JPH0233290Y2

JPH0233290Y2 -

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Publication number: JPH0233290Y2
Application number: JP1989023884U
Authority: JP
Priority date: 1979-02-28
Filing date: 1989-03-03
Publication date: 1990-09-07
Also published as: CA1151766A; JPH01146305U; FR2450495B1; DE3007046A1; NL7901577A; GB2044509A; JPS55117727A; US4320428A; FR2450495A1; HK64184A; GB2044509B; DE3007046C2

Description

【考案の詳細な説明】（産業上の利用分野）本考案は、作動中、磁気記録媒体と磁束結合す
るようなマグネチツクトランスデユーサヘツドに
関するものである。このような結合のために、記
録媒体をヘツドを越えて移動し、このヘツドに
は、薄膜型の多数のマグネチツクトランスデユー
サ素子を支承する基板を具え、各々の素子を空間
的に分離した２個のストリツプ形状のリード線に
よつて２個のボンデイングパツドに接続する。

（従来の技術）多数のトランスデユーサ素子（百の単位の数）
を有する斯種のマグネチツクトランスデユーサヘ
ツドは例えば英国特許明細書第1307886号に開示
されている。この既知ヘツドのトランスデユーサ
素子にはＵ字形状の銅のストリツプが設けられて
おり、この銅のストリツプによつて、単一の電気
的曲折部と相俟つて誘導素子（コイル）を形成す
る。共通な面に存在するＵ字形状ストリツプのリ
ム部はボンデイングパツドへの接続リード線とし
て作用する。この場合、これら接続リード線が占
有する面積は実際の曲折部（Ｕ字形状の水平リム
部）による面積と比べて大きなものであるから、
これらリード線によつて、書込み中に無視できな
い漂遊電界が生じてしまうと共に、更に読取中に
不所望な信号を受信してしまう欠点がある。特
に、２個の隣接したトランスデユーサ素子を、一
方を書込み用に、他方を読取り用に同時に使用し
た場合、不所望なクロストーク効果のために極め
て大きな困難が起こつてしまう。例えば、一方の
ヘツドの書込み電流によつて他方のヘツドに電流
が誘導されてしまい、この結果、このヘツドも書
込みを開始してしまうようになる。この問題を解
決するために、第１のヘツドの書込み電流を、第
２のヘツドに誘導される電流が書込みに十分でな
いような低い値に理論上選ぶことができる。しか
し乍ら、このような小さな書込み電流を用いる場
合、例えば100個のヘツドから成る列の総てのヘ
ツドが同一の再現性のある書込み状態となるとは
限らない。そこで実際上は、書込み電流をこの最
小値より相当程度高い値に選定している。

（考案が解決しようとする課題）本考案の目的は、空間を節約するためと互いに
非常に接近して置かれた情報トラツクについて書
込み及び／又は読み取ることができるように、不
所望なクロストーク効果の危険なしで、隣り合う
トランスデユーサ素子が非常に密接して置かれて
いるトランスデユーサヘツドを提供することにあ
る。

（課題を解決するための手段）本考案マグネチツクトランスデユーサヘツドは
薄膜タイプの多数のマグネチツクトランスデユー
サ素子を支持する基板を具え、このトランスデユ
ーサ素子を空間的に分離した２個のストリツプ形
状のリード線によつて２個のボンデイングパツド
に接続し、作動中に、磁気記録媒体と磁束結合す
るようにするためにこの記録媒体をヘツドを越え
て移動するようにしたマグネチツクトランスデユ
ーサヘツドにおいて、前記各素子の２個のリード
線を、前記基板の表面を横切る方向にこれらリー
ド線の大部分に亘つて互いに積み重ねると共に、
電気的絶縁層をその間に介在させたことを特徴と
するものである。

