JPS6357295A - 薄膜電磁変換器 - Google Patents
薄膜電磁変換器Info
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- JPS6357295A JPS6357295A JP61201729A JP20172986A JPS6357295A JP S6357295 A JPS6357295 A JP S6357295A JP 61201729 A JP61201729 A JP 61201729A JP 20172986 A JP20172986 A JP 20172986A JP S6357295 A JPS6357295 A JP S6357295A
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- spiral
- coil
- spiral coil
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- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 16
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 6
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
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- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、例えばＩＣカードシステムにおいて、ＩＣ
カードに内蔵された半導体メモリから出力される電気信
号を、ＩＣカード内部で磁気信号に変換することにより
、上記半導体メモリの記憶情報を磁気ヘッドを用いた読
取り装置で読取れるようにした薄膜電磁変換器に関する
。
カードに内蔵された半導体メモリから出力される電気信
号を、ＩＣカード内部で磁気信号に変換することにより
、上記半導体メモリの記憶情報を磁気ヘッドを用いた読
取り装置で読取れるようにした薄膜電磁変換器に関する
。
（従来の技術）
ＩＣカードシステムにおいては、ＩＣカードに内蔵され
た半導体メモリの記憶情報を読み出す場合、読取り装置
に設けられた電気的端子とＩＣカードに設けられた電気
的端子とを機械的に接続するようになっている。しかし
、このような構成では、ＩＣカードの使用回数や使用環
境等により、接点の信頼性が悪くなるという問題がある
。
た半導体メモリの記憶情報を読み出す場合、読取り装置
に設けられた電気的端子とＩＣカードに設けられた電気
的端子とを機械的に接続するようになっている。しかし
、このような構成では、ＩＣカードの使用回数や使用環
境等により、接点の信頼性が悪くなるという問題がある
。
この問題を解決するものとして、電気信号を一旦磁気信
号に変換し、非接触で信号を伝達する方法が提案されて
いる。従来は、この方法として、ＩＣカードにスパイラ
ルコイルを設け、これを読取り装置に設けられたスパイ
ラルコイルに対向配置することにより、ＩＣカードから
記憶情報を読取る方法が実用化されていた。
号に変換し、非接触で信号を伝達する方法が提案されて
いる。従来は、この方法として、ＩＣカードにスパイラ
ルコイルを設け、これを読取り装置に設けられたスパイ
ラルコイルに対向配置することにより、ＩＣカードから
記憶情報を読取る方法が実用化されていた。
しかし、このような方法の場合、今までの磁気カードシ
ステムで使われていた読取り装置では、記憶情報を読取
ることができず、専用の読取り装置を設けなければなら
ないという問題があった。
ステムで使われていた読取り装置では、記憶情報を読取
ることができず、専用の読取り装置を設けなければなら
ないという問題があった。
すなわち、磁気カードシステムの読取り装置を使った場
合、第５図に示すように、読取り装置に設けられる磁気
ヘッド１１は、ＩＣカードに設けられるスパイラルコイ
ル１２のコイル面（言替えれば、ＩＣカードの基板面）
に対向配置される。これにより、スパイラルコイル１２
から発生する磁束は、磁気ヘッド１１のコア１１１，１
１２の両方に流れる。その結果、磁気ヘッド１１のコイ
ル１１３に互いに逆向きの磁束が同時に発生し、コイル
１１３を貫く磁束は正味Ｏとなり、読取りが不可能にな
るわけである。
合、第５図に示すように、読取り装置に設けられる磁気
ヘッド１１は、ＩＣカードに設けられるスパイラルコイ
ル１２のコイル面（言替えれば、ＩＣカードの基板面）
に対向配置される。これにより、スパイラルコイル１２
から発生する磁束は、磁気ヘッド１１のコア１１１，１
１２の両方に流れる。その結果、磁気ヘッド１１のコイ
ル１１３に互いに逆向きの磁束が同時に発生し、コイル
１１３を貫く磁束は正味Ｏとなり、読取りが不可能にな
るわけである。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べたように、ＩＣカードに内蔵された半導体メモ
リから出力される電気信号をＩＣカード内部で磁気信号
に変換することにより、磁気ヘッドを用いた読取り装置
で半導体メモリの記憶情報を読み取れるようにしたＩＣ
カードシテムにおいては、従来、磁気カードシステムで
使われている読取り装置を使うことができないという問
題があった。
リから出力される電気信号をＩＣカード内部で磁気信号
に変換することにより、磁気ヘッドを用いた読取り装置
で半導体メモリの記憶情報を読み取れるようにしたＩＣ
カードシテムにおいては、従来、磁気カードシステムで
使われている読取り装置を使うことができないという問
題があった。
そこでこの発明は、例えば、ＩＣカードシステムに適用
した場合、磁気カードシステムの読取り装置の使用を可
能とし、しかも高レベルの読取り出力を得ることができ
るような薄膜電磁変換器を提供することを目的とする。
した場合、磁気カードシステムの読取り装置の使用を可
能とし、しかも高レベルの読取り出力を得ることができ
るような薄膜電磁変換器を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するためにこの発明は、互いに逆回りに
複数回巻かれて併置されるとともに電気的に接続される
ようにして、薄膜技術により非磁性基板上に形成された
一対のスパイラルコイルによって電気信号を磁気信号に
変換するとともに、上記スパイラルコイルから発生され
る磁束の磁気回路中に高透磁率材からなる高透磁率部を
配置するようにしたものである。
複数回巻かれて併置されるとともに電気的に接続される
ようにして、薄膜技術により非磁性基板上に形成された
一対のスパイラルコイルによって電気信号を磁気信号に
変換するとともに、上記スパイラルコイルから発生され
る磁束の磁気回路中に高透磁率材からなる高透磁率部を
配置するようにしたものである。
（作用）
上記構成によれば、一対のスパイラルコイルが互いに逆
向きに巻かれているので、磁気ヘッドを一対のスパイラ
ルコイルの中間において、コイル面に対向配置すること
により、磁気ヘッドのスパイラルコイルに互いに逆向き
の磁束が同時に流れるの防ぐことができる。したがって
、磁気ヘッドをコイル面に対向配置する構成でも記憶情
報の読取りが可能となる。また、磁気回路中に高透磁率
部が配置されるので、この磁気回路の磁気抵抗が小さい
。これにより磁束伝導効率が良く、高レベルの読み取り
出力を得ることができる。
向きに巻かれているので、磁気ヘッドを一対のスパイラ
ルコイルの中間において、コイル面に対向配置すること
により、磁気ヘッドのスパイラルコイルに互いに逆向き
の磁束が同時に流れるの防ぐことができる。したがって
、磁気ヘッドをコイル面に対向配置する構成でも記憶情
報の読取りが可能となる。また、磁気回路中に高透磁率
部が配置されるので、この磁気回路の磁気抵抗が小さい
。これにより磁束伝導効率が良く、高レベルの読み取り
出力を得ることができる。
（実施例）
第１図は一実施例の構成を示す斜視図である。
この第１図において、２１はガラス等によって作られる
非磁性基板である。この非磁性基板２１の一方の面上に
は、一対のスパイラルコイル２２．２３が薄膜技術によ
って形成されている。
非磁性基板である。この非磁性基板２１の一方の面上に
は、一対のスパイラルコイル２２．２３が薄膜技術によ
って形成されている。
スパイラルコイル２２．．２３は互いに逆回りに複数回
巻かれて併置されるとともに、電気的に接続されている
。
巻かれて併置されるとともに、電気的に接続されている
。
各スパイラルコイル２２．２３には引き出し線２４．２
５の一端が接続されている。これら引き出し線２４．２
５の他端は、それぞれポンディングパッド２６．２７に
接続されている。これらポンディングパッド２６．２７
は、外部回路、例えば、半導体メモリから記憶情報を読
み出す回路（図示せず）に接続されている。
５の一端が接続されている。これら引き出し線２４．２
５の他端は、それぞれポンディングパッド２６．２７に
接続されている。これらポンディングパッド２６．２７
は、外部回路、例えば、半導体メモリから記憶情報を読
み出す回路（図示せず）に接続されている。
なお、引き出し線２４．２５によるスパイラルコイル２
２．２３とポンディングパッド２６゜２７の接続には、
例えば、多層配線技術を用いればよい。
２．２３とポンディングパッド２６゜２７の接続には、
例えば、多層配線技術を用いればよい。
非磁性基板の他方の面には、軟磁性材によって形成され
る軟磁性薄板２８が積層されている。
る軟磁性薄板２８が積層されている。
上記構成においては、スパイラルコイル２２゜２３に電
流を流すと、各スパイラルコイル２２゜２３の中心付近
において、基板面（コイル面）から外向きに発生する磁
界は互いに逆向きになる。
流を流すと、各スパイラルコイル２２゜２３の中心付近
において、基板面（コイル面）から外向きに発生する磁
界は互いに逆向きになる。
例えば、第２図に示すように、スパイラルコイル６一
２２から下向きの磁束が発生するとすると、スパイラル
コイル２３からは上向きの磁束が発生する。
コイル２３からは上向きの磁束が発生する。
したがって、これら２つのスパイラルコイル２２゜２３
の中間に磁気ヘッド２９を基板面に対向するように配置
すると、例えば、スパイラルコイル２２から発生した磁
束は、軟磁性板２８を通ってスパイラルコイル２３に至
る。そしてこのスパイラルコイル２３よりこのコイル２
３側に位置するコア２９１を通ってスパイラルコイル２
２側に位置するコア２９２に至り、このコア２９２より
コイル２２に戻る。この場合、スパイラルコイル２２．
２３に流れる電流が交流電流であれば、磁束が時間的に
変化し、磁気ヘッド２９のコイル２９３に誘導起電力が
生じる。
の中間に磁気ヘッド２９を基板面に対向するように配置
すると、例えば、スパイラルコイル２２から発生した磁
束は、軟磁性板２８を通ってスパイラルコイル２３に至
る。そしてこのスパイラルコイル２３よりこのコイル２
３側に位置するコア２９１を通ってスパイラルコイル２
２側に位置するコア２９２に至り、このコア２９２より
コイル２２に戻る。この場合、スパイラルコイル２２．
２３に流れる電流が交流電流であれば、磁束が時間的に
変化し、磁気ヘッド２９のコイル２９３に誘導起電力が
生じる。
上記構成によれば、スパイラルコイル２２゜２３が互い
に逆回りに巻かれているため、磁気ヘッド２９をスパイ
ラルコイル２２．２３の中間に位置決めすることにより
、磁気ヘッド２９のコイル２９３に互いに打消しあう方
向の磁束が同時に流れることはない。したがって、第１
図の構成の薄膜電磁変換器をＩＣカードシステムの電磁
変換に適用した場合、読取り装置に磁気カードシステム
の読取り装置を用いることができる。
に逆回りに巻かれているため、磁気ヘッド２９をスパイ
ラルコイル２２．２３の中間に位置決めすることにより
、磁気ヘッド２９のコイル２９３に互いに打消しあう方
向の磁束が同時に流れることはない。したがって、第１
図の構成の薄膜電磁変換器をＩＣカードシステムの電磁
変換に適用した場合、読取り装置に磁気カードシステム
の読取り装置を用いることができる。
また、磁気回路中を通る磁束の量は、スパイラルコイル
２２．２３の起磁力に比例し、磁気回路の磁気抵抗に反
比例するが、この実施例では、磁気回路中に透磁率の高
い軟磁性薄板２８が配置されるので、上記磁気回路の磁
気抵抗が小さく、磁束伝導効率が良い。したがって、こ
の実施例では、磁気回路を流れる磁束の量を増やすこと
ができ、高レベルの読み取り出力を得ることができる。
２２．２３の起磁力に比例し、磁気回路の磁気抵抗に反
比例するが、この実施例では、磁気回路中に透磁率の高
い軟磁性薄板２８が配置されるので、上記磁気回路の磁
気抵抗が小さく、磁束伝導効率が良い。したがって、こ
の実施例では、磁気回路を流れる磁束の量を増やすこと
ができ、高レベルの読み取り出力を得ることができる。
第３図はこの発明の第２の実施例の構成を示す斜視図で
ある。なお、第３図において、先の第１図と同一部には
同一符号を付す。
ある。なお、第３図において、先の第１図と同一部には
同一符号を付す。
この実施例は磁気回路の磁気抵抗を小さくするための構
成が先の実施例と異なる。すなわち、非磁性基板２１の
一方の面には、例えば、Ｆｅ。
成が先の実施例と異なる。すなわち、非磁性基板２１の
一方の面には、例えば、Ｆｅ。
Ｎｉ等からなり、透磁率の高い磁性薄膜３１が、真空技
術等により形成されている。この磁性薄膜３１の上には
、絶縁膜３２を介して上記スパイラルコイル２２．２３
等が形成されている。
術等により形成されている。この磁性薄膜３１の上には
、絶縁膜３２を介して上記スパイラルコイル２２．２３
等が形成されている。
このような構成によれば、第４図に示すように、磁性薄
膜３２が磁気回路中に配置され、この磁気回路の磁気抵
抗を小さくするので、磁気回路中の磁束の増大を図るこ
とができる。
膜３２が磁気回路中に配置され、この磁気回路の磁気抵
抗を小さくするので、磁気回路中の磁束の増大を図るこ
とができる。
なお、磁気回路の磁気抵抗を小さくする方法としては、
他にも例えば基板２１自体を非磁性基板ではなく、磁性
基板とする構成にしてもよいことは勿論である。
他にも例えば基板２１自体を非磁性基板ではなく、磁性
基板とする構成にしてもよいことは勿論である。
以上この発明の実施例をいくつか説明したが、この発明
はこのような実施例の限定されるものではなく、他にも
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能な
ことは勿論である。
はこのような実施例の限定されるものではなく、他にも
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能な
ことは勿論である。
［発明の効果］
以上述べたようにこの発明によれば、磁気ヘッドをコイ
ル面に対向配置しながら情報を読み取ることができるの
で、半導体メモリの記憶情報を磁気的に読取るＩＣカー
ドシステムにおいて、磁気カードシステムの読取り装置
の使用を可能とすることができ、両システムの効率的な
利用を図ることができる。また、磁気回路の磁気抵抗を
小さくすることができるので、高レベルの読取り出力を
得ることができる。
ル面に対向配置しながら情報を読み取ることができるの
で、半導体メモリの記憶情報を磁気的に読取るＩＣカー
ドシステムにおいて、磁気カードシステムの読取り装置
の使用を可能とすることができ、両システムの効率的な
利用を図ることができる。また、磁気回路の磁気抵抗を
小さくすることができるので、高レベルの読取り出力を
得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す斜視図、第２
図は第１図の動作を説明するための側面図、第３図はこ
の発明の他の実施例の構成を示す斜視図、第４図は第３
図の動作を説明するための側面図、第５図は従来の問題
を説明するための斜視図である。 ２１・・・非磁性基板、２２．２３・・・スパイラルコ
イル、２４．２５・・・引き出し線、２６．２７・・・
ポンディングパッド、２８・・・軟磁性薄板、２９・・
・磁気ヘッド、３１・・・磁性薄膜、３２・・・絶縁体
。
図は第１図の動作を説明するための側面図、第３図はこ
の発明の他の実施例の構成を示す斜視図、第４図は第３
図の動作を説明するための側面図、第５図は従来の問題
を説明するための斜視図である。 ２１・・・非磁性基板、２２．２３・・・スパイラルコ
イル、２４．２５・・・引き出し線、２６．２７・・・
ポンディングパッド、２８・・・軟磁性薄板、２９・・
・磁気ヘッド、３１・・・磁性薄膜、３２・・・絶縁体
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 薄膜技術を用いて形成され、互いに逆回りに複数回巻か
れて併置され、電気的に接続された一対のスパイラルコ
イルと、 このスパイラルコイルに通電するための引き出し線と、 この引き出し線を外部回路に接続するためのボンディン
グパツトと、 高透磁率材を使つて形成され、上記スパイラルコイルか
ら発生される磁束が通る磁気回路中に配置される高透磁
率部とを具備することにより、上記一対のスパイラルコ
イルを通電すると、各スパイラルコイルの中心付近にお
いて、互いに逆相の磁界がコイル面から外向きに発生す
るように構成されていることを特徴とする薄膜電磁変換
器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61201729A JPS6357295A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 薄膜電磁変換器 |
| US07/053,758 US4818853A (en) | 1986-05-26 | 1987-05-26 | Data card with inductive signal transfer device |
| DE8787304623T DE3771588D1 (de) | 1986-05-26 | 1987-05-26 | Datenkarte mit induktiver signaluebertragungseinrichtung. |
| EP87304623A EP0249356B1 (en) | 1986-05-26 | 1987-05-26 | Data card with inductive signal transfer device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61201729A JPS6357295A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 薄膜電磁変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6357295A true JPS6357295A (ja) | 1988-03-11 |
Family
ID=16445964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61201729A Pending JPS6357295A (ja) | 1986-05-26 | 1986-08-29 | 薄膜電磁変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6357295A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4650818A (en) * | 1984-06-25 | 1987-03-17 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Polyolefine compositions comprising (a) mica and (b) a ethylene-acrylic acid polymeric coupling agent |
| US5436441A (en) * | 1991-11-07 | 1995-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Noncontacting card, noncontacting-card terminal and noncontacting transmission system |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6098439U (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | 株式会社 コムラ製作所 | オフイスオ−トメ−シヨン機器用載置台 |
| JPS60120636U (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-14 | 株式会社岡村製作所 | 配線ダクトを備える机 |
| JPS6190426U (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-12 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61201729A patent/JPS6357295A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6098439U (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | 株式会社 コムラ製作所 | オフイスオ−トメ−シヨン機器用載置台 |
| JPS60120636U (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-14 | 株式会社岡村製作所 | 配線ダクトを備える机 |
| JPS6190426U (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-12 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4650818A (en) * | 1984-06-25 | 1987-03-17 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Polyolefine compositions comprising (a) mica and (b) a ethylene-acrylic acid polymeric coupling agent |
| US5436441A (en) * | 1991-11-07 | 1995-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Noncontacting card, noncontacting-card terminal and noncontacting transmission system |
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