JPH03232207A - 非接触型icカードシステム - Google Patents

非接触型icカードシステム

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JPH03232207A
JPH03232207A JP2094948A JP9494890A JPH03232207A JP H03232207 A JPH03232207 A JP H03232207A JP 2094948 A JP2094948 A JP 2094948A JP 9494890 A JP9494890 A JP 9494890A JP H03232207 A JPH03232207 A JP H03232207A
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coil
thin film
card
coils
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Masaharu Mizuta
水田 正治
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は、汚れやほこりの多い環境に強い非接触型I
Cカード、特にコイルを使用する電磁誘導方式のものに
関するものである。
[従来の技術] ここては、ICカードのうち、この発明の効果の大きい
、8ビツト(N = 8 )のデータをパラレル転送す
るICメモリカードについて説明する。
ICメモリカード(以下ICカードとする)は電子情報
通信学会編、オーム社発行のrICカード」の第24頁
に述べられているように、端末装置との結合方法により
、(1)多ビン方式と(2)非接触方式に分類される。
多ピン方式は、8ビツトもしくは16ビツトのパラレル
データ転送により、ICカードと端末装置との間のデー
タの受は渡しができ、現在、約200nsec (ナノ
秒)の高速の読み出し/書き込みが可能である。非接触
方式は、接触部がないことから、接触による種々のトラ
ブルを回避することができ、さらに完全密閉構造のため
にFA(ファクトリ・オートメーション)などの使用環
境の悪い場所での使用が可能である。非接触方式は、以
下に示すような多ビン方式のICカードの結合方式上の
間圧を解決する手段としてメリットが大きい。
(1) コネクタ端子から入る静電気に起因する内部デ
ータの変化あるいは内部ICの破壊(2)端子の接触不
良に起因するデータの誤りおよび送受信が不可能になる
こと (3)端子の変形(広がる)などによるカードと端末装
置との結合不能 (4) ピン数が多いことにより挿抜力が大となったり
イジェクタ機構が必要になること 非接触で電力の供給やデータの送受信を行う手段として
は、光、電磁誘導およびマイクロウェーブ等が考えられ
るが、現在実用化されている非接触のICカードでは、
カードとしての携帯性および消費電力、そして性能を考
慮して、電磁誘導方式が採用され、−aにシートコイル
方式と呼ばれている。
第13図は、従来のシートコイル方式のICカードの内
部部品の実装状態を示す概略図である。
図中、プリント基板(1)には、大型のシートコイル(
2)、3つの小型のシートコイル(3)、制御IC(4
)、メモリIC(5)およびバッテリ(6)が実装され
る。大型のシートコイル(2)は、端末装置からICカ
ードへの電力およびタロツク信号を受けるコイルである
(以下電力用コイルとする)。小型シートコイル(3)
は、例えばデータ受信用コイル(3a)、データ送信用
コイル(3b)および命令信号受信用コイル(3c)の
3つのコイルからなる。
これらのシートコイル(2)(3)は従来のプリント基
板パターン(特に図示せず)を形成するのと同様の方法
により形成されている。メモリIC(5)はデータを記
憶するためのICであり、また制御IC(4)はシート
コイル(3C)で受けた命令信号に基づいて、メモリI
C(5)のデータの読み出しあるいは書き込みの制御を
行うためのICである。
バッテリ(6)はメモリIC(5)内のデータを保持す
るための内蔵バッテリである。また、第14図は第13
図のICカードの電気的接続を示すブロック図である。
電力用コイル(2)から得られた信号の一部はクロック
信号線(7)を介してタロツク信号として制御IC(4
)に供給され、また整流回路(8)で整流されたものは
