JPS6185612A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6185612A JPS6185612A JP20642684A JP20642684A JPS6185612A JP S6185612 A JPS6185612 A JP S6185612A JP 20642684 A JP20642684 A JP 20642684A JP 20642684 A JP20642684 A JP 20642684A JP S6185612 A JPS6185612 A JP S6185612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film pattern
- magnetic
- conductor
- turns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は薄膜51気ヘツドに関し、例えば磁気ディスク
装置等のヘッドとして有効に利用することかでさる。
装置等のヘッドとして有効に利用することかでさる。
[従来技術の説明]
磁気ディスク装置等における磁気記録の高記録密度化お
よび狭トラツク化に伴ない、従来のへ7ドの構造的およ
び機能的限界を打破するものとして、薄膜磁気ヘッドが
広く利用されつつある。
よび狭トラツク化に伴ない、従来のへ7ドの構造的およ
び機能的限界を打破するものとして、薄膜磁気ヘッドが
広く利用されつつある。
薄膜ヘッドは、絶縁性基板の上に磁気ヘッドコア用の磁
性薄膜とコイル用の導体薄膜を薄膜形成技術により形成
している。磁性薄膜はワンターン磁路であり、導体薄膜
は、電磁変換効率向上の観点から、スパイラル状の多層
膜構成あるいはヘリカル状の多層膜構成で、ワンターン
磁路に鎖交するように形成されている。
性薄膜とコイル用の導体薄膜を薄膜形成技術により形成
している。磁性薄膜はワンターン磁路であり、導体薄膜
は、電磁変換効率向上の観点から、スパイラル状の多層
膜構成あるいはヘリカル状の多層膜構成で、ワンターン
磁路に鎖交するように形成されている。
このような従来の薄膜ヘッドにおいては、ヘッドの電磁
変換効率の向上をコイルの構成に求めて、導体薄膜を多
層に積層するので、薄、Sヘッドの製造プロセスが複雑
化するという問題点があった。
変換効率の向上をコイルの構成に求めて、導体薄膜を多
層に積層するので、薄、Sヘッドの製造プロセスが複雑
化するという問題点があった。
[発明が解決しようとする問題点]
も
本発明は上記従来技術の問題点を改善するもので、その
目的は、薄膜磁気ヘッドの形成プロセスをより簡単化し
うる構造の薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
目的は、薄膜磁気ヘッドの形成プロセスをより簡単化し
うる構造の薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
また、本発明の別の目的は、導体薄膜のターン数を増大
することなく電磁変換効率を向上し得る薄膜磁気ヘッド
を提供することにある。
することなく電磁変換効率を向上し得る薄膜磁気ヘッド
を提供することにある。
[闇題点を解決するための手段]
本発明においては、ヘッドコア形成用の磁性薄膜を#i
数回の折り返しによって平面的に広げた波形形状のパタ
ーンとし、その波形部分に導体fiW2パターンを巻回
形成する構造で、これにより、磁性薄膜パターンに対す
る導体薄膜パターンの巻回数を実質的に増大させ、また
、磁性薄膜パターンの平面的展開によって、上記目的を
達成する。
数回の折り返しによって平面的に広げた波形形状のパタ
ーンとし、その波形部分に導体fiW2パターンを巻回
形成する構造で、これにより、磁性薄膜パターンに対す
る導体薄膜パターンの巻回数を実質的に増大させ、また
、磁性薄膜パターンの平面的展開によって、上記目的を
達成する。
[発明の実施例]
第1図および第2ri!Jは本発明による薄膜磁気ヘッ
ドの一実施例を示す構成図で、第1図は平面図、%2図
は第1図のA−A’断面図を示す。
ドの一実施例を示す構成図で、第1図は平面図、%2図
は第1図のA−A’断面図を示す。
図において、参照番号1は例えばシリコンあるいはセラ
ミックなどからなる絶縁性の基板で、この基板1の上に
、パーマロイなどの磁性材料からなる磁性薄膜パターン
2と、銀あるいはアルミニュームなどの導電材料からな
る導体薄膜パターン3が形成されている。
ミックなどからなる絶縁性の基板で、この基板1の上に
、パーマロイなどの磁性材料からなる磁性薄膜パターン
2と、銀あるいはアルミニュームなどの導電材料からな
る導体薄膜パターン3が形成されている。
磁性薄膜パターン2は、基板1の上に平面状に広がる矩
形波形状で、本実施例では3つの折り返し部分(A 、
B 、 C)を有し、6つのコアセグメン ト
(2−1、2−2、2−3、2−4。
形波形状で、本実施例では3つの折り返し部分(A 、
