JPH11288012A - 結晶保持装置 - Google Patents
結晶保持装置Info
- Publication number
- JPH11288012A JPH11288012A JP11027498A JP2749899A JPH11288012A JP H11288012 A JPH11288012 A JP H11288012A JP 11027498 A JP11027498 A JP 11027498A JP 2749899 A JP2749899 A JP 2749899A JP H11288012 A JPH11288012 A JP H11288012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- crystal
- holding device
- oxygen
- nonlinear optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3501—Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3501—Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
- G02F1/3505—Coatings; Housings; Supports
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 潮解性を有するＣＬＢＯ、ＢＢＯ等の非線形
光学結晶を長時間に渡って安定に使用することが可能な
結晶保持装置を提供すること。 【解決手段】 ヒータ５を巻き付けたホルダー本体２、
ヒータボビン３内に非線形光学素子１を設置し、これら
をハウジング１０内に収納する。また、ハウジング１０
に窓部材１３ａ，１３ｂを有する延長フランジ８ａ，８
ｂを取り付け、非線形光学結晶が設置される空間を気密
に保持し、内部に高純度酸素ガスあるいは高純度酸素ガ
スと希ガスとの混合ガスを封入する。なお、延長フラン
ジ８ａ，８ｂにガス導入路、ガス排出路を設け、非線形
光学結晶が設置される空間に外部から上記酸素ガスある
いは混合ガスを供給するようにしてもよい。また、外部
から上記ガスを常時導入する場合には窓部材１３ａ，１
３ｂを設けず、延長フランジ８ａ，８ｂの両端を開放し
てもよい。
光学結晶を長時間に渡って安定に使用することが可能な
結晶保持装置を提供すること。 【解決手段】 ヒータ５を巻き付けたホルダー本体２、
ヒータボビン３内に非線形光学素子１を設置し、これら
をハウジング１０内に収納する。また、ハウジング１０
に窓部材１３ａ，１３ｂを有する延長フランジ８ａ，８
ｂを取り付け、非線形光学結晶が設置される空間を気密
に保持し、内部に高純度酸素ガスあるいは高純度酸素ガ
スと希ガスとの混合ガスを封入する。なお、延長フラン
ジ８ａ，８ｂにガス導入路、ガス排出路を設け、非線形
光学結晶が設置される空間に外部から上記酸素ガスある
いは混合ガスを供給するようにしてもよい。また、外部
から上記ガスを常時導入する場合には窓部材１３ａ，１
３ｂを設けず、延長フランジ８ａ，８ｂの両端を開放し
てもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は紫外線を放出する非
線形光学結晶を保持するための結晶保持装置に関し、さ
らに詳細には、非線形光学結晶を長寿命で使用すること
ができる結晶保持装置に関する。
線形光学結晶を保持するための結晶保持装置に関し、さ
らに詳細には、非線形光学結晶を長寿命で使用すること
ができる結晶保持装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、非線形光学結晶を用いた波長変換
により紫外光を発生させ、該紫外光を産業用に応用する
試みがなされている。このような用途に使用される非線
形光学結晶としては、ＣＬＢＯ（Ｃs Ｌi Ｂ6 Ｏ10）、
ＬＢＯ（Ｌi Ｂ3 Ｏ5 ）、ＢＢＯ（β−Ｂa Ｂ
2 Ｏ4 ）、ＣＢＯ（Ｃs Ｂ3 Ｏ5 ）等が知られている。
これらの結晶は潮解性であり、そのまま空気中に放置す
ると、表面に水和物ができる。表面に水和物があるまま
光が非線形光学結晶に入射すると、そこで急激な熱上昇
が発生し、場合によっては非線形光学結晶にクラック等
のダメージが発生する。
により紫外光を発生させ、該紫外光を産業用に応用する
試みがなされている。このような用途に使用される非線
形光学結晶としては、ＣＬＢＯ（Ｃs Ｌi Ｂ6 Ｏ10）、
ＬＢＯ（Ｌi Ｂ3 Ｏ5 ）、ＢＢＯ（β−Ｂa Ｂ
2 Ｏ4 ）、ＣＢＯ（Ｃs Ｂ3 Ｏ5 ）等が知られている。
これらの結晶は潮解性であり、そのまま空気中に放置す
ると、表面に水和物ができる。表面に水和物があるまま
光が非線形光学結晶に入射すると、そこで急激な熱上昇
が発生し、場合によっては非線形光学結晶にクラック等
のダメージが発生する。
【０００３】したがって、上記非線形光学結晶を長時間
に渡って使用するには、通常、非線形光学結晶を気密シ
ール可能な保持装置内に設置し、保持装置内に水分を含
まない特定ガスを封入する必要がある。しかしながら、
上記非線形光学結晶を産業上で使用する用途は、従来、
ほとんどなかったので、上記非線形光学結晶を保持する
結晶保持装置は公表されたものはなく、上記非線形光学
結晶の長寿命化を図るために上記結晶保持装置内に封入
すべきガスも知られていなかった。
に渡って使用するには、通常、非線形光学結晶を気密シ
ール可能な保持装置内に設置し、保持装置内に水分を含
まない特定ガスを封入する必要がある。しかしながら、
上記非線形光学結晶を産業上で使用する用途は、従来、
ほとんどなかったので、上記非線形光学結晶を保持する
結晶保持装置は公表されたものはなく、上記非線形光学
結晶の長寿命化を図るために上記結晶保持装置内に封入
すべきガスも知られていなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みなされたものであって、その目的とするところは、潮
解性を有するＣＬＢＯ、ＢＢＯ等の非線形光学結晶を長
時間に渡って安定に使用することが可能な結晶保持装置
を提供することである。
みなされたものであって、その目的とするところは、潮
解性を有するＣＬＢＯ、ＢＢＯ等の非線形光学結晶を長
時間に渡って安定に使用することが可能な結晶保持装置
を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記したように、ＣＬＢ
Ｏ、ＬＢＯ、ＢＢＯ、ＣＢＯ等の非線形光学結晶は潮解
性を有し、そのまま空気中に放置すると、表面に水和物
ができ使用出来なくなる。そこで、本発明者らは、気密
シール可能な結晶保持装置内にＣＬＢＯ結晶を設置し、
その内部に高純度窒素ガスを封入した結晶保持装置を作
製し使用を試みた。これは、ＣＬＢＯ結晶を、低湿度な