本考案において、次の事実が判明した。即ち、
個々のトランスデユーサ素子の入力および出力リ
ード線を平面内に位置させる代わりに一方の頂部
に他方を配置すると共に、これらリード線を薄い
絶縁層、例えば石英の層によつて互いに離間させ
ることによつて、これらリード線からの磁気放射
およびピツクアツプ特性が相当程度減衰できるの
で、その結果、クロストークを減少できることで
ある。実験によれば、入力および出力リード線を
上下方向に配置した所定のヘツドでは、一平面内
に並べて配置した同様なヘツドと比較して少なく
とも40dBだけクロストークを減少することがで
きる。

また、空間を節約した本考案ヘツドの実施例
は、２個の積み重ねた導体の内、基板から遠く離
間して存在する一方の導体を基板に接近して存在
する他方の導体より短くすると共に、これらのボ
ンデイングパツドを整列させたことを特徴とする
ものである。

上述した構造によつて、導体を横方向に広げる
必要はなくなり、ボンデイングパツドを他の配線
へ接続するのが容易となる。従つてこのことによ
つて空間占有率を節約できる効果が生じる。

また、本考案のトランスデユーサヘツドは、第
１トランスデユーサ素子の電気巻線を電流入力リ
ード線と共に第１導体層中に配置し、電流出力リ
ード線を第２導体層中に配置し、前記第１トラン
スデユーサ素子の傍に配置した新たなトランスデ
ユーサ素子の電気巻線を電流入力リード線と共に
前記第２導体層中に配置し、更に、電流出力リー
ド線を前記第１導体層中に配置したことを特徴と
するものである。

この方法においては、隣接するトランスデユー
サ素子を、リード線が一平面中に存在する薄膜ヘ
ツドのトランスデユーサ素子より互いに接近させ
て配置することができる。この後者のヘツドの場
合、２個の隣接素子間の空間は常に十分とらなけ
ればならない。その結果、２本のリード線（各ト
ランスデユーサ素子の１個）をその間で適合させ
ることができる。本考案によるヘツドでは、２本
のリード線を互いに重ねて存在させることができ
るので、この結果、中間の空間が半分で済む利点
がある。

また、本考案のヘツドは誘導性トランスデユー
サヘツドならびに磁気抵抗タイプまたはホール効
果タイプの磁束反応トランスデユーサヘツドとし
て使用可能である。

（実施例）以下図面を参照し乍ら本考案を詳細に説明す
る。

本考案のマグネチツクトランスデユーサヘツド
はフオトエツチングした多層薄膜構造として加熱
酸化したシリコン基板上に設けることができる。
シリコンウエフアは安価で平らで且つ滑らかなも
のであり、熱伝導の良いものでもある。トランス
デユーサヘツドの長い列をこのようなウエフア上
に設け、その後これをあらゆる所望の寸法のチツ
プに容易に切断することができる。後述するよう
に、多層構造のものを製造する際には標準的なス
パツタリング法およびフオトエツチング法を駆使
することができる。

ウルフ型の槽より厚さ3μmのニツケル−鉄層を
加熱酸化したシリコン基板（図示せず）上に電着
する。この層から化学的腐食処理によつて磁極片
１，２，３，４，５および６のパターンを形成す
る（第１図）。電気的絶縁材料（SiO₂）の第１層
をこのパターン上に厚さ1μmでスパツタリングを
施す。それから最初の導電層が形成される（実際
上は三重層である；粘着用の1000Åのモリブデ
ン、2μmの金、および次の層の粘着用の1000Åの
モリブデン）。この導電層よりスパツタエツチン
グ法によつてパターンが形成され、これにより、
奇数番のトランスデユーサ素子用の曲折部すなわ
ち巻線部および電流入力リード線ならびに偶数番
のトランスデユーサ素子用の電流出力リード線を
画成する（第２図）。これら曲折部７，８，９、
電流入力リード線を１０，１１，１２および電流
出力リード線を１３，１４，１５で表わす。ま
た、A.B，Ｃ，Ｄ，ＥおよびＦはパターンの位置
を表し、これらは後の製造段階において第２の導
体パターンに接続されるものである。第２の絶縁
層（SiO₂）１６を第１導電層上に厚さ1μmでス
パツタリングする。相互接続用孔A′，B′，C′，
D′，E′およびF′を上述の層中に化学的腐食法によ
り形成し、この孔は第２図に示した導体パターン
の位置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，ＥおよびＦに対応するも
のである（第３図参照）。

