JP2004317566A - レーザ装置及びレーザ波長変換装置 - Google Patents

レーザ装置及びレーザ波長変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004317566A
JP2004317566A JP2003107778A JP2003107778A JP2004317566A JP 2004317566 A JP2004317566 A JP 2004317566A JP 2003107778 A JP2003107778 A JP 2003107778A JP 2003107778 A JP2003107778 A JP 2003107778A JP 2004317566 A JP2004317566 A JP 2004317566A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cell
nonlinear optical
laser
optical crystal
harmonic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2003107778A
Other languages
English (en)
Inventor
Sonhi Hashimoto
松姫 橋本
Toshibumi Tone
俊文 利根
Satoru Amano
覚 天野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Orc Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Orc Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Orc Manufacturing Co Ltd filed Critical Orc Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2003107778A priority Critical patent/JP2004317566A/ja
Priority to US10/819,087 priority patent/US20050008047A1/en
Priority to DE102004017513A priority patent/DE102004017513A1/de
Priority to CNB2004100337172A priority patent/CN1251368C/zh
Publication of JP2004317566A publication Critical patent/JP2004317566A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H01S3/09415Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/3501Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/025Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/3501Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
    • G02F1/3505Coatings; Housings; Supports
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0092Nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1123Q-switching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/1317Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

【課題】非線形光学結晶が湿度で劣化しないようにして、レーザ装置が長期にわたり安定した状態でレーザ発振できるようにする。
【解決手段】固体レーザ装置のポンピングチャンバーユニット(3)から出射された1064nmの基本波レーザ光は、第1の非線形光学結晶ユニットに入射し、第1の非線形光学結晶ユニット(20)により2倍波に変換されて出射する。基本波レーザ光と第2高調波が、第2の非線形光学結晶ユニットに入射する。第3高調波(角振動数3ω)あるいは第4高調波(角振動数4ω)に変換され、出力窓(34)からレーザ光が出力される。非線形光学結晶ユニット(20)(30)を、内部表面に撥水処理が施された密閉セルに収容する。非線形光学結晶を外気と隔離してドライな雰囲気に保つため、結晶の潮解を防ぎ、損傷を低減することができる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ装置及びレーザ波長変換装置に関し、特に、波長変換を行う非線形光学結晶の管理を容易に行えるようにしたレーザ装置及びレーザ波長変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