雰囲気内に保つためであった。しかし、上記高純度窒素
ガスが封入された結晶保持装置を、例えばＮｄ：ＹＡＧ
レーザ装置が放出する光の２倍波を入射しその４倍波
（２６６ｎｍ）を放出する波長変換装置に適用したとこ
ろ、ＣＬＢＯ結晶の後端面全体が動作時間の経過ととも
に荒れ、Ｎｄ：ＹＡＧ４倍波出力が動作時間の経過とも
に減少することがわかった。
Ｏ、ＬＢＯ、ＢＢＯ、ＣＢＯ等の非線形光学結晶は潮解
性を有し、そのまま空気中に放置すると、表面に水和物
ができ使用出来なくなる。そこで、本発明者らは、気密
シール可能な結晶保持装置内にＣＬＢＯ結晶を設置し、
その内部に高純度窒素ガスを封入した結晶保持装置を作
製し使用を試みた。これは、ＣＬＢＯ結晶を、低湿度な
雰囲気内に保つためであった。しかし、上記高純度窒素
ガスが封入された結晶保持装置を、例えばＮｄ：ＹＡＧ
レーザ装置が放出する光の２倍波を入射しその４倍波
（２６６ｎｍ）を放出する波長変換装置に適用したとこ
ろ、ＣＬＢＯ結晶の後端面全体が動作時間の経過ととも
に荒れ、Ｎｄ：ＹＡＧ４倍波出力が動作時間の経過とも
に減少することがわかった。
【０００６】次に、高純度アルゴンガスを結晶保持装置
内に封入し、上記と同様にＮｄ：ＹＡＧ４倍波を放出さ
せた。しかしながら、この場合にも、動作時間の経過と
ともにＮｄ：ＹＡＧ４倍波出力が減少した。そこで、さ
らに高純度酸素ガスを結晶保持装置内に封入し、上記と
同様にＮｄ：ＹＡＧ４倍波を放出させた。上記のように
高純度酸素ガスを結晶保持装置内に封入したところ、出
力が低下することなくＣＬＢＯ結晶を長時間使用するこ
とが可能となった。
内に封入し、上記と同様にＮｄ：ＹＡＧ４倍波を放出さ
せた。しかしながら、この場合にも、動作時間の経過と
ともにＮｄ：ＹＡＧ４倍波出力が減少した。そこで、さ
らに高純度酸素ガスを結晶保持装置内に封入し、上記と
同様にＮｄ：ＹＡＧ４倍波を放出させた。上記のように
高純度酸素ガスを結晶保持装置内に封入したところ、出
力が低下することなくＣＬＢＯ結晶を長時間使用するこ
とが可能となった。
【０００７】この原因は明らかでないが、その一因は、
ＣＬＢＯ結晶の構成要素である酸素（Ｏ）が非線形光学
結晶から抜けてしまうためではないかと考えられる。す
なわち、ＣＬＢＯ等の非線形光学結晶は元来、酸素を含
んでいるが、Ｎｄ：ＹＡＧ４倍波の発生とともに酸素が
結晶から離脱しやすくなり、酸素が結晶から抜けてしま
うためと考えられる。また、ＣＬＢＯ結晶を湿度を低い
状態（３５％以下）に保った部屋の大気中にさらした状
態で、上記と同様にＮｄ：ＹＡＧ４倍波を放出させたと
ころ、高純度酸素ガスを封入した場合と同様、出力の低
下はみられなかった。また、酸素ガスと希ガスの混合ガ
スの場合も同様の効果が得られた。
ＣＬＢＯ結晶の構成要素である酸素（Ｏ）が非線形光学
結晶から抜けてしまうためではないかと考えられる。す
なわち、ＣＬＢＯ等の非線形光学結晶は元来、酸素を含
んでいるが、Ｎｄ：ＹＡＧ４倍波の発生とともに酸素が
結晶から離脱しやすくなり、酸素が結晶から抜けてしま
うためと考えられる。また、ＣＬＢＯ結晶を湿度を低い
状態（３５％以下）に保った部屋の大気中にさらした状
態で、上記と同様にＮｄ：ＹＡＧ４倍波を放出させたと
ころ、高純度酸素ガスを封入した場合と同様、出力の低
下はみられなかった。また、酸素ガスと希ガスの混合ガ
スの場合も同様の効果が得られた。
【０００８】いずれにしても、結晶保持装置内に酸素が
封入された状態であれば、ＣＬＢＯ結晶の出力劣化は小
さくなるものと考えられ、これは、酸素と希ガスの混合
ガスの場合であっても同様の効果が得られると考えられ
る。また、酸素を封入する代わりに、気密シール可能な
構造の結晶保持装置にガス導入路とガス導出路を設け、
ガス導入路から酸素もしくは酸素と希ガスの混合ガス
を、間欠的に供給しても同様の効果が得られる。さら
に、一部が開放した結晶保持装置を用いた場合であって
も、ガス導入路から酸素もしくは上記混合ガスを常に導
入し、結晶保持装置内の結晶の周囲が酸素で満たされた
状態になるようにすれば、同様な効果を得ることが可能
である。ガス導入路から酸素もしくは上記混合ガスを供
給する場合には、ガス導入路を、ＣＬＢＯ結晶の紫外線
が放出される側に設けることが望ましい。これは、ＣＬ
ＢＯ結晶の後端面全体（紫外線が放出される側）が動作
時間の経過とともに荒れるのを効果的に保護するためで
ある。
封入された状態であれば、ＣＬＢＯ結晶の出力劣化は小
さくなるものと考えられ、これは、酸素と希ガスの混合
ガスの場合であっても同様の効果が得られると考えられ
る。また、酸素を封入する代わりに、気密シール可能な
構造の結晶保持装置にガス導入路とガス導出路を設け、
ガス導入路から酸素もしくは酸素と希ガスの混合ガス
を、間欠的に供給しても同様の効果が得られる。さら
に、一部が開放した結晶保持装置を用いた場合であって
も、ガス導入路から酸素もしくは上記混合ガスを常に導
入し、結晶保持装置内の結晶の周囲が酸素で満たされた
状態になるようにすれば、同様な効果を得ることが可能
である。ガス導入路から酸素もしくは上記混合ガスを供
給する場合には、ガス導入路を、ＣＬＢＯ結晶の紫外線
が放出される側に設けることが望ましい。これは、ＣＬ
ＢＯ結晶の後端面全体（紫外線が放出される側）が動作
時間の経過とともに荒れるのを効果的に保護するためで
ある。
【０００９】以上のことは、ＣＬＢＯ結晶だけでなく、
潮解性を有する前記したＬＢＯ、ＢＢＯ、ＣＢＯ結晶等
の、一般に化学式”Ｍx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）Z ”で表され
る非線形光学結晶にも適用できるものと考えられる。こ
こで、Ｍ，ＮはＣs ，Ｌi 等の原子記号を表し、ｘ，
ｙ，ｚは整数値である。例えば、Ｍ＝Ｃs 、Ｎ＝Ｌi 、
ｘ＝ｙ＝１、ｚ＝２は場合は、Ｃs Ｌi Ｂ6 Ｏ10（ＣＬ
ＢＯ）を表す。
潮解性を有する前記したＬＢＯ、ＢＢＯ、ＣＢＯ結晶等
の、一般に化学式”Ｍx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）Z ”で表され
る非線形光学結晶にも適用できるものと考えられる。こ
こで、Ｍ，ＮはＣs ，Ｌi 等の原子記号を表し、ｘ，
ｙ，ｚは整数値である。例えば、Ｍ＝Ｃs 、Ｎ＝Ｌi 、
ｘ＝ｙ＝１、ｚ＝２は場合は、Ｃs Ｌi Ｂ6 Ｏ10（ＣＬ
ＢＯ）を表す。
【００１０】以上に基づき、本発明においては、次のよ
うにして前記課題を解決する。 （１）紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）z の非線
形光学結晶が設置された気密シール可能な構造の保持装
置内に、純粋酸素または酸素と希ガスの混合ガスを封入
する。 （２）紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）z もしく
はＢＢＯの非線形光学結晶が設置された保持装置に、上
記非線形光学結晶から紫外線が放出される側にガス導入
路を設けるとともにガス放出路とを設け、該ガス導入路
より、純粋酸素または酸素とガスの混合ガスを常に供給
する。 （３）紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）z もしく
はＢＢＯの非線形光学結晶の気密シール可能な構造の保
持装置に、記非線形光学結晶から紫外線が放出される側
にガス導入路を設けるとともにガス放出路とを設け、該
ガス導入路より、純粋酸素または酸素とガスの混合ガス
を間欠的に供給する。
うにして前記課題を解決する。 （１）紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）z の非線
形光学結晶が設置された気密シール可能な構造の保持装
置内に、純粋酸素または酸素と希ガスの混合ガスを封入
する。 （２）紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）z もしく
はＢＢＯの非線形光学結晶が設置された保持装置に、上
記非線形光学結晶から紫外線が放出される側にガス導入
路を設けるとともにガス放出路とを設け、該ガス導入路
より、純粋酸素または酸素とガスの混合ガスを常に供給
する。 （３）紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）z もしく
はＢＢＯの非線形光学結晶の気密シール可能な構造の保
持装置に、記非線形光学結晶から紫外線が放出される側
にガス導入路を設けるとともにガス放出路とを設け、該
ガス導入路より、純粋酸素または酸素とガスの混合ガス
を間欠的に供給する。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例の結
晶保持装置の構成を示す図であり、同図は、本実施例の
結晶保持装置の断面図である。図１において、１はＣＬ
ＢＯ結晶であり、ＣＬＢＯ結晶１は純アルミニウムで形
成されたホルダ本体２中に設置されている。ＣＬＢＯ結
晶１は、上記ホルダ本体２の凹部中に挿入されており、
図示しない板ばね等で押圧され、ホルダ本体２内で移動
しないように保持されている。上記凹部の両端面は開放
しており、一方の端面からＣＬＢＯ結晶１に光が入射
し、他方の端面から光が放出される。３は純アルミニウ
ムから形成される略円筒状のヒータボビンであり、ヒー
タボビン３の外周には、温度計測用制御用の熱電対４が
取り付けられ、その上に絶縁材料で被覆されたニクロム
線等からなるＣＬＢＯ結晶加熱用のヒータ５が巻かれて
いる。
晶保持装置の構成を示す図であり、同図は、本実施例の
結晶保持装置の断面図である。図１において、１はＣＬ
ＢＯ結晶であり、ＣＬＢＯ結晶１は純アルミニウムで形
成されたホルダ本体２中に設置されている。ＣＬＢＯ結
晶１は、上記ホルダ本体２の凹部中に挿入されており、
図示しない板ばね等で押圧され、ホルダ本体２内で移動
しないように保持されている。上記凹部の両端面は開放
しており、一方の端面からＣＬＢＯ結晶１に光が入射
し、他方の端面から光が放出される。３は純アルミニウ
ムから形成される略円筒状のヒータボビンであり、ヒー
タボビン３の外周には、温度計測用制御用の熱電対４が
取り付けられ、その上に絶縁材料で被覆されたニクロム
線等からなるＣＬＢＯ結晶加熱用のヒータ５が巻かれて
いる。
【００１２】前記ＣＬＢＯ結晶１が設置されたホルダ本
体２は上記ヒータボビン３中に挿入され、ホルダ本体２
はＯリング６によりヒータボビン３に固定されている。
ヒータボビン３の両端面には真空用フランジが形成され
ており、真空用フランジと断熱スペーサ７ａ，７ｂとが
接する面は気密に保持される。断熱スペーサ７ａ，７ｂ
は機械加工可能なセラミックスで構成され、断熱効果を
持たせてある。断熱スペーサ７ａ，７ｂの中央には光を
通過させる穴７ａ１，７ｂ１が設けられている。また、
断熱スペーサ７ａ，７ｂの両端面には真空用フランジが
形成されており、上記したようにヒータボビン３の真空
用フランジと接する面が気密に保持され、また、後述す
る延長フランジ８ａ，８ｂと接する面が気密に保持され
る。前記したヒータ５の外側には断熱材９が巻かれてお
り、断熱材９の厚さは、その外径が断熱スペーサ７ａ，
７ｂとほぼ同じ外径となるように選定されている。
体２は上記ヒータボビン３中に挿入され、ホルダ本体２
はＯリング６によりヒータボビン３に固定されている。
ヒータボビン３の両端面には真空用フランジが形成され
ており、真空用フランジと断熱スペーサ７ａ，７ｂとが
接する面は気密に保持される。断熱スペーサ７ａ，７ｂ
は機械加工可能なセラミックスで構成され、断熱効果を
持たせてある。断熱スペーサ７ａ，７ｂの中央には光を
通過させる穴７ａ１，７ｂ１が設けられている。また、
断熱スペーサ７ａ，７ｂの両端面には真空用フランジが
形成されており、上記したようにヒータボビン３の真空
用フランジと接する面が気密に保持され、また、後述す
る延長フランジ８ａ，８ｂと接する面が気密に保持され
る。前記したヒータ５の外側には断熱材９が巻かれてお
り、断熱材９の厚さは、その外径が断熱スペーサ７ａ，
７ｂとほぼ同じ外径となるように選定されている。
【００１３】ホルダ本体２が挿入されたヒータボビン
３、断熱材９、断熱スペーサ７ａ，７ｂは薄いフッ素樹
脂材で形成された円筒状の断熱スペーサ１１内に挿入さ
れ、これら全体が機械加工可能なセラミックスで形成さ
れたハウジング１０内に収納される。フッ素樹脂は断熱
材として優れており、これによりＣＬＢＯ結晶１の効率
良い加熱が可能となる。上記ハウジング１０、断熱スペ
ーサ７ａ，７ｂ、円筒状の断熱スペーサ１１は、ハウジ
ングの上面側の角部に取り付けられたネジ１２ｂにより
一体で固定される。
３、断熱材９、断熱スペーサ７ａ，７ｂは薄いフッ素樹
脂材で形成された円筒状の断熱スペーサ１１内に挿入さ
れ、これら全体が機械加工可能なセラミックスで形成さ
れたハウジング１０内に収納される。フッ素樹脂は断熱
材として優れており、これによりＣＬＢＯ結晶１の効率
良い加熱が可能となる。上記ハウジング１０、断熱スペ
ーサ７ａ，７ｂ、円筒状の断熱スペーサ１１は、ハウジ
ングの上面側の角部に取り付けられたネジ１２ｂにより
一体で固定される。
【００１４】断熱スペーサ７ａ，７ｂの両側には、円筒
状の延長フランジ８ａ，８ｂが接続され、延長フランジ
８ａ，８ｂは、断熱スペーサ７ａ，７ｂを貫通しヒータ
ボビン３に達する止めねじ１２ａにより固定されてい
る。上記延長フランジ８ａ，８ｂは機械加工可能なセラ
ミックスで形成されており、前記したように断熱スペー
サ７ａ，７ｂと接する面は気密に保持されている。延長
フランジ８ａ，８ｂのそれぞれの他方端には、合成石英
ガラスからなり表面に反射防止膜が形成された前窓１３
ａ、後窓１３ｂが設けられる。前窓１３ａ、後窓１３ｂ
は窓押さえ１４ａ，１４ｂにより延長フランジ８ａ，８
ｂに気密に取り付けられている。本実施例の結晶保持装
置は、上記のように延長フランジ８ａ，８ｂ、前窓１３
ａ、後窓１３ｂ、断熱スペーサ７ａ，７ｂ、ヒータボビ
ン３により気密な空間が形成され、この空間内に高純度
酸素ガスが封入されている。
状の延長フランジ８ａ，８ｂが接続され、延長フランジ
８ａ，８ｂは、断熱スペーサ７ａ，７ｂを貫通しヒータ
ボビン３に達する止めねじ１２ａにより固定されてい
る。上記延長フランジ８ａ，８ｂは機械加工可能なセラ
ミックスで形成されており、前記したように断熱スペー
サ７ａ，７ｂと接する面は気密に保持されている。延長
フランジ８ａ，８ｂのそれぞれの他方端には、合成石英
ガラスからなり表面に反射防止膜が形成された前窓１３
ａ、後窓１３ｂが設けられる。前窓１３ａ、後窓１３ｂ
は窓押さえ１４ａ，１４ｂにより延長フランジ８ａ，８
ｂに気密に取り付けられている。本実施例の結晶保持装
置は、上記のように延長フランジ８ａ，８ｂ、前窓１３
ａ、後窓１３ｂ、断熱スペーサ７ａ，７ｂ、ヒータボビ
ン３により気密な空間が形成され、この空間内に高純度
酸素ガスが封入されている。
【００１５】図２は本実施例の結晶保持装置を波長変換
に適用した場合の構成の一例を示す図である。同図にお
いて、２０は本実施例の結晶保持装置であり、結晶保持
装置２０内にはＣＬＢＯ結晶１が設置されており、ＣＬ
ＢＯ結晶１は前記したヒータ５により加熱され温度制御
されている。２１は集光レンズであり、Ｎｄ：ＹＡＧレ
ーザ装置（図示せず）が出射する光の２倍波を集光レン
ズ２１に入射させ、集光レンズ２１から出射した光を、
延長フランジ８ａの前窓１３ａから結晶保持装置２０内
に入射する。結晶保持装置２０内に入射した光はＣＬＢ
Ｏ結晶１の中央部付近に集光し、ＣＬＢＯ結晶１で波長
変換され、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置が出射する光の４倍
波（２６６ｎｍ）が延長フランジ８ｂの後窓１３ｂから
出射する。
に適用した場合の構成の一例を示す図である。同図にお
いて、２０は本実施例の結晶保持装置であり、結晶保持
装置２０内にはＣＬＢＯ結晶１が設置されており、ＣＬ
ＢＯ結晶１は前記したヒータ５により加熱され温度制御
されている。２１は集光レンズであり、Ｎｄ：ＹＡＧレ
ーザ装置（図示せず）が出射する光の２倍波を集光レン
ズ２１に入射させ、集光レンズ２１から出射した光を、
延長フランジ８ａの前窓１３ａから結晶保持装置２０内
に入射する。結晶保持装置２０内に入射した光はＣＬＢ
Ｏ結晶１の中央部付近に集光し、ＣＬＢＯ結晶１で波長
変換され、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置が出射する光の４倍
波（２６６ｎｍ）が延長フランジ８ｂの後窓１３ｂから
出射する。
【００１６】図３は上記結晶保持装置２０内にアルゴン
ガスのみを封入した場合と、高純度酸素ガスを封入した
場合の結晶保持装置２０の出力を示す図である。なお、
同図は、アルゴンガスおよび酸素ガスの封入圧力が１気
圧の場合を示しており、横軸は時間（Ｈｏｕｒｓ）、縦
軸は上記２６６ｎｍの光の相対出力（酸素ガス、アルゴ
ンガスを封入した場合の経過時間０のときの出力を１と
した相対出力）を示している。同図から明らかなよう
に、アルゴンガスを封入した場合には、出力の低下が見
られるが、高純度酸素ガスを封入した場合には、出力の
低下がほとんどみられなかった。なお、上記実験は、ア
ルゴン、高純度酸素ガスをそれぞれ結晶保持装置２０内
に封入した場合の結果を示しているが、アルゴン等の希
ガスと酸素ガスを混合した場合でも高純度酸素ガスを封
入した場合と同様の効果が得られる。ちなみに、アルゴ
ンガスと酸素ガスの混合比が３：１の場合でも同様な効
果が得られることが確認されており、希ガスと純粋酸素
の混合比が５：１程度まで同様の効果が得られると推察
される。
ガスのみを封入した場合と、高純度酸素ガスを封入した
場合の結晶保持装置２０の出力を示す図である。なお、
同図は、アルゴンガスおよび酸素ガスの封入圧力が１気
圧の場合を示しており、横軸は時間（Ｈｏｕｒｓ）、縦
軸は上記２６６ｎｍの光の相対出力（酸素ガス、アルゴ
ンガスを封入した場合の経過時間０のときの出力を１と
した相対出力）を示している。同図から明らかなよう
に、アルゴンガスを封入した場合には、出力の低下が見
られるが、高純度酸素ガスを封入した場合には、出力の
低下がほとんどみられなかった。なお、上記実験は、ア
ルゴン、高純度酸素ガスをそれぞれ結晶保持装置２０内
に封入した場合の結果を示しているが、アルゴン等の希
ガスと酸素ガスを混合した場合でも高純度酸素ガスを封
入した場合と同様の効果が得られる。ちなみに、アルゴ
ンガスと酸素ガスの混合比が３：１の場合でも同様な効
果が得られることが確認されており、希ガスと純粋酸素
の混合比が５：１程度まで同様の効果が得られると推察
される。
【００１７】図４は本発明の第２の実施例の結晶保持装
置の構成を示す図である。本実施例は、図１に示した結
晶保持装置にガス導入路３１とガス放出路３２を設けガ
ス導入路３１から高純度酸素ガス、もしくは、希ガスと
酸素ガスの混合ガスを連続供給もしくは間欠供給するよ
うにした場合を示している。なお、同図では結晶保持装
置の細部が省略されているが、図示されていない部分は
図１と同様な構成を有する。図４において、３０は本実
施例の結晶保持装置であり、結晶保持装置３０内にはＣ
ＬＢＯ結晶１が設置されており、ＣＬＢＯ結晶１は前記
したヒータ５により加熱され温度制御されている。
置の構成を示す図である。本実施例は、図１に示した結
晶保持装置にガス導入路３１とガス放出路３２を設けガ
ス導入路３１から高純度酸素ガス、もしくは、希ガスと
酸素ガスの混合ガスを連続供給もしくは間欠供給するよ
うにした場合を示している。なお、同図では結晶保持装
置の細部が省略されているが、図示されていない部分は
図１と同様な構成を有する。図４において、３０は本実
施例の結晶保持装置であり、結晶保持装置３０内にはＣ
ＬＢＯ結晶１が設置されており、ＣＬＢＯ結晶１は前記
したヒータ５により加熱され温度制御されている。
【００１８】結晶保持装置３０の後ろ側（光出射側）の
延長フランジ８ｂにはガス導入路３１が設けられ、ガス
導入路３１には開閉バルブＶ１が設けられている。ま
た、結晶保持装置３０の前側（光入射側）の延長フラン
ジ８ａにはガス放出路３２が設けられ、ガス放出路３２
には開閉バルブＶ２が設けられている。前記酸素ガスも
しくは混合ガスを連続供給する際には、上記開閉バルブ
Ｖ１、Ｖ２は常時開かれ、ガス導入路３１のガス供給口
Ａから酸素ガスもしくは混合ガスが結晶保持装置内に連
続的に供給される。また、前記酸素ガスもしくは混合ガ
スを間欠供給する際には、上記開閉バルブＶ１、Ｖ２は
一定時間毎に同期して開閉が繰り返され、ガス導入路３
１のガス供給口Ａから供給される酸素ガスもしくは混合
ガスは、間欠的に結晶保持装置内に供給される。
延長フランジ８ｂにはガス導入路３１が設けられ、ガス
導入路３１には開閉バルブＶ１が設けられている。ま
た、結晶保持装置３０の前側（光入射側）の延長フラン
ジ８ａにはガス放出路３２が設けられ、ガス放出路３２
には開閉バルブＶ２が設けられている。前記酸素ガスも
しくは混合ガスを連続供給する際には、上記開閉バルブ
Ｖ１、Ｖ２は常時開かれ、ガス導入路３１のガス供給口
Ａから酸素ガスもしくは混合ガスが結晶保持装置内に連
続的に供給される。また、前記酸素ガスもしくは混合ガ
スを間欠供給する際には、上記開閉バルブＶ１、Ｖ２は
一定時間毎に同期して開閉が繰り返され、ガス導入路３
１のガス供給口Ａから供給される酸素ガスもしくは混合
ガスは、間欠的に結晶保持装置内に供給される。
【００１９】本実施例の結晶保持装置を波長変換に適用
する場合には、前記図２で説明したように、前窓１３ａ
の前に集光レンズを設け、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置（図
示せず）が出射する光の２倍波を集光レンズを介して延
長フランジ８ａの前窓１３ａから結晶保持装置３０内に
入射する。結晶保持装置３０内に入射した光はＣＬＢＯ
結晶１の中央部付近に集光し、ＣＬＢＯ結晶１で波長変
換され、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置が出射する光の４倍波
（２６６ｎｍ）が延長フランジ８ｂの後窓１３ｂから出
射する。
する場合には、前記図２で説明したように、前窓１３ａ
の前に集光レンズを設け、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置（図
示せず）が出射する光の２倍波を集光レンズを介して延
長フランジ８ａの前窓１３ａから結晶保持装置３０内に
入射する。結晶保持装置３０内に入射した光はＣＬＢＯ
結晶１の中央部付近に集光し、ＣＬＢＯ結晶１で波長変
換され、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置が出射する光の４倍波
（２６６ｎｍ）が延長フランジ８ｂの後窓１３ｂから出
射する。
【００２０】図５は本発明の第３の実施例の結晶保持装
置の構成を示す図である。本実施例は、図１、図４に示
した前窓１３ａ、後窓１３ｂを除去して結晶保持装置の
前側（光入射側）、後ろ側（光出射側）を開放し、前側
の延長フランジ８ａ、後側の延長フランジ８ｂにそれぞ
れガス導入路を設けた場合を示している。なお、同図で
は結晶保持装置の細部が省略されているが、図示されて
いない部分は図１と同様な構成を有する。図５におい
て、４０は本実施例の結晶保持装置であり、結晶保持装
置４０内にはＣＬＢＯ結晶１が設置されており、ＣＬＢ
Ｏ結晶１は前記したヒータ５により加熱され温度制御さ
れている。
置の構成を示す図である。本実施例は、図１、図４に示
した前窓１３ａ、後窓１３ｂを除去して結晶保持装置の
前側（光入射側）、後ろ側（光出射側）を開放し、前側
の延長フランジ８ａ、後側の延長フランジ８ｂにそれぞ
れガス導入路を設けた場合を示している。なお、同図で
は結晶保持装置の細部が省略されているが、図示されて
いない部分は図１と同様な構成を有する。図５におい
て、４０は本実施例の結晶保持装置であり、結晶保持装
置４０内にはＣＬＢＯ結晶１が設置されており、ＣＬＢ
Ｏ結晶１は前記したヒータ５により加熱され温度制御さ
れている。
【００２１】結晶保持装置４０の前側（光入射側）およ
び後ろ側（光出射側）の延長フランジ８ａ，８ｂにはガ
ス導入路４１，４１’が設けられ、ガス導入路４１，４
１’には開閉バルブＶ１，Ｖ１’が設けられている。ま
た、延長フランジ８ａ、８ｂの両端は開放され、ガス供
給口Ａから供給される酸素もしくは混合ガスは、延長フ
ランジ８ａ、８ｂの両端の開口部４２，４２’から外部
に放出される。本実施例においては、上記のようにＣＬ
ＢＯ結晶の前側および後側にガス導入路４１，４１’を
設け、上記開閉バルブＶ１、Ｖ１’を常時開いて、ＣＬ
ＢＯ結晶の前側および後側に酸素ガスもしくは混合ガス
を連続供給する。これにより、延長フランジ８ａ、８ｂ
の両端が開放されていても、ＣＬＢＯ結晶の周囲を上記
酸素ガスもしくは混合ガスで満たすことができ、ＣＬＢ
Ｏ結晶の防湿を図るとともに長寿命化を図ることができ
る。本実施例の結晶保持装置を波長変換に適用する場合
には、第２の実施例と同様に、延長フランジ８ａの前側
の開口部４２から光を結晶保持装置４０内に入射し、Ｃ
ＬＢＯ結晶１で波長変換された光を延長フランジ８ｂの
後ろ側の開口部４２’から出射させる。
び後ろ側（光出射側）の延長フランジ８ａ，８ｂにはガ
ス導入路４１，４１’が設けられ、ガス導入路４１，４
１’には開閉バルブＶ１，Ｖ１’が設けられている。ま
た、延長フランジ８ａ、８ｂの両端は開放され、ガス供
給口Ａから供給される酸素もしくは混合ガスは、延長フ
ランジ８ａ、８ｂの両端の開口部４２，４２’から外部
に放出される。本実施例においては、上記のようにＣＬ
ＢＯ結晶の前側および後側にガス導入路４１，４１’を
設け、上記開閉バルブＶ１、Ｖ１’を常時開いて、ＣＬ
ＢＯ結晶の前側および後側に酸素ガスもしくは混合ガス
を連続供給する。これにより、延長フランジ８ａ、８ｂ
の両端が開放されていても、ＣＬＢＯ結晶の周囲を上記
酸素ガスもしくは混合ガスで満たすことができ、ＣＬＢ
Ｏ結晶の防湿を図るとともに長寿命化を図ることができ
る。本実施例の結晶保持装置を波長変換に適用する場合
には、第２の実施例と同様に、延長フランジ８ａの前側
の開口部４２から光を結晶保持装置４０内に入射し、Ｃ
ＬＢＯ結晶１で波長変換された光を延長フランジ８ｂの
後ろ側の開口部４２’から出射させる。
【００２２】ガス導入路およびガス放出路の配置として
は、次のように種々の変形をすることができる。図６は
結晶保持装置が気密シールされている場合のガス導入
路、ガス放出路の配置例を示す図である。同図（ａ）は
図４に示したガス導入路３１、ガス放出路３２の配置を
示し、同図（ｂ）はガス導入路３１、ガス放出路３２を
後端側（光出射側）の延長フランジ８ｂに設けた例を示
す。また、同図（ｃ）は、ガス導入路３１，３１’を前
端側および後端側の延長フランジ８ａ，８ｂに設け、ガ
ス放出路３２を後端側の延長フランジ８ｂに設けた例を
示し、同図（ｄ）はガス導入路３１，３１’を前端側お
よび後端側の延長フランジ８ａ，８ｂに設け、また、ガ
ス放出路３２，３２’を前端側および後端側の延長フラ
ンジ８ａ，８ｂに設けた場合を示している。
は、次のように種々の変形をすることができる。図６は
結晶保持装置が気密シールされている場合のガス導入
路、ガス放出路の配置例を示す図である。同図（ａ）は