第２の導電層を第２の絶縁層上に同一手段およ
び第１導電層と同じ構造で形成する。

この第２導電層よりスパツタエツチングによつ
て新たなパターンを形成する。このパターンによ
つて奇数番のトランスデユーサ素子用の電流出力
リード線ならびに偶数番のトランスデユーサ素子
用の曲折部すなわち巻線部および電流入力リード
線を画成する（第４図）。これら曲折部を１７，
１８，１９で表し、電流入力リード線を２０，２
１，２２で表し、電流出力リード線を２３，２
４，２５で表す。また、A″，B″，C″，D″，E″お
よびF″で表した位置において、第２導体パター
ンが、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，およびＦ（第２図）
で表した第１導体パターンの位置部分に、第３図
の絶縁層の相互接続用孔A′，B′，C′，D′，E′お
よびF′を介して接触するようになる。

ここで、トランスデユーサ素子の中の１個につ
いての製造方法について考案すると、例えば、こ
の製造段階において磁極片１上に曲折部７が設け
られており、この曲折部７を第１導電層中に延在
する電流入力リード線１０に接続すると共に、こ
の曲折部７を第２導電層中に延在する電流出力リ
ード線２３にも接続する。このトランスデユーサ
ヘツドは、第２導体層上に厚さ1μmの第３絶縁層
（SiO₂）をスパツタリングすることによつて完成
される。ここで、化学的腐食法によつて相互接続
用孔a′，b′，c′，d′，e′およびf′が形成され、こ
れ
ら孔はニツケル−鉄の第１磁気層の位置ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅ，ｆまで延在し（これらの孔を介して
裏側の磁気回路が次の段階で閉路される）、また
電気的相互接続用孔ｇ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋ，ｌが形
成され、これら孔は第１導体層まで延在し（この
後の段階でリード線１０，１１，１２，１３，１
４および１５を電気回路に接続するために）、お
よび電気的相互接続用孔ｍ，ｎ，ｏ，ｐ，ｑ，ｒ
が形成され、これら孔は後の段階でリード線２
０，２１，２２，２３，２４，２５を電気回路に
接続するために第２導体層まで延在する（第５
図）。次に電気メツキしたニツケル−鉄から成る
第２の層（厚さ3μm）を形成し、これより極片２
６，２７，２８，２９，３０および３１のパター
ンを化学的腐食法によつて形成する（第６図）。
この様な方法によつて、互いに極めて接近して存
在する情報トラツク３２，３３，３４…等の読取
りおよび書込み用の６素子のトランスデユーサヘ
ツドが得られ、これの平面図を第７図に示す。２
つの導体層の内の下の方の層中に形成した部材を
陰影を付して表わす。

第８図は、入力リード線３５、出力リード線３
６および曲折部すなわち巻線部３７が１個のトラ
ンスデユーサ素子中で互いにどのような位置関係
で配置されているかを表わす。

上述した実施例は単一の曲折部すなわち巻線部
を有するトランスデユーサ素子について説明した
が、本考案によれば、１回以上、例えば４回巻や
６回巻の巻線部を有するトランスデユーサ素子も
実施可能であることは言うまでもない。この場
合、これら巻線部を異なつたレベルまたは同一レ
ベル（平坦コイル）で存在させることができる。
また読取り専用トランスデユーサ素子を必要とす
る場合には、磁気−抵抗効果を呈するニツケル−
鉄ストリツプを巻線部の代わりに設けることがで
きる。

