JPS6327080A - 固体レ−ザならびに同レ−ザを製作するための方法 - Google Patents
固体レ−ザならびに同レ−ザを製作するための方法Info
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- JPS6327080A JPS6327080A JP62159497A JP15949787A JPS6327080A JP S6327080 A JPS6327080 A JP S6327080A JP 62159497 A JP62159497 A JP 62159497A JP 15949787 A JP15949787 A JP 15949787A JP S6327080 A JPS6327080 A JP S6327080A
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- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学的にポンピングされた固体レーザならびに
同固体レーザをつくジだす方法に関する。
同固体レーザをつくジだす方法に関する。
殊に、本発明は取付具同志を接続すると構成品が光路に
沿って配列されるような構造をなす取付具を装備した構
成品により構成されたレーザに関する。
沿って配列されるような構造をなす取付具を装備した構
成品により構成されたレーザに関する。
最初の作業レーザが1960年に実証されてからの期間
、レーザ開発作業は大きさ、パワー、出力周波数、活媒
質(レーザ材料)励起方法の点で広範な種類のレーザを
もたらしてきた。これらの装置は大部分精密計器として
分類でき熟練作業員によって手で作られるのが普通で返
る。かかる装置が共通に有する特徴は共振器と、ポンプ
源(レーザ材料をつくりだすか活性化するエネルギー源
)と、熱を除去するための手段を備えている点である5
力゛リウムひ素やガリウムアルミナひ素を、f−スとし
たものの如き固体半導体レーザダイオードは別として、
今日利用されているレーザの大部分は気体放電技術にも
とづいておジ、太きくしかも非効率である。
、レーザ開発作業は大きさ、パワー、出力周波数、活媒
質(レーザ材料)励起方法の点で広範な種類のレーザを
もたらしてきた。これらの装置は大部分精密計器として
分類でき熟練作業員によって手で作られるのが普通で返
る。かかる装置が共通に有する特徴は共振器と、ポンプ
源(レーザ材料をつくりだすか活性化するエネルギー源
)と、熱を除去するための手段を備えている点である5
力゛リウムひ素やガリウムアルミナひ素を、f−スとし
たものの如き固体半導体レーザダイオードは別として、
今日利用されているレーザの大部分は気体放電技術にも
とづいておジ、太きくしかも非効率である。
かかる気体放電技術は二酸化炭素レーザのばあいのよう
に気体放電を直接用いるか、あるいはレーザ材料を励起
させるために使用されるフラッシュランプのばあいのよ
うに気体放電を間接的に使用するものを含んでいる。
に気体放電を直接用いるか、あるいはレーザ材料を励起
させるために使用されるフラッシュランプのばあいのよ
うに気体放電を間接的に使用するものを含んでいる。
レーザの光学的組成品が比較的遠くに隔たっているばあ
い(従来のレーザのばあい約15〜800cm)、角度
の不整合が小さなばあいでもレーザ出力に相当な損失を
生じさせる。従って、レーザ共振器はこれら光学的組成
品の安定的な配位を確実に維持するように設計される。
い(従来のレーザのばあい約15〜800cm)、角度
の不整合が小さなばあいでもレーザ出力に相当な損失を
生じさせる。従って、レーザ共振器はこれら光学的組成
品の安定的な配位を確実に維持するように設計される。
したがって設計上共振器の構造にアンバ、ガラス、花崗
岩、スチールや各種セラミクスの如き剛性の高い材料を
使用することが要求される。
岩、スチールや各種セラミクスの如き剛性の高い材料を
使用することが要求される。
レーザ操作の不都合な副産物としてつくりだされる熱も
レーザ共振器の設計に諸々の制約を課している。かかる
熱忙よってつくシだされる温度の変動は共振器が熱によ
って歪みを誘起しそれに関連して共振器内部の光学的部
品が不整合状態忙陥いることになる。従って従来のレー
ザの設計はアンバ、クラオーツや種々のセラミックの如
き熱膨張率の低い材料を使用すると共に外部冷却手段を
使用して共振器を熱的に安定化させることによってこの
間5題に取組んできた。
レーザ共振器の設計に諸々の制約を課している。かかる
熱忙よってつくシだされる温度の変動は共振器が熱によ
って歪みを誘起しそれに関連して共振器内部の光学的部
品が不整合状態忙陥いることになる。従って従来のレー
ザの設計はアンバ、クラオーツや種々のセラミックの如
き熱膨張率の低い材料を使用すると共に外部冷却手段を
使用して共振器を熱的に安定化させることによってこの
間5題に取組んできた。
フラッシュランプ、発光ダイオード、レーザダイオード
やレーザダイオードアレーを使用して固体レーザ材料を
光学的にポンピングもしくは励起させる方法が良く知ら
れているうかかる固体レーザに一般的に使用されるレー
ザ材料は結晶性もしくはガラス状の上位材料でその内部
に三価ネオジミウムイオンの如き活性材料が組込まれた
ものを包含している。ネオジミウムイオン用の従来のホ
スト材料はガラスおよびユトリウムアルミナざくろ石(
以下YAGと称する)を包含する。例えば、ネオジミウ
ムをドープしたYAGを光学的にポンピングされる固体
レーザにおけるレーザ材料として使用するばあいには、
それは約8 ] Onmの波長を有する光を吸収するこ
とによりポンピングされ1.064 nmの波長を有す
る光を発光するのが普通である。
やレーザダイオードアレーを使用して固体レーザ材料を
光学的にポンピングもしくは励起させる方法が良く知ら
れているうかかる固体レーザに一般的に使用されるレー
ザ材料は結晶性もしくはガラス状の上位材料でその内部
に三価ネオジミウムイオンの如き活性材料が組込まれた
ものを包含している。ネオジミウムイオン用の従来のホ
スト材料はガラスおよびユトリウムアルミナざくろ石(
以下YAGと称する)を包含する。例えば、ネオジミウ
ムをドープしたYAGを光学的にポンピングされる固体
レーザにおけるレーザ材料として使用するばあいには、
それは約8 ] Onmの波長を有する光を吸収するこ
とによりポンピングされ1.064 nmの波長を有す
る光を発光するのが普通である。
1971年11月30日にロスに与えられた米国特許第
3.624,545号は少なくとも一個の半導体レーザ
ダイオードによりサイト9ポンピングしたYAGロッド
から成る光学的ポンピングを施した固体レーザについて
述べる。同様にして、1973年8月14日にチェスラ
ーに与えられた米国特許第3.753.145号は一つ
もしくはそれ以上の半導体発光ダイオードを使用してネ
オジミウムをドープしたYAGロッビをエンドポンピン
グする方法について開示している。ノξルスレーザダイ
オードアレイを使用してネオジミウムをドープしたYA
Gの如き固体レーザ材料をエンドポンピングする方法が
1976年9月21日付でローゼンクランツ他に与えら
れた米国特許第3,982,201号に述べられている
。最後に、D、L 、サイプスは緊密に合焦した半導体
レーザダイオードアレーを使用してネオジミウムをドー
プしたYAGを使用して二ンドポンピングをする方法に
よって波長8 ] Onmのポンピング輻射を波長1.
064 nmの出力輻射へ高い効率で変換することがで
きるということについて報告した。(応用物理学通信第
47巻2号、1985年74〜75頁)非線形の光学的
性質を有する材料は良く知られていて調波発生器として
の(資)きを行う能力を備えている。例えば、1976
年4月6日付でビールレン他に付与された米国特許第3
,949,323号はMTtO(XO4)の式を有する
材料を第2の調波発生器として使用する方法について開
示している。
3.624,545号は少なくとも一個の半導体レーザ
ダイオードによりサイト9ポンピングしたYAGロッド
から成る光学的ポンピングを施した固体レーザについて
述べる。同様にして、1973年8月14日にチェスラ
ーに与えられた米国特許第3.753.145号は一つ
もしくはそれ以上の半導体発光ダイオードを使用してネ
オジミウムをドープしたYAGロッビをエンドポンピン
グする方法について開示している。ノξルスレーザダイ
オードアレイを使用してネオジミウムをドープしたYA
Gの如き固体レーザ材料をエンドポンピングする方法が
1976年9月21日付でローゼンクランツ他に与えら
れた米国特許第3,982,201号に述べられている
。最後に、D、L 、サイプスは緊密に合焦した半導体
レーザダイオードアレーを使用してネオジミウムをドー
プしたYAGを使用して二ンドポンピングをする方法に
よって波長8 ] Onmのポンピング輻射を波長1.
064 nmの出力輻射へ高い効率で変換することがで
きるということについて報告した。(応用物理学通信第
47巻2号、1985年74〜75頁)非線形の光学的
性質を有する材料は良く知られていて調波発生器として
の(資)きを行う能力を備えている。例えば、1976
年4月6日付でビールレン他に付与された米国特許第3
,949,323号はMTtO(XO4)の式を有する
材料を第2の調波発生器として使用する方法について開
示している。
(但し、Mはに、 Rb、 T塁、 NH4のうちの
少なくとも一つで65、XはPもしくはAsの少なくと
も一つである。ただしNN4が存在するばあいは別であ
る。そのばあいはXはPだけである。この−般式は特に
有用な非線形素材である燐駿チタニルカリウム、KTi
OPO4,を含むものである。その他の公知の非線形光
学材料はK)(2PO4,LiNbO2゜KNbO3,
L1工03. H工03. KB508・4)(2Qお
よび尿素を含むがそれらに限定されない。ソビエト量子
エレクトロニクスジャーナル第7巻、第1号。
少なくとも一つで65、XはPもしくはAsの少なくと
も一つである。ただしNN4が存在するばあいは別であ
る。そのばあいはXはPだけである。この−般式は特に
有用な非線形素材である燐駿チタニルカリウム、KTi
OPO4,を含むものである。その他の公知の非線形光
学材料はK)(2PO4,LiNbO2゜KNbO3,
L1工03. H工03. KB508・4)(2Qお
よび尿素を含むがそれらに限定されない。ソビエト量子
エレクトロニクスジャーナル第7巻、第1号。
(1977年1月、1−13頁には一連の異なる一軸結
晶の非線形光学特性の考察が発表されている。
晶の非線形光学特性の考察が発表されている。
非線形光学材料は固体レーザの出力輻射の周波数を2倍
にするために活用することができろ。例えば、燐酸チタ
ニルカリウムはネオジミウムをドープしたYAGレーザ
の1.064 nm出力の周波数を2倍にして532
nmの波長を有する光を与えるために使用することがで
きることが報告されている。(R,F’、ベルト他、レ
ーザ焦点/電子光学、1985年10月、120−12
1頁)米国特許第4,526,444号(1985年7
月2日、ファントン外に附与)は殆んど専ら射出成形し
たプラスチックにより作られたファインダ組成体をその
対象としている。ファインダの種々の光学的部品はハウ
ジング内部に共にスナップ式にはまシ合うような構造を
している。
にするために活用することができろ。例えば、燐酸チタ
ニルカリウムはネオジミウムをドープしたYAGレーザ
の1.064 nm出力の周波数を2倍にして532
nmの波長を有する光を与えるために使用することがで
きることが報告されている。(R,F’、ベルト他、レ
ーザ焦点/電子光学、1985年10月、120−12
1頁)米国特許第4,526,444号(1985年7
月2日、ファントン外に附与)は殆んど専ら射出成形し
たプラスチックにより作られたファインダ組成体をその
対象としている。ファインダの種々の光学的部品はハウ
ジング内部に共にスナップ式にはまシ合うような構造を
している。
特に、ハウジングの双方とも補足的に形成されたスナッ
プ式のコネクタを備えていて、それらは互いに対してレ
ンズ部品をすばやく組立て自動的に位置決めすることを
可能にするようになっている。しかしながら、本特許に
述べられたファインダは光や熱を発生させない受動的な
光学系である。
プ式のコネクタを備えていて、それらは互いに対してレ
ンズ部品をすばやく組立て自動的に位置決めすることを
可能にするようになっている。しかしながら、本特許に
述べられたファインダは光や熱を発生させない受動的な
光学系である。
使用して組立てることができるという点については本特
許には何らの教示も水製もない。
許には何らの教示も水製もない。
本発明においては丈夫で、かつ軽量コンパクトな光学的
にポンピングされる固体レーザを補足的に形成された取
付具を有する部品によって構成している。ここでは「レ
ーザ部品」とは光学ポンプと出力カプラー及び任意の中
間の能動もしくは受動光学素子とこれら素子用の補助的
・ξツケージとを意味する。この場合、上記光学素子に
は、利得媒体と任意の合焦非線形光学素子とが含まれる
が光学ポンプに対する電源は除外される。いうまでもな
く、出力カプラーはレーザ共振器やキャビティの端部を
形成するミラーから成ることが理解できよう。
にポンピングされる固体レーザを補足的に形成された取
付具を有する部品によって構成している。ここでは「レ
ーザ部品」とは光学ポンプと出力カプラー及び任意の中
間の能動もしくは受動光学素子とこれら素子用の補助的
・ξツケージとを意味する。この場合、上記光学素子に
は、利得媒体と任意の合焦非線形光学素子とが含まれる
が光学ポンプに対する電源は除外される。いうまでもな
く、出力カプラーはレーザ共振器やキャビティの端部を
形成するミラーから成ることが理解できよう。
本発明の実施例の一つは固体部品から成る光学的にポン
ピングされるレーザで上記固体部品が補足的に形成され
た取付具を有し、上記取付具を接続したときに上記固体
部品が光路に沿って配置されるような構造をなしている
。
ピングされるレーザで上記固体部品が補足的に形成され
た取付具を有し、上記取付具を接続したときに上記固体
部品が光路に沿って配置されるような構造をなしている
。
本発明のもう一つの実施例は光学的にポンピングされる
固体レーザを作る方法で以下のプロセスから成る方法で
ある。
固体レーザを作る方法で以下のプロセスから成る方法で
ある。
即ち、ta) 組立てたときに上記レーザの部品が所
定の許容差の範囲内で光路に沿って互いに配置されるこ
とになるような構造をした取付具を上記部品に装着し、 (1)) 上記取付具を共に接続することによって部
品どうしを作業関係におき、 [C) 上記取付具どうしを互いに接着する。
定の許容差の範囲内で光路に沿って互いに配置されるこ
とになるような構造をした取付具を上記部品に装着し、 (1)) 上記取付具を共に接続することによって部
品どうしを作業関係におき、 [C) 上記取付具どうしを互いに接着する。
本発明の目的は改良された光学的にポンピングされる固
体レーザを提供することである。
体レーザを提供することである。
本発明のもう一つの目的は軽量な、光学的ポンピング固
体レーザな提供することである。
体レーザな提供することである。
本発明のもう一つの目的は衝撃に対する感応性が相対的
に低い光学的ポンピングを施した固体レーザな提供する
ことである。
に低い光学的ポンピングを施した固体レーザな提供する
ことである。
本発明のもう一つの目的は光学的にポンピングされる固
体レーザを容易に組立てることのできる方法を提供する
ことである。
体レーザを容易に組立てることのできる方法を提供する
ことである。
本発明の目的は更に射出成形した取付具を装着した部品
から組立てることのできる光学的ポンピング固体レーザ
を提供することである。
から組立てることのできる光学的ポンピング固体レーザ
を提供することである。
本発明の目的は更にプラスチックの如き比較的高い熱膨
張率と比較的低い弾性率を有する材料により少なくとも
一部が構成された光学的ポンピング固体レーザな提供す
ることである。
張率と比較的低い弾性率を有する材料により少なくとも
一部が構成された光学的ポンピング固体レーザな提供す
ることである。
本発明の目的は更に光学的にポンピングされる固体レー
ザを大量生産するための方法を提供することである。
ザを大量生産するための方法を提供することである。
本発明の目的は更に、光学的にポンピングされる固体レ
ーザを生産するに際して射出成形技術を使用する方法を
提供することである。
ーザを生産するに際して射出成形技術を使用する方法を
提供することである。
本発明は多くの形の実施例を考えることができるが、第
1図ないし第4図には2つの特殊例を示しである。本発
明は以下の実施例に限定されるものでない。
1図ないし第4図には2つの特殊例を示しである。本発
明は以下の実施例に限定されるものでない。
第2図に示したハウジングは別として図面中の第1図と
第2図は本発明の光学的にポンピングされるレーザでほ
ぼ円筒形をしたものの単一の実施例を示したものである
。第1図は本実施の分解断面図の斜視図であるが第2図
はその断面図である。
第2図は本発明の光学的にポンピングされるレーザでほ
ぼ円筒形をしたものの単一の実施例を示したものである
。第1図は本実施の分解断面図の斜視図であるが第2図
はその断面図である。
第1図と第2図について述べると、要素1,2から成る
光学的ポンピング手段からの光が、表面5上に適当な反
射コーチングが施され、上記ポンピング手段(1および
2)からの光によりてポンピングされるレーザ材料4上
にレンズ3により集光される。表面5に対する反射性コ
ーチングはポンピング手段(1および2)によってつく
シだされる光に対しては透過性が大きいが、レーザ材料
のレーザ光線の発生によってつくシだされる光に対して
は反射性が大きい。レーザ材料4のレーザ光発生によっ
て発せられる光は非線形光学素子を通り抜け、レーザ材
料により発せられる光に対しては高度に反射的であるが
非線形光学材料6によりつくりだされる周波数変調光に
対しては実質上透過的な表面8に対する適当な反射性コ
ーチングを有する出力カブラフに至る。出力カプラ7は
それを通過するレーザからの出力輻射を平行にする働き
を行うような形をしている。
光学的ポンピング手段からの光が、表面5上に適当な反
射コーチングが施され、上記ポンピング手段(1および
2)からの光によりてポンピングされるレーザ材料4上
にレンズ3により集光される。表面5に対する反射性コ
ーチングはポンピング手段(1および2)によってつく
シだされる光に対しては透過性が大きいが、レーザ材料
のレーザ光線の発生によってつくシだされる光に対して
は反射性が大きい。レーザ材料4のレーザ光発生によっ
て発せられる光は非線形光学素子を通り抜け、レーザ材
料により発せられる光に対しては高度に反射的であるが
非線形光学材料6によりつくりだされる周波数変調光に
対しては実質上透過的な表面8に対する適当な反射性コ
ーチングを有する出力カブラフに至る。出力カプラ7は
それを通過するレーザからの出力輻射を平行にする働き
を行うような形をしている。
レーザの各部品である光学的ポンピング手段(1および
2)、レンズ3.レーザ材料4.非線形光学材料6.お
よび出力カプラ7はそれぞれ取付具9,10,11,1
2.13’g装着している。これらの取付具は補完的な
形をしているため、−緒に取付けたばあいにレーザ構成
部品が光路に沿って互いに自動的に整合するようになる
。適当な光学的ポンピング手段は任意の補助的パッケー
ジもしくは構造と共にレーザダイオード、発光ダイオー
ド9およびレーザダイオードアレーから成るが、以上の
ものに限定されるわけではない。本文中では「光学的ポ
ンピング手段」という語は上記レーザダイオード、発光
ダイオードおよびレーザダイオードアレーと関連する任