図４に示したガス導入路３１、ガス放出路３２の配置を
示し、同図（ｂ）はガス導入路３１、ガス放出路３２を
後端側（光出射側）の延長フランジ８ｂに設けた例を示
す。また、同図（ｃ）は、ガス導入路３１，３１’を前
端側および後端側の延長フランジ８ａ，８ｂに設け、ガ
ス放出路３２を後端側の延長フランジ８ｂに設けた例を
示し、同図（ｄ）はガス導入路３１，３１’を前端側お
よび後端側の延長フランジ８ａ，８ｂに設け、また、ガ
ス放出路３２，３２’を前端側および後端側の延長フラ
ンジ８ａ，８ｂに設けた場合を示している。
【００２３】図７は結晶保持装置の延長フランジ８ａ，
８ｂの両端が開放されている場合のガス導入路、ガス放
出路の配置例を示す図である。同図（ａ）は図５に示し
たガス導入路４１，４１’の配置を示し、導入されたガ
スは延長フランジ８ａ，８ｂの両端の開口部４２，４
２’から放出される。同図（ｂ）はガス導入路４１を後
ろ側（光出射側）の延長フランジ８ｂに設け、導入され
たガスを延長フランジ８ａ，８ｂの両端の開口部４２，
４２’から放出させる場合を示し、同図（ｃ）は同図
（ｂ）において、ガス放出路４３を後端側（光出射側）
の延長フランジ８ｂに設けた場合を示している。
８ｂの両端が開放されている場合のガス導入路、ガス放
出路の配置例を示す図である。同図（ａ）は図５に示し
たガス導入路４１，４１’の配置を示し、導入されたガ
スは延長フランジ８ａ，８ｂの両端の開口部４２，４
２’から放出される。同図（ｂ）はガス導入路４１を後
ろ側（光出射側）の延長フランジ８ｂに設け、導入され
たガスを延長フランジ８ａ，８ｂの両端の開口部４２，
４２’から放出させる場合を示し、同図（ｃ）は同図
（ｂ）において、ガス放出路４３を後端側（光出射側）
の延長フランジ８ｂに設けた場合を示している。
【００２４】図６、図７に示すように、ガス導入路を少
なくとも後端側（光出射側）の延長フランジ８ｂに設け
ることにより、非線形光学結晶の後端面（紫外線が放出
される側）に新たなガスを供給することができ、後端面
全体が動作時間の経過とともに荒れるのを効果的に保護
することができる。なお、上記例では、延長フランジ８
ａ，８ｂの両端が閉じている場合、および両端が開放し
ている場合について示したが、延長フランジ８ａ，８ｂ
の一方端が閉じ、他方端が開放していてもよい。
なくとも後端側（光出射側）の延長フランジ８ｂに設け
ることにより、非線形光学結晶の後端面（紫外線が放出
される側）に新たなガスを供給することができ、後端面
全体が動作時間の経過とともに荒れるのを効果的に保護
することができる。なお、上記例では、延長フランジ８
ａ，８ｂの両端が閉じている場合、および両端が開放し
ている場合について示したが、延長フランジ８ａ，８ｂ
の一方端が閉じ、他方端が開放していてもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ 5 ）z の非線形
光学結晶が設置された保持装置内に、純粋酸素または酸
素と希ガスの混合ガスを封入、もしくは、外部から導入
するようにしたので、潮解性を有する上記非線形光学結
晶の長寿命化を図ることができ、結晶保持装置の出力光
の低下を抑止することができる。また、ガス導入路を設
ける場合に、該ガス導入路を少なくとも非線形光学結晶
から紫外線が放出される側に設けることにより、後端面
全体が紫外線により荒れるのを効果的に保護することが
できる。
は、紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ 5 ）z の非線形
光学結晶が設置された保持装置内に、純粋酸素または酸
素と希ガスの混合ガスを封入、もしくは、外部から導入
するようにしたので、潮解性を有する上記非線形光学結
晶の長寿命化を図ることができ、結晶保持装置の出力光
の低下を抑止することができる。また、ガス導入路を設
ける場合に、該ガス導入路を少なくとも非線形光学結晶
から紫外線が放出される側に設けることにより、後端面
全体が紫外線により荒れるのを効果的に保護することが
できる。
【図１】本発明の第１の実施例の結晶保持装置の構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】本実施例の結晶保持装置を波長変換に適用した
場合の構成の一例を示す図である。
場合の構成の一例を示す図である。
【図３】結晶保持装置内にアルゴンガスのみを封入した
場合と、高純度酸素ガスを封入した場合の出力を示す図
である。
場合と、高純度酸素ガスを封入した場合の出力を示す図
である。
【図４】本発明の第２の実施例の結晶保持装置の概略構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施例の結晶保持装置の概略構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図６】第２の実施例の変形例を示す図である。
【図７】第３の実施例の変形例を示す図である。
１ ＣＬＢＯ結晶 ２ ホルダ本体 ３ ヒータボビン ４ 熱電対 ５ ヒータ ６ Ｏリング ７ａ，７ｂ 断熱スペーサ ８ａ，８ｂ 延長フランジ ９ 断熱材 １０ ハウジング １１ 断熱スペーサ（円筒） １３ａ 前窓 １３ｂ 後窓 ２０，３０，４０ 結晶保持装置 ３１，４１ ガス導入路 ４２ 開口部 ３２，４３ ガス放出路 Ｖ１，Ｖ２ 開閉バルブ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年４月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】以上に基づき、本発明においては、次のよ
うにして前記課題を解決する。 （１）紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）z の非線
形光学結晶が設置された気密シール可能な構造の保持装
置内に、純粋酸素または酸素と希ガスの混合ガスを封入
する。 （２）紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）z もしく
はＢＢＯの非線形光学結晶が設置された保持装置に、上
記非線形光学結晶から紫外線が放出される側にガス導入
路を設けるとともにガス放出路とを設け、該ガス導入路
より、純粋酸素または酸素と希ガスの混合ガスを常に供
給する。 （３）紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）z もしく
はＢＢＯの非線形光学結晶の気密シール可能な構造の保
持装置に、上記非線形光学結晶から紫外線が放出される
側にガス導入路を設けるとともにガス放出路とを設け、
該ガス導入路より、純粋酸素または酸素と希ガスの混合
ガスを間欠的に供給する。
うにして前記課題を解決する。 （１）紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）z の非線
形光学結晶が設置された気密シール可能な構造の保持装
置内に、純粋酸素または酸素と希ガスの混合ガスを封入
する。 （２）紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）z もしく
はＢＢＯの非線形光学結晶が設置された保持装置に、上
記非線形光学結晶から紫外線が放出される側にガス導入
路を設けるとともにガス放出路とを設け、該ガス導入路
より、純粋酸素または酸素と希ガスの混合ガスを常に供
給する。 （３）紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）z もしく
はＢＢＯの非線形光学結晶の気密シール可能な構造の保
持装置に、上記非線形光学結晶から紫外線が放出される
側にガス導入路を設けるとともにガス放出路とを設け、
該ガス導入路より、純粋酸素または酸素と希ガスの混合
ガスを間欠的に供給する。
Claims (3)
- 【請求項１】 紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）
z もしくはＢＢＯの非線形光学結晶の保持装置であっ
て、 気密シール可能な構造であり、その中に純粋酸素または
酸素と希ガスの混合ガスが封入されていることを特徴と
する結晶保持装置。 - 【請求項２】 紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）
z もしくはＢＢＯの非線形光学結晶の保持装置であっ
て、 ガス導入路とガス放出路とを備え、 少なくとも上記ガス導入路は上記非線形光学結晶から紫
外線が放出される側に設けられており、 上記ガス導入路より、純粋酸素または酸素とガスの混合
ガスが常に供給されていることを特徴とする結晶保持装
置。 - 【請求項３】 紫外線を放出するＭx Ｎy （Ｂ3 Ｏ5 ）
z もしくはＢＢＯの非線形光学結晶の保持装置であっ
て、 気密シール可能な構造であり、 ガス導入路とガス放出路とを備え、 少なくとも上記ガス導入路は上記非線形光学結晶から紫
外線が放出される側に設けられており、 上記ガス導入路より、純粋酸素または酸素とガスの混合
ガスが間欠的に供給されていることを特徴とする結晶保
持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11027498A JPH11288012A (ja) | 1998-02-09 | 1999-02-04 | 結晶保持装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-27161 | 1998-02-09 | ||
| JP2716198 | 1998-02-09 | ||
| JP11027498A JPH11288012A (ja) | 1998-02-09 | 1999-02-04 | 結晶保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288012A true JPH11288012A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=26365063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11027498A Pending JPH11288012A (ja) | 1998-02-09 | 1999-02-04 | 結晶保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11288012A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002048787A1 (fr) * | 2000-12-14 | 2002-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et appareil de transformation de longueur d'onde, et dispositif laser et dispositif d'usinage laser a longueur d'onde transformee |
| WO2002048786A1 (fr) * | 2000-12-14 | 2002-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede de conversion de longueur d'onde, dispositif de conversion de longueur d'onde et machine a faisceau laser |
| JP2005208294A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Institute Of Physical & Chemical Research | レーザー装置における非線形結晶保持箱およびそれを用いたレーザー装置 |
| JP2008298832A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Lasertec Corp | 波長変換装置、マスク検査装置 |
| US7948673B2 (en) | 2006-03-18 | 2011-05-24 | Osaka University | Optical wavelength conversion element having a cesium-lithium-borate crystal |
-
1999
- 1999-02-04 JP JP11027498A patent/JPH11288012A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002048787A1 (fr) * | 2000-12-14 | 2002-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et appareil de transformation de longueur d'onde, et dispositif laser et dispositif d'usinage laser a longueur d'onde transformee |
| WO2002048786A1 (fr) * | 2000-12-14 | 2002-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede de conversion de longueur d'onde, dispositif de conversion de longueur d'onde et machine a faisceau laser |
| US7142354B2 (en) | 2000-12-14 | 2006-11-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wavelength conversion method, wavelength conversion device, and laser beam machine |
| JP2005208294A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Institute Of Physical & Chemical Research | レーザー装置における非線形結晶保持箱およびそれを用いたレーザー装置 |
| US7948673B2 (en) | 2006-03-18 | 2011-05-24 | Osaka University | Optical wavelength conversion element having a cesium-lithium-borate crystal |
| JP2008298832A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Lasertec Corp | 波長変換装置、マスク検査装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6002697A (en) | Diode pumped laser with frequency conversion into UV and DUV range | |
| TWI408482B (zh) | Wavelength conversion optical element, manufacturing method of wavelength conversion optical element, wavelength conversion device, ultraviolet laser irradiation device and laser processing device | |
| US10774220B1 (en) | Inorganic passive coatings for atomic vapor cells | |
| KR100491946B1 (ko) | 파장 변환 방법, 파장 변환 장치 및 레이저 가공기 | |
| US5862163A (en) | Apparatus for generating ultraviolet laser radiation | |
| US6816536B2 (en) | Method and apparatus for in situ protection of sensitive optical materials | |
| JPH11288012A (ja) | 結晶保持装置 | |
| US20070297466A1 (en) | Vacuum cell for optical components | |
| JP2009009075A (ja) | 光学部品の接着方法および素子製作装置 | |
| JP2001051311A (ja) | 結晶保持装置 | |
| US12012649B2 (en) | Erbium-doped bismuth oxide film | |
| JP2008251913A (ja) | 耐紫外線材料、ならびにこれを用いたシール部材、緩衝部材、遮光部材、光源装置、及び処理装置 | |
| US4018490A (en) | Gas discharge display panel fabrication | |
| JP2020514793A (ja) | 高温光学分子汚染防止ゲッターシステム | |
| JP3636200B2 (ja) | 波長変換方法、波長変換装置、およびレーザ加工機 | |
| EP1048974A1 (en) | Crystal holding device | |
| US20050218811A1 (en) | Gas discharge lamp with high-energy vacuum ultraviolet emission | |
| KR20000061560A (ko) | 결정유지장치 | |
| GB2424755A (en) | A low-pressure discharge lamp for a photoionisation detector | |
| US20080291528A1 (en) | Wavelength converter system, crystal storage apparatus, and crystal replacement method of wavelength converter | |
| Ranieri et al. | Crystal growth of Ce: LiLuF4 for optical applications | |
| JP2003295241A (ja) | レーザ装置用保持箱及びレーザシステム | |
| GB1602908A (en) | Metal vapour laser discharge tube | |
| WO2002048786A1 (fr) | Procede de conversion de longueur d'onde, dispositif de conversion de longueur d'onde et machine a faisceau laser | |
| Kozeki et al. | Observation of new excitation channel of cerium ion through highly vacuum ultraviolet transparent LiCAF host crystal |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Effective date: 20040416 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Effective date: 20040531 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040630 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040723 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040810 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040818 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |