JPH0391979A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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- JPH0391979A JPH0391979A JP22854489A JP22854489A JPH0391979A JP H0391979 A JPH0391979 A JP H0391979A JP 22854489 A JP22854489 A JP 22854489A JP 22854489 A JP22854489 A JP 22854489A JP H0391979 A JPH0391979 A JP H0391979A
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract description 7
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光ディスクの記録再生やレーザ応用計測等に用
いられる超小型の半導体レーザ励起固体レーザ装置に関
するものである。
いられる超小型の半導体レーザ励起固体レーザ装置に関
するものである。
従来の技術
固体レーザ装置の励起には、従来、アークランプやフラ
ッシュランプ等が用いられてきたが、励起効率が良くな
いためにレーザ全体の効率は悪く、ランプやレーザ媒質
の放熱の点から、装置は大型とならざるを得なかった。
ッシュランプ等が用いられてきたが、励起効率が良くな
いためにレーザ全体の効率は悪く、ランプやレーザ媒質
の放熱の点から、装置は大型とならざるを得なかった。
ところが近年、半導体レーザの高出力化に伴い、これを
固体レーザの励起源として用いる試みがなされるように
なってきた。半導体レーザを用いると、固体レーザの吸
収帯に波長を合わせることができ、励起効率は非常に良
くなる。しかも余分なスペクトルの吸収による発熱がな
いために放熱も楽になり、小型で高効率の固体レーザが
実現できる。
固体レーザの励起源として用いる試みがなされるように
なってきた。半導体レーザを用いると、固体レーザの吸
収帯に波長を合わせることができ、励起効率は非常に良
くなる。しかも余分なスペクトルの吸収による発熱がな
いために放熱も楽になり、小型で高効率の固体レーザが
実現できる。
一方、ＫＴ ｉ ＯＰＯ４ （ＫＴ Ｐ ）結晶などの
非線形光学結晶を用いて固体レーザ光を高調波に変換し
て、緑色や青色の可視光を得る方法も従来から知られて
おり、先述の半導体レーザ励起による固体レーザ光の高
調波を利用する試みもなされるようになってきた。
非線形光学結晶を用いて固体レーザ光を高調波に変換し
て、緑色や青色の可視光を得る方法も従来から知られて
おり、先述の半導体レーザ励起による固体レーザ光の高
調波を利用する試みもなされるようになってきた。
発明が解決しようとする課題
第３図に従来の半導体レーザ励起固体レーザの構造図を
示す。同一パッケージ内に励起用半導体レーザチップと
、その励起光を集光するためのレンズと、固体レーザ媒
質であるＮｄ ： ＹＡＧロッドと、Ｎｄ ： ＹＡＧ
レーザ光（波長１．０６μｍ）を第２高調波（波長０．
５３μｍ）に変換するためのＫＴｉＯＰ○４（ＫＴＰ）
結晶が収められている。ＹＡＧレーザの共振器はＮｄ
： ＹＡＧロツドの出射側端面１−ＢとＫ Ｔ Ｐ ｉ
；！ｉ晶の励起側端面２−Ａとで形成されており、この
共振器内にＫＴＰ結晶が挿入されたかたちになっている
。効率よくＮｄ ： ＹＡＧレーザを発振させ第２高調
波を得るためには、この共振器を構成するＮｄ：ＹＡＧ
ロツド及びＫ Ｔ Ｐ結晶の位置決めや、半導体レーザ
光とＹＡＧレーザ光との光軸を正確に一致させることが
不可欠であるが、小型の同一パッケージ内で位置を正し
く調整するのは困難である。
示す。同一パッケージ内に励起用半導体レーザチップと
、その励起光を集光するためのレンズと、固体レーザ媒
質であるＮｄ ： ＹＡＧロッドと、Ｎｄ ： ＹＡＧ
レーザ光（波長１．０６μｍ）を第２高調波（波長０．
５３μｍ）に変換するためのＫＴｉＯＰ○４（ＫＴＰ）
結晶が収められている。ＹＡＧレーザの共振器はＮｄ
： ＹＡＧロツドの出射側端面１−ＢとＫ Ｔ Ｐ ｉ
；！ｉ晶の励起側端面２−Ａとで形成されており、この
共振器内にＫＴＰ結晶が挿入されたかたちになっている
。効率よくＮｄ ： ＹＡＧレーザを発振させ第２高調
波を得るためには、この共振器を構成するＮｄ：ＹＡＧ
ロツド及びＫ Ｔ Ｐ結晶の位置決めや、半導体レーザ
光とＹＡＧレーザ光との光軸を正確に一致させることが
不可欠であるが、小型の同一パッケージ内で位置を正し
く調整するのは困難である。
課題を解決するための手段
固体レーザの共振器を構成するミラーの位置あわせや半
導体レーザ光との光軸あわせの調整を容易にするために
は、自己高調波機能を有する固体レーザ媒質の両端面を
共振器を形成するように加工し、この固体レーザ媒質を
半導体レーザ光で軸方向から端面励起する構造にすれば
よい。この白己高調波機能を有する固体レーザ媒質とは
、通常のＮｄ ： ＹＡＧ等の固体レーザとしての機能
とＫＴＰのようにそのレーザ光を高調波に変換する機能
を兼備えた材料でありＮｄＹＡ（！３（Ｂ○３）４（Ｎ
ＹＡＢ）等が考えられる。
導体レーザ光との光軸あわせの調整を容易にするために
は、自己高調波機能を有する固体レーザ媒質の両端面を
共振器を形成するように加工し、この固体レーザ媒質を
半導体レーザ光で軸方向から端面励起する構造にすれば
よい。この白己高調波機能を有する固体レーザ媒質とは
、通常のＮｄ ： ＹＡＧ等の固体レーザとしての機能
とＫＴＰのようにそのレーザ光を高調波に変換する機能
を兼備えた材料でありＮｄＹＡ（！３（Ｂ○３）４（Ｎ
ＹＡＢ）等が考えられる。
作用
以上のような構成により、一体化された超小型で安定な
固体レーザが可能となる。また、自己高調波機能を有す
る固体レーザ媒質を用いることにより、部分点数も減ら
すことができるので組立も容易になる。
固体レーザが可能となる。また、自己高調波機能を有す
る固体レーザ媒質を用いることにより、部分点数も減ら
すことができるので組立も容易になる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を引用しながら
説明する。第１図に本発明の半導体レーザ励起固体レー
ザ装置の構造図を示す。同一パッケージ内にＮＹＡＢロ
ッド１、非球面レンズ２、半導体レーザチップ３の順に
収められている。ＮＹＡＢロッド１は長さ５ ｍｍ ，
直径３ｒｌｎである。共振器を形戒するようにＮＹＡＢ
ロッド１の励起側端面１−Ａは曲率半径５０ｍｍの凸面
ミラーに、出射側端面１−Ｂは平面ミラーに加工してあ
る。また効率よく励起し高調波に変換するために励起側
端面１−Ａは波長０．．８１μｍに対してＡＲコーティ
ング、波長１．０６μｍに対してＨＲコーティング、波
長０．５３μｍに対してＨＲコーティングを、また、出
射ｇｌ１端面１−Ｂは波長０．８１μｍに対してＨＲコ
ーティング、波長１，０６μｍに対してＨＲコーティン
グ、波長０．５３μｍに対してＡＲコーティングがそれ
ぞれ施されている。
説明する。第１図に本発明の半導体レーザ励起固体レー
ザ装置の構造図を示す。同一パッケージ内にＮＹＡＢロ
ッド１、非球面レンズ２、半導体レーザチップ３の順に
収められている。ＮＹＡＢロッド１は長さ５ ｍｍ ，
直径３ｒｌｎである。共振器を形戒するようにＮＹＡＢ
ロッド１の励起側端面１−Ａは曲率半径５０ｍｍの凸面
ミラーに、出射側端面１−Ｂは平面ミラーに加工してあ
る。また効率よく励起し高調波に変換するために励起側
端面１−Ａは波長０．．８１μｍに対してＡＲコーティ
ング、波長１．０６μｍに対してＨＲコーティング、波
長０．５３μｍに対してＨＲコーティングを、また、出
射ｇｌ１端面１−Ｂは波長０．８１μｍに対してＨＲコ
ーティング、波長１，０６μｍに対してＨＲコーティン
グ、波長０．５３μｍに対してＡＲコーティングがそれ
ぞれ施されている。
半導体レーザ光の波長は、ＮＹＡＢの吸収帯にあわせて
０．８０９μｍにあわせてある。この半導体レーザ光を
開口数０．６の非球面レンズ２で集光し、ＮＹＡＢロッ
ド１を軸方向から端面励起している。
０．８０９μｍにあわせてある。この半導体レーザ光を
開口数０．６の非球面レンズ２で集光し、ＮＹＡＢロッ
ド１を軸方向から端面励起している。
第２図に半導体レーザ駆動電流に対するＮＹＡＢレーザ
高調波出力の関係を示す。駆動電流３５０ｍＡで４．５
ｍＷの光出力を得た。
高調波出力の関係を示す。駆動電流３５０ｍＡで４．５
ｍＷの光出力を得た。
発明の効果
本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置は、固体レー
ザ媒質に自己高調波変換機能を有するものを用いること
により構造を簡素化し、部品点数を削減した超小型の高
調波変換装置であり、光ディスクの記録再生やレーザ応
用計測等に大きな効果を有する。
ザ媒質に自己高調波変換機能を有するものを用いること
により構造を簡素化し、部品点数を削減した超小型の高
調波変換装置であり、光ディスクの記録再生やレーザ応
用計測等に大きな効果を有する。
第１図は本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構
造図、第２図は駆動電流に対するＮ￥ＡＢレーザ高調波
出力を示す図、第３図は従来の半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置の構造図である。 １・・・・・・ＮＹＡＢロッド、２・・・・・・非球面
レンズ、３・・・・・・半導体レーザチップ、４・・・
・・・ＰＩＮフォトダイオード、５・・・・・・ベース
、６・・・・・・Ｎｄ ： ＹＡＧロツド、７・・・・
・・ＫＴＰ結晶、８・・・・・・セルフオック・レンズ
。
造図、第２図は駆動電流に対するＮ￥ＡＢレーザ高調波
出力を示す図、第３図は従来の半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置の構造図である。 １・・・・・・ＮＹＡＢロッド、２・・・・・・非球面
レンズ、３・・・・・・半導体レーザチップ、４・・・
・・・ＰＩＮフォトダイオード、５・・・・・・ベース
、６・・・・・・Ｎｄ ： ＹＡＧロツド、７・・・・
・・ＫＴＰ結晶、８・・・・・・セルフオック・レンズ
。
Claims (1)
- 同一パッケージ内に自己高調波変換機能を有する固体レ
ーザ媒質、レンズ、半導体レーザチップが収められてお
り、前記固体レーザ媒質の両端面で光共振器を形成して
おり、前記レンズで前記半導体レーザから出射するレー
ザ光を集光して、前記固体レーザ媒質を軸方向に端面励
起することを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22854489A JPH0391979A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22854489A JPH0391979A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0391979A true JPH0391979A (ja) | 1991-04-17 |
Family
ID=16878052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22854489A Pending JPH0391979A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0391979A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5580383A (en) * | 1978-12-13 | 1980-06-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solid laser device |
| JPS6327080A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-02-04 | アモコ・コ−ポレ−ション | 固体レ−ザならびに同レ−ザを製作するための方法 |
-
1989
- 1989-09-04 JP JP22854489A patent/JPH0391979A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5580383A (en) * | 1978-12-13 | 1980-06-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solid laser device |
| JPS6327080A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-02-04 | アモコ・コ−ポレ−ション | 固体レ−ザならびに同レ−ザを製作するための方法 |
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