意のヒートシンクもしくはノッケージを含むものである
が、それと関連する電源は除外するものとする。例えば
かかる素子は耐熱性で熱伝導性のヒートシンクに取付け
られ金属ハウジング内に実装されるのが一般的である。
2)、レンズ3.レーザ材料4.非線形光学材料6.お
よび出力カプラ7はそれぞれ取付具9,10,11,1
2.13’g装着している。これらの取付具は補完的な
形をしているため、−緒に取付けたばあいにレーザ構成
部品が光路に沿って互いに自動的に整合するようになる
。適当な光学的ポンピング手段は任意の補助的パッケー
ジもしくは構造と共にレーザダイオード、発光ダイオー
ド9およびレーザダイオードアレーから成るが、以上の
ものに限定されるわけではない。本文中では「光学的ポ
ンピング手段」という語は上記レーザダイオード、発光
ダイオードおよびレーザダイオードアレーと関連する任
意のヒートシンクもしくはノッケージを含むものである
が、それと関連する電源は除外するものとする。例えば
かかる素子は耐熱性で熱伝導性のヒートシンクに取付け
られ金属ハウジング内に実装されるのが一般的である。
適合性が大きな光学ポンピング源はガリウムアルミ砒素
レーザダイオード2で約810 nmの波長を有しヒー
トシンク1に取付けられるものから成る。ヒートシンク
1の性格は受動的でありてよい。
レーザダイオード2で約810 nmの波長を有しヒー
トシンク1に取付けられるものから成る。ヒートシンク
1の性格は受動的でありてよい。
しかしヒートシンク1はレーザダイオード2を一定の温
度に保ちレーザダイオード2の光学的動作を確保するこ
とを助けるために熱電冷却器を備えることもできる。い
うまでもなく、動作中に光学的ポンピング手段が適当な
電源に取り付けられることになる。電源に向かうレーザ
ダイオード2からの電気リードは第1図と第2図には示
されていない。
度に保ちレーザダイオード2の光学的動作を確保するこ
とを助けるために熱電冷却器を備えることもできる。い
うまでもなく、動作中に光学的ポンピング手段が適当な
電源に取り付けられることになる。電源に向かうレーザ
ダイオード2からの電気リードは第1図と第2図には示
されていない。
レンズ3はレーザダイオード2からの光をレーザ材料4
上に集光させろ働qf行う。この集光によりて高いポン
ピング強度と、それに関連してレーザ材料に高いフォト
ン間変換効率がもたらされることになる。集光のための
従来の光学的手段を単レンズ30代わりに用いてもよい
。例えば勾酸割当しレンズ、ボールレンズ、非球面レン
ズあるいはそれらのレンズの組合せを使用することがで
きる。しかしながら、レンズ3は本発明のレーザにとり
て本質的なものではなくそのような集光手段を使用する
方が望ましいだけであることが理解されると思う。
上に集光させろ働qf行う。この集光によりて高いポン
ピング強度と、それに関連してレーザ材料に高いフォト
ン間変換効率がもたらされることになる。集光のための
従来の光学的手段を単レンズ30代わりに用いてもよい
。例えば勾酸割当しレンズ、ボールレンズ、非球面レン
ズあるいはそれらのレンズの組合せを使用することがで
きる。しかしながら、レンズ3は本発明のレーザにとり
て本質的なものではなくそのような集光手段を使用する
方が望ましいだけであることが理解されると思う。
選択された光学的ポンピング手段によって光学的にポン
ピングできる限り、如何なる従来のレーザ材料4を使用
してもよい。適当なレーザ材料は活性材料によりドープ
したガラス質と結晶質のホスト材料から成る群から選ん
だ材料を含むが、それらに限定されるものではない。適
性の大キな活性材料はクロミウム、チタニウムおよび希
士金属のイオンを含むが、それらに限定されるものでは
ない。特殊例としてネオジミウムをドープしたYAGは
810 nmの波長を有する元をつくりだす光学的ポン
ピング手段と組み合せて使用するうえですζぶる適当な
レーザ材料である。この波長の光によってポンピングさ
れるとネオジミウムをドープしたYAGは1,064n
mの波長を有する光を発することができる。
ピングできる限り、如何なる従来のレーザ材料4を使用
してもよい。適当なレーザ材料は活性材料によりドープ
したガラス質と結晶質のホスト材料から成る群から選ん
だ材料を含むが、それらに限定されるものではない。適
性の大キな活性材料はクロミウム、チタニウムおよび希
士金属のイオンを含むが、それらに限定されるものでは
ない。特殊例としてネオジミウムをドープしたYAGは
810 nmの波長を有する元をつくりだす光学的ポン
ピング手段と組み合せて使用するうえですζぶる適当な
レーザ材料である。この波長の光によってポンピングさ
れるとネオジミウムをドープしたYAGは1,064n
mの波長を有する光を発することができる。
第1図と第2図にはロッドとしてレーザ材料4が示され
ている。しかしながら、本部品の正確な幾何学的材料は
広範囲に変化させることが可能であることが理解されよ
う。例えば、レーザ材料は望むならばレンズ形の表面を
備えろことや斜方面体晶形とすることができる。図面に
は示されていないが、本発明の実施例は光学的ポンピン
グ手段によジエンドポンピングされたレーザ材料のファ
イバの使用を伴う。この目的のためにすこぶる適当なフ
ァイバはネオシミニウムの如き希土金属のイオンにより
ドープしたガラス光ファイバを含むが、それに限定され
ろものではない。かかるファイバの長さは光ポンピング
手段からの元をほぼ全部吸収させるよう容易に調節する
ことができる。
ている。しかしながら、本部品の正確な幾何学的材料は
広範囲に変化させることが可能であることが理解されよ
う。例えば、レーザ材料は望むならばレンズ形の表面を
備えろことや斜方面体晶形とすることができる。図面に
は示されていないが、本発明の実施例は光学的ポンピン
グ手段によジエンドポンピングされたレーザ材料のファ
イバの使用を伴う。この目的のためにすこぶる適当なフ
ァイバはネオシミニウムの如き希土金属のイオンにより
ドープしたガラス光ファイバを含むが、それに限定され
ろものではない。かかるファイバの長さは光ポンピング
手段からの元をほぼ全部吸収させるよう容易に調節する
ことができる。
非常に長いファイバが必要なばあいには、それを例えば
スプール上にコイル巻キにして本発明のレーザの全長を
最小にすることができる。
スプール上にコイル巻キにして本発明のレーザの全長を
最小にすることができる。
レーザ材料4は表面5上に反射性のコーチングを有する
。このコーチングの性格は従来のものでレーザダイオー
ド2から入射するポンピング輻射のできるだけ多くを透
過させつつ、レーザ材料4のレーザ光発生によりつくシ
だされた輻射に対して高度な反射性をもつように選択さ
れる。このコーチングはまたレーザ材料4のレーザ光発
光によジつくりだされた輻射の第2調波に対して高度な
反射性を有することになろうつこの第2調波の高
゛い反射属は周波数が2倍でない非線形光学材料6に
よりつくりだされる2倍の周波数の輻射が表面8上のコ
ーチングによって非線形光学材料6を通って逆反射して
生ずるポンプ側損失ン防ぐ働きを行う。
。このコーチングの性格は従来のものでレーザダイオー
ド2から入射するポンピング輻射のできるだけ多くを透
過させつつ、レーザ材料4のレーザ光発生によりつくシ
だされた輻射に対して高度な反射性をもつように選択さ
れる。このコーチングはまたレーザ材料4のレーザ光発
光によジつくりだされた輻射の第2調波に対して高度な
反射性を有することになろうつこの第2調波の高
゛い反射属は周波数が2倍でない非線形光学材料6に
よりつくりだされる2倍の周波数の輻射が表面8上のコ
ーチングによって非線形光学材料6を通って逆反射して
生ずるポンプ側損失ン防ぐ働きを行う。
8 ] Onmの波長を有する光によってポンピングさ
れたネオジミウムをドープし九YAGロンド4のばあい
、表面5に対するコーチングは上記8 ] Onmの光
をほぼ透過させ1.064 nmの波長を有する光に対
しては高い反射性を有する。
れたネオジミウムをドープし九YAGロンド4のばあい
、表面5に対するコーチングは上記8 ] Onmの光
をほぼ透過させ1.064 nmの波長を有する光に対
しては高い反射性を有する。
このコーチングはまた5 32 nmの波長を有する光
に対しては高い反射性?有し、第2の調波は上記1.0
64 nmの元に対して反射性を有していることが更に
望ましい。いうまでもなく、表面5のコーチングにより
つくりだされる波長選択ミラーは上記表面上に配置する
必要はない。必要ならば、このミラーな光ポンピング手
段とレーザ材料との間の任意の箇所に配置することがで
き、適当な基板上にデポジットさせたコーチングにより
構成することができる。更に、ミラーは適当な形状のも
のであればどんなものでもよい。レーザ材料4のレーザ
発光により発せられた光は非線形光学材料6を通過する
。非線形光学材料の結晶構造をレーザ材料4によりつく
りだされ入射光に対して適当に配位させることによって
、入射光の周波数を変更することができ、例えば非線形
光学材料6を通過することによって2倍もしくは3倍と
することができる。特殊な例としてネオジミウムをドー
プしたYAGレーザ材料4から発せられる1、064n
mの波長の光は非線形光学材料6を通過した直後に53
2 nmの波長の光に変換することができる。
に対しては高い反射性?有し、第2の調波は上記1.0
64 nmの元に対して反射性を有していることが更に
望ましい。いうまでもなく、表面5のコーチングにより
つくりだされる波長選択ミラーは上記表面上に配置する
必要はない。必要ならば、このミラーな光ポンピング手
段とレーザ材料との間の任意の箇所に配置することがで
き、適当な基板上にデポジットさせたコーチングにより
構成することができる。更に、ミラーは適当な形状のも
のであればどんなものでもよい。レーザ材料4のレーザ
発光により発せられた光は非線形光学材料6を通過する
。非線形光学材料の結晶構造をレーザ材料4によりつく
りだされ入射光に対して適当に配位させることによって
、入射光の周波数を変更することができ、例えば非線形
光学材料6を通過することによって2倍もしくは3倍と
することができる。特殊な例としてネオジミウムをドー
プしたYAGレーザ材料4から発せられる1、064n
mの波長の光は非線形光学材料6を通過した直後に53
2 nmの波長の光に変換することができる。
第1図と第2図において非線形光学材料6はロヅドとし
て示されているが、この部品の幾何学的形状は広範囲に
変化させることができる。
て示されているが、この部品の幾何学的形状は広範囲に
変化させることができる。
例えば、非線形光学材料は必要に応じてレンズ形の表面
を備えたシ、斜方面体晶形とすることができる。また、
かかる非線形光学部品は加熱もしくは冷却手段により構
成し上記非線形光学材料の温度を制御して調波発生器と
してのその性能を最適にすることができる。
を備えたシ、斜方面体晶形とすることができる。また、
かかる非線形光学部品は加熱もしくは冷却手段により構
