JPS61250575A - 弱磁場測定装置 - Google Patents
弱磁場測定装置Info
- Publication number
- JPS61250575A JPS61250575A JP61094369A JP9436986A JPS61250575A JP S61250575 A JPS61250575 A JP S61250575A JP 61094369 A JP61094369 A JP 61094369A JP 9436986 A JP9436986 A JP 9436986A JP S61250575 A JPS61250575 A JP S61250575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- contact
- spring contact
- contact piece
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
- G01R33/0354—SQUIDS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/58—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation characterised by the form or material of the contacting members
- H01R4/68—Connections to or between superconductive connectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measurement And Recording Of Electrical Phenomena And Electrical Characteristics Of The Living Body (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Measuring And Recording Apparatus For Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、接触パッドを備える基板上に設けられた５
ＱＵＩＤアレイとグラディオメータ・アレ４０間に多数
の超伝導結合が形成されている弱磁場測定装置に関する
ものである。
ＱＵＩＤアレイとグラディオメータ・アレ４０間に多数
の超伝導結合が形成されている弱磁場測定装置に関する
ものである。
〔従来の技術〕
例えば１０ ” Ｔ以下特に１０１Ｔ以下の変化する微
弱磁場の測定に５ＱＵＩＤ （！ｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃ
−Ｈｎｇ ｑｕａｎｔｕｍ １ｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ
ｄｅｖｉｃｅ ）と呼ばれている量子干渉デバイスを
使用することは公知である。このデバイスは医療の分野
、特に５０ｐＴオーダーの心臓磁場を測定する心拍動記
録ならびに０．１ｐＴオーダーの脳磁場を測定する磁気
エンツエファログラフイにおいて有利に使用される。そ
の測定装置の主要部は結合コイルと共７に磁束変成器を
構成し、ＳＱＵＩＤと共にデユア−瓶内の液体ヘリウム
中に置かれる検出器コイルである。５ＱＵＩＤに対して
は信号の捕捉と処理のために電子口路が設けられる。測
定する磁場が外部の妨害磁場に比べて６衝程度まで低い
ので、それに応じた遮蔽が必要である。二つのジョセフ
ソン接合を含む直流５ＱＵＩＤはその高感度のためによ
く使用される。検出器コイルは所属する補償コイルと共
にグラディオメータと呼ばれているものを構成する。零
次、１次又は高次のグラディオメータによってグラディ
オメータ領域においても不均質の近接生体磁場も選択捕
捉される（「レビュー・サイエンス・インスツルメンツ
Ｊ （Ｒｅｖ、 ８ａｉ、 ＩＩｎ−５ｔｒ、５３ （
１２）、１９８２年１２月、ｐ、１８１５〜１８４５参
照）。
弱磁場の測定に５ＱＵＩＤ （！ｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃ
−Ｈｎｇ ｑｕａｎｔｕｍ １ｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ
ｄｅｖｉｃｅ ）と呼ばれている量子干渉デバイスを
使用することは公知である。このデバイスは医療の分野
、特に５０ｐＴオーダーの心臓磁場を測定する心拍動記
録ならびに０．１ｐＴオーダーの脳磁場を測定する磁気
エンツエファログラフイにおいて有利に使用される。そ
の測定装置の主要部は結合コイルと共７に磁束変成器を
構成し、ＳＱＵＩＤと共にデユア−瓶内の液体ヘリウム
中に置かれる検出器コイルである。５ＱＵＩＤに対して
は信号の捕捉と処理のために電子口路が設けられる。測
定する磁場が外部の妨害磁場に比べて６衝程度まで低い
ので、それに応じた遮蔽が必要である。二つのジョセフ
ソン接合を含む直流５ＱＵＩＤはその高感度のためによ
く使用される。検出器コイルは所属する補償コイルと共
にグラディオメータと呼ばれているものを構成する。零
次、１次又は高次のグラディオメータによってグラディ
オメータ領域においても不均質の近接生体磁場も選択捕
捉される（「レビュー・サイエンス・インスツルメンツ
Ｊ （Ｒｅｖ、 ８ａｉ、 ＩＩｎ−５ｔｒ、５３ （
１２）、１９８２年１２月、ｐ、１８１５〜１８４５参
照）。
空間磁場分布を求めるためには対象区域の各個所を時間
的に順次に測定しなければならないが、この場合必要な
時間に亘っての磁場データの一貫性が得られない外に臨
床的に許し得ない測定時間になるという難問が生ずる。
的に順次に測定しなければならないが、この場合必要な
時間に亘っての磁場データの一貫性が得られない外に臨
床的に許し得ない測定時間になるという難問が生ずる。
これらの点を考えて多数の並列測定チャンネルを備える
装置が使用されるようになった（「フイジカＪ （Ｐｈ
ｙｓｉｃａ ）、１０７Ｂ（１９８１）、ｐ、２９，３
０、ＮｏｒｔｈＨｏｌｌａｎｄ Ｐｕｂ Ｃａｍｐ ）
。
装置が使用されるようになった（「フイジカＪ （Ｐｈ
ｙｓｉｃａ ）、１０７Ｂ（１９８１）、ｐ、２９，３
０、ＮｏｒｔｈＨｏｌｌａｎｄ Ｐｕｂ Ｃａｍｐ ）
。
冒頭に挙げた装置の一例では多数例えば少くとも】０個
、特に３０個以上のグラディオメータ・コイルを含むグ
ラデイオメータ・アレイが使用され、従って５ＱＬＩＩ
Ｄアレイの結合コイルと結ぶ多数の導体が必要となる直
流５ＱＵＩＤとして知られている実施形態では５ＱＵＩ
Ｄが結合コイルと共に薄膜繁成器として構成され、結合
コイルの平形スパイラル巻線がＳＱＵＩＤの上に置かれ
ている。この構成により良好な磁気結合が達成される［
アイ・イー・イー・イー・トランサクション・オン・マ
グネチフスＪ （ＩＥｇＥ Ｔｒａｎｓａｃｔ、
ｏｎ Ｍａｇｅｔｉｃｓ Ｖｏｌ。
、特に３０個以上のグラディオメータ・コイルを含むグ
ラデイオメータ・アレイが使用され、従って５ＱＬＩＩ
Ｄアレイの結合コイルと結ぶ多数の導体が必要となる直
流５ＱＵＩＤとして知られている実施形態では５ＱＵＩ
Ｄが結合コイルと共に薄膜繁成器として構成され、結合
コイルの平形スパイラル巻線がＳＱＵＩＤの上に置かれ
ている。この構成により良好な磁気結合が達成される［
アイ・イー・イー・イー・トランサクション・オン・マ
グネチフスＪ （ＩＥｇＥ Ｔｒａｎｓａｃｔ、
ｏｎ Ｍａｇｅｔｉｃｓ Ｖｏｌ。
ＭＡＧ−１７，１９８１年１月、ｐ、４００−４０３
）。
）。
この発明の目的は、ＳＱＵＩＤアレイの多数の結合コイ
ルが対応する個数のマグネトメータ・コイル又はグラデ
ィオメータ・コイルと共に狭い空間内に再現性良く、妨
害されることなくしかも低いインダクタンスをもって相
互結合して収められるようにすることである。
ルが対応する個数のマグネトメータ・コイル又はグラデ
ィオメータ・コイルと共に狭い空間内に再現性良く、妨
害されることなくしかも低いインダクタンスをもって相
互結合して収められるようにすることである。
二の目的は特許請求の範囲第１項に特徴として挙げた構
造とすることによって達成される。この構造では超伝導
材料例えばニオブを使用して、特殊な形に作られた多数
の接触ばねが束ねられて位置調整ブロックに作られた溝
に沿って置かれる。
造とすることによって達成される。この構造では超伝導
材料例えばニオブを使用して、特殊な形に作られた多数
の接触ばねが束ねられて位置調整ブロックに作られた溝
に沿って置かれる。
個々の接触ばねは絶縁材料例えば合成樹脂の膜で覆うか
中間に絶縁層をはさむことによって互に絶縁される。こ
の絶縁部分を含む接触ばねの厚さが圧力接触間の間隔を
定める。この圧力接触は基板上の接触パッドの大きさと
形態によって決まるものである。隣り合った接触パッド
を互にずらして配置することによってくし形接触体の実
装密度が高められる。
中間に絶縁層をはさむことによって互に絶縁される。こ
の絶縁部分を含む接触ばねの厚さが圧力接触間の間隔を
定める。この圧力接触は基板上の接触パッドの大きさと
形態によって決まるものである。隣り合った接触パッド
を互にずらして配置することによってくし形接触体の実
装密度が高められる。
一つのくし形接触体内で隣り合せたばね接触片にも同様
にしてそのグラディオメータ導線に向った終端部に互に
長さの異った接続片を設けることができる。更に超伝導
導体への接続片もその高さを互にずらしておくことが可
能である。これによって隣り合せた接触ばねの間に超伝
導導体を収める場所が作られる。
にしてそのグラディオメータ導線に向った終端部に互に
長さの異った接続片を設けることができる。更に超伝導
導体への接続片もその高さを互にずらしておくことが可
能である。これによって隣り合せた接触ばねの間に超伝
導導体を収める場所が作られる。
この発明の一つの実施形態では、半導体基板を支持する
超伝導体が位置調整ブロックの下にまで拡がりばね接触
片の下側の磁気遮蔽となっている。この遮蔽体は基底面
と同時に形成させることができる。
超伝導体が位置調整ブロックの下にまで拡がりばね接触
片の下側の磁気遮蔽となっている。この遮蔽体は基底面
と同時に形成させることができる。
支持体にとりつけた薄膜導体路から成るコイルを備える
グラデイオメータ・アレイ又はマグネトメータ・アレイ
を含む実施形態においては、ばね接触片と薄膜導体路の
間に超伝導体の渡り結合が設けられ、超伝導体とばね接
触の結合の外に超伝導体と薄膜導体路の間の結合を可能
にする。
グラデイオメータ・アレイ又はマグネトメータ・アレイ
を含む実施形態においては、ばね接触片と薄膜導体路の
間に超伝導体の渡り結合が設けられ、超伝導体とばね接
触の結合の外に超伝導体と薄膜導体路の間の結合を可能
にする。
刃面に示したこの発明の実施例についてこの発明を更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図に示した実施例では、旦として示した５ＱＬＩＩ
Ｄの少くとも１０個がその結合コイルならびに場合によ
っては更に変調コイルと共に基板４の表面に薄膜構造と
して設けられる。基板４は半導体特にシリコンで作るの
が有利である。５ＱＵＩＤの接続線と結合コイルはそれ
ぞれ超伝導結合導体６を通して大面積の超伝導接触部８
に結ばれる。
Ｄの少くとも１０個がその結合コイルならびに場合によ
っては更に変調コイルと共に基板４の表面に薄膜構造と
して設けられる。基板４は半導体特にシリコンで作るの
が有利である。５ＱＵＩＤの接続線と結合コイルはそれ
ぞれ超伝導結合導体６を通して大面積の超伝導接触部８
に結ばれる。
この接触部は接触パッドと呼ばれているもので、例えば
ニオブで作られる。
ニオブで作られる。
この接触パッド８にはくし形接触体１０のばね接触片１
２が所属する。はぼＵ字形のばね接触片１２の下側の脚
１３はその自由端にラグ１４を備え、その尖端は接触パ
ッド８に対する圧力接触となっている。接触片１２の中
央脚１５はラグ１４と同じ方向に突起Ｘ６を備え、ばね
接触片１２の平坦面に対して垂直で接触パッド８の面に
平行に伸びる絶縁材料製の位置調製ブロックの溝２１に
押しつけられている。ばね接触片１２の第三の脚１７の
末端には、ばね接触片１２の平坦面に平行で接触パッド
８の表面に垂直である力Ｆが作用する。位置調整ブロッ
ク２０はプリント板２４の上に設けられ、プリント板２
４の下面には超伝導体例えばニオブから成る磁気遮蔽２
６が設けられている。基板４はプリント板２４の切り込
みに差し込まれている。
２が所属する。はぼＵ字形のばね接触片１２の下側の脚
１３はその自由端にラグ１４を備え、その尖端は接触パ
ッド８に対する圧力接触となっている。接触片１２の中
央脚１５はラグ１４と同じ方向に突起Ｘ６を備え、ばね
接触片１２の平坦面に対して垂直で接触パッド８の面に
平行に伸びる絶縁材料製の位置調製ブロックの溝２１に
押しつけられている。ばね接触片１２の第三の脚１７の
末端には、ばね接触片１２の平坦面に平行で接触パッド
８の表面に垂直である力Ｆが作用する。位置調整ブロッ
ク２０はプリント板２４の上に設けられ、プリント板２
４の下面には超伝導体例えばニオブから成る磁気遮蔽２
６が設けられている。基板４はプリント板２４の切り込
みに差し込まれている。
コイルが超伝導導体路あるいは超伝導性の積層薄膜導体
路から成るグラディオメータ又はマグネトメータ・アレ
イを使用する実施例においては、一般にニオブで作られ
た超伝導ばね接触片１２と薄膜導体路３２の結合が困難
である。この薄膜導体路は例えばポリイミド【カプトン
）又はガラス繊維で補強された合成樹脂例えばエポキシ
樹脂製の支持板の両方の平坦面にとりつけられる。この
種の導体路は公知の構造化技術、例えばフォトレジスト
・エツチング技術により金属被覆合成樹脂板から作るこ
とができる。幅が例えば５０乃至３００μ亀で厚さが例
えば１０乃至５０μ風の導体路はマンガニン、銅又は青
銅から成るもので、例えば鉛・スズはんだの超伝導表面
層を備える。
路から成るグラディオメータ又はマグネトメータ・アレ
イを使用する実施例においては、一般にニオブで作られ
た超伝導ばね接触片１２と薄膜導体路３２の結合が困難
である。この薄膜導体路は例えばポリイミド【カプトン
）又はガラス繊維で補強された合成樹脂例えばエポキシ
樹脂製の支持板の両方の平坦面にとりつけられる。この
種の導体路は公知の構造化技術、例えばフォトレジスト
・エツチング技術により金属被覆合成樹脂板から作るこ
とができる。幅が例えば５０乃至３００μ亀で厚さが例
えば１０乃至５０μ風の導体路はマンガニン、銅又は青
銅から成るもので、例えば鉛・スズはんだの超伝導表面
層を備える。
この導体路３２は金属線３６にはんだ結合される。この
金属線は例えば青銅から成り、鉛・スズの超伝導被覆を
備える。ばね接触片１２にはこの場合例えばニオブの超
伝導線４２が溶接結合３８によって結合され、又クリッ
プ接触によって金属線３６が結合される。このクリップ
接触は超伝導材料、例えばニオブのスリーブ４４をかぶ
せて行う。
金属線は例えば青銅から成り、鉛・スズの超伝導被覆を
備える。ばね接触片１２にはこの場合例えばニオブの超
伝導線４２が溶接結合３８によって結合され、又クリッ
プ接触によって金属線３６が結合される。このクリップ
接触は超伝導材料、例えばニオブのスリーブ４４をかぶ
せて行う。
第２図に示したくし形接触体１０の実施形態では、図に
は８枚だけ示されているが実際は多数のばね接触片１２
がその平坦面を向い合せ間に絶縁層をはさんで並べられ
て一つのばね板東を形成している。その下脚のラグ１４
は遮蔽２６の上に置かれている基板４の表面に設けられ
た接触パッド（これは因に示されていなＩｒ％）に接し
ている。中央脚１５の突起１６は例えば半円形に成形さ
れている。位置調整ブロック２０の溝はこの実施例では
三角形プロフィルである。調整ブロック２０は第１図の
２４に対応するプリント板の上で二つの矢印で示すよう
にばね接触片１２の脚１３と１７の方向に平行にも又ば
ね板の平坦面に垂直にも移動可能である。ばね接触片１
２のラグ１４がそれに対応する接触パッド（これも図に
示されていない）に接触すると、位置調整ブロックはく
し形接触体１０と共に位置合せ装置により固定される。
は８枚だけ示されているが実際は多数のばね接触片１２
がその平坦面を向い合せ間に絶縁層をはさんで並べられ
て一つのばね板東を形成している。その下脚のラグ１４
は遮蔽２６の上に置かれている基板４の表面に設けられ
た接触パッド（これは因に示されていなＩｒ％）に接し
ている。中央脚１５の突起１６は例えば半円形に成形さ
れている。位置調整ブロック２０の溝はこの実施例では
三角形プロフィルである。調整ブロック２０は第１図の
２４に対応するプリント板の上で二つの矢印で示すよう
にばね接触片１２の脚１３と１７の方向に平行にも又ば
ね板の平坦面に垂直にも移動可能である。ばね接触片１
２のラグ１４がそれに対応する接触パッド（これも図に
示されていない）に接触すると、位置調整ブロックはく
し形接触体１０と共に位置合せ装置により固定される。
この固定位置において上脚１７の上に圧力板４６が作用
し、接触パッド８に対するばね接触片１２の接触圧を規
定する。
し、接触パッド８に対するばね接触片１２の接触圧を規
定する。
ばね接触片１２はその中央脚１５に互に異る長さの接続
端１８を゛備え、ここに超伝導線４２を溶接することが
できる。接続端１８を互に異った長さとすることによっ
て溶接結合のための場所が作られる。
端１８を゛備え、ここに超伝導線４２を溶接することが
できる。接続端１８を互に異った長さとすることによっ
て溶接結合のための場所が作られる。
ばね接触片１２の下脚１３の長さＬは例えば１５詩とし
、その中央脚の高さＨの平均は約３−とすることができ
る。絶縁被覆を含めた接触片の厚さは例えばＱ、５ｍと
することができるが、この厚さは基板４上の接触パッド
８の幅によって決まる。
、その中央脚の高さＨの平均は約３−とすることができ
る。絶縁被覆を含めた接触片の厚さは例えばＱ、５ｍと
することができるが、この厚さは基板４上の接触パッド
８の幅によって決まる。
くし形接触体１０の幅は基板４の上で接触パッド８を互
にずらして置くことにより縮小することができる。この
実施形態ではくし形接触体１０のばね接触片１２がｉｔ
図に破線で示すように交互に異った長さの下脚１３を持
っている。この実施形態によれば基板４の幅を同じにし
てより多数の接触パッド８をそれぞればね接触片１２の
一つを通してグラディオメータ３０の一つのコイルの１
１１Ｍｆｔ導体路３２に結合することができる。
にずらして置くことにより縮小することができる。この
実施形態ではくし形接触体１０のばね接触片１２がｉｔ
図に破線で示すように交互に異った長さの下脚１３を持
っている。この実施形態によれば基板４の幅を同じにし
てより多数の接触パッド８をそれぞればね接触片１２の
一つを通してグラディオメータ３０の一つのコイルの１
１１Ｍｆｔ導体路３２に結合することができる。
くし形接触体１０のばね接触片１２には補助の遮蔽５０
を設けると効果的である。この遮蔽を同時にグラウンド
ブレーンとして使用する実施形態も可能である。この場
合遮蔽は同時にグラディオメータ・コイルの復帰導線に
対する接続線として使用される。遮蔽を単にこの復帰導
線に対する集合接触としてばね接触片１２を通して基板
４の接触パッド８に接続し、そこで接地することも可能
である。補助遮蔽５０は圧力板４６と共にくし形接触体
１０に固定するのが効果的であるが、この結合部は図を
簡単にするため示されていない。
を設けると効果的である。この遮蔽を同時にグラウンド
ブレーンとして使用する実施形態も可能である。この場
合遮蔽は同時にグラディオメータ・コイルの復帰導線に
対する接続線として使用される。遮蔽を単にこの復帰導
線に対する集合接触としてばね接触片１２を通して基板
４の接触パッド８に接続し、そこで接地することも可能
である。補助遮蔽５０は圧力板４６と共にくし形接触体
１０に固定するのが効果的であるが、この結合部は図を
簡単にするため示されていない。
この発明の特殊の実施形態では５ＱＵＩＤに対して結合
導線と接触パッドの外に別の遮蔽５２が追加される。こ
の遮蔽は因に破線で示したように基板４の上方に設けら
れる。
導線と接触パッドの外に別の遮蔽５２が追加される。こ
の遮蔽は因に破線で示したように基板４の上方に設けら
れる。
図面はこの発明の実施例を固成的に示すもので、′Ｍ１
図は５ＱＵＩＤアレイとグラデイオメータ・アレイの間
の結合導体、第２因はくし形接触体である。 １０・・・ くし形接触体、 １２・・・ ばね接触
片、２０・・・位置調整ブロック、 ８・・・接触パッ
ド。
図は５ＱＵＩＤアレイとグラデイオメータ・アレイの間
の結合導体、第２因はくし形接触体である。 １０・・・ くし形接触体、 １２・・・ ばね接触
片、２０・・・位置調整ブロック、 ８・・・接触パッ
ド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）少くとも部分的に超伝導体から成るほぼＵ字形のば
ね接触片（１２）が互に絶縁され、その平坦面を接触パ
ッド（８）の面に垂直にして束ねられているくし形接触
体（１０）が超伝導結合用として設けられていること、
ばね接触片（１２）の一つの脚（１３）が接触パッド（
８）に対して圧力接触を形成するラグ（１４）を備えて
いること、中央脚（１５）がラグ（１４）と同じ方向の
突起（１６）を備え、この突起が電気絶縁材料から成る
位置調整ブロック（２０）に作られたばね接触片（８）
の平坦面に垂直に伸び接触パッド（８）の表面に平行す
る溝（２１）に押しつけられていること、第三の脚（１
７）に対してばね接触片（１２）の平坦面に平行し接触
パッド（８）の表面に対して垂直方向に力を加える圧力
板（４６）が設けられていることを特徴とする接触パッ
ド（８）を備える基板（４）上に設けられたＳＱＵＩＤ
・アレイとグラデイオメータ・アレイの間に多数の超伝
導結合を備える弱磁場測定装置。 ２）交互に異る長さ（Ｌ）のばね接触片（１２）が設け
られ、そのラグが接触片の平坦面平面内で接触パッド（
８）の表面に平行に互に位置をずらして配置されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の装置。 ３）ばね接触片（１２）の下側に基板（４）を取りつけ
た超伝導体（２６）から成る磁気遮蔽が設けられ、この
磁気遮蔽が位置調整ブロック（２０）の下まで拡がつて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の装置。 ４）ばね接触片（１２）の上にも超伝導材料から成る補
助の磁気遮蔽（５０）が設けられ、圧力板（４６）と共
に固定されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第３項の一つに記載の装置。 ５）補助の磁気遮蔽（５０）がばね接触片（１２）を介
して接触パッド（８）の一つに結合されている超伝導結
合の一部に対するグラウンドプレーンとなつていること
を特徴とする特許請求の範囲第４項記載の装置。 ６）各ばね接触片（１２）と薄膜導体路（３２）の間に
超伝導線（４２）による渡り結合が設けられ、この超伝
導線がクリップ接触によつて常伝導体（３６）と薄膜導
体路（３２）にろう付け（３４）された超伝導層とに接
続されていることを特徴とするグラデイオメータ・アレ
イ又はマグネトメータ・アレイのコイルが超伝導薄膜導
体路で構成されている特許請求の範囲第１項乃至第５項
の一つに記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19853515217 DE3515217A1 (de) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | Vorrichtung zur messung schwacher magnetfelder |
| DE3515217.6 | 1985-04-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61250575A true JPS61250575A (ja) | 1986-11-07 |
Family
ID=6269258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61094369A Pending JPS61250575A (ja) | 1985-04-26 | 1986-04-23 | 弱磁場測定装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4733180A (ja) |
| EP (1) | EP0200956B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61250575A (ja) |
| DE (2) | DE3515217A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4894906A (en) * | 1987-12-23 | 1990-01-23 | Nicolet Instrument Corporation | Superconductive joint for multifilament superconducting and method of forming |
| ZA89202B (en) * | 1988-01-15 | 1989-09-27 | Hoffmann La Roche | Recombinant human interleukin-1 alpha polypeptides |
| DE4227877A1 (de) * | 1992-08-22 | 1994-02-24 | Philips Patentverwaltung | Miniaturisiertes SQUID-Modul, insbesondere für Vielkanal-Magnetometer |
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