、制御IC(4)およびメモリIC(5)に直流電力(
9)として供給される。
2つのダイオード(10)は、整流回路(8)およびバ
ッテリ(6)からの直流電流の電源側への逆流を防止す
る。受信データ線(11)は受信用コイルく3a)から
の受信データを制御IC(4)へ導く。送信データ線(
12)は制御IC(4)からの送信データを送信用コイ
ル(3b)へ導く。命令信号線(13)は命令信号受信
用コイル(3c)から得られた。′d令倍信号制御IC
(4)へ導く。カードとこのカードと結合する端末装置
(図示せず)との間の信号の受は渡しは全てシリアル信
号で行われる。制御IC(4)とメモリIC(5)との
間のデータの受は渡しは、制御IC(4)がシリアルデ
ータとパラレルデータとの変換機能を有したものであれ
ば、シリアルデータが8ビツトのパラレルデータに変換
され、8ビツトのデータバス(14〉によって行われる
。また、端末装置側にも当然ながら、シートコイル(2
)(3)と同様のシートコイル(共に図示せず)が設け
られており、カードが端末装置に結合された時に、カー
ド側の各シートコイルと近接して対向するような位置に
設けられている。端末装置側のシートコイルの電磁誘導
によってICカード側の各シートコイルに生じる誘導電
流は微分波形のものである。第14図の各信号線(7)
(11)(12)(13)には小容量のコンデンサ(図
示せず)が付加されており、微分波形の誘導電流を積分
し、制御IC(4)が取り扱える信号に変換される。な
お、この種のICカードは通常、第14図に示す他に幾
つかの制御信号線、アドレス線等を含むが、詳細な説明
は省略する。
第13図および第14図に示す従来のシートコイル(2
)(3)は上述したように、プリント基板ノ<ターンと
同様な方法で形成される。すなわち、メ・ンキ等により
基板上に銅箔を形成し、@箔の層を残す部分、すなわち
−筆パターンのスパイラル状のコイル巻線となる部分に
レジストをかけて工・ノチングを行い、その後、レジス
トを除去する。これらのシートコイルの寸法は、例えば
電力用コイル(2)が大型で直径が約20mm (巻数
は20タ一ン程度)、受信用コイル(3a)および送信
用コイル(3b)、並びに命令信号受信用コイル(3C
)は共に小型で直径が約10mm(巻数は5タ一ン程度
)である。
また、この電磁誘導結合の非接触型ICカードは上述の
ようにシリアルデータ転送と行う。そのデータ転送速度
は500Kb己/ 5ec(2μsec/bit)で、
他の非接触方式に比べて高速であるが、8ビットのデー
タをパラレルに転送するバイト転送に変換すると、約6
0K byte/ 5ec(1611sec/byte
)となり、パラレル転送が基本の多ビン方式のICカー
ドの5 M byte/ 5ee(200nsec/b
yte)と比べるとかなり遅く、数百にバイトの大容量
ICカードのデータの送受信には不適当である。
また、第15図は第13図に示したシートコイルの1つ
を拡大した平面図、第16図の(a)はICカードが端
末装置とずれることなく結合された場合の、ICカード
側と端末装置側の対向するシートコイルが電磁誘導結合
した時の磁力線を示した透視側面図、(b)は双方のシ
ートコイルが少しずれた位置で電磁誘導結合した時の磁
力線を示した透視側面図である。第15図に示すように
コイル巻線(18)の両端には電気的接続を行うための
パッドもしくはランド(20)が設けられる。そして第
16図の(a)に示すように、ICカードが端末装置に
ずれることなく置かれると、端末装置側のシートコイル
(22)によって生成された磁力線(26)の殆どが、
近接して対向するICカード側のシートコイル(24)
eM交し、「レンツの法則」に基づいて誘導電流がシー
トコイル(24)に発生し、信号が非接触で伝搬される
。しかし第16図の(b)のように、ICカードが端末
装置にずれて置かれると、端末装置のシートコイル(2
2)で生成された磁力線(26)の例えば3/4しかI
Cカード側のシートコイル(24)と鎖交しないことに
なり、シートコイル(24)に発生する誘導起電力は3
 y′4に減り、従って誘導電流も3/4に減り、非接
触によるデータ伝搬力の結合度、信頼性が低下する。
[発明が解決しようとする課題] 従来の電磁誘導型の非接触型ICカードは以上のように
構成されていたが、非接触で信号を伝達するためのシー
トコイルがプリント基板上の広い面積を占有するため、
多くのメモリICをプリント基板上に実装する大容量I
Cカードの開発の障害になっていた。また、より高速の
データ転送を行うために、現状のシリアルデータ転送を
例えば8ビツトデータを同時にパラレルに転送するパラ
レルデータ転送にするには、さらに多くのコイルと並べ
て設ける尼・要があるため、パラレルデータ転送を行う
ことは困難であった。さらに、端末装置とICカード間
の位置ずれにより、電磁誘導の結合度が容易に低下して
しまい、対向する側のシートコイルに誘起される電流の
大きさが変化し、安定した一定の電流が得られないため
に、端末装置とICカードとの間のデータ転送のデータ
の信頼性が低下するという問題点もあった。従来の非接
触型ICカードには以上のような課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、データ転送用のコイルをより小形かつ薄形にし
て、コイルのプリント基板上の占有面積を小さくすると
共に、端末装置とICカードとの間でパラレルデータ転
送を行い、より高速でかつ信頼性の高いデータ転送を行
う、電磁誘導方式の非接触型ICカードを得ることを目
的とする。
「課題を解決するための手段] 上記の目的に鑑み、この発明は、電磁誘導方式による非
接触型ICカードであって、ICカードのデータの読み
出しおよび書き込みを行う端末装置と対向して近接する
上記ICカード上の位置に、1段もしくは複数段に積層
されたスパイラル状の導電性パターンを絶縁ベース上に
薄膜技術によって形成した薄膜コイルをN個並べて設け
、端末装置との間でデータのNビットのパラレルデータ
転送を行う非接触型ICカードにある。
さらにこの発明の別の実施例では、N個の薄膜コイルを
それぞれ薄膜技術によって形成されたボットコアを設け
た薄膜ポットコア・コイルとして形成した。
さらにこの発明の別の実施例では、N個の薄膜ポットコ
ア・コイルの隣接するコイルの間にそれぞれ、薄膜技術
によって形成された磁力線を遮るためのシールド壁を設
けた。
さらにこの発明の別の実施例では、薄膜ポットコア・コ
イルおよびシールド壁を絶縁材て′外装モールドして1
つのコイルモジュールとして形成した。
[作用] この発明に係る非接触型ICカードでは、1段もしくは
複数段に積層されたスパイラル状の導電性パターンを絶
縁ベース上に薄膜技術によって形成した薄膜コイルをN
個並べて設け、端末装置との間でNビットのパラレルデ
ータ転送を行い、データ転送の高速化を図った。さらに
この発明の別の実施例では、N個のコイルを、コイル巻
線をボットコア内に形成する薄膜技術によって形成され
る薄膜ボツI・コア・コイルとし、ICカードと端末装
置に位置ずれがあっても磁力線の漏れがないようにし、
信号の安定化を図った。さらにこの発明の別の実施例で
は、N個の薄膜ボットコア コイルの隣接するコイルの
間にそれぞれ、薄膜技術によって形成された磁力線を遮
るためのシールド壁を設け、端末装置側あるいはICカ
ード側のそれぞれの側て隣接するコイル同士の干渉の防
止し、これにより高密度でコイルを配置できるようにし
た。さらにこの発明の別の実施例では、薄膜ボットコア
 コイルおよびシールド壁を絶縁材で外装モールドして
1つのコイルモジュールとして形成し、取り扱いを簡単
にした。
[実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例による非接触型ICカードの内
部部品の実装状態を示す概略図であり、例えばN=8ビ
ットのパラレルデータ転送を行うものを示す。第13図
に示す従来のものと同一符号で示された部分は同一また
は相当部分を示す。薄膜コイルモジユールく15)は、
8ビツトのパラレルデータ転送を行うための8個のデー
タ送受信用薄膜コイル(15a)〜(15h)、および
命令信号を受信するための命令信号受信用薄膜コイル(
15i)の合計9個のコイルを3×3に配列し、これを
絶縁材で外装モールドしたモジュールである。
これらの9(lIiIの薄膜コイル(15a)〜(15
i)は、薄膜コイルモジュール(15)として一体にま
とめて形成されても、あるいはそれぞれ個別に形成され
たものでもよい。また各コイル(15a)〜(15i)
の配列も第1図のに示すものに限られず、実装スペース
に合わせて適当な配列にすればよい。制御IC(41)
は8ビツトのパラレルデータの送受信を制御できる制御
ICである。また第2図は第1図のICカードの電気的
接続を示すブロック図である。
薄膜コイル(15a)〜(15h)および送受信用デー
タ線(16a)〜(16h)は、8ビツトのパラレルデ
ータの受信と送信の双方向の転送が可能なように共用さ
れる。制御IC(41)は命令信号線(13)から受信
した命令がデータの書き込み命令かあるいは読み出し命
令かを判断し、これに従って8ビツトパラレルデータの
双方行′M御を行う。制(Ic(41)の入力段には、
例えば、汎用ゲートIC“’74HC245゛もしくは
これと同等の機能を有するものを使用すればよい。
第3図および第4図は第1図に示した薄膜コイルモジュ
ール(15)内の1つのコイル素子を拡大して示したも
のである。第3図は1層のスパイラル状コイル巻線を有
する薄膜コイル、第4図は積層されたスパイラル状コイ
ル巻線を有する薄膜コイルを示すもので、それぞれ(a
月産側面断面図、(b)は上方から見たコイル巻線だけ
を示した平面図である。第3図および第4図の薄膜コイ
ルは例えば、現在、固定ハードディスクで用いられてい
る薄膜磁気ヘツド用の薄膜コイルの製造技術(以下薄膜
技術とする)によって形成される。なお、コイル巻線(
18)の両端には、回路との接続を行うパッド(20)
も形成される。現在の薄膜技術を使用すれば、48ター
ンのスパイラル状コイルを縦横0.:’−0,3mm、
厚さ0.01mmのサイズで作ることが可能である。こ
こでは10ターンのスパイラル状コイルを縦横数ml1
1のサイズに作ればよいので、この薄膜技術によりコイ
ルを形成すれば、複数個のコイルを並べても従来のもの
より占有面積が小さいものを形成することが可能である
次の式は、インダクタンス設計で用いられるインダクタ
ンスとコイル巻線の巻数、内径および外径の長さの関係
を示す。
L=20.32a2n”/(6a + 10 c)[n
ll]但し a ldo”d+)/4  C□(do−
d+)/2d、=外径(lJIII)d□−内径(pm
)  n−巻数すなわち、スパイラル状ローイルのイン
ダクタンスは、巻数と外径が大きく、内径を外径とをで
きるだけ等しくすると大きくなる。従って、限られたプ
リント基板の面積内に、ある程度のインダクタンスを持
つスパイラル状コイルを数多く準備するためには、内径
を外径に近付けて、その狭い間にできるだけファインピ
ッチのスパイラルパターンを数多く形成することである
。従来のように、プリント基板上の銅箔をエツチングし
てコイル巻線を形成する方法では、エツチングパターン
およびパターン間隔は約10011111が限界である
が、薄膜技術では数μmでも可能であり、かつ非常に薄
く積層することもでき、その結果、薄膜コイルの直径は
小さくできて、その分、プリント基板上の薄膜コイルを
実装する面積を小さくできる。
第5図に薄膜技術による薄膜コイルの製造方法の工程を
示し、これについて簡単に説明しておく。
まず、(a)に示す絶縁ベース(17)の上面全面に(
b)に示すように銅下地スパッタを施し、絶縁ベース(
17)の全面に薄さ0.II程度の銅下地層(]8a)
を形成する。次に、(c)に示すようにフォトレジスト
パターニングによって、コイル巻線(18)を形成しな
い部分をレジスト(18b)で覆う。ずなわちレジスト
(18b)のパターンはコイルパターンと逆のパターン
となる0次に(d)に示すように銅コイルパターンメツ
キを施し、コイル巻線(18)の部分の表面にメツキ部
(18c)を形成する。このメツキ部(18c)の1さ
は2〜411I11程度である。次に、(e)に示すよ
うにレジスト(18b)の除去およびスパッタエツチン
グにより銅下地層(18a)の不要な部分を取り去り、
これにより絶縁ベース(17)上にコイル巻線(18)
が形成される。そして(f)に示すようにこれにコイル
巻線(18)を絶縁層(1つ)で覆う。これはフォトレ
ジスト絶縁層形成、焼成の工程により行われる。
また第6図に示すように、この発明のICカード(10
0)が挿入く結合)される端末装置!(50)のコネク
タ(50a)内にも、同様の構造の薄膜コイルモジュー
ル(但し各コイルの配置がICカード側の対応するコイ
ルと対向するようになっているもの)が設けられること
はいうまでもない、このコネクタ(50a>内に設けら
れるコイルモジュールは、ICカード(100)がコネ
クタ(50a)内に挿入された時に、rcカード(10
0)のコイル部分(150a)と近接して対向するコイ
ル部分(150b)に設けられる。
この薄膜コイルを使う電磁誘導方式による非接触型IC
カードのデータ転送速度は、8ビツトのデータをパラレ
ルに送受信するので、500K byte/ 5ee(
2μsee/byte)になり、従来のビットシリアル
型に比べて8倍高速化される。接触型の多ピン方式に比
べると1桁遅いが、ICカードおよび端末装置が完全密
閉構造にできるため、悪影響下のFA分野でも使用可能
であるというメリットがある。また、コイルの占有面積
が小さくなったこと、およびデータの転送速度が早くな
ったことによって、第1図および第2図に示すようにメ
モリIC(5)の数を増加させ、メモリ容量を増大させ
るのも容易となる。
また、カードと端末装置が、ずれて結合された場合にお
いても、より安定した電磁誘導結合が得られるように、
薄膜コイルモジュールの各薄膜コイルをボットコアを設
けたコイルにしてもよい。
第7図はこのようなポットコア・コイルの外装モ−ルド
されるされる前の1つを拡大して示した斜視図である。
また第8図の(a)はICカードが端末装置にずれるこ
となく結合した場合の、ICカード側と端末装置側の双
方の対向するボットコアコイルが電磁誘導結合した時の
磁力線を示した側面透視図、(b)はICカードと端末
装置に位置ずれが生じて、双方のポットコア・コイルが
少しずれた位置で電磁誘導結合した時の磁力線を示した
側面透視図である。第7図に示すように、絶縁ベース(
35)上に形成されるボットコア コイル(30)のボ
ットコア(33)は、コイル巻線(31)の中心部、外
周部および底部を囲む、断面がE型形状になるものであ
る。ボットコア(33)の外周部の一部には、コイル巻
線(31)の両端をボットコア(33)の外部に引き出
すためのギャップ部分(33d)が形成される。また、
コイル巻線(31)の表面は絶縁層(34)で覆われ、
さらにコイル巻線(31)の両端にはパッド(32)が
取り付けられている。このポットコア・コイル(30)
も上述した薄膜技術により形成される。従って各ボット
コアコイル、さらにはこのポットコア・コイルを複数個
まとめて収納したコイルモジュール全体の大きさも従来
のものに比べてかなり小ざく形成することができる。な
おポットコア・コイルの製造工程に関しては後述する。
このようなポットコア・コイルを使用したICカードの
場合、第8図の(a)に示すように、ICカードが端末
装置にずれることなく結合され、双方のポットコア・コ
イル(30a)(30b)の中心が一致した場合は当然
ながら、第8図の(b)のように、ICカードが端末装
置にずれて結合された場合においても、例えば端末装置
側のポットコア・コイル(30a)で生成された磁力1
t(38)の殆どは、より磁気抵抗の小さい磁路である
、近接して対抗するICカード側のボットコア コイル
(30b)のボットコアに集結する。従って、磁束漏れ
が少なく、ボットコア コイル(30b)のコイル巻線
(31)に、同図(a)と同様の一定した電磁誘導電流
が発生する。このように、コイル巻線の中心部、外周部
およびこれら企接続する底部を、フェライト等の比透磁
率の高い材料でできたコアにより囲む構造のポットコア
・コイルを使用すれば、端末装置とICカードの位置ず
れてデータ転送に不具合が生じることがなくなる。また
、ボットコアにフェライト等の比透磁率が高い材料を使
用するため、従来のプリント基板上に形成されるシート
コイルと比較して、より少ない巻数、短い直径および小
さいコイル電流で同等の電磁誘導電流を発生させること
が可能である。
さらに、上記のようにICカード側および端末装置側で
それぞれ複数個のコイルを隣接して並べた場合、端末装
置とICカード間の対向するコイル間ではなく、例えば
同じICカード内の隣接するコイル間で磁力線が相互に
漏れる、いわゆる干渉が発生してデータを正しく送受信
てきなくなる可能性かある。そこて、隣接するボットコ
ア コイルの間にシールド壁を設けてもよい。第9図は
シールド壁を設けたボットコア・コ、イルのモジュール
の一部の、外装モールドされる前の状態を示す斜視図、
第10図はシールド壁含設けたそれぞれICカード側と
端末装置側のボットコア コイルが電磁結合した際の磁
力線を示す側面透視図である。このように、端末装置側
のポットコア・コイル(30a)によって発生された磁
力線(38)は殆ど対向するICカード側のポットコア
・コイル(3ob)と鎖交する。ICカード側のポット
コア・コイル(30b)の外周部から発生される磁力線
(38)の漏れ磁力線は、シールド壁(39〉に当って
その内部においてエネルギ損失され、隣のボットコアコ
イルまたは対向する端末装置の別の組のポットコア・コ
イルに到達する可能性は非常に少ない。
従って、隣接するコイル同士の干渉を防止でき、かつコ
イルを狭い間隔で高密度に実装でき、ひいてはコイル部
分の占有面積を小さくできる。このシールド壁(39)
は、アルミ等の導電性の材料で形成され、コアより高く
またコアの外周部の数分の1の幅を有するものであれば
よい。そして、ボットコア、コイル巻線、絶縁層と同様
に薄膜技術により形成すればよい。
次に、第11図および第12図を使ってポットコア・コ
イルの製造工程について説明する。第11図はポットコ
ア・コイルを真上から見た平面図、第12図は側面断面
図である。まず、両図の工程(a)においては、ガラス
あるいはセラミック等からなる絶縁ベース(サブストレ
ート)(35)上に磁性体材料(好ましくはフェライト
あるいはパーマロイ等の強磁性体材料)を円形にパター
ンメツキして、ボットコア底部(33a)を形成する。
但し、コイル巻線(31)を外部に引き出すためのギャ
ップ部分(33d)を設けている。次に(b)工程では
、ドーナツ状にフォトレジスト絶縁層(34a)を形成
し、焼成処理を行う。次に(c)工程では、パターンメ
ツキによりスパイラル状の導電性パターン、例えば銅コ
イルを生成してコイル巻線く31)およびその一端にパ
ッド(32)を形成する。このコイル巻線(31)の製
造方法は第5図に従って説明したものと同様である。次
に(d)工程では、コイル巻線(31)の内側端を除い
て、(b)工程と同様に図示のようにドーナツ状にフォ
トレジスト絶縁層(34b)を形成し焼成処理を行う。
次に(e)工程ては、(C)工程と同様にパターンメツ
キによりコイル巻線(31)の内側端からの引き出し線
(31a)およびパッド(32)を形成する。そして(
f)工程では、(a)工程と同様に強磁性体材料を中心
部と外周部にパターンメツキして、ボットコア中心部(
33b)およびボットコア外周部(33c)を形成する
。さらにシールド壁(39)を設ける場合には、(g)
工程で、アルミ等の導電性材料を蒸着もしくはスパッタ
リングすることによりシールド壁(3つ)を形成する。
このようにして形成された1個あるいは複数個のポット
コア・コイル(30)およびシールド壁(3つ)は全体
を絶縁材料で外装モールドされ、例えば第1図に示すT
l’flAコイルモジュール(15)の形て使用される
。また、上記実施例ではポットコア・コイル中のコイル
巻線は1段のスパイラル状のパターンであったが、複数
段に積層したスパイラル状のパターン(第4図参照)に
してもよい。
この場合の製造工程は、例えば工程(b)から工程(d
)を複数回繰り返し、その際コイル巻線が一筆パターン
になるようにコイル巻線の両端を接続していくようにす
ればよい。
以上のような薄膜技術によりボ・ントコア・コイルを形
成すれば、1つ1つのボ・ントコア・コイルが1形、小
形に形成することが可能となり、ひいてはこのポットコ
ア・コイルを複数個収納した薄膜コイルモジュールも薄
形、小形に形成することができる。
また、このポットコア・コイルは薄形、小形に形成でき
るため、0.76mm厚みのISO仕様のICマイコン
カードにおいて実施することも可能であり、ICマイコ
ンカードを非接触形に容易にできる。
また、上記実施例では8ビツトデータをパラレル転送す
る場合について述べたが、これに限定されることな・<
、実装面積を考慮してN個(Nは正の整数)のデータ送
受信用コイルを設ければ、Nビ・ソトデータのパラレル
転送が可能となることは言うまでもない。
また、メモリIc(5)としてはデータ保持用の!<・
Iテリ(6〉を必要とする揮発性のRA Mを図示した
が、バッテリ(6)を必要としない不揮発性ROMであ
ってもよ(、同様な効果を奏する。
し発明の効果] 以上のようにこの発明によれば、電磁誘導方式の非接触
型ICカードにおいて、小形で薄い薄膜コイルを形成し
、この薄膜コイルをN個並べて設け、Nビット(実施例
では8ビツト)のパラレルデータ転送を行うようにした
ので、従来のシリアルのデータ転送方式に比べてより高
速なデータ転送が可能になった。また、各薄膜コイルを
ボットコアを設けた構造にしたことにより、端末装置と
ICカードの間に位置ずれが生じても高い信頼性でデー
タ転送ができようになった。さらに、端末装置側あるい
はICカード側の隣接する薄膜コイルの間にシールド壁
を設けるようにしたので、隣接するコイル同士の干渉を
防止でき、かつコイルを狭い間隔で高密度に実装でき、
ひいてはコイル部分の占有面積を小さくできるようにな
った。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明による非接触型ICカードの内部部品
の実装状態を示す概略図、第2図は第1図のICカード
の電気的接続を示すブロック図、第3図は1層のスパイ
ラル状コイル巻線を有する薄膜コイルの側面断面図およ
び平面図、第4図は積層されたスパイラル状コイル巻線
を有する薄膜コイルの側面断面図および平面図、第5図
は第3図に示す薄膜コイルの製造工程を説明するための
図、第6図はこの発明によるICカードと端末装置との
関係を示す透視図、第7図はこの発明による1つのポッ
トコア・コイルを拡大した斜視図、第8図はICカード
側と端末装置側の双方の対向する1つのポットコア・コ
イルが電磁誘導結合した時に発生する磁力線を示した側
面透視図、第9図はこの発明によるポットコア・コイル
間にシールド壁を設けた状態を示す斜視図、第10図は
第9図に示すシールド壁を設けた場合のICカード側と
端末装置側の双方の対向するポットコア・コイルが電磁
誘導結合した時に発生する磁力線な示した側面透視図、
第11図および第12図はこの発明によるボットコア 
コ、イルの製造工程を説明するためのそれぞれ平面図お
よび断面図、第13図は従来のシートコイルを使用した
非接触型ICカードの内部部品の実装状態を示す概略図
、第14図は第13図のICカードの電気的接続を示す
ブロック図、第15図は第13図に示したシートコイル
の1つを拡大して示した平面図、第16図は従来のIC
カード側と端末装置側の対向するシートコイルが電磁誘
導結合した時に発生する磁力線を示した側面透視図であ
る。 図において、(1)はプリント基板、(2)は電力用コ
イル、(5)はメモリIC1(6)はバッテリ、(7)
はクロック信号線、(8)は整流回路、くっ)は直流電
力、(10)はダイオード、(13)は命令信号線、(
14)はデータバス、(15)は薄膜コイルモジュール
、(15a)〜(15h)はデータ送受信用薄膜コイル
、(15i)は面会信号受信用薄膜コイル、(16a)
〜(16h)は送受信データ線、(17)と(35)は
絶縁ベース、(18)と(31)はコイル巻線、(19
)と(34)は絶縁層、(20)と(32)はパッド、
(30)はポットコア・コイル、(33)はボットコア
、(38)は磁力線、(39)はシールド壁、(50)
は端末装置、(50a)はコネクタ、(100)はIC
カードである。 尚、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電磁誘導方式による非接触型ICカードであって
    、上記ICカードのデータの読み出しおよび書き込みを
    行う端末装置と対向して近接する上記ICカード上の位
    置に、1段もしくは複数段に積層されたスパイラル状の
    導電性パターンを絶縁ベース上に薄膜技術によって形成
    した薄膜コイルをN個並べて設け、上記端末装置との間
    で上記データのNビットのパラレルデータ転送を行う非
    接触型ICカード。
  2. (2)上記N個の薄膜コイルがそれぞれ薄膜技術によっ
    て形成されたポットコアを設けた薄膜ポットコア・コイ
    ルである特許請求の範囲第1項に記載の非接触型ICカ
    ード。
  3. (3)上記N個の薄膜ポットコア・コイルの隣接するコ
    イルの間にそれぞれ、上記薄膜技術によって形成された
    磁力線を遮るためのシールド壁を設けた特許請求の範囲
    第2項に記載の非接触型ICカード。
  4. (4)上記薄膜ポットコア・コイルおよびシールド壁を
    絶縁材で外装モールドして1つのコイルモジュールとし
    て形成した特許請求の範囲第3項に記載の非接触型IC
    カード。
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