成し上記非線形光学材料の温度を制御して調波発生器と
してのその性能を最適にすることができる。
燐酸チタニルカリウムが非線形光学材料としてすこぶる
望ましい。しかしながら、多くの公知の非線形光学材料
の何れも本発明な実施するにさいして使用できる。かか
る公知の非線形光学材料はKHPOLiNbO2,KN
bO3,Li工03. H工03゜2 4’ KB、08・4H20,尿素、および式MT10(X0
4)の化合物(ただしMはに、 Rb、 TIから成る
群から選び、XはPとA8から成る群から選ぶ)ン含む
がそれに限定されるものではない。非線形光学材料6は
本質的なレーザ部品ではなくその使用は単に本発明の一
実施例を表わすものにすぎない。
望ましい。しかしながら、多くの公知の非線形光学材料
の何れも本発明な実施するにさいして使用できる。かか
る公知の非線形光学材料はKHPOLiNbO2,KN
bO3,Li工03. H工03゜2 4’ KB、08・4H20,尿素、および式MT10(X0
4)の化合物(ただしMはに、 Rb、 TIから成る
群から選び、XはPとA8から成る群から選ぶ)ン含む
がそれに限定されるものではない。非線形光学材料6は
本質的なレーザ部品ではなくその使用は単に本発明の一
実施例を表わすものにすぎない。
非線形光学材料6は第2調波発生器として100チ効率
的ではないので、レーザ材料4からこの部品2通り抜け
る光は普通、2倍の周波数の光と非変調光とが混合され
たものになる。レーザ材料4としてネオジミウムをドー
プしたYAGがら発せられた1、 064 niの波長
を有する元のばあい、非線形光学材料6を通り抜けた光
は1.064 nmと532 n1lHの波長の混合体
となろう。この波長混合体は波長選択的な表面に反射性
コーチングを有する出力カプラ7方向に向かう。このコ
ーチングの性格は従来のものでそれが532 nmの光
に対してはほぼ透過性を有するが1,064nmの光に
対しては高度な反射性を有するように選択される。従っ
て532 nmの波長を有する2倍の周波数光だけが出
力カプラを通って発せられることになる。
的ではないので、レーザ材料4からこの部品2通り抜け
る光は普通、2倍の周波数の光と非変調光とが混合され
たものになる。レーザ材料4としてネオジミウムをドー
プしたYAGがら発せられた1、 064 niの波長
を有する元のばあい、非線形光学材料6を通り抜けた光
は1.064 nmと532 n1lHの波長の混合体
となろう。この波長混合体は波長選択的な表面に反射性
コーチングを有する出力カプラ7方向に向かう。このコ
ーチングの性格は従来のものでそれが532 nmの光
に対してはほぼ透過性を有するが1,064nmの光に
対しては高度な反射性を有するように選択される。従っ
て532 nmの波長を有する2倍の周波数光だけが出
力カプラを通って発せられることになる。
表面8のコーチングによりつくりだされる波長選択ミラ
ーは第1図と第2図に示したような正確な設計による必
要はな〈従来形のものでよい。例えば、波長選択ミラー
は非線形光学材料6の表面14のコーチングによりつく
りだすことができる。
ーは第1図と第2図に示したような正確な設計による必
要はな〈従来形のものでよい。例えば、波長選択ミラー
は非線形光学材料6の表面14のコーチングによりつく
りだすことができる。
このばおいては、出力カプラ7はレーザからの出力輻射
χ平行もしくは修正することを唯一の目的とする光学的
手段により取除くか取替えることができよう。しかしな
がら、表面8のコーチングによりつくりだされたミラー
の凹形は周波数を2倍化されなかった反射光が非線形光
学材料6上に逆反射しレーザ材料4を通って表面5のコ
ーチング上に集光させろという利点を有する。上記の通
り表面5のこのコーチングはレーザ材料4のレーザ光発
生による周波数を2倍化された光と非変調光の双方に対
して高い反射性を備えていることが望ましい。従って、
表面8のコーチングにより反射された周波数非変調光は
非線形光学材料6を通り抜けることによって部分的に周
波数を2倍化され、その結果得られる波長の混合体は表
面5のコーチングから反射して非線形光学材料6を逆に
通り抜けそこか残りの周波数非変調光の幾らかが周波数
2倍化され、周波数を2倍化された光は出力カプラ7を
通って発光する。散乱や吸収の如きプロセスの結果とし
て生ずる損失を除いては、この一連の事象を更に反復す
ることによってレーザ材料4のレーザ発光によりつくり
だされた元の全てが周波数を2倍化され出力カプラ7を
通って発光する結果となる。
χ平行もしくは修正することを唯一の目的とする光学的
手段により取除くか取替えることができよう。しかしな
がら、表面8のコーチングによりつくりだされたミラー
の凹形は周波数を2倍化されなかった反射光が非線形光
学材料6上に逆反射しレーザ材料4を通って表面5のコ
ーチング上に集光させろという利点を有する。上記の通
り表面5のこのコーチングはレーザ材料4のレーザ光発
生による周波数を2倍化された光と非変調光の双方に対
して高い反射性を備えていることが望ましい。従って、
表面8のコーチングにより反射された周波数非変調光は
非線形光学材料6を通り抜けることによって部分的に周
波数を2倍化され、その結果得られる波長の混合体は表
面5のコーチングから反射して非線形光学材料6を逆に
通り抜けそこか残りの周波数非変調光の幾らかが周波数
2倍化され、周波数を2倍化された光は出力カプラ7を
通って発光する。散乱や吸収の如きプロセスの結果とし
て生ずる損失を除いては、この一連の事象を更に反復す
ることによってレーザ材料4のレーザ発光によりつくり
だされた元の全てが周波数を2倍化され出力カプラ7を
通って発光する結果となる。
取付具9,10,11,12.13は共に組立てたとき
にレーザの各種部品が光路に沿って互いに対して自動的
に配置されるように構成される。取付具9.11は取付
具10内の補完的凹所内へはまりあうような形ンしてい
る。同様にして、取付具11゜13は取付具12内の補
完的凹所内にはまりこむような形Zしている。取付具は
レーザ部品が上記取付具を接続したときに所定の許容差
の範囲内に互いに対して配置されるような形をしている
ことが望ましい。必要とあらば、これら許容差は部品が
互いに全体として正確な間隔をもりて配置されるように
比較的大きくすることによってレーザ性能の最適化が部
品間の最終的な間隔を経験的に調節することによって達
成できるようにすることができる。例えば、第2図には
共にきつくはまりあう取付具9,10が示されている。
にレーザの各種部品が光路に沿って互いに対して自動的
に配置されるように構成される。取付具9.11は取付
具10内の補完的凹所内へはまりあうような形ンしてい
る。同様にして、取付具11゜13は取付具12内の補
完的凹所内にはまりこむような形Zしている。取付具は
レーザ部品が上記取付具を接続したときに所定の許容差
の範囲内に互いに対して配置されるような形をしている
ことが望ましい。必要とあらば、これら許容差は部品が
互いに全体として正確な間隔をもりて配置されるように
比較的大きくすることによってレーザ性能の最適化が部
品間の最終的な間隔を経験的に調節することによって達
成できるようにすることができる。例えば、第2図には
共にきつくはまりあう取付具9,10が示されている。
しかしながら、必要とあらば、取付具9,10はこのし
まりばめによってダイオードレーザ2がレンズ3から全
体として正確な距離に位置決めされ、この距離が最適な
レーザ性能が達成されるまで取付具9,10を互いに僅
かに動かすことによって経験的に最適化できるような形
をとることができる。
まりばめによってダイオードレーザ2がレンズ3から全
体として正確な距離に位置決めされ、この距離が最適な
レーザ性能が達成されるまで取付具9,10を互いに僅
かに動かすことによって経験的に最適化できるような形
をとることができる。
本発明の更に望ましい実施例のはあい上記取付具を接続
したときにレーザ部品が所定の許容差の範囲内で光路に
沿って互いに対して作業関係に配置されるような形をし
た取付具を使用する。
したときにレーザ部品が所定の許容差の範囲内で光路に
沿って互いに対して作業関係に配置されるような形をし
た取付具を使用する。
取付具9,10,11,12.13は必要とあらば従来
技術もしくはそれらの組合せt用いて一緒に接着させる
ことができる。例えば、取付具は一つもしくはそれ以上
の接着剤やボンドと共に溶接もしくは接着させることが
できる。その代わり、組立てた取付具と関係レーザ部品
を取付具を共に格納するハウジング内に包囲することも
できる。例えば、金属、プラスチックもしくはセラミッ
クハウジングを使用することができろ。事実、本発明の
高度に望ましい実施例は射出成形プラスチックハウジン
グを使用している。第2図には全体として管状のハウジ
ング15が示されている。取付具9゜10、]1.12
.13もまた取付具自体内もしくはその上部に組込まれ
たスナップ式接続手段もしくはその他の締付手段〉使用
することによって共に接着させることができる。−例と
して取付具はねじ山を備えることによって共にねじ込み
ねじ山によって共に保持されるようにすることができる
。
技術もしくはそれらの組合せt用いて一緒に接着させる
ことができる。例えば、取付具は一つもしくはそれ以上
の接着剤やボンドと共に溶接もしくは接着させることが
できる。その代わり、組立てた取付具と関係レーザ部品
を取付具を共に格納するハウジング内に包囲することも
できる。例えば、金属、プラスチックもしくはセラミッ
クハウジングを使用することができろ。事実、本発明の
高度に望ましい実施例は射出成形プラスチックハウジン
グを使用している。第2図には全体として管状のハウジ
ング15が示されている。取付具9゜10、]1.12
.13もまた取付具自体内もしくはその上部に組込まれ
たスナップ式接続手段もしくはその他の締付手段〉使用
することによって共に接着させることができる。−例と
して取付具はねじ山を備えることによって共にねじ込み
ねじ山によって共に保持されるようにすることができる
。
取付具9,10,11,12.13は共に嵌合して各種
レーザ部品のまわりに全体として管状の構造を形成する
。しかしながら、これは単に本発明の一実施例にすぎず
、本発明の取付具は便利なものであればどのような形状
のものでも差しつかえないということが理解されよう。
レーザ部品のまわりに全体として管状の構造を形成する
。しかしながら、これは単に本発明の一実施例にすぎず
、本発明の取付具は便利なものであればどのような形状
のものでも差しつかえないということが理解されよう。
例えば、取付具は第1図と第2図に示したような第1図
と第2図に示す如く全ての側部でなく2つの側部上にレ
ーザ部品を包囲するだけでよい。必要とあらば取付具は
共に嵌合したときに実質上平坦なプラットホーム、トレ
ーもしくはドラフン形成するように設計することが可能
である。取付具の正確な形状は製作上の便宜と組立てた
レーザの使用目的を考慮することによって命ぜられるこ
