JPS63276684A - 薄膜電磁変換器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） この発明は例えばＩＣカードシステムにおいて、Ｉｃカ
ードに内蔵された半導体メモリから出力される電気信号
を、ＩＣカード内部で磁気信号に変換することにより、
上記半導体メモリの記憶情報を磁気ヘッドを用いた読取
り装置で読取れるようにした薄膜電磁変換器に関する。

（従来の技術） ＩＣカードシステムにおいては、ＩＣカードに内蔵され
た半導体メモリの記憶情報を読出す場合、読取り装置に
設けられた電気的端子とＩＣカードに設けられた電気的
端子とを機械的に接続するようになっている。しかし、
このような構成では、ＩＣカードの使用回数や使用環境
等により、接点の信頼性が悪（なるという問題がある。

この問題を解決するものとして、電気信号を一旦磁気信
号に変換し、非接触で信号を伝達する方法が提案されて
いる。従来、この方法として、ＩＣカードにスパイラル
コイルを設け、これを読取り装置に設けたスパイラルコ
イルに対向配置することにより、ＩＣカードから記憶情
報を読取る方法が実用化されていた。

しかし、このような方法の場合、今までの磁気カードシ
ステムで使われていた読取り装置では、記憶情報を読取
ることができず、専用の読取り装置を設けなければなら
ないという問題があつ゛た。

すなわち、磁気カーリシススムの読取り装置を使っ−た
′ｉ合、第４図に示すように、読取りｉ置に設けら４る
磁気”ラド１１よＩＣ１−ドに設置１ら４るスパイラル
コイル２のコイル面（言替えれば、ＩＣカードの基板面
）に対向配置される。これにより、スパイラルコイル２
から発生すφ磁束は、磁気ヘッド１のコア１’ａ’、Ｉ
ｂの両方に流れる。

その結果、磁気ヘッド１のコイル３に互いに逆方向の磁
束が同時に発生し、コイル３を貫く磁束は、正味零とな
り、読取りが不可能となるわけである。

（発明が解゛決しようとする・問題点″）　・　　、″
以上述べ゛たよう゛に、従来、ＩＣ・カードに内蔵ＩＣ
カード内部で磁気信号に変換するこ°とにより一１′磁
気ヘッドを用いた読取り装置で半導体メモリの記憶情報
を読取るようにしたＩＣカードシステムでは、磁気カー
ドシステムで使用されている読取り装置を使うことがで
きなかった。

この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、例えば
ＩＣカードシステムに適用した場合、磁気カードシステ
ムの読取り装置の使用を可能とし、かつ、萬効率な記録
情報の読取りを実現し得ることができる薄膜電磁変換器
を提供することを目的とす・る。

［発明の構成コ く問題点を解決するため手段） この発明は基板上に穂膜技術を用いて形成されるもので
、互いに蓬回りに複数回巻かれて併設゛　され、電“気
的に接続された一対のスパイラルコイルと、こめスパオ
）ルコイルに通電するための引出し線と、この引出し線
を外部回路に接続するためのボンンディングバッドとを
備えた薄膜電磁変換器であつソ、前記−石のスパイラル
コイルの電気的接続部近傍を前ｉ己扇出し線近傍に比し
て突出させて形成したものであ２る。

９　　−　　（作、用、＞　　　１．’、、ニー。

上記構成によれば、電気的接続部近傍を突出させた一対
のスパイラルコイルが互いに逆向きに巻かれているので
、磁気ヘッドをスパイラルコイルの電気的接続部近傍に
対向配置することにより、磁気ヘッドのコイ゛ルに逆方
向の磁束が同時に流れるのを妨げたうえで、スパイラル
コイルから発生する磁界強度の増加が図り得る。従って
、上記磁、気ヘツ？ドにより、記憶情報の高効率な読取
りが可能となる。　　　− １（実施例） 以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。

第１図（≠この１発明の一実施例に係る薄膜電磁変換器
を示すもので、図中１０は基板である。この基板１０の
一方の面にはその略ヰ央部に突出部１１が形成され１、
その突出部を含む一方面には一対のスパイラルコイル１
２．．１３が周知の薄膜技術によって形成される。この
スパイラルコイル１２、：１３は、互いに逆方向に複数
回巻かれて併設されて、相互が電気的に接続されてお、
す、その電気的接続部近傍の各一方部１，２ａ、１３ａ
が基板１０の容出部１１上に形成され、その各他方部、
１２ｂ、、１．３ｂが基板１０の平面状、部←すれずれ
形成される。　　　。

各スパイラルコイル１２．１３には引′出し線１４．１
５の一端が接続され、この引出し線１４゜１５の他端に
はそれぞれボンデ？ングパ長ド１ｄ。

１７が接続される。このポンディングパッド１７゜１８
は、図示しない外部回路、′例えばζ半導体メモリから
記憶情報を読出す回路に接続されている。

なお、引出し線１４．１５によるスパイラルコイル１２
．’１３とポンディングパッド１’６．’ｌアの接続に
は、例えば多層配線技術を用いることにより実現される
。□　′ 上記構成においては、スパイラルコイル１２゜１３に電
流を流すと、各スパイラルコイル１２゜１３の中心付近
に基板面（コイル面）から外向きに発生する磁界が逆向
きになる。例えば第２図に示すように、一方のスパイラ
ルコイル１２から下向きの磁束が発生すると、他方のス
パイラルコイル・１３からは上向きの磁束が発生する。

したがって、これら２つのスパイラルコイル１２，１３
の各一方部１．２ａ、１３ａに磁気ヘッド１８を基板１
０の突出部１１に対向するように配置すると、例えば、
一方から発生した磁束は該突出部１１を通って他方のス
パイラルコイル１３に至る。そして、このスパイク、ル
コイル１３により、該コイル１３側に位置する磁気ヘッ
ド１８のコア１８ｂを通って、一方のスパイラルコイル
１２側に位置するコア１８ａに至り、このコア１８ａか
ら一方のスパイラルコイル１２に戻る。この場合、スパ
イラルコイル１２．１３に流れる電流が交流電流であれ
ば、磁束が時間的に変化し、磁気ヘッド１８のコイル１
９に誘導起電力が生じる。

このように、上記薄膜電磁変換器は、スパイラルコイル
１２．１３が互いに逆回りに巻かれているため、磁気ヘ
ッド１８をスパイラルコイル１２゜１３の中間に位置決
めすることにより、磁気ヘッド１８のコイル１９に互い
に打消しあう方向の磁束が同時に流れることはない。し
たがって、第１図の構成の薄膜電磁変換器をＩＣカード
システムの電磁変換に適用した場合、読取り装置に磁気
カードシステムの読取り装置を用いることができる。

また、スパイクコイル１２．１３の各−右部１２ａ、１
３ａを基板の突出部に形成したことにより、該スパイラ
ルコイル１２．１３はその一右部１２ａ、Ｌ３ａにおい
て、第３図（ａ）に示すように供給電流に応じた強度の
強い磁界Ａを得ると、他方部の１２ｂ、１３ｂで弱い逆
相磁界Ｂ。

Ｃを得る。したがって、磁界分布は第３図（ｂ）に示す
ように、磁界Ａが弱い逆相磁界Ｂ、Ｃを打消して、磁界
Ａと略同様の強度を有した磁界りが得られ、上記磁気カ
ードシステムの読取り装置による高効率な読取りが可能
となる。また、これにより、上記磁気ヘッドとスパイラ
ルコイル１２゜１３の位置決め精度の簡略化が図り得る
ために、その取扱い性の向上も実現できる。

なお、上記実施例では、基板１０に突出部１１を形成し
て、この突出部１１にスパイラルコイル１２．１３の各
−右部１２ａ、１３ａを配置することにより、その他方
部１２ｂ、ｉ３ｂより突出して配置するように構成した
が、これに限ることなく、例えばスパイラルコイル１２
．１３の各−右部１２ａ、１３ａを各他方部１２ｂ、１
３ｂに比して膜厚に形成することにより、−右部１２ａ
。

１３ａの突出量を多く構成しても略同様の効果を期待で
きる。

よって、この発明は、上記実施例に限ることなく、その
他、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実
施し得ることはいうまでもないことである。

［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明によれば、例えばＩＣカ
ードシステムに適用した場合、磁気カードシステムの読
取り装置の使用を可能とし、かつ、高効率な記録情報の
読取りを実現し得るようにした薄膜電磁変換器を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係る薄膜電磁変換器を示
す斜視図、第２図は第１図の動作を説明するために示し
た断面図、第３図は第１図の動作特性を示す図、第４図
は従来の問題を説明するために示した斜視図である。 １０・・・基板、１１突出部、１２．１３川スパイラル
コイル、１２ａ、１３ａ−・・−右部、１２ｂ。 １３ｂ・・・他方部、１４．１５・・・引出し線、１６
゜１７・・・ポンディングパッド、１８・・・磁気ヘッ
ド、１８ａ、１８ｂ・・・コア、１９・・・コイル。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 １２．１３久ぺ４フル］イル （ａ） （ｂ） 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板上に薄膜技術を用いて形成されるもので、互いに
   逆回りに複数回巻かれて併設され、電気的に接続された
   一対のスパイラルコイルと、このスパイラルコイルに通
   電するための引出し線と、この引出し線を外部回路に接
   続するためのボンディングパツドとを備えた薄膜電磁変
   換器であつて、前記一対のスパイラルコイルの電気的接
   続部近傍が前記引出し線近傍に比して突出して形成され
   ていることを特徴とする薄膜電磁変換器。