JPS63276598A - 薄膜電磁変換器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、例えばＩＣカードシステムにおいて、ＩＣ
カードに内蔵された半導体メモリから出力される電気信
号をＩＣカード内部で磁気信号に変換することにより、
上記半導体メモリの記憶情報を磁気ヘッドを用いた読取
り装置で読取れるようにした薄膜電磁変換器に関する。

（従来の技術） ＩＣカードシステムにおいては、ＩＣカードに内蔵され
た半導体メモリの記憶情報を読出す場合、読取り装置に
設けられた電気的端子とＩＣカードに設けられた電気的
端子を機械的に接続するようになっている。しかし、こ
のような構成では、ＩＣカードの使用回数や使用環境等
により、接点の信頼性が悪くなるという問題がある。

この問題を解決するものとして、電気信号を一旦磁気信
号に変換し、非接触で信号を伝達する方法が提案されて
いる。この方法として、従来はＩＣカードにスパイラル
コイルを設け、これを読取り装置に設けたスパイラルコ
イルに対向配置することにより、ＩＣカードから記憶情
報を読取る方法が実用化されていた ところが、このような方法の場合、在来の磁気カードシ
ステムで使われていた読取り装置では、記憶情報を読取
ることができず、専用の読取り装置を設けなければなら
ないという問題があった。

すなわち、磁気カードシステムの読取り装置を使った場
合、第４図に示すように、読取り装置に設けられる磁気
ヘッド１はＩＣカードに設けられるスパイラルコイル２
のコイル面（言替えれば、ＩＣカードの基板面）に対向
配置される。これにより、スパイラルコイル２から発生
する磁束は、磁気ヘッド１のコア１ａ、１ｂの両方に流
れる。

この結果、磁気ヘッド１のコア１ａ、１ｂに互いに逆方
向の磁束が同時に発生し、コイル３を貫く磁束は、正味
零となり、読取りが不可能となる。

そこで、スパイラルコイル２の最外周の外に対して磁気
ヘッド１を対向配置することにより、そのコア１ａ、１
ｂに互いに逆方向の磁束が同時に発生するのを防止する
ことが考えられる。これによれば、磁気ヘッド１のコア
１ａ、１ｂには、スパイラルコイル２で発生した非対称
な磁束が流れて、そのコイル３を貫く磁束が零とならな
いので、読取りが可能どなる。しかし、この方法では、
スパイラルコイル２で発生する磁束の一部しか用いない
こととなるため、その変換効率が非常に悪く、実使用が
困難であった。

（発明が解決しようとする問題点） 以上述べたように、従来、ＩＣカードに内蔵された半導
体メモリから出力される電気信号をＩＣカード内部で磁
気信号に変換することにより、磁気ヘッドを用いた読取
り装置で半導体メモリの記憶情報を読取るようにしたＩ
Ｃカードシステムでは、磁気カードシステムにおける読
取り装置の使用が困難であった。

この発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、例え
ばＩＣカードシステムに適用した場合、磁気カードシス
テムの読取り装置の使用を可能とし、かつ、高レベルの
読取り出力を得ることができる薄膜電磁変換器を提供す
ることを目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） この発明は、互いに逆回りに複数回巻かれて併設され、
電気的に相互接続された一対のスパイラルコイル及び該
スパイラルコイルに通電する引出し線及び該引出し線を
外部回路に接続するためのボンディングパッドを薄膜形
成技術を用いて形成してなる可撓性を有した絶縁基板と
、この絶縁基板の一方面に接合される磁性体板とを備え
たものである。

（作用） 上記構成によれば、磁気ヘッドは一対のスパイラルコイ
ルから発生する磁束が逆相となるため、そのコア内にお
ける磁束の打消し合いがなくなり、高レベルな出力が可
能となる。また、スパイラルコイルに対して磁性体板を
極限まで近接することができるため、磁束が効率的に発
生する。従って、磁気ヘッドはその出力が向上されて、
高精度な読取りが可能となる。

（実施例） 以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。

第１図はこの発明に係る薄膜電磁変換器を示すもので、
図中１０は例えばポリイミド等をフィルム状に形成した
可撓性を有した絶縁基板である。

この絶縁性基板１０の一方面には第２図（ａ）に示すよ
うに、互いに逆向きに複数回、巻回された一対のスパイ
ラルコイル１１．１２が薄膜形成技術を用いて所定の間
隔を有して形成される。このスパイラルコイル１１．１
２は、相互間が電気的に接続されており、その上面部に
は、第２図（ｂ）に示すように、有機物等の絶縁膜１３
が積層されてスルーホール１４．１５が形成される。そ
して、上記絶縁膜１３上には、第２図（Ｃ）に示すよう
に、薄膜形成技術を用いて上記スルーホール１４゜１５
に接続される通電用の引出し線１６．１７及び外部回路
接続用のボンディングパッド１８゜１９が形成された後
、そのボンディングパッド１８．１９以外の部分には、
第３図に示すように、絶縁性を有した保護膜２０が積層
される。また、上記絶縁基板１０の他方面にはパーマロ
イ、フェライト等の磁性体板２１が例えば有機接着剤を
用いて接合される。

上記構成においては、スパイラルコイル１１゜１２に電
流が流れると、各スパイラルコイル１１゜１２の中心付
近に基板面（コイル面）から外向きに発生する磁界が逆
向きとなる。例えば、第３図に示すように、一方のスパ
イラルコイル１１から下向きの磁束が発生すると、他方
のスパイラルコイル１２からは、上向きの磁束が発生す
る。従って、スパイラルコイル１コ、１２の中間に磁気
ヘッド２２を基板面に対向配置すると、例えば、一方の
スパイラルコイル１１から発生した磁束は、磁性体板２
１を通って他方のスパイラルコイル１２に至る。このス
パイラルコイル１２により、該コイル１２に位置する磁
気ヘッド２２のコア２２ａを通って、一方のスパイラル
コイル１１側に位置するコア２２ｂに至り、このコア２
２ｂから一方のスパイラルコイル１１に戻る。これによ
り、スパイラルコイル１１に流れる電流が交流電流であ
れば、磁束が時間的に変化し、磁気ヘッド２２のコイル
２３に誘導起電力が生じ、ここに、記憶情報の伝達が行
なわれる。

なお、第３図中２４は、図示しないＩＣカードの半導体
メモリに接続される配線である。

このように、上記薄膜電子変換器は一方面に磁性体板２
１を接合してなる絶縁基板１０に対して互いに逆回りに
巻かれたスパイラルコイル１１゜１２を設け、磁気ヘッ
ド２２をスパイラルコイル１１．１２の中間部に対向配
置するように構成したことにより、磁気ヘッド２２のコ
ア２２ａ。

２２ｂに互いに打消し合う方向の磁束が同時に発生する
ことが確実に防止できる。従って、上記薄膜電磁変換器
はＩＣカードシステムの電磁変換に適用した場合におい
ても、在来の磁気カードシステムの読取り装置を用いて
も高精度な読取りが可能となる。

また、上記薄膜電磁変換器はスパイラルコイル１１．１
２を絶縁基板１０に設け、この絶縁基板１０に対して磁
性体板２１を接合するように構成したことにより、絶縁
基板１０の薄形化を図り得るので、スパイラルコイル１
１．１２と磁性体板を近接配置することができる。従っ
て、スパイラルコイル１１．１２は効率的に磁束を発生
することができ、可及的に磁気ヘッド２２の出力の向上
が実現され、記憶情報の高精度な読取りが可能となる。

さらに、スパイラルコイル１１．１２等を薄膜形成して
なる絶縁基板１０に対して磁性体板２１を別体に形成し
て接合するように構成したことにより、その製作が極め
て容易に実現でき、しかも量産化に好適する。

なお、この発明は上記実施例に限ることなく、その他、
この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し
得ることはいうよでもないことである。

［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明によれば、例えばＩＣカ
ードシステムに適用した場合、磁気カードシステムの読
取り装置の使用を可能とし、かつ、高レベルの読取り出
力を得ることができる薄膜電磁変換器を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係る薄膜電磁変換器を示
す斜視図、第２図は第１図の製造工程を示す図、第３図
は第１図の動作を説明するために示した図、第４図は従
来の問題点を説明するために示した図である。 １０・・・絶縁基板、１１．１２・・・スパイラルコイ
ル、１３・・・絶縁膜、１４．１５・・・スルーホール
、１６．１７・・・引出し線、１８．１９・・・ボンデ
ィングパッド、２０・・・保護膜、２１・・・磁性体板
、２２・・・磁気ヘッド、２２ａ、２２ｂ・・・コア、
２３・・・配線。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 互いに逆回りに複数回巻かれて併設され、電気的に相互
   接続された一対のスパイラルコイル及び該スパイラルコ
   イルに通電する引出し線及び該引出し線を外部回路に接
   続すためのボンディングパッドを薄膜形成技術を用いて
   形成してなる可撓性を有した絶縁基板と、この絶縁基板
   の一方面に接合される磁性体板とを具備したことを特徴
   とする薄膜電磁変換器。