短波長レーザ装置は、一般的に、非線形光学結晶による波長変換を用いている。短波長レーザ装置の一種である紫外固体レーザ装置の一般的な構成は、次のようなものである。波長1064nmのNd:YAGレーザ、Nd:YVOレーザ、Nd:YLFレーザなどを基本波レーザ光とする。非線形光学結晶により、第2高調波を発生させる。さらに、第3ないし第4高調波を発生させる。第2高調波発生用結晶として、LBO結晶やKTP結晶が使われている。第3高調波発生用結晶としては、LBO結晶やBBO結晶やGdYCOB結晶が使われている。第4高調波発生用結晶としては、BBO結晶やCLBO結晶などが使われている。
【0003】
これら各非線形光学結晶は、そのほとんどが潮解性を有している。そのため、レーザ装置の長期にわたる使用においては、吸湿による結晶の劣化が生じる。それに伴い、高調波レーザ光のパワーダウンをきたす。しかしながら、特許文献1に示されるように、第2高調波を発生させる非線形光学結晶として、KTP結晶を使用し、第3高調波を発生させる非線形光学結晶として、BBO結晶を使用しているにもかかわわらず、共振器内の湿度に対して特別な考慮が払われてはいない。
【0004】
第4高調波発生用の非線形光学結晶CLBOは、相対湿度30%以上で結晶の急激な劣化が見られる。その具体的な対策として、Crystal Associated Inc.社の商品化されている結晶セルModel No.10031では、ドライガスをセル内に封じきる方法を採用している。しかしながら、セルを構成する部材の内壁には、僅かとはいえ水分子が付着している。そのため、セルを構成する部材内壁から脱離した水分子が、非線形光学結晶に吸収され、結晶表面でOH基を形成する。レーザ使用時に、第4高調波を吸収して不純物を生成する。それにより、第4高調波の透過率が低下する。結果的に、パワーダウンにつながってしまう。かかる現象は、第3あるいは第2高調波発生用の非線形光学結晶にも現れる。
【0005】
【特許文献1】
特開平5−152656号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の湿度対策方法では、長期にわたる使用における湿度による非線形光学結晶の劣化を防止できないという問題がある。結晶セル内にドライガスを単に封入したものでは、セルの部材内壁に付着した水分の対策がなされていない。セルの封じ構造部に何らかの欠陥が生じた場合の対策もなされていない。長時間の使用により、非線形光学結晶が湿度で劣化することに考慮が払われていない。セル内に湿度対策を施していない状態で、レーザ装置を動作し続けると、水分を吸収した非線形光学結晶が、第4高調波を吸収して不純物を生成する。そのため、第4高調波の透過性が悪くなってしまう。したがって、波長変換効率が急激に悪化し、レーザ出力が著しく減少する。
【0007】
本発明は、上記従来の問題点を解決して、非線形光学結晶を収容した容器に湿度対策を施し、レーザ装置が長期にわたり安定した状態でレーザ発振できるようにすることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明では、レーザ光源から発せられたレーザ光の基本波から高調波を発生する非線形光学結晶を備えたレーザ装置に、非線形光学結晶が内部に配設されたセルであって、密閉されて内部表面に撥水処理が施され、レーザ光が通過する貫通孔と、貫通孔を覆う窓とを有するセルを備えた構成とした。
【0009】
このように構成したことにより、レーザ装置は、長期にわたり安定した状態でレーザ発振できる。すなわち、非線形光学結晶を、密封容器(非線形光学結晶セル)内に収容し、密封容器内壁を、撥水性の皮膜で覆う。密封容器内には、ドライな不活性ガス(Ar, Nなど)を充填させる。このようにすることにより、長期にわたる使用においても、湿度による非線形光学結晶の劣化を防止できる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図1〜図9を参照しながら詳細に説明する。
【0011】
(実施の形態)
本発明の実施の形態は、ドライな不活性ガスを充填し、内壁を撥水性の皮膜で覆った密封容器内に、非線形光学結晶を収容した固体レーザ装置である。
【0012】
図1は、本発明の実施の形態における固体レーザ装置の第1実施例の概略図である。レーザ光源として、固体レーザが用いられている。この固体レーザ装置は、波長変換レーザ装置であり、基本波ユニット(A)と、第1波長変換ユニット(B)と、第2波長変換ユニット(C)とから成っている。
【0013】
基本波ユニット(A)は、基本光学ユニットであるミラー(1)と、ミラー(2)と、ポンピングチャンバーユニット(3)と、Qスイッチ(4)と、ブリュースター板(5)と、シャッター(6)と、第1の集光レンズ(7)などから構成されている。ミラー(1)とミラー(2)とで、レーザ共振器を構成している。ポンピングチャンバーユニット(3)は、固体レーザ媒質を有する。固体レーザ媒質は、Nd:YAGやNd:YVOやNd:YLFなどであり、半導体レーザダイオードにより励起される。
【0014】
