導度が低くなるため、例えば損失係数が大きく
なるが、従来の固体電解コンデンサと比較しても高水準
の性能を維持・発現することが、本発明により見出され
た。従って、半導体層を二酸化鉛と硫酸鉛の6合物で構
成する場合、半導体層中の二酸化鉛の含量が10重量%
以上100重耐量未満の範囲内であり、好ましくは二酸
化鉛10〜95重量%に対し硫酸鉛90〜5重量%とい
う広笥囲の組成で良好なコンデンサ性能を維持・発現す
ることができるが、とりわけ、二酸化鉛20〜50重量
%に対し硫酸鉛80〜50重固%、さらには二酸化鉛2
5〜35重量%に対し硫酸鉛75〜65虫皐%の範囲で
、漏れ電流値と損失係数値のバランスがとりわけ良好で
ある。二酸化鉛が10重計%未満であると、導電性が悪
くなるため損失係数賄が大ぎくなり、また容■が充分発
現しない。二酸化鉛が100重量%になると、漏れ電流
値が大きくなり、コンデンサ作製後の後化成もしくはエ
ージング等に多多の時間を要しコスト的に不利である。
物質である硫酸鉛とを主成分とする層で構成すると、硫
酸鉛の配合により、コンデンサの漏れ電流値を低減せし
めることができる。一方、硫酸鉛の配合により半導体層
の電気伝導度が低くなるため、例えば損失係数が大きく
なるが、従来の固体電解コンデンサと比較しても高水準
の性能を維持・発現することが、本発明により見出され
た。従って、半導体層を二酸化鉛と硫酸鉛の6合物で構
成する場合、半導体層中の二酸化鉛の含量が10重量%
以上100重耐量未満の範囲内であり、好ましくは二酸
化鉛10〜95重量%に対し硫酸鉛90〜5重量%とい
う広笥囲の組成で良好なコンデンサ性能を維持・発現す
ることができるが、とりわけ、二酸化鉛20〜50重量
%に対し硫酸鉛80〜50重固%、さらには二酸化鉛2
5〜35重量%に対し硫酸鉛75〜65虫皐%の範囲で
、漏れ電流値と損失係数値のバランスがとりわけ良好で
ある。二酸化鉛が10重計%未満であると、導電性が悪
くなるため損失係数賄が大ぎくなり、また容■が充分発
現しない。二酸化鉛が100重量%になると、漏れ電流
値が大きくなり、コンデンサ作製後の後化成もしくはエ
ージング等に多多の時間を要しコスト的に不利である。
二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする半導体層は、例えば鉛
イオン及び過硫酸イオンを含んだ水溶液を反応母液とし
て、化学的析出によって形成することができる。
イオン及び過硫酸イオンを含んだ水溶液を反応母液とし
て、化学的析出によって形成することができる。
反応母液中の鉛イオンの濃度は0.1モル/lから飽和
溶解度を与える濃度まで、好ましくは0.5モル/lか
ら飽和溶解度を与える濃度までの範囲内である。鉛イオ
ンの濃度が飽和溶解度を与える濃度より高い場合には、
増重添加によるメリットが認められない。また鉛イオン
の濃度が0.1モル/lより低い場合には、反応母液中
の鉛イオン濃度が薄すぎるため塗布回数を多くしなけれ
ばならないという難点がある。
溶解度を与える濃度まで、好ましくは0.5モル/lか
ら飽和溶解度を与える濃度までの範囲内である。鉛イオ
ンの濃度が飽和溶解度を与える濃度より高い場合には、
増重添加によるメリットが認められない。また鉛イオン
の濃度が0.1モル/lより低い場合には、反応母液中
の鉛イオン濃度が薄すぎるため塗布回数を多くしなけれ
ばならないという難点がある。
一方、反応母液中の過l1ill酸イオン濃度は、鉛イ
オンに対してモル比で0.05から5の範囲内である。
オンに対してモル比で0.05から5の範囲内である。
過硫酸イオンの濃度が鉛イオンに対してモル比で5より
多いと、未反応の過硫酸イオンが残るためコスト高とな
り、また過硫酸イオンの濃度が鉛イオンに対してモル比
で0.05より少ないと、未反応の鉛イオンが残り電導
性が悪くなるので好ましくない。
多いと、未反応の過硫酸イオンが残るためコスト高とな
り、また過硫酸イオンの濃度が鉛イオンに対してモル比
で0.05より少ないと、未反応の鉛イオンが残り電導
性が悪くなるので好ましくない。
本発明においては、反応母液中に過硫酸イオンを含まな
い他の酸化剤を配合してもよい。酸化剤の配合量は、作
製したコンデンサの漏れ電流値と損失係数値をバランス
よく保つため、予備実験によって決定される。
い他の酸化剤を配合してもよい。酸化剤の配合量は、作