とが多いということを理解されたい。
と第2図に示す如く全ての側部でなく2つの側部上にレ
ーザ部品を包囲するだけでよい。必要とあらば取付具は
共に嵌合したときに実質上平坦なプラットホーム、トレ
ーもしくはドラフン形成するように設計することが可能
である。取付具の正確な形状は製作上の便宜と組立てた
レーザの使用目的を考慮することによって命ぜられるこ
とが多いということを理解されたい。
本発明の取付具は金属、セラミック、ガス、熱可塑性材
料および熱硬化性材料の如き任意の適当な剛性材料によ
り構成することができる。更に、取付具は任意の従来の
技術により製°作することができる。例えば、金属取付
具は切削やダイカストにより製作することができ、ダイ
カストアルミニウム取付具は特に満足のゆくものである
。本発明の更に望ましい実施例は一つもしくはそれ以上
の熱可塑性材料から成る取付具を使用するばあいである
。適当な熱可塑性材料はポリ塩化ビニル、ナイロン、フ
ルオロカーボン、線状ポリエチレン、ポリウレタンプレ
ポリマ、ポリスチレン、ポリプロピレン、およびセルロ
ースならびにアクリル樹脂!含むがそれに限定されない
。必要とあらば、かかる熱可塑性材料と各種ファイバそ
の他の強化剤との複合体も使用できる。熱可塑性とガラ
スの取付具は便宜上射出成形技術により製作することも
できる。例えば、取付具は取付具を部品のまわりに射出
成形するという簡単な方法によってレーザ部品に取付け
ることができる。事実、もし適当なガラスや熱可塑性材
料を選べば、成るレーザの受動的光学部品と関連取付具
ン単体として射出成形することができる。かかる受動光
学部品は任意のレンズを使用してよく、例えばレンズ3
とその取付具10は同一のガラスもしくは熱可塑性材料
により単体として製作することができる。
料および熱硬化性材料の如き任意の適当な剛性材料によ
り構成することができる。更に、取付具は任意の従来の
技術により製°作することができる。例えば、金属取付
具は切削やダイカストにより製作することができ、ダイ
カストアルミニウム取付具は特に満足のゆくものである
。本発明の更に望ましい実施例は一つもしくはそれ以上
の熱可塑性材料から成る取付具を使用するばあいである
。適当な熱可塑性材料はポリ塩化ビニル、ナイロン、フ
ルオロカーボン、線状ポリエチレン、ポリウレタンプレ
ポリマ、ポリスチレン、ポリプロピレン、およびセルロ
ースならびにアクリル樹脂!含むがそれに限定されない
。必要とあらば、かかる熱可塑性材料と各種ファイバそ
の他の強化剤との複合体も使用できる。熱可塑性とガラ
スの取付具は便宜上射出成形技術により製作することも
できる。例えば、取付具は取付具を部品のまわりに射出
成形するという簡単な方法によってレーザ部品に取付け
ることができる。事実、もし適当なガラスや熱可塑性材
料を選べば、成るレーザの受動的光学部品と関連取付具
ン単体として射出成形することができる。かかる受動光
学部品は任意のレンズを使用してよく、例えばレンズ3
とその取付具10は同一のガラスもしくは熱可塑性材料
により単体として製作することができる。
必要とあらば、単一の取付具を関係レーザ部品のまわり
に組立てられる2つもしくはそれ以上のセグメンとに製
作することができる。例えば、取付具10はダイカスト
アルミニウムもしくは射出成形した熱可塑性材料により
2つの半分体に製作することができる。これら2個の半
分体はそのときレンズ3のまわりに共に嵌合させ、任意
の適当な方法により互いに接着させそれに取付具10を
取付けたレンズ3を与えることができる。
に組立てられる2つもしくはそれ以上のセグメンとに製
作することができる。例えば、取付具10はダイカスト
アルミニウムもしくは射出成形した熱可塑性材料により
2つの半分体に製作することができる。これら2個の半
分体はそのときレンズ3のまわりに共に嵌合させ、任意
の適当な方法により互いに接着させそれに取付具10を
取付けたレンズ3を与えることができる。
本発明の光学的にポンピングした固体レーザはほぼどん
な寸法のものであってもよいが非常に小さいことが望ま
しい。例えば、各種レーザ部品の組成取付具の全長は約
20cmより小さいことが望ましいが、約10cmより
小さいことがなお望ましく、約5c1nより小さいこと
が更罠望ましい。かかる比較的小さい寸法の結果として
、プラスチックは取付具をレーザ部品用に構成する上で
使用するばあいの適合性が更に大きくなる。組立てた直
後、これらプラスチック取付具は各種レーザ部品を互い
に一定の関係をもって保持するプラスチック構造が得ら
れることになる。これらの相対的に小さな寸法のばあい
、プラスチックの相対的に不十分表剛性と熱膨張性はほ
ぼ無関係になる。
な寸法のものであってもよいが非常に小さいことが望ま
しい。例えば、各種レーザ部品の組成取付具の全長は約
20cmより小さいことが望ましいが、約10cmより
小さいことがなお望ましく、約5c1nより小さいこと
が更罠望ましい。かかる比較的小さい寸法の結果として
、プラスチックは取付具をレーザ部品用に構成する上で
使用するばあいの適合性が更に大きくなる。組立てた直
後、これらプラスチック取付具は各種レーザ部品を互い
に一定の関係をもって保持するプラスチック構造が得ら
れることになる。これらの相対的に小さな寸法のばあい
、プラスチックの相対的に不十分表剛性と熱膨張性はほ
ぼ無関係になる。
第1図と第2図はそれぞれ各レーザ部品1,2゜3、4
.6.7 が別々の取付具9.IO,]1.12.1
3に取付けられる本発明の実施例を示したものである。
.6.7 が別々の取付具9.IO,]1.12.1
3に取付けられる本発明の実施例を示したものである。
しかしながら、一つの取付具はそれに1つ以上のレーザ
部品を取付けることができることを理解されたい。例え
ば、取付具10.11を組合せてレンズ3とレーザ材料
4を同じ取付具にと9つけることができる。所与の取付
具に取付けられるレーザ部品の数は製作上の便宜と経済
性奢考慮して決定されるのが普通であろう。
部品を取付けることができることを理解されたい。例え
ば、取付具10.11を組合せてレンズ3とレーザ材料
4を同じ取付具にと9つけることができる。所与の取付
具に取付けられるレーザ部品の数は製作上の便宜と経済
性奢考慮して決定されるのが普通であろう。
第3図と第4図とは本発明のもう一つの実施例を示した
もので、それも実質上円筒形の形状を有している。第3
図は本実施例の分解断面の斜視図であるが、第4図は断
面図である。
もので、それも実質上円筒形の形状を有している。第3
図は本実施例の分解断面の斜視図であるが、第4図は断
面図である。
第3図と第4図について述べると、光学素子20.21
から成る光学的ポンピング手段からの光はレンズ22に
より表面24上に適当な反射コーチングを備え上記ポン
ピング手段(2o、21)からの元によりポンピングさ
れるレーザ材料23上に集光される。表面24の反射コ
ーチングはポンピング手段(20,21)からの光罠対
する透過性は大きいが、レーザ材料23のレーザ発光に
よりつくりだされた光に対しての反射性は大きい。レー
ザ材料23のレーザ発光により発せられた光は表面26
上に適当な反射コーチング2有しそれを通り抜ける光ケ
平行にする形ンした出力カプラ25に向かう。
から成る光学的ポンピング手段からの光はレンズ22に
より表面24上に適当な反射コーチングを備え上記ポン
ピング手段(2o、21)からの元によりポンピングさ
れるレーザ材料23上に集光される。表面24の反射コ
ーチングはポンピング手段(20,21)からの光罠対
する透過性は大きいが、レーザ材料23のレーザ発光に
よりつくりだされた光に対しての反射性は大きい。レー
ザ材料23のレーザ発光により発せられた光は表面26
上に適当な反射コーチング2有しそれを通り抜ける光ケ
平行にする形ンした出力カプラ25に向かう。
表面26の反射コーチングはそれがレーザ材料23のレ
ーザ発光により発せられた光の全部ではなく幾分かケ透
過させるようなものを選ぶ。例えば、表面26のコーチ
ングはレーザ材料23により発せられた元に対して約9
5%の反射率を有することができる。表面24.26上
に使用するためにふされしい反射コーチングは従来技術
による。
ーザ発光により発せられた光の全部ではなく幾分かケ透
過させるようなものを選ぶ。例えば、表面26のコーチ
ングはレーザ材料23により発せられた元に対して約9
5%の反射率を有することができる。表面24.26上
に使用するためにふされしい反射コーチングは従来技術
による。
光学的ポンピング手段(20,2])とレンズ22は共
に一つの取付具27に取付けられ、レーザ材料23は取
付具28に取付けられ、出力カプラ25は取付具29に
取付けられる。取付具27゜28.29は共にはめあわ
せたときにレーザ部品どうしが光路に沿って自動的に配
列されるように補完的な形!している。取付具28.2
9は共にきつくはめあわせたときに出力カプラ25がレ
ーザ材料23に対して実質上正確に位置決めされるよう
な形をしている。しかしながら、レーザ材料23に対す
るレンズ22の位置決めは取付具27.28を互いに対
して僅かに動かしギャップ31,32Yつくることによ
って経験的に最適化する。取付具は共に接続しおわった
ときに各種レーザ部品ケ互いに対して所定の許容差の範
囲内に配列することになるような構造をしていることが
望ましい。これらの許容差は十分に小さくてレーザ部品
が取付具を接続したときに作業関係に自動的に配列され
ろようになっていることが更に望ましい。
に一つの取付具27に取付けられ、レーザ材料23は取
付具28に取付けられ、出力カプラ25は取付具29に
取付けられる。取付具27゜28.29は共にはめあわ
せたときにレーザ部品どうしが光路に沿って自動的に配
列されるように補完的な形!している。取付具28.2
9は共にきつくはめあわせたときに出力カプラ25がレ
ーザ材料23に対して実質上正確に位置決めされるよう
な形をしている。しかしながら、レーザ材料23に対す
るレンズ22の位置決めは取付具27.28を互いに対
して僅かに動かしギャップ31,32Yつくることによ
って経験的に最適化する。取付具は共に接続しおわった
ときに各種レーザ部品ケ互いに対して所定の許容差の範
囲内に配列することになるような構造をしていることが
望ましい。これらの許容差は十分に小さくてレーザ部品
が取付具を接続したときに作業関係に自動的に配列され
ろようになっていることが更に望ましい。
組立て終ると、所望の従来技術を使用して取付具27,
28.29を共に接着することができる。例えば、第1
図と第2図に示した本発明の上記実施例の説明圧おいて
適当な方法を説明した通りである。
28.29を共に接着することができる。例えば、第1
図と第2図に示した本発明の上記実施例の説明圧おいて
適当な方法を説明した通りである。
特殊例として、光学的ポンピング手段はヒートシンク2
0と、ガリウムアルミニウムひ素レーザダイオード21
で波長8 ] Onmの光を発するものから構成するこ
とができる。電源へ向かうレーザダイオード21からの