基本波ユニット(A)はさらに、容器(13)を有する。容器(13)は、ケース(11)と蓋体(12)とで構成されている。ケース(11)は、基本波レーザを出力するための窓(14)を有し、断面がU字型であり、基本光学ユニットを構成する部材を収容する。蓋体(12)は、ケース(11)の上面を気密に覆う。この容器の内部は、窒素などの不活性ガスが封止されている。ケース(11)の底部(11a)には、ヒーター(8a)(8b)(8c)が適宜埋設されている。容器(13)内の温度を監視する温度センサー(9)が、ポンピングチャンバーユニット(3)の近傍に配置されている。このセンサーの出力をもとに、温度制御装置(図示せず)を介して、ヒーター(8a)(8b)(8c)の温度を制御することにより、容器内を常に所望の温度に保つ。
【0015】
第1波長変換ユニット(B)は、第1の非線形光学結晶ユニット(20)と、第2の集光レンズ(21)と、分離ミラー(22)とからなっている。これらの光学部品は、出力窓(23)を備えた第1波長変換ユニットケース(24)内に収容されている。第1の非線形光学結晶ユニット(20)は、LBO結晶あるいはKTP結晶を内蔵している。LBO結晶やKTP結晶は、窓(14)を通して集光レンズにより集光された基本波レーザ光を、2倍波即ち第2高調波(角振動数2ω)に変換する。分離ミラー(22)は、基本波と第2高調波を分離する。
【0016】
第2波長変換ユニット(C)は、第2の非線形光学結晶ユニット(30)と、コリメートレンズ(31)と、分離ミラー(32)と、第3あるいは第4高調波パワーメータ(33)とから構成されている。第2の非線形光学結晶ユニット(30)は、第1波長変換ユニット(B)からのレーザ光(角振動数2ω)を、第3高調波(角振動数3ω)あるいは第4高調波(角振動数4ω)に変換する。分離ミラー(32)は、第2高調波と、第3(あるいは第4)高調波とを分離する。第3高調波生成用の非線形光学結晶として、LBO結晶や、BBO結晶や、GdYCOB結晶を用いることができる。第4高調波生成用の非線形光学結晶として、BBO結晶やCLBO結晶を用いることができる。第2の非線形光学結晶ユニット(30)と、コリメートレンズ(31)や、第2高調波と第3(あるいは第4)高調波とを分離するための分離ミラー(32)や、第4高調波パワーメータ(33)などの光学部品は、出力窓(34)を有する第2波長変換ユニットケース(35)に収容されている。
【0017】
図2は、本発明の実施の形態における固体レーザ装置の第2実施例であるイントラキャビティー第2高調波レーザ装置の概略図である。この装置には、レーザ光源として、固体レーザが用いられている。この装置は、第2高調波(角振動数2ω)に変換する第1の非線形光学結晶ユニット(20)およびヒーター8dを、レーザ共振器内に収容したイントラキャビティー第2高調波レーザ装置である。
【0018】
図3は、本発明の実施の形態における固体レーザ装置の第3実施例であるイントラキャビティー第3、第4高調波レーザ装置の概略図である。レーザ光源として、固体レーザが用いられている。第1の非線形光学結晶ユニット(20)と、レーザ光を第3高調波(角振動数3ω)あるいは第4高調波(角振動数4ω)に変換する第2の非線形光学結晶ユニット(30)までを、レーザ共振器内に収容したものである。各々の光学構成部品は、図1と同一であるので、詳細な説明を省略する。
【0019】
図4は、本発明の実施の形態における固体レーザ装置に用いる非線形光学結晶セルの概略断面図である。図1、図2、図3に示した第1の非線形光学結晶ユニット(20)あるいは第2の非線形光学結晶ユニット(30)は、このセルを用いるものである。第1または第2の非線形光学結晶ユニットを総称して、単に非線形光学結晶ユニット(NLU)と称する。非線形光学結晶ユニット(NLU)は、セル本体(40)と、セル蓋体(50)とからなっている。セル本体(40)は、レーザ光の通路となる水平方向の貫通孔(42)を有する断面U字状のセルである。セル蓋体(50)は、セル本体(40)の開口部(46)を密閉状態に覆う蓋体である。貫通孔(42)を形成するセル本体(40)の中央部に、設置台(41)が設けられている。この設置台(41)上に、高調波生成用の非線形光学結晶(43)が載置されている。非線形光学結晶(43)は、結晶押え(44)により、セル本体(40)に固定されている。
【0020】
貫通孔(42)の左右両端には、非線形光学結晶ユニット(NLU)を密封する窓(60a)(60b)がある。これらの窓をセル本体(40)に固定するための窓押え(70a)(70b)がある。窓(60a)(60b)と窓押さえ(70a)(70b)との間には、Oリング(80d)(80e)が介在している。窓(60a)(60b)とセル本体(40)との間には、Oリング(80b)(80c)が介在している。セル本体(40)とセル蓋体(50)との間には、Oリング(80a)が介在している。Oリング(80a)(80b)(80c)(80d)(80e)は、高温に耐え得るものである。ガス放出とガス透過が極めて少なく、シールの長寿命化が可能なデュポンダウエラストマー社製カルレッツ材質のものを使用している。レーザ光の通路に設置されている窓(60a)、(60b)は、高出力レーザに絶え得る合成石英ガラスもしくはCaF材質のものを用いている。このように密閉されたユニット(NLU)内は、ArやNなどの不活性ガスが封入されている。セル本体(40)には、ユニットを一定の温度に保つためのヒーター(45)が埋設されている。