製したコンデンサの漏れ電流値と損失係数値をバランス
よく保つため、予備実験によって決定される。
鉛イオン種を与える化合物の代表例としては、クエン酸
鉛、過塩素酸鉛、硝酸鉛、酢酸鉛、塩基性酢酸鉛、塩素
酸鉛、リードサルファメイト、六フッ化ケイ素鉛、臭素
酸鉛、塩化鉛、臭化鉛等ががあげられる。これらの鉛イ
オン種を与える化合物は2種以上混合して使用してもよ
い。一方、過硫酸イオン種を与える化合物の代表例とし
て過硫酸カリ、過硫酸ナトリウム、過Ta酸アンモニウ
ム等があげられる。これらの過硫酸イオン種を与える化
合物は、2種以上混合して使用してもよい。
鉛、過塩素酸鉛、硝酸鉛、酢酸鉛、塩基性酢酸鉛、塩素
酸鉛、リードサルファメイト、六フッ化ケイ素鉛、臭素
酸鉛、塩化鉛、臭化鉛等ががあげられる。これらの鉛イ
オン種を与える化合物は2種以上混合して使用してもよ
い。一方、過硫酸イオン種を与える化合物の代表例とし
て過硫酸カリ、過硫酸ナトリウム、過Ta酸アンモニウ
ム等があげられる。これらの過硫酸イオン種を与える化
合物は、2種以上混合して使用してもよい。
酸化剤としては、例えば過酸化水素、次亜塩素酸カルシ
ウム、亜塩素酸カルシウム、塩素酸カルシウム、過塩素
酸カルシウムなどがあげられる。
ウム、亜塩素酸カルシウム、塩素酸カルシウム、過塩素
酸カルシウムなどがあげられる。
かくして陽極弁金属基体上に誘導体酸化物層、半導体層
を形成した積層体を渦巻状に成形するには、従来の°市
解液を使用した電解コンデンサに使用される陰陽両極箔
から成る巻回素子を作製する方法を応用して前述した積
層体のみを巻回する等の方法が用いられ、例えば第1図
に示した様に積層体1を渦巻状とする。巻き数、巻き径
、巻きピッチ等は各所望により決めることができ、特に
制限はない。
を形成した積層体を渦巻状に成形するには、従来の°市
解液を使用した電解コンデンサに使用される陰陽両極箔
から成る巻回素子を作製する方法を応用して前述した積
層体のみを巻回する等の方法が用いられ、例えば第1図
に示した様に積層体1を渦巻状とする。巻き数、巻き径
、巻きピッチ等は各所望により決めることができ、特に
制限はない。
半導体層を形成した積層体を渦巻状に成形した後、導電
体層を設層する。導電体層は、例えば導電ペーストの固
化、メッキ、金属蒸着、耐熱性のl樹脂フィルムの形成
等により設層することができる。導電ペーストとしては
、銀ペースト、銅ペースト、アルミニウムペースト、カ
ーボンペースト、ニッケルペースト等が好ましいが、こ
れらは1種を用いても2種以上を用いてもよい。2種以
上を用いる場合、混合して設層してもよく、また別々の
層として重ねてもよい。導電ペーストを適用した後、空
気中に放置するか、または加熱して固化せしめる。
体層を設層する。導電体層は、例えば導電ペーストの固
化、メッキ、金属蒸着、耐熱性のl樹脂フィルムの形成
等により設層することができる。導電ペーストとしては
、銀ペースト、銅ペースト、アルミニウムペースト、カ
ーボンペースト、ニッケルペースト等が好ましいが、こ
れらは1種を用いても2種以上を用いてもよい。2種以
上を用いる場合、混合して設層してもよく、また別々の
層として重ねてもよい。導電ペーストを適用した後、空
気中に放置するか、または加熱して固化せしめる。
なお、巻回した際、酸化物層にクラックが生じた場合な
どに、当業界で公知の方法でもって再化成、あるいはエ
ージング等を行うことができる。
どに、当業界で公知の方法でもって再化成、あるいはエ
ージング等を行うことができる。
メッキとしては銀メッキ、ニッケルメッキ、銅メッキ等
があげられる。また、蒸着金属としてはアルミニウム、
ニッケル、銀、銅等があげられる。
があげられる。また、蒸着金属としてはアルミニウム、
ニッケル、銀、銅等があげられる。
陰極端子は、導電体層上に例えば導電ペーストを使用し
て取付けるか、また(よ、導電ペーストが固化した後に
、その上にハンダ付けする方法等が採用できる。
て取付けるか、また(よ、導電ペーストが固化した後に
、その上にハンダ付けする方法等が採用できる。
以上のように構成された本発明の巻回型固体電解コンデ
ンサは、例えば樹脂モールド、樹脂ケース、金属製の外
装ケース、樹脂のディッピング、ラミネートフィルムに
よる外装などの外装により各種用途の汎用コンデンサ製
品とすることができる。
ンサは、例えば樹脂モールド、樹脂ケース、金属製の外
装ケース、樹脂のディッピング、ラミネートフィルムに
よる外装などの外装により各種用途の汎用コンデンサ製
品とすることができる。
[実施例]
以下、実施例、比較例を示して、本発明を説明する。な
お、各側の巻回型固体電解コンデンサの特性値を第1表
に示した。
お、各側の巻回型固体電解コンデンサの特性値を第1表
に示した。
実施例1
長さ8α、巾0.60のアルミニウム箔を陽極とし、交
流により箔の表面を電気化学的にエツチング処理した。
流により箔の表面を電気化学的にエツチング処理した。
後、エツチングアルミ箔に陽極端子をかしめ付けし、ホ
ウ酸とホウ酸アンモニウムの水溶液中で電気化学的に処
理してアルミナ誘電体層を形成し、低圧用エツチングア
ルミ化成箔(約3.Ou F/10i)を得た。
ウ酸とホウ酸アンモニウムの水溶液中で電気化学的に処
理してアルミナ誘電体層を形成し、低圧用エツチングア
ルミ化成箔(約3.Ou F/10i)を得た。
次いで酢酸鉛三水和物の3.8モル/l水溶液と過硫酸
アンモニウムの4.4モル/l水溶液を混合して反応母
液をつくり、この反応母液に上記のエツチングアルミニ
ウム化成箔のgA8ifi1子以外の部分を浸漬し、8
0’Cで20分放置した。誘電体居士に析出した半導体
層を水で充分洗浄して未反応物を除いた後、100℃で
1時間減圧乾燥した。生成した半導体層は、二酸化鉛と
硫酸鉛から成り、二酸化鉛が約25ffiffi%含ま
れることを質2分析、X線分析、赤外分光分析より確認
した。
アンモニウムの4.4モル/l水溶液を混合して反応母
液をつくり、この反応母液に上記のエツチングアルミニ
ウム化成箔のgA8ifi1子以外の部分を浸漬し、8
0’Cで20分放置した。誘電体居士に析出した半導体
層を水で充分洗浄して未反応物を除いた後、100℃で
1時間減圧乾燥した。生成した半導体層は、二酸化鉛と
硫酸鉛から成り、二酸化鉛が約25ffiffi%含ま
れることを質2分析、X線分析、赤外分光分析より確認
した。
続いて1qられた積層体を渦巻状に巻きあげた後銀ペー
スト浴に浸漬し銀ペースト上に陰極端子を取付け、10
0℃で1時間乾燥した。さらに樹脂封口して巻回型固体
電解コンデンサを作製した。
スト浴に浸漬し銀ペースト上に陰極端子を取付け、10
0℃で1時間乾燥した。さらに樹脂封口して巻回型固体
電解コンデンサを作製した。
実施例2
実施例1で半導体層形成の際の過硫酸アンモニウムの濃
度を1.0モル/lにした以外は、実施例1と同様にし
て巻回型固体電解コンデンサを作製した。このときの半
導体層は、二酸化鉛と硫酸鉛から成る組成物であって、
二酸化鉛が約40重量%含まれることを確認した。
度を1.0モル/lにした以外は、実施例1と同様にし
て巻回型固体電解コンデンサを作製した。このときの半
導体層は、二酸化鉛と硫酸鉛から成る組成物であって、
二酸化鉛が約40重量%含まれることを確認した。
実施例3
実施例1で半導体層形成の際の反応母液に、さらに過酸
化水素水を0.1モル/l加えた以外は、実施例1と同
様にして巻回型固体電解コンデンサを作製した。このと
きの半導体層は、二酸化鉛と硫酸鉛から成る組成物であ
って、二酸化鉛が約60重量%含まれることを確認した
。
化水素水を0.1モル/l加えた以外は、実施例1と同
様にして巻回型固体電解コンデンサを作製した。このと
きの半導体層は、二酸化鉛と硫酸鉛から成る組成物であ
って、二酸化鉛が約60重量%含まれることを確認した
。
実施例4
実施例1で半導体層形成の際の反応母液に、ざらに過酸
化水素水を0.25モル/l加えた以外は、実施例1と
同様にして巻回型固体電解コンデンサを作製した。この
ときの半導体層は、二酸化鉛と硫酸鉛から成る組成物で
あって、二酸化鉛が約82重量%含まれることを確認し
た。
化水素水を0.25モル/l加えた以外は、実施例1と
同様にして巻回型固体電解コンデンサを作製した。この
ときの半導体層は、二酸化鉛と硫酸鉛から成る組成物で
あって、二酸化鉛が約82重量%含まれることを確認し
た。
比較例1
実施例1と同様なエツチングアルミ化成箔を使用し、当
業界で公知の方法により電解液を用いた電解コンデンサ
を作製した。即ち、端子が各々付いたgA極箔(IuI
上エツチングアルミ化成箔)、陰極箔及びセパレーター
から成る素子を渦巻き状に巻きあげた後、この巻回素子
にエチレングリコール−アジピン酸アンモニウム系の電
解液を含浸させアルミニウム類の外装ケース内に素子を
収納し開口部をゴム製の封口体で閉じて巻回型電解コン
デンサを作製した。
業界で公知の方法により電解液を用いた電解コンデンサ
を作製した。即ち、端子が各々付いたgA極箔(IuI
上エツチングアルミ化成箔)、陰極箔及びセパレーター
から成る素子を渦巻き状に巻きあげた後、この巻回素子
にエチレングリコール−アジピン酸アンモニウム系の電
解液を含浸させアルミニウム類の外装ケース内に素子を
収納し開口部をゴム製の封口体で閉じて巻回型電解コン
デンサを作製した。
比較例2
実施例1と同様なエツチングアルミ化成箔を使用し、特
開昭58−17609号公報に記載されている方法に従
ってTCNQ塩を半導体層とした固体電解コンデンサを
作製した。即ち、アルミニウム類の外装ケース内にイソ
プロピルイソキノリンとTCNQの錯塩を入れ加熱融解
させた。次いで、端子が各々付いた陽極箔、陰極箔及び
セパレーターから成る巻回素子を、あらかじめ予熱して
おいて前記した融解した状態のTCNQ錯体中に含浸さ
せすばやく冷却固化させた。開口部をゴム製の封口体で
閉じて巻回型電解コンデンサを作製した。
開昭58−17609号公報に記載されている方法に従
ってTCNQ塩を半導体層とした固体電解コンデンサを
作製した。即ち、アルミニウム類の外装ケース内にイソ
プロピルイソキノリンとTCNQの錯塩を入れ加熱融解
させた。次いで、端子が各々付いた陽極箔、陰極箔及び
セパレーターから成る巻回素子を、あらかじめ予熱して
おいて前記した融解した状態のTCNQ錯体中に含浸さ
せすばやく冷却固化させた。開口部をゴム製の封口体で
閉じて巻回型電解コンデンサを作製した。
比較例3
実施例1で酢酸鉛三水和物3.8モル/」水溶液の代り
にクエン酸鉛の0.6モル/l水溶液を使用し、過硫酸
アンモニウムの濃度を460モル/lにした反応母液を
使用した以外は、実施例1と同様にして巻回型固体電解
コンデンサを作製した。このときの半導体層は、二酸化
鉛とIa酸鉛から成る組成物であって、二酸化鉛が約4
型缶%Sまれることを確認した。
にクエン酸鉛の0.6モル/l水溶液を使用し、過硫酸
アンモニウムの濃度を460モル/lにした反応母液を
使用した以外は、実施例1と同様にして巻回型固体電解
コンデンサを作製した。このときの半導体層は、二酸化
鉛とIa酸鉛から成る組成物であって、二酸化鉛が約4
型缶%Sまれることを確認した。
第1表
但り、(a)−δは120H2での値、(b)漏れ電流
は20Vでの値、 (C)コンデンサの大きさは、比較例1を1とした相対
比較値、である。
は20Vでの値、 (C)コンデンサの大きさは、比較例1を1とした相対
比較値、である。
[発明の効果]
以上述べたように本発明の方法によって得られる巻回型
固体電解コンデンサは、従来の巻回型電解コンデンサに
比べ、さらに小型、小容積化が可能でしかもコンデンサ
性能も良好である。
固体電解コンデンサは、従来の巻回型電解コンデンサに
比べ、さらに小型、小容積化が可能でしかもコンデンサ
性能も良好である。
第1図は本発明による巻回型固体電解コンデンサを示す
概略図である。 1・・・・・・V4層体、2・・・・・・陽極端子、3
・・・・・・陰極端子。
概略図である。 1・・・・・・V4層体、2・・・・・・陽極端子、3
・・・・・・陰極端子。
Claims (5)
- (1)表面に誘電体酸化物層を有する陽極弁金属基体の
前記誘電体酸化物層上に、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分と
する半導体層を形成させて積層体を作製し、次いで該積
層体を渦巻状に巻回した後、導電体層を形成することを
特徴とする巻回型固体電解コンデンサの製造方法。 - (2)誘電体酸化物層が、陽極弁金属の酸化物で構成さ
れる特許請求の範囲第1項記載の巻回型固体電解コンデ
ンサの製造方法。 - (3)二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする半導体層が、鉛
イオン及び過硫酸イオンを含む反応母液から化学的に析
出された層である特許請求の範囲第1項または第2項記
載の巻回型固体電解コンデンサの製造方法。 - (4)反応母液中の鉛イオンの濃度が0.1モル/lか
ら飽和溶解度を与える濃度までの範囲であり、かつ過硫
酸イオンが鉛イオン1モルに対して0.05モルから5
モルまでの範囲である特許請求の範囲第3項記載の巻回
型固体電解コンデンサの製造方法。 - (5)半導体層中に二酸化鉛が10重量%以上100重
量%未満の範囲で含まれる特許請求の範囲第1項記載の
巻回型固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17105986A JPH0648673B2 (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 巻回型固体電解コンデンサの製造方法 |
DE87304262T DE3787119T2 (de) | 1986-05-20 | 1987-05-13 | Elektrolytischer Kondensator des Wickeltyps. |
EP19920111509 EP0509560A3 (en) | 1986-05-20 | 1987-05-13 | Roll type solid electrolytic capacitor |
EP19900121262 EP0421487A3 (en) | 1986-05-20 | 1987-05-13 | Solid electrolytic capacitor |
EP87304262A EP0247759B1 (en) | 1986-05-20 | 1987-05-13 | Roll type solid electrolytic capacitor |
US07/051,787 US4888666A (en) | 1986-05-20 | 1987-05-20 | Roll type solid electrolytic capacitor |
KR1019870005008A KR900008434B1 (ko) | 1986-05-20 | 1987-05-20 | 롤형 고체전해콘덴서 및 이의 제조방법 |
CN87103667A CN1012236B (zh) | 1986-05-20 | 1987-05-20 | 卷绕型固体电解电容器 |
US07/372,174 US4889536A (en) | 1986-05-20 | 1989-06-27 | Roll type solid electrolyte capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17105986A JPH0648673B2 (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 巻回型固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6328026A true JPS6328026A (ja) | 1988-02-05 |
JPH0648673B2 JPH0648673B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=15916302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17105986A Expired - Fee Related JPH0648673B2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-07-21 | 巻回型固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0648673B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08131B2 (ja) * | 1993-03-05 | 1996-01-10 | 新田ゼラチン株式会社 | 止血用パッド |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP17105986A patent/JPH0648673B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0648673B2 (ja) | 1994-06-22 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |