JPS63242595A - 薄膜電磁変換器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は例えばＩＣカードシステムにおいて、ＩＣカ
ードに内蔵された半導体メモリから出力される電気信号
を、ＩＣカード内部で磁気信号に変換することにより、
上記半導体メモリの記憶情報を磁気ヘッドを用いた読取
り装置で読取れるようにした薄膜電磁変換器に関する。

（従来の技術） ＩＣカードシステムにおいては、ＩＣカードに内蔵され
た半導体メモリの記憶情報を読出す場合、読取り装置に
設けられた電気的端子とＩＣカードに設けられた電気的
端子とを機械的に接続するようになっている。しかし、
このような構成では、ＩＣカードの使用回数や使用環境
等により、接点の信頼性が悪くなるという問題がある。

この問題を解決するものとして、電気信号を一日磁気信
号に変換し、非接触で信号を伝達する方法が提案されて
いる。従来、この方法として、ＩＣカードにスパイラル
コイルを設け、これを読取り装置に設けたスパイラルコ
イルに対向配置することにより、ＩＣカードから記憶情
報を読取る方法が実用化されていた。

しかし、このような方法の場合、今までの磁気カードシ
ステムで使われていた読取り装置では、記ｍｔｇ報を読
取ることができず、専用の読取り装置を設けなければな
らないという問題があった。

すなわら、磁気カードシステムの読取り装置を使った場
合、第６図に示すように、読取り装置に設けられる磁気
ヘッド１はＩＣカードに設けられるスパイラルコイル２
のコイル面（言替えれば、ＩＣカードの基板面）に対向
配置される。これにより、スパイラルコイル２から発生
する磁束は、磁気ヘッド１のコア１ａ、ｌｂの両方に流
れる。

その結果、磁気ヘッド１のコイル３に互いに逆方向の磁
束が同時に発生し、コイル３を貫く磁束は、正味０とな
り、読取りが不可能となるわけである。

（発明が解決しようとする問題点） 以上述べたように、従来、Ｉｃカードに内蔵された半導
体メモリから出力される電気信号をＩＣＣカード内部部
磁気信号に変換することにより、磁気ヘッドを用いた読
取り装置で半導体メモリの記憶情報を読取るようにした
ＩＣカードシステムでは、磁気カードシステムで使用さ
れている読取り装置を使うことができなかった。

この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、例えば
ＩＣカードシステムに適用した場合、磁気カードシステ
ムの読取り装置の使用を可能とし、かつ高レベルの読取
り出力を得ることができる薄膜電磁変換器を提供するこ
とを目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するため手段） この発明は高透磁率部及び非磁性体部を有した基板と、
この基板に薄膜技術を用いて形成されるもので、互いに
逆回りに複数回巻かれて併設され、電気的に接続される
接続部近傍が前記高透磁率部に形成された一対のスパイ
ラルコイルと、このスパイラルコイルに通電するための
引出し線と、この引出し線を外部回路に接続するための
ンディングバッドとを備えたことを特徴とする。

（作用） 上記構成により、一対のスパイラルコイルに対向された
磁気ヘッドの該スパイラルコイルに互いに逆方向の磁束
が同時に流れるのを防止したうえで、その高透磁率部に
より高レベルの読取り出力が増加されて出力される。

（実施例） 以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。

第１図はこの発明の一実施例に係る薄膜電磁変換器を示
すもので、図中１０は例えば非磁性材で形成され、その
略中間部に高透磁率材で形成した高透磁率部１１が設け
られた基板である。この基板１０の一方の面には一対の
スパイラルコイル１２．１３が周知のＩＷＡ技術によっ
て絶縁１１１４を介して形成される。このスパイラルコ
イル１２゜１３は互いに逆方向に複数回巻かれて併設さ
れて、相互が電気的に接続されており、その電気的接続
部近傍が上記高透磁率部１１上に形成される。

各スパイラルコイル１２．１３には引出し線１５．１６
の一端が接続され、この引出し線１５゜１６の他端には
それぞれボンディングパッド１７゜１８が接続される。

このボンディングパッド１７゜１８は、図示しない外部
回路、例えば、半導体メモリから記憶情報を読出す回路
に接続されている。′なお、引出し線１５．１６による
スパイラルコイル１２．１３とボンディングパッド１７
．１８の接続には、例えば多層配線技術を用いることに
より実現される。