【0021】
設置台(41)を含むセル本体(40)の内壁と、このセル本体(40)の開口部(46)を密閉状態に覆うセル蓋体(50)の内壁には、撥水性の皮膜(90a)(90b)が形成されている。この皮膜(90a)(90b)の材料は、フッ素樹脂である。無電界メッキ法により、セル本体(40)の内壁とセル蓋体(50)の内壁に被着させる。フッ素樹脂として、テフロン(登録商標)を用いることができる。皮膜(90a)(90b)の形成方法は、皮膜(90a)(90b)をセルの内壁に密に被着可能なものであれば、メッキに限らず他の方法でも良い。
【0022】
図5は、図4に示した非線形光学結晶セルのA部の拡大図である。セル本体(40)の内壁と皮膜(90a)の関係を、より詳細に示してある。セル本体(40)或いはセル蓋体(50)は、ステンレス(SUS303)などの金属からなっている。必要に応じて、内壁を電界研磨する。電界研磨した場合でも、まったく表面処理をしていない場合でも、表面には水分子が付着する。セルの内壁を撥水性の皮膜により覆うと、撥水性であるがゆえに、皮膜の表面に吸着している水分は、電界研磨のみの撥水性皮膜なしのものに比べて、水分量は極めて少ない。したがって、セル内は常にドライな状態に保たれ、非線形光学結晶が水分を吸収するのを防止できる。図6は、セルの蓋体概略断面図である。
【0023】
図7は、湿度測定手段の概略ブロック図である。ユニット(NLU)内の湿度センサー(51)からの出力は、湿度検出回路基板(53)に設けられた湿度検出増幅回路(55)を介して、湿度計(56)に伝達される。湿度検出増幅回路(55)の出力は、スイッチ(57)を介して、レーザ装置の動作を遮断するレーザ制御部(58)に伝達される。湿度センサー(51)は、高耐久性で、センサー部からのガス放出を防ぐために、ガラス基板上に蒸着されている電気容量型湿度センサー素子を用いている。湿度センサー素子は、貫通孔内の湿度を検出するために、貫通孔を遮らない部位の蓋体一側面に取り付けられている。セル蓋体(50)との電気絶縁を取るために、湿度センサー素子は、ハーメチックシール端子(52)を介して、蓋体他側面に設けられた湿度検出回路基板(53)と接続されている。図8は、セル内湿度の経時変化を示すグラフである。
【0024】
上記のように構成された本発明の実施の形態における固体レーザ装置の動作を説明する。図1に示す固体レーザ装置では、ポンピングチャンバーユニット(3)から出射された1064nmの基本波レーザ光は、第1の集光レンズ(7)により集光され、窓(14)を介して第1の非線形光学結晶ユニット(20)に入射する。第1の非線形光学結晶ユニット(20)に入射した基本波レーザ光の一部は、第1の非線形光学結晶ユニット(20)により2倍波に変換されて出射する。第2の集光レンズ(21)から出力窓(23)を通じて、基本波レーザ光と第2高調波が、第2の非線形光学結晶ユニット(30)に入射する。その非線形光学結晶により、第1波長変換ユニット(B)からのレーザ光が、第3高調波(角振動数3ω)あるいは第4高調波(角振動数4ω)に変換され、出力窓(34)からレーザ光が出力される。
【0025】
図4に示すように構成された非線形光学結晶ユニット(NLU)のセル本体を、ステンレスで構成する。ステンレスに表面処理を施していない例と、セル内壁を電界研磨した例と、フッ素樹脂をセル内壁に被着させた例について、セル内相対湿度の変化を図8に示す。それぞれの表面状態のセル各3個を、グローブ付真空装置内(ドライ窒素雰囲気)で組み立てる。恒温槽内で、環境の相対湿度(温度一定)を変化させて、セル内湿度の変化(セル内の湿度センサー51より測定)を比較したものである。相対湿度が0%以下のデータは、信号変換回路の誤差によるものであり、限りなく0%に近いことを示す。図8中、横軸は時間(t:min)を示しており、縦軸は相対湿度(RH:%)と温度(T:℃)を示す。図8中のそれぞれの曲線を線形近似したところ、下記のようになった。
【0026】
RH%=0.00332t−2.8541(セル1:セル内表面処理なし)
RH%=0.00238t−1.2636(セル2:セル内表面処理なし)
RH%=0.00188t−2.7552(セル3:セル内表面処理なし)
RH%=0.01283t−2.4305(セル4:セル内表面電解研磨)
RH%=0.00380t−2.6023(セル5:セル内表面電解研磨)
RH%=0.00374t−1.7302(セル6:セル内表面電解研磨)
RH%=0.00030t−1.7011(セル7:セル内表面撥水処理)
RH%=0.00034t−2.5622(セル8:セル内表面撥水処理)
RH%=0.00015t−0.3873(セル9:セル内表面撥水処理)
【0027】
セル4は、湿度上昇が著しく、Oリングの不備(埃の付着、蓋の不均等閉めによる歪み)により、気密が保たれていないと思われるため、比較データから除外した。その他のセルの湿度上昇速度を示す直線の傾きを比較してみると、セル7,8,9(セル内表面撥水処理のもの)は、0.00030%/min, 0.00034%/min, 0.00015%/minであり、その他のセルに比べて1/10程度である。時間経過による湿度上昇が非常に緩やかであった。例えば、セル7(セル内表面撥水処理のもの)は、約50日間経過したとしても、相対湿度を20%以下に保てることがわかる。また約73日間経過したとしても、相対湿度を30%以下に保てることがわかる。一方、セル1(セル内表面処理なし)は約5日間、セル5(セル内表面電界研磨のもの)は約4日間で、相対湿度20%に達することが理解されよう。また、セル1(セル内表面処理なし)は約7日間、セル5(セル内表面電界研磨のもの)は約6日間で、相対湿度30%に達することが理解されよう。以上の結果より、セル内表面に撥水処理を施すことにより、水分の吸着を抑制し、長期にわたりセル内の湿度を30%以下に保つことが可能である。さらに、20%以下に保つことも可能である。
【0028】
非線形光学結晶ユニット(NLU)に湿度センサー(51)を配設したため、レーザ装置の使用者は、非線形光学結晶ユニット(NLU)内の湿度を湿度計(56)で監視することができる。不測の事態により、湿度が所定値(例えば、30%或いは20%)以上に変化したなら、手動で、あるいは自動的に、スイッチ(57)を開放し、レーザ発振を停止させることができる。湿度センサー(51)は、レーザ光の通路を遮らない媒質内に配置されているため、レーザ装置の使用に何ら支障をきたすものでない。湿度センサー(51)は、ガラス基板上に蒸着されている電気容量型湿度センサーであるため、高耐久性である。セル本体(40)の開口部(46)を介して、湿度センサー(51)をセル本体(40)に設置することができる。湿度センサー(51)と湿度検出回路基板(53)を、セル蓋体(50)に配設しているため、蓋体を取り付ける際に一挙に、センサーをユニットの適切な位置に固定できる。これらの部品の点検作業も容易である。
【0029】
上記のように、本発明の実施の形態では、非線形光学結晶セル内面を撥水性の樹脂で処理したため、セル内の湿度を極めて低い値に保つことができる。そのため、非線形光学結晶の潮解性によるダメージを実質的に回避できる。長期にわたり一定した波長変換効率を確保でき、安定した高調波パワーを得ることができる。
【0030】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明では、レーザ光源から発せられたレーザ光の基本波から高調波を発生する非線形光学結晶を備えたレーザ装置に、非線形光学結晶が内部に配設されたセルであって、密閉されて内部表面に撥水処理が施され、レーザ光が通過する貫通孔と、貫通孔を覆う窓とを有するセルを備えた構成とした。このように構成したことにより、レーザ装置は、長期にわたり安定した状態でレーザ発振できる。非線形光学結晶セルを密封構造とすることにより、非線形光学結晶を外気と隔離してドライな雰囲気に保つため、結晶の潮解を防ぎ、損傷を低減することができる。
【0031】
非線形光学結晶を封入したセル内壁を撥水性の皮膜で覆ったことにより、皮膜表面に付着する水分子の量を最小限に抑えることができる。したがって、長時間にわたってセル内表面から脱離する水分子の量が少なくなり、セル内の相対湿度の上昇を抑えることが可能である。そのため、非線形光学結晶を常にドライな状態に保つことができ、非線形光学結晶の潮解を防ぎ、長期にわたり安定したレーザ発振可能なレーザ装置及びレーザ波長変換装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態におけるレーザ装置の概略側面図、
【図2】本発明の実施の形態におけるイントラキャビティー第2高調波レーザ装置の概略図、
【図3】本発明の実施の形態におけるイントラキャビティー第3、第4高調波レーザ装置の概略図、
【図4】本発明の実施の形態におけるレーザ装置に用いる非線形光学結晶セルの概略断面図、
【図5】本発明の実施の形態におけるレーザ装置に用いる非線形光学結晶セルの一部拡大図、
【図6】本発明の実施の形態におけるレーザ装置に用いる非線形光学結晶セルの蓋体概略断面図、
【図7】本発明の実施の形態におけるレーザ装置に用いる湿度測定手段の概略ブロック図、
【図8】本発明の実施の形態におけるレーザ装置に用いる非線形光学結晶セル内湿度の経時変化を示すグラフである。
【符号の説明】
1,2 (基本波レーザ共振器の)ミラー
3 ポンピングチャンバーユニット
4 Qスイッチ
5 ブリュースター板
6 シャッター
7 第1の集光レンズ
8a,8b,8c,8d ヒーター
9 温度センサー
10 折り返しミラー
11 (基本波ユニット)ケース
12 (基本波ユニット)蓋体
13 (基本波ユニット)容器
20 第1の非線形光学結晶ユニット
21 第2の集光レンズ
22 (基本波と第2高調波を分離する)分離ミラー
23 (第2高調波の)出力窓
24 第1波長変換ユニットケース
30 第2の非線形光学結晶ユニット
31 コリメートレンズ
32 (第2高調波と第4高調波を分離する)分離ミラー
33 (第3あるいは第4高調波)パワーメータ
34 (第3あるいは第4高調波)出力窓
35 第2波長変換ユニットケース
40 (非線形光学結晶セルの)セル本体
41 (非線形光学結晶の)設置台
42 貫通穴
43 非線形光学結晶
44 (非線形光学)結晶押え
45 ヒーター
46 (セル本体の)開口部
50 (非線形光学結晶)セル蓋体
51 湿度センサー
52 ハーメチックシール端子
53 湿度検出回路基板
54 セル蓋体の凹部
55 湿度検出増幅回路
56 湿度計
57 スイッチ
58 レーザ制御部
60a,60b (非線形光学結晶セル)窓
70a,70b (非線形光学結晶セル)窓押え
80a,80b,80c,80d,80e Oリング
90a,90b (撥水性の)皮膜

Claims (10)

  1. レーザ光源から発せられたレーザ光の基本波から高調波を発生する非線形光学結晶を備えたレーザ装置において、レーザ光が通過する貫通孔と、前記貫通孔を覆う窓とを有する密封されたセルを備え、このセル内に前記非線形光学結晶を配設すると共に、このセルの内部表面に撥水処理を施すことを特徴とするレーザ装置。
  2. 前記撥水処理は、フッ素樹脂の皮膜を前記セルの内壁に被着させる処理であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ装置。
  3. 前記非線形光学結晶は、LBO、KTP、BBO、GdYCOB、CLBOのいずれかで構成され、第1ミラーと第2ミラーとで構成される共振器と、Nd:YAG、Nd:YVO、Nd:YLFのいずれかで構成され前記第1ミラーと前記第2ミラーとの間に配置された固体レーザ媒質とを備えたことを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ装置。
  4. 前記セルは、前記共振器内または前記共振器外に配置されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ装置。
  5. 上記セルの内部は、ドライな不活性ガスで充填されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザ装置。
  6. レーザ光源から発せられたレーザ光の基本波から高調波を発生する非線形光学結晶を備えたレーザ光波長変換装置において、レーザ光が通過する貫通孔と、前記貫通孔を覆う窓とを有する密封されたセルを備え、このセル内に前記非線形光学結晶を配設すると共に、このセルの内部表面に撥水処理を施すことを特徴とするレーザ光波長変換装置。
  7. 前記撥水処理は、フッ素樹脂の皮膜を前記セルの内壁に被着させる処理であることを特徴とする請求項6に記載のレーザ光波長変換装置。
  8. 前記非線形光学結晶は、LBO、KTP、BBO、GdYCOB、CLBOのいずれかで構成されたことを特徴とする請求項7または8に記載のレーザ光波長変換装置。
  9. 前記セル内を、相対湿度30%以下に保つことを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載のレーザ光波長変換装置。
  10. 前記セル内に湿度センサーを設けたことを特徴とする請求項6〜9のいずれかに記載のレーザ光波長変換装置。
JP2003107778A 2003-04-11 2003-04-11 レーザ装置及びレーザ波長変換装置 Withdrawn JP2004317566A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003107778A JP2004317566A (ja) 2003-04-11 2003-04-11 レーザ装置及びレーザ波長変換装置
US10/819,087 US20050008047A1 (en) 2003-04-11 2004-04-05 Laser system and laser wavelength conversion
DE102004017513A DE102004017513A1 (de) 2003-04-11 2004-04-08 Lasersystem und Verwendung desselben
CNB2004100337172A CN1251368C (zh) 2003-04-11 2004-04-09 激光装置和激光波长转换装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003107778A JP2004317566A (ja) 2003-04-11 2003-04-11 レーザ装置及びレーザ波長変換装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004317566A true JP2004317566A (ja) 2004-11-11

Family

ID=33028281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003107778A Withdrawn JP2004317566A (ja) 2003-04-11 2003-04-11 レーザ装置及びレーザ波長変換装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20050008047A1 (ja)
JP (1) JP2004317566A (ja)
CN (1) CN1251368C (ja)
DE (1) DE102004017513A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019106511A (ja) * 2017-12-14 2019-06-27 株式会社キーエンス レーザ加工装置及びレーザ発振器
JP2021163865A (ja) * 2020-03-31 2021-10-11 株式会社フジクラ レーザ装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4911494B2 (ja) * 2006-03-18 2012-04-04 国立大学法人大阪大学 波長変換光学素子、波長変換光学素子の製造方法、波長変換装置、紫外線レーザ照射装置およびレーザ加工装置
US7724453B2 (en) * 2006-06-19 2010-05-25 Coherent, Inc. Vacuum cell for optical components
CN100399653C (zh) * 2006-07-31 2008-07-02 华东师范大学 非共线的高次谐波产生方法
DE102007027680B3 (de) * 2007-06-15 2009-02-26 Coherent Gmbh Laserresonator zur Erzeugung von UV-Strahlung mittels resonatorinterner Frequenzkonversion mit gasdichtem Gehäuse
CN103001112A (zh) * 2012-07-06 2013-03-27 中国科学院福建物质结构研究所 全固态四次谐波紫外激光器
US9116445B2 (en) * 2012-11-29 2015-08-25 Kla-Tencor Corporation Resonant cavity conditioning for improved nonlinear crystal performance
US9083146B1 (en) * 2014-03-14 2015-07-14 Shimadzu Corporation Solid state laser device
US11586092B2 (en) * 2015-10-05 2023-02-21 Qubitekk, Inc. Tunable source bi-photons
CN105371254A (zh) * 2015-11-27 2016-03-02 海信集团有限公司 一种波长转换装置及其制备方法、激光光源装置
CN109411108B (zh) * 2017-08-18 2020-06-12 南京中硼联康医疗科技有限公司 用于慢化中子的缓速体
US12072606B2 (en) 2021-07-30 2024-08-27 Kla Corporation Protective coating for nonlinear optical crystal
CN115173214A (zh) * 2022-07-22 2022-10-11 核工业理化工程研究院 一种调谐激光紫外倍频装置、方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4730335A (en) * 1986-06-26 1988-03-08 Amoco Corporation Solid state laser and method of making
US4731795A (en) * 1986-06-26 1988-03-15 Amoco Corporation Solid state laser
US5438579A (en) * 1992-12-18 1995-08-01 Olympus Optical Co., Ltd. Wavelength stabilizing apparatus
JP3221586B2 (ja) * 1993-04-27 2001-10-22 富士写真フイルム株式会社 光波長変換装置
US5430756A (en) * 1993-08-05 1995-07-04 Nec Corporation Solid state laser excited by laser diode
KR100322691B1 (ko) * 1995-01-27 2002-05-13 윤종용 제2고조파발생장치
FR2758893B1 (fr) * 1997-01-24 1999-04-16 Onera (Off Nat Aerospatiale) Oscillateur parametrique optique impulsionnel monomode
US6036321A (en) * 1997-05-16 2000-03-14 Spectra Physics Lasers, Inc. Crystal isolation housing
EP1030351A1 (en) * 1997-11-12 2000-08-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, apparatus for manufacturing devices, and method of manufacturing exposure apparatuses
US6532100B1 (en) * 1999-08-04 2003-03-11 3D Systems, Inc. Extended lifetime frequency conversion crystals
DE60109542T2 (de) * 2000-09-19 2005-09-08 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara Verfahren zur Wiederverwendung von Kunststoffprodukten und Vorrichtung sowie Verfahren zum Waschen von zerkleinerten Kunststoffen
JP2003053153A (ja) * 2001-08-20 2003-02-25 Japan Atom Energy Res Inst レーザーによるシリコン同位体の高効率分離・濃縮法
US6816536B2 (en) * 2001-11-30 2004-11-09 Spectra Physics, Inc. Method and apparatus for in situ protection of sensitive optical materials

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019106511A (ja) * 2017-12-14 2019-06-27 株式会社キーエンス レーザ加工装置及びレーザ発振器
JP7169062B2 (ja) 2017-12-14 2022-11-10 株式会社キーエンス レーザ加工装置及びレーザ発振器
JP2021163865A (ja) * 2020-03-31 2021-10-11 株式会社フジクラ レーザ装置
JP7421987B2 (ja) 2020-03-31 2024-01-25 株式会社フジクラ レーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1536721A (zh) 2004-10-13
DE102004017513A1 (de) 2004-10-21
US20050008047A1 (en) 2005-01-13
CN1251368C (zh) 2006-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004317566A (ja) レーザ装置及びレーザ波長変換装置
US6002697A (en) Diode pumped laser with frequency conversion into UV and DUV range
JP4803176B2 (ja) 固体レーザ装置
EP2888790B1 (en) High power solid-state laser with replaceable module for uv generation
WO2007119357A1 (ja) 波長変換光学素子、波長変換光学素子の製造方法、波長変換装置、紫外線レーザ照射装置およびレーザ加工装置
JP2004219878A (ja) 波長変換レーザー装置
KR100491946B1 (ko) 파장 변환 방법, 파장 변환 장치 및 레이저 가공기
US20030011872A1 (en) Apparatus and method using a nonlinear optical crystal
JP5346042B2 (ja) レーザ結晶装置
WO2013153704A1 (ja) レーザ装置
JP2020514793A (ja) 高温光学分子汚染防止ゲッターシステム
JP2001070787A (ja) 光学部品およびレーザー並びに露光装置
JPH11271820A (ja) 非線形光学素子を用いた波長変換方法、波長変換装置及びレーザシステム
US20050218811A1 (en) Gas discharge lamp with high-energy vacuum ultraviolet emission
JP2003295241A (ja) レーザ装置用保持箱及びレーザシステム
JP4249922B2 (ja) 波長変換装置及びこれを備えるレーザ装置
JP3636200B2 (ja) 波長変換方法、波長変換装置、およびレーザ加工機
EP1048974A1 (en) Crystal holding device
JPH02156583A (ja) レーザダイオード励起固体レーザ
JPH11288012A (ja) 結晶保持装置
JP2001168422A (ja) レーザー装置
JPH07176821A (ja) 半導体レーザ装置及びその製造方法
JPS5811759B2 (ja) ガスレ−ザ発振器
JP4102109B2 (ja) 光波長変換素子
JP2000252552A (ja) 固体レーザ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060407

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20070730

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070802