B 、 C)を有し、6つのコアセグメン ト
(2−1、2−2、2−3、2−4。
2−5.2−6)を備えている。これらセグメントのう
ちの2−3と2−6は夫々セグメント2−2と2−5の
背面に位置しているので、破線で図示されている。
ちの2−3と2−6は夫々セグメント2−2と2−5の
背面に位置しているので、破線で図示されている。
セグメン)2−1は、その一端がヘッドギャプ4に延び
て一方の磁極を形成し、他端が折り返し部分Aでセグメ
ント2−2およびその背面のセグメント2−3に分岐し
て結合している。セグメント2−2と2−3は次の折り
返し部分Bで一体となり、次のセグメント2−4につな
がっている。
て一方の磁極を形成し、他端が折り返し部分Aでセグメ
ント2−2およびその背面のセグメント2−3に分岐し
て結合している。セグメント2−2と2−3は次の折り
返し部分Bで一体となり、次のセグメント2−4につな
がっている。
セグメント2−4は最終の折り返し部分Cでセグメント
2−5およびその背面のセグメント2−6に分岐して結
合している0分岐しているセグメント2−5と2−6は
へウドギャプ4の手前近傍で一体となり、ヘッドギャプ
4に延びてセグメン)2−1の一端と対向する他方の磁
極を形成している。
2−5およびその背面のセグメント2−6に分岐して結
合している0分岐しているセグメント2−5と2−6は
へウドギャプ4の手前近傍で一体となり、ヘッドギャプ
4に延びてセグメン)2−1の一端と対向する他方の磁
極を形成している。
導体薄膜パターン3は8つの導体セグメント(3−1、
3−2、3−3、3−4、3−5。
3−2、3−3、3−4、3−5。
3−6.3−7.3−8)を有している。これらのうち
のセグメント(3−2、3−4、3−6。
のセグメント(3−2、3−4、3−6。
3−8)は各セグメント(3−1、3−3。
3−5.3−7)の背面に夫々位置しており、破線で図
示されている。
示されている。
各導体セグメントは、磁性薄膜パターン2のコアセグメ
ントに直交するように位置しており、磁性薄膜パターン
2に同一方向の磁束が生ずるように巻回配列されている
。
ントに直交するように位置しており、磁性薄膜パターン
2に同一方向の磁束が生ずるように巻回配列されている
。
導体セグメント3−1は、第2図から明らかなように、
コアセグメント2−1の上→コアセグメy)2−2と2
−3の間→コアセグメント2−4の上→コアセグメント
2−5と2−6の間を順次通過して、その背面の導体セ
グメント3−2に電気的に接続されている。背面の導体
セグメント3−2は、コアセグメント2−5と2−6の
間→コアセグメント2−4の下→コアセグメント2−2
と2−3の間→コアセグメント2−1の下を順次通過し
て、次の表面の導体セグメント3−3に電気的に接続さ
れる。他の表面の導体セグメントは各コアセグメントに
対して上述の導体セグメント3−1と同様の構成を有し
ており、他の背面の導体セグメントは上述の導体セグメ
ント3−2と同様である。
コアセグメント2−1の上→コアセグメy)2−2と2
−3の間→コアセグメント2−4の上→コアセグメント
2−5と2−6の間を順次通過して、その背面の導体セ
グメント3−2に電気的に接続されている。背面の導体
セグメント3−2は、コアセグメント2−5と2−6の
間→コアセグメント2−4の下→コアセグメント2−2
と2−3の間→コアセグメント2−1の下を順次通過し
て、次の表面の導体セグメント3−3に電気的に接続さ
れる。他の表面の導体セグメントは各コアセグメントに
対して上述の導体セグメント3−1と同様の構成を有し
ており、他の背面の導体セグメントは上述の導体セグメ
ント3−2と同様である。
磁性薄膜パターン2と導体薄膜パターン3との間には、
第2図に示すように、絶縁層5がもうけられており、導
体薄膜パターン3が絶縁層5で覆われた構造となってい
る。また、導体セグメント3−1および3−8の自由端
はコイル端子を形成している。なお、第1図におけるa
、b、c。
第2図に示すように、絶縁層5がもうけられており、導
体薄膜パターン3が絶縁層5で覆われた構造となってい
る。また、導体セグメント3−1および3−8の自由端
はコイル端子を形成している。なお、第1図におけるa
、b、c。
d、e、fおよびgは、表面の導体セグメントと背面の
導体セグメント間の電気的結合部分を示す、以上述べた
実施例から明らかなように1本発明による薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、磁性薄膜バターンが複数回の折り返しに
より平面状に広がっているため、導体セグメント数が同
一の場合、ワンターン磁路に比較して導体薄膜パターン
のターン数が大幅に増大することになる。また、第2図
からも明らかなように、コイルは2層であり、従来のよ
うに多層にする必要はない、従って、製造プロセスが容
易になることは明らかである。
導体セグメント間の電気的結合部分を示す、以上述べた