上記構成においては、スパイラルコイル１２゜１３に電
流を流すと、各スパイラルコイル１２゜１３の中心付近
に基板面（コイル面）から外向きに発生する磁界が逆向
きになる。例えば第２図に示すように、一方のスパイラ
ルコイル１２から下向きの磁束が発生すると、他方のス
パイラルコイル１３からは上向きの磁束が発生する。し
たがって、これら２つのスパイラルコイル１２．１３の
中間に磁気ヘッド１９を基板面に対向するように配置す
ると、例えば、一方から発生した磁束は高透磁率部１１
を通って他方のスパイラルコイル１３に至る。そして、
このスパイラルコイル１３により、該コイル１３側に位
置する磁気ヘッド１９のコア１９１を通って、一方のス
パイラルコイル１２側に位置するコア１９２に至り、こ
のコア１９２から一方のスパイラルコイル１２に戻る。

この場合、スパイラルコイル１２．１３に流れる電流が
交流電流であれば、磁束が時ｒ１的に変化し、磁気ヘッ
ド１９のコイル２０に誘導起電力が生じる。

このように、上記薄膜電磁変換器は、スパイラルコイル
１２．１３が互いに逆回りに巻かれているため、磁気ヘ
ッド１９をスパイラルコイル１２゜１３の中間に位置決
めすることにより、磁気ヘッド１８のコイル２０に互い
に打消しあう方向の磁束が同時に流れることはない。し
たがって、第１図の構成の薄ｍ電磁変換器をＩＣカード
システムの電磁変換に適用した場合、読取り装置に磁気
カードシステムの読取り装置を用いることができる。

また、スパイラコイル１２．１３の電気的接続部近傍を
基板１０の高透磁率部１１に形成したことにより、その
磁束量は各スパイラルコイル１２゜１３の高透磁率部１
１において、増加され、その非磁性体部Ａ、Ｂにおいて
ほとんど変化することがない。したがって、出力分布は
第３図（ａ）に示すように、非磁性体部のＡ、Ｂ部分で
逆向き電流による逆相出力部が相対的に小さくなり、高
透磁率部１１の出力分布への相殺作用が削減され、全体
が第３図（ｂ）に示す如く効率的に増加されて出力され
、しかも、その分布も広がり、上記磁気カードシステム
の読取り装置による正確な読取りを可能にせしめる。

なお、上記実施例では、非磁性材で形成した基板１０の
中間部に高透磁率部１１を配置してなるいわゆる混合基
板を用いて構成したが、この発明はこれに限ることなく
、例えば第４図及び第５図に示すように構成することも
可能で、同様の効果を期待できる。

第４図は非磁性材の基板１０ａに高透磁率膜を形成し、
所定部をパターンニングして高透磁率部１１ａを形成し
たものである。

第５図は高透磁率材で形成した基板２１に溝を所定の間
隔を有して形成し、この溝に非磁性材を埋設して非磁性
体部２２．２３及び高透磁率部を形成したものである。

よって、この発明は上記実施例に限ることなく、その他
、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施
し得ることはいうまでもないことである。

［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明によれば、例えばＩＣカ
ードシステムに適用した場合、磁気カードシステムの読
取り装置の使用を可能とし、かつ高レベルの読取り出り
を得ることができる薄膜電磁変換器を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係る薄膜電磁変換器を示
す斜視図、第２図は第１図の動作を説明するために示し
た図、第３図は第１図の動作特１０．１０８．２１・・
・基板、１１．１１ａ・・・高透磁率部、１２．１３・
・・スパイラルコイル、１４・・・絶縁層、１５．１６
・・・ボンディングパッド、１７．１８・・・ボンディ
ングパッド、１９・・・磁気ヘッド、１９１．１９２・
・・コア、２０・・・コイル、２２．２３・・・非磁性
体部。 第２図 （ａ） 雇 入 ｉ扉 （ｂ） 第３図 第４図 第５図 第６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　高透磁率部及び非磁性体部を有した基板と、この基板
   に薄膜技術を用いて形成されるもので、互いに逆回りに
   複数回巻かれて併設され、電気的に接続される接続部近
   傍が前記高透磁率部に形成された一対のスパイラルコイ
   ルと、このスパイラルコイルに通電するための引出し線
   と、この引出し線を外部回路に接続するためのボンディ
   ングパッドとを具備したことを特徴とする薄膜電磁変換
   器。