電気リードは第3図と第4図には示されていない。レー
ザダイオード21からの光はレンズ22により波長1,
064nmの光を発するネオジミウム7ドープしたYA
Gロッド23上へ集光され、本波長の光はレーザから出
力カプラ25を通って平行ビームもしくは適当に離散す
るビーム形に放出される。
0と、ガリウムアルミニウムひ素レーザダイオード21
で波長8 ] Onmの光を発するものから構成するこ
とができる。電源へ向かうレーザダイオード21からの
電気リードは第3図と第4図には示されていない。レー
ザダイオード21からの光はレンズ22により波長1,
064nmの光を発するネオジミウム7ドープしたYA
Gロッド23上へ集光され、本波長の光はレーザから出
力カプラ25を通って平行ビームもしくは適当に離散す
るビーム形に放出される。
第1図と第2図の実施例と比較したばあい、第3図と第
4図の実施例は以下の点で異なっている。
4図の実施例は以下の点で異なっている。
すなわち、
(a) 非線形光学材料(第1図と第2図の6)馨使
用していない。
用していない。
0)第3図と第4図の光学的ポンピング手段(20゜2
])とレンズ22とは一つの取付具27に取付けられる
が、第1図と第2図の光学的ポンピング手段(1、2)
とレンズ3はそれぞれ別々の取付具9.10に取付けら
れる。
])とレンズ22とは一つの取付具27に取付けられる
が、第1図と第2図の光学的ポンピング手段(1、2)
とレンズ3はそれぞれ別々の取付具9.10に取付けら
れる。
(c) 第3図と第4図の取付具27.28とは共に
接続することによってレンズ22とレーザ材料23との
間の正確な距離ケ経験的に最適化することができる。
接続することによってレンズ22とレーザ材料23との
間の正確な距離ケ経験的に最適化することができる。
第1図は本発明の一実施例の分解断面の斜視図、第2図
は第1図に示した本発明の実施例でハウジング内に閉鎖
したものの断面図、 第3図は本発明の別の実施例の分解断面の斜視図、 第4図は第3図に示した本発明の実施例の断面図。
は第1図に示した本発明の実施例でハウジング内に閉鎖
したものの断面図、 第3図は本発明の別の実施例の分解断面の斜視図、 第4図は第3図に示した本発明の実施例の断面図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、互いに接続するための取付具を補足的に有する複数
の固体部品より構成され、組み立てたときに各固体部品
が光路に沿って配列される構造をなすことを特徴とする
光学的にポンピングされるレーザ。 2、組み立てたときに上記部品が所定の許容差の範囲内
で配列されることを特徴とする特許請求の範囲第1項に
記載の光学的にポンピングされるレーザ。 3、組み立てたときに上記部品が作業関係に配列される
ことを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載の光学的
にポンピングされるレーザ。 4、上記取付具の少なくとも一つが2つもしくはそれ以
上の部品に取付けられることを特徴とする特許請求の範
囲第2項に記載の光学的にポンピングされるレーザ。 5、上記取付具が金属、セラミック、ガラス、熱可塑性
材料および熱硬化性材料から成る群から選ばれた少なく
とも一つの材料から成ることを特徴とする特許請求の範
囲第2項に記載の光学的にポンピングされるレーザ。 6、上記取付具が少なくとも一つの熱可塑性材料より構
成されることを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載
の光学的にポンピングされるレーザ。 7、上記部品の少なくとも一つがそのまわりに取付具を
射出成形することによって対応する取付具に取付けられ
ることを特徴とする特許請求の範囲第6項に記載の光学
的にポンピングされるレーザ。 8、上記部品が(a)光学的ポンピング手段と、(b)
上記光学的ポンピング手段によりポンピングされるレー
ザ材料と、から構成されることを特徴とする特許請求の
範囲第2項の光学的にポンピングされるレーザ。 9、上記光学的ポンピング手段が少なくとも一個のレー
ザダイオードより構成されることを特徴とする特許請求
の範囲第8項に記載の光学的にポンピングされるレーザ
。 10、レーザ材料が希土類金属のイオンによりドープさ
れた一本のガラス光ファイバにより構成されることを特
徴とする特許請求の範囲第8項に記載の光学的にポンピ
ングされるレーザ。 11、追加的部品として光学的ポンピング手段からの光
をレーザ材料上に集光させるための光学的手段を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第8項に記載の光学的
にポンピングされるレーザ。 12、追加的部品としてそれをレーザ材料からの出力輻
射が通り抜ける非線形光学材料を備え、該非線形光学材
料がレーザ材料からの出力輻射の周波数を変更させるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第8項に記載の光学的に
ポンピングされるレーザ。 13、(a)組み立てたときにレーザの固体部品が所定
許容差の範囲内で光路に沿って配列されるような構造を
なす取付具を該固体部品に対して取付け、 (b)取付具同志を接続することによって上記固体部品
を作業関係に置き、 (c)取付具どうしを互いに接着する、 工程から成ることを特徴とする光学的にポンピングされ
る固体レーザを製作するための方法。 14、取付具の少なくとも一つがレーザの2つもしくは
それ以上の部品に取付けられることを特徴とする特許請
求の範囲第13項に記載の方法。 15、取付具同志が射出成形したプラスチックハウジン
グにより接着されることを特徴とする特許請求の範囲第
13項に記載の方法。 16、取付具が少なくとも一つの熱可塑性材料により構
成されることを特徴とする特許請求の範囲第13項に記
載の方法。 17、固体部品の少なくとも一つがその周囲に取付具を
射出成形することにより対応する取付具に取付けられる
ことを特徴とする特許請求の範囲第16項に記載の方法
。 18、固体部品が(a)光学的ポンピング手段と、(b
)上記光学的ポンピング手段によりポンピングされるレ
ーザ材料とから成ることを特徴とする特許請求の範囲第
13項に記載の方法。 19、固体部品が更に光学的ポンピング手段からレーザ
材料上へ光を集光させるための光学的手段を備えること
を特徴とする特許請求の範囲第18項に記載の方法。 20、固体部品が更にそれをレーザ材料からの出力輻射
が通り抜ける非線形光学材料から成り、該非線形光学材
料がレーザ材料からの出力輻射の周波数を変化させるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第18項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US879149 | 1986-06-26 | ||
US06/879,149 US4730335A (en) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | Solid state laser and method of making |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6327080A true JPS6327080A (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=25373524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62159497A Pending JPS6327080A (ja) | 1986-06-26 | 1987-06-26 | 固体レ−ザならびに同レ−ザを製作するための方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4730335A (ja) |
EP (1) | EP0251719B1 (ja) |
JP (1) | JPS6327080A (ja) |
KR (1) | KR890001227A (ja) |
AT (1) | ATE116489T1 (ja) |
AU (1) | AU7466187A (ja) |
DE (1) | DE3750917T2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0391979A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JPH0443692A (ja) * | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 短波長レーザ光源およびその実装方法 |
US5121404A (en) * | 1988-11-16 | 1992-06-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optically pumped solid laser |
JPH0494768U (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-17 | ||
JP2009054838A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Japan Science & Technology Agency | 固体レーザーモジュール |
JP2015509668A (ja) * | 2012-03-09 | 2015-03-30 | レイセオン カンパニー | 小型化された固体レーザ発振装置、システム、及び方法 |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5256164A (en) * | 1988-02-02 | 1993-10-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of fabricating a microchip laser |
US4933947A (en) * | 1988-02-18 | 1990-06-12 | Amoco Corporation | Frequency conversion of optical radiation |
US4847851A (en) * | 1988-05-19 | 1989-07-11 | University Of South Florida | Butt-coupled single transverse mode diode pumped laser |
US4884281A (en) * | 1988-09-09 | 1989-11-28 | Spectra-Physics, Inc. | Low cost/power visible light solid-state laser |