実施例から明らかなように1本発明による薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、磁性薄膜バターンが複数回の折り返しに
より平面状に広がっているため、導体セグメント数が同
一の場合、ワンターン磁路に比較して導体薄膜パターン
のターン数が大幅に増大することになる。また、第2図
からも明らかなように、コイルは2層であり、従来のよ
うに多層にする必要はない、従って、製造プロセスが容
易になることは明らかである。
以上述べた実施例においては、磁性薄膜パターンを3回
の折り返しで構成したが、より増加することも勿論可能
である。また、導体薄膜パターンの巻回数についても任
意に設定できる。更に、基板lをシリコンとした場合に
は、その他の必要とされるIC回路等を一体的に基板に
形成することが可能となる。
の折り返しで構成したが、より増加することも勿論可能
である。また、導体薄膜パターンの巻回数についても任
意に設定できる。更に、基板lをシリコンとした場合に
は、その他の必要とされるIC回路等を一体的に基板に
形成することが可能となる。
未実施例では磁性薄膜パターンに関しその一部を二層構
造にしたが、これに限定するものではない、しかし、電
磁変換効率向上の観点からすれば、一部二層構造により
磁性薄膜パターンと導体薄膜パターンとの結合量が増大
するので、一部二層a造はより有効であり、占有面積が
小さく且つ変換効率の良い薄膜ヘッドを得ることができ
る。
造にしたが、これに限定するものではない、しかし、電
磁変換効率向上の観点からすれば、一部二層構造により
磁性薄膜パターンと導体薄膜パターンとの結合量が増大
するので、一部二層a造はより有効であり、占有面積が
小さく且つ変換効率の良い薄膜ヘッドを得ることができ
る。
[発明の効果]
本発明においては、磁性薄膜パターンを絶縁性基板上で
平面状に広がる複数回の折り返し配列をもつ波形形状と
し、導体薄膜パターンを前記磁性薄膜パターンの波形部
分に巻回配列するようにしたので、導体薄膜パターンの
巻回数が同一でもワンターン磁路の場合に比較して磁性
薄膜パターンに対するターン数を増大することができ、
コイル巻回数を増すことなく、電磁変換効率を向上する
ことができる。
平面状に広がる複数回の折り返し配列をもつ波形形状と
し、導体薄膜パターンを前記磁性薄膜パターンの波形部
分に巻回配列するようにしたので、導体薄膜パターンの
巻回数が同一でもワンターン磁路の場合に比較して磁性
薄膜パターンに対するターン数を増大することができ、
コイル巻回数を増すことなく、電磁変換効率を向上する
ことができる。
また、導体薄膜パターンは2層であり、磁性薄膜パター
ンも1暦もしくは2暦であるため、 am数が少なく、
製造プロセスが容易になる。
ンも1暦もしくは2暦であるため、 am数が少なく、
製造プロセスが容易になる。
更に1本発明による薄膜ヘッドによれば、多トラツクヘ
ッドの形成が容易になる。即ち、従来の薄膜ヘッドはそ
のコイル量のためにそのままではトラックピッチに適合
しないのでフィル作成に工夫がいるが、本発明の薄膜ヘ
ッドによれば、電磁変換効率がコイル量に支配されない
ため、トラックピッチに良く適合するものを簡単に得る
ことができる。
ッドの形成が容易になる。即ち、従来の薄膜ヘッドはそ
のコイル量のためにそのままではトラックピッチに適合
しないのでフィル作成に工夫がいるが、本発明の薄膜ヘ
ッドによれば、電磁変換効率がコイル量に支配されない
ため、トラックピッチに良く適合するものを簡単に得る
ことができる。
第1図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
構成平面図、第2図は第1図のA−A断面図である。 l二基板 2:磁性薄膜パターン 3:導体薄膜パターン
構成平面図、第2図は第1図のA−A断面図である。 l二基板 2:磁性薄膜パターン 3:導体薄膜パターン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)絶縁性基板の上にヘッドコア形成用の磁性薄膜パタ
ーンとコイル形成用の導体薄膜パターンを備える薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記磁性薄膜パターンが前記絶縁性
基板上で平面状に広がる複数回の折り返し配列をもつ波
形形状で、前記導体薄膜パターンを当該磁性薄膜パター
ンの波形部分に巻回配列するようにしたことを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。 2)前記磁性薄膜パターンがその波形部分に磁性薄膜の
二層構造を部分的に含むごとき特許請求の範囲第1項に
記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20642684A JPS6185612A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20642684A JPS6185612A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6185612A true JPS6185612A (ja) | 1986-05-01 |
Family
ID=16523178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20642684A Pending JPS6185612A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6185612A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1990002399A1 (de) * | 1988-08-19 | 1990-03-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Dünnfilm-magnetkopf |
JPH0323509A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-31 | Digital Equip Corp <Dec> | 改良した誘導結合を有する変換器 |
EP0482956A2 (en) * | 1990-10-25 | 1992-04-29 | Quantum Corporation | Transducer with improved inductive coupling |
EP0520656A2 (en) * | 1991-06-26 | 1992-12-30 | Quantum Corporation | Transducer with improved inductive coupling |
EP0568966A3 (ja) * | 1992-05-04 | 1994-04-13 | Read Rite Corp | |
US5428893A (en) * | 1989-06-02 | 1995-07-04 | Quantum Corporation | Method of making a transducer with improved inductive coupling |
US7667927B2 (en) | 2004-12-10 | 2010-02-23 | Tdk Corporation | Magnetic head having toroidal coil layer and manufacturing method thereof |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP20642684A patent/JPS6185612A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1990002399A1 (de) * | 1988-08-19 | 1990-03-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Dünnfilm-magnetkopf |
JPH0323509A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-31 | Digital Equip Corp <Dec> | 改良した誘導結合を有する変換器 |
US5311386A (en) * | 1989-06-02 | 1994-05-10 | Digital Equipment Corporation | Transducer with improved inductive coupling |
US5428893A (en) * | 1989-06-02 | 1995-07-04 | Quantum Corporation | Method of making a transducer with improved inductive coupling |
US5428887A (en) * | 1989-06-02 | 1995-07-04 | Quantum Corporation | Method of making a transducer with improved inductive coupling |
EP0482956A2 (en) * | 1990-10-25 | 1992-04-29 | Quantum Corporation | Transducer with improved inductive coupling |
EP0612060A1 (en) * | 1990-10-25 | 1994-08-24 | Quantum Corporation | Transducer with improved inductive coupling |
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