前述の説明においては、所謂カウンターヘツド
と呼ばれているヘツドを各々に設けた２個のトラ
ンスデユーサ素子を有する本考案のヘツドおよび
同様にカウンターヘツドを設けた２個のトランス
デユーサ素子を有する従来のリード線のヘツドに
ついて比較検討を行つていた。両者の場合、トラ
ンスデユーサ素子は同一の長さ（250μm）、幅
（110μm）およびピツチ（250μm）であつた。実
際上、カウンターヘツドは極片間のギヤツプを通
つて延在する単なる二次側の電気的曲折部であ
り、そのため、主要曲折部と誘導的に結合する。
隣の素子の曲折部が開かれまた閉じられた両方の
状態で１個の素子の主要曲折部を通つて常に電流
が流れると共に、隣接の素子に加えられたカウン
ターヘツド中に誘導されたクロストーク信号を測
定した。また、平面で存在するリード線を有する
一対のトランスデユーサ素子の一方の素子のカウ
ンターヘツド中で測定した信号より、上下関係で
存在するリード線を有する一対のトランスデユー
サ素子の一方の素子のカウンターヘツド中で測定
した信号の方が少なくとも40dB低いことが証明
された（500KHzまでの周波数で125mA以下の電
流であつた）。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案のトランスデユーサヘツドの製
造方法の第１段階における第１の磁極片パターン
を表わす線図、第２図は同じく第２段階における
曲折部の第１パターンを表わす線図、第３図は同
じく第３段階における相互接続用孔の第１パター
ンを表わす線図、第４図は同じく第４段階におけ
る曲折部の第２パターンを表わす線図、第５図は
同じく第５段階における相互接続用孔の第２パタ
ーンを表わす線図、第６図は同じく第６段階にお
ける磁極片の第２パターンを表わす線図、第７図
は本考案による６素子薄膜ヘツドの平面図、第８
図は同じく単一トランスデユーサヘツドの斜視図
である。１〜６，２６〜３１……磁極片、７〜９，１７
〜１９，３７……曲折部（巻線部）、１０〜１２，
２０〜２２，３５……電流入力リード線、１３〜
１５，２３〜２５，３６……電流出力リード線、
３２〜３４……情報トラツク。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】１動作中に磁気変換の目的でヘツドを越えて動
かされる磁気記録媒体と磁気結合するようにさ
れたマグネチツクトランスデユーサヘツドにお
いて、該ヘツドは薄膜タイプの多数のマグネチ
ツクトランスデユーサ素子を支持する基板を具
え、各素子は２個の空間的に分離されたストリ
ツプ形状のリード線によつて２個のボンデイン
グパツドへ接続されており、各素子の２個のリ
ード線はそれらの長さの大部分にわたつて電気
的絶縁層が挿入されて基板面を横切る方向に他
方の上部に一方が積み重ねられており、このト
ランテデユーサ素子は磁気回路によつて形成さ
れ、各磁気回路は回路内の磁束と電気巻線内の
電流との間の変換動作を起こすように電気巻線
へ結合されており、各巻線は一平面内に置かれ
リード線へ接続された２つの端部を具え、第１
のトランスデユーサ素子の電気巻線は電流入力
リード線と一緒に第１の導電層内に置かれてい
るが、電流出力リード線は第２の導電層内に置
かれ、第１のトランスデユーサ素子の隣に置か
れた別のトランスデユーサ素子の電気巻線は電
流入力リード線と一緒に第２の導電層内に置か
れており、電流出力リード線は第１の導電層内
に置かれていることを特徴とするマグネチツク
トランスデユーサヘツド。２磁気回路によつて形成され電気巻線との間で
磁束と電流との間の変換動作を起こす誘導性ト
ランスデユーサ素子の代わりに、磁束反応素子
でトランスデユーサ素子を形成したことを特徴
とする請求項１記載のマグネチツクトランスデ
ユーサヘツド。３互いに積み重ねられた各２個のリード線のう
ち基板から離れて置かれたリード線の方が基板
の近くに置かれたリード線よりも短く、それら
のボンデイングパツドはリード線の長手方向に
並べられることを特徴とする請求項１又は２記
載のマグネチツクトランスデユーサヘツド。