DE3836287A1 (de) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Festkoerperlaser |
US5042086A (en) * | 1988-11-16 | 1991-08-20 | Dylor Corporation | Method and means for transmitting large dynamic analog signals in optical fiber systems |
US5031182A (en) * | 1989-05-18 | 1991-07-09 | Amoco Corporation | Single-frequency laser of improved amplitude stability |
US4979180A (en) * | 1989-11-24 | 1990-12-18 | Muncheryan Arthur M | Modular interchangeable laser system |
US4993801A (en) * | 1989-12-27 | 1991-02-19 | Eastman Kodak Company | Optical head |
WO1992004871A1 (de) * | 1990-09-18 | 1992-04-02 | Erwin Steiger | Modular aufgebauter, gepulster mehrwellenlängen-festkörperlaser für medizinische anwendungen |
US5249197A (en) * | 1991-11-15 | 1993-09-28 | Amoco Corporation | Mounting for an optical component |
US5193099B1 (en) * | 1991-11-21 | 1995-09-12 | Quarton Inc | Diode laser collimating device |
US5210650A (en) * | 1992-03-31 | 1993-05-11 | Eastman Kodak Company | Compact, passively athermalized optical assembly |
US5270869A (en) * | 1992-12-23 | 1993-12-14 | Eastman Kodak Company | Passively athermalized optical assembly incorporating laminate fiber compensation ring |
US5317875A (en) * | 1992-12-23 | 1994-06-07 | Eastman Kodak Company | Thermally-controlled rotary displacement actuator operable for precise displacement of an optical or mechanical element |
US5270870A (en) * | 1992-12-23 | 1993-12-14 | Eastman Kodak Company | Athermalized beam source and collimator lens assembly |
US5313333A (en) * | 1992-12-23 | 1994-05-17 | Estman Kodak Company | Method and apparatus for combined active and passive athermalization of an optical assembly |
US5531040A (en) * | 1993-01-14 | 1996-07-02 | Tac Star Industries, Inc. | Laser module mounting means for weapons and other applications |
DE4303956C2 (de) * | 1993-02-10 | 1995-06-01 | Langner Walter | Laser |
JP3221586B2 (ja) * | 1993-04-27 | 2001-10-22 | 富士写真フイルム株式会社 | 光波長変換装置 |
DE4402668A1 (de) * | 1994-01-29 | 1995-08-03 | Frohn Hans Willi | Transversal gepumpter Festkörperlaser |
US5479431A (en) * | 1994-06-02 | 1995-12-26 | Spectra-Physics Laserplane, Inc. | Solid-state laser with active etalon and method therefor |
US5450429A (en) * | 1994-06-02 | 1995-09-12 | Spectra-Physics Laserplane, Inc. | Efficient linear frequency doubled solid-state laser |
US5420876A (en) * | 1994-06-02 | 1995-05-30 | Spectra-Physics Laserplane, Inc. | Gadolinium vanadate laser |
US5440574A (en) * | 1994-06-02 | 1995-08-08 | Spectra-Physics Laserplane, Inc. | Solid-state laser |
JP3378103B2 (ja) * | 1994-12-28 | 2003-02-17 | 富士写真フイルム株式会社 | レーザーダイオード励起固体レーザー |
US5561684A (en) * | 1994-12-29 | 1996-10-01 | Santa Fe Laser Co., Inc. | Laser diode pumped solid state laser construction |
JPH1074997A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Shimadzu Corp | 固体レーザ装置 |
DE19639769B4 (de) * | 1996-09-27 | 2007-03-01 | Lasos Laser-Fertigung Gmbh | Frequenzverdoppelter diodengepumpter Festkörperlaser |
EP1215782A3 (en) * | 2000-12-15 | 2004-01-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | An integrated laser beam synthesizing module for use in a semiconductor laser module and an optical amplifier |
DE10204799A1 (de) * | 2002-01-15 | 2003-09-18 | Hentze Lissotschenko Patentver | Haltevorrichtung für die Anordnung eines optischen Bauteils vor einer Laserlichtquelle sowie eine derartige Anordnung und ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung |
JP2004317566A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Orc Mfg Co Ltd | レーザ装置及びレーザ波長変換装置 |
FR2969402B1 (fr) * | 2010-12-17 | 2013-02-15 | Fibercryst | Module a gain laser et methode de fabrication d'un tel module |
US10596389B2 (en) | 2012-05-25 | 2020-03-24 | Ojai Retinal Technology, Llc | Process and system for utilizing energy to treat biological tissue |
US9168174B2 (en) | 2012-05-25 | 2015-10-27 | Ojai Retinal Technology, Llc | Process for restoring responsiveness to medication in tissue of living organisms |
US10874873B2 (en) | 2012-05-25 | 2020-12-29 | Ojai Retinal Technology, Llc | Process utilizing pulsed energy to heat treat biological tissue |
US9427602B2 (en) | 2012-05-25 | 2016-08-30 | Ojai Retinal Technology, Llc | Pulsating electromagnetic and ultrasound therapy for stimulating targeted heat shock proteins and facilitating protein repair |
US9381115B2 (en) | 2012-05-25 | 2016-07-05 | Ojai Retinal Technology, Llc | System and process for retina phototherapy |
US9962291B2 (en) | 2012-05-25 | 2018-05-08 | Ojai Retinal Technology, Llc | System and process for neuroprotective therapy for glaucoma |
US10219947B2 (en) | 2012-05-25 | 2019-03-05 | Ojai Retinal Technology, Llc | System and process for retina phototherapy |
US10953241B2 (en) | 2012-05-25 | 2021-03-23 | Ojai Retinal Technology, Llc | Process for providing protective therapy for biological tissues or fluids |
US9381116B2 (en) | 2012-05-25 | 2016-07-05 | Ojai Retinal Technology, Llc | Subthreshold micropulse laser prophylactic treatment for chronic progressive retinal diseases |
US10076671B2 (en) | 2012-05-25 | 2018-09-18 | Ojai Retinal Technology, Llc | Apparatus for retina phototherapy |
US10894169B2 (en) | 2012-05-25 | 2021-01-19 | Ojai Retinal Technology, Llc | System and method for preventing or treating Alzheimer's and other neurodegenerative diseases |
US11077318B2 (en) | 2012-05-25 | 2021-08-03 | Ojai Retinal Technology, Llc | System and process of utilizing energy for treating biological tissue |
US10278863B2 (en) | 2016-03-21 | 2019-05-07 | Ojai Retinal Technology, Llc | System and process for treatment of myopia |
JP2014199863A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | ウシオ電機株式会社 | ファイバーレーザー光源装置 |
KR101745460B1 (ko) * | 2014-07-09 | 2017-06-09 | (주)옵토닉스 | 레이저 모듈 |
US10709608B2 (en) | 2016-03-21 | 2020-07-14 | Ojai Retinal Technology, Llc | System and process for prevention of myopia |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5511363A (en) * | 1978-07-11 | 1980-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solid laser system |
JPS57198671A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-06 | Toshiba Corp | Internal multiplication type higher harmonic light generating device |
JPS6040093A (ja) * | 1983-08-11 | 1985-03-02 | 蛇の目ミシン工業株式会社 | 染色ミシン |
JPS6182490A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Toshiba Corp | 外部反射鏡レ−ザ装置 |
JPS61253878A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-11 | スペクトラ−フイジツクス・インコ−ポレイテツド | Nd−YAGレ−ザ |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1122738B (de) * | 1959-09-05 | 1962-01-25 | Hensoldt & Soehne Optik | Linsenfassung |
US3220309A (en) * | 1962-11-05 | 1965-11-30 | Varo | Lens mount utilizing cemented sections |
US4037172A (en) * | 1963-09-17 | 1977-07-19 | American Standard, Inc. | Plastic laser materials |
AT265701B (de) * | 1963-09-25 | 1968-10-25 | Meopta Narodni Podnik | Verfahren zur Herstellung von optischen oder mechanischen zentriert gelagerten Systemen |
US3753145A (en) * | 1972-06-26 | 1973-08-14 | Bell Telephone Labor Inc | Compact end-pumped solid-state laser |
US4045129A (en) * | 1975-12-08 | 1977-08-30 | Hamar M R | Apparatus for hard mounting an optical member to a rigid base |
US4509175A (en) * | 1982-09-14 | 1985-04-02 | Quantronix Corporation | Segmented YAG laser rods and method of manufacture |
US4525842A (en) * | 1984-02-24 | 1985-06-25 | Myers John D | Laser device and method |
US4656635A (en) * | 1985-05-01 | 1987-04-07 | Spectra-Physics, Inc. | Laser diode pumped solid state laser |
-
1986
- 1986-06-26 US US06/879,149 patent/US4730335A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-06-24 AU AU74661/87A patent/AU7466187A/en not_active Abandoned
- 1987-06-25 AT AT87305687T patent/ATE116489T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-06-25 DE DE3750917T patent/DE3750917T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-25 EP EP87305687A patent/EP0251719B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-26 JP JP62159497A patent/JPS6327080A/ja active Pending
- 1987-06-26 KR KR1019870006494A patent/KR890001227A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5511363A (en) * | 1978-07-11 | 1980-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solid laser system |
JPS57198671A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-06 | Toshiba Corp | Internal multiplication type higher harmonic light generating device |
JPS6040093A (ja) * | 1983-08-11 | 1985-03-02 | 蛇の目ミシン工業株式会社 | 染色ミシン |
JPS6182490A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Toshiba Corp | 外部反射鏡レ−ザ装置 |
JPS61253878A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-11 | スペクトラ−フイジツクス・インコ−ポレイテツド | Nd−YAGレ−ザ |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5121404A (en) * | 1988-11-16 | 1992-06-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optically pumped solid laser |
JPH0391979A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JPH0443692A (ja) * | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 短波長レーザ光源およびその実装方法 |
JPH0494768U (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-17 | ||
JP2009054838A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Japan Science & Technology Agency | 固体レーザーモジュール |
JP2015509668A (ja) * | 2012-03-09 | 2015-03-30 | レイセオン カンパニー | 小型化された固体レーザ発振装置、システム、及び方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4730335A (en) | 1988-03-08 |
EP0251719B1 (en) | 1994-12-28 |
EP0251719A3 (en) | 1989-04-05 |
AU7466187A (en) | 1988-01-07 |
DE3750917T2 (de) | 1995-05-11 |
DE3750917D1 (de) | 1995-02-09 |
KR890001227A (ko) | 1989-03-20 |
ATE116489T1 (de) | 1995-01-15 |
EP0251719A2 (en) | 1988-01-07 |
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