JPS63262461A - スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツトInfo
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- JPS63262461A JPS63262461A JP9769087A JP9769087A JPS63262461A JP S63262461 A JPS63262461 A JP S63262461A JP 9769087 A JP9769087 A JP 9769087A JP 9769087 A JP9769087 A JP 9769087A JP S63262461 A JPS63262461 A JP S63262461A
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- target
- sputtering
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- crystals
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- Pending
Links
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 25
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパッタリングターゲットに関するものである
。詳しくは、光磁気ディスク製造等に好適な均一な膜厚
のスパッタリング面を形成させるための希土類金属から
なるターゲットに関するものである。
。詳しくは、光磁気ディスク製造等に好適な均一な膜厚
のスパッタリング面を形成させるための希土類金属から
なるターゲットに関するものである。
光磁気ディスク製造等に用いられるスパッタリングター
ゲット（以下単にターゲットと略称する）として希土類
金属の平板が用いられているが、均一な膜厚のスパッタ
リング面を得るこ −とは容易ではなく、また、異常放
電の発生等のトラブルも発生しやすく、長期間の安定し
た運転は困難であった。
ゲット（以下単にターゲットと略称する）として希土類
金属の平板が用いられているが、均一な膜厚のスパッタ
リング面を得るこ −とは容易ではなく、また、異常放
電の発生等のトラブルも発生しやすく、長期間の安定し
た運転は困難であった。
本発明者らは、上記欠点を解決すべく鋭意研究を重ねた
結果、特定の結晶配列を有する希土類金属からなるター
ゲットを用いることによシ、すぐれた効果が荀られるこ
とを知得し本発明を完成した。
結果、特定の結晶配列を有する希土類金属からなるター
ゲットを用いることによシ、すぐれた効果が荀られるこ
とを知得し本発明を完成した。
すなわち本発明は、長期間安定してスパッタリングをし
得るターゲットｆ、提供することを目的とするものであ
シ、その要旨とするところは、柱状晶の長さ方向がスパ
ッタリング面に対して垂直方向となるように配列した柱
状晶希土類金属からなるターゲットに存する。
得るターゲットｆ、提供することを目的とするものであ
シ、その要旨とするところは、柱状晶の長さ方向がスパ
ッタリング面に対して垂直方向となるように配列した柱
状晶希土類金属からなるターゲットに存する。
本発明でいう希土類金属とは、原子番号ｊ７〜２／のラ
ンタノイドと、イツトリウムおよびスカンジウムを包含
するものである。これらはそれぞれの金属単独であって
も、またこれらの金属相互の合金であってもよい。また
、本発明の希土類金属は少量の希土類金属以外の金属、
例えば遷移金属を、ｌＱｉ！ ｊＩＩ ｑ６以下含有し
ていてもよい。
ンタノイドと、イツトリウムおよびスカンジウムを包含
するものである。これらはそれぞれの金属単独であって
も、またこれらの金属相互の合金であってもよい。また
、本発明の希土類金属は少量の希土類金属以外の金属、
例えば遷移金属を、ｌＱｉ！ ｊＩＩ ｑ６以下含有し
ていてもよい。
柱状晶の直径は４ｔ００μ以下、好ましくは／！Ｑμ以
下である。
下である。
直径があｔシ大きいとスパッタリングの際結晶の方向依
存性を生ずるようにな〕、同一のスパッタリング条件で
スパッタリングを行なっても膜厚が変化し、均一な製品
が得られなくなる。
存性を生ずるようにな〕、同一のスパッタリング条件で
スパッタリングを行なっても膜厚が変化し、均一な製品
が得られなくなる。
逆に直径が小さいことは、スパッタリングの上からは不
都合はないが、あまりに小さい直径の柱状晶ｔ−製造す
ることは容易ではないので、工業的には１０μ程度に止
めるのがよい。
都合はないが、あまりに小さい直径の柱状晶ｔ−製造す
ることは容易ではないので、工業的には１０μ程度に止
めるのがよい。
柱状晶の長さは特に制限はなく、通常直径の２倍以上、
好ましくは１倍以上であるのがよい。
好ましくは１倍以上であるのがよい。
柱状晶は同一方向に配列していることが望ましく、柱状
晶の長さ方向がスパッタリング面に対し垂直方向である
ことが必要である。
晶の長さ方向がスパッタリング面に対し垂直方向である
ことが必要である。
ここでいう垂直方向とは、配列している各柱状晶の長さ
方向の軸が、それぞれスパッタリング面に対して正しく
垂直であることが好ましいが、配列している柱状晶がブ
ロックとして、あるいは含まれている柱状晶の幾つかが
、垂直軸に対して若干傾いていても許容することができ
る。この傾斜角は垂直軸に対して士Ｊ Ｏ”以内、よシ
望ましくは±２００以内である。
方向の軸が、それぞれスパッタリング面に対して正しく
垂直であることが好ましいが、配列している柱状晶がブ
ロックとして、あるいは含まれている柱状晶の幾つかが
、垂直軸に対して若干傾いていても許容することができ
る。この傾斜角は垂直軸に対して士Ｊ Ｏ”以内、よシ
望ましくは±２００以内である。
また、本発明のターゲットは引は巣を含まないことが望
ましい、特に径が１００μ以上の引は巣の存在は不都合
である。
ましい、特に径が１００μ以上の引は巣の存在は不都合
である。
引は巣が存在すると、スパッタリング中に異常放電を発
生するようＫなシ、製品の均一性を損なうことはもとよ
シ、スパッタリングの続行が不可能となる。
生するようＫなシ、製品の均一性を損なうことはもとよ
シ、スパッタリングの続行が不可能となる。
本発明のターゲラ）ｔ−装造するＫは、空冷できる縦型
の鋳型で鋳造を行ない、鋳型の壁面から中心に向って柱
状晶を生成させてもよく、まえ、アーク溶解法によって
柱状晶を生成させてもよい、但し、前者の場合側は巣の
存在に注意する必要がある。
の鋳型で鋳造を行ない、鋳型の壁面から中心に向って柱
状晶を生成させてもよく、まえ、アーク溶解法によって
柱状晶を生成させてもよい、但し、前者の場合側は巣の
存在に注意する必要がある。
底面を強制冷却できる平型の鋳型を用いて鋳造を行なう
ときは、底面から上方に向りて容品に柱状晶を生成させ
ることができる。この場合柱状晶の先端部は等軸結晶に
近くなることがあるので、必要に応じて先端部を切シ瑠
ればよい。
ときは、底面から上方に向りて容品に柱状晶を生成させ
ることができる。この場合柱状晶の先端部は等軸結晶に
近くなることがあるので、必要に応じて先端部を切シ瑠
ればよい。
底面を強制冷却できる平型め鋳型を用いる場合には、引
は巣の生成は見られないので、本発明のターゲットとし
て好適である。
は巣の生成は見られないので、本発明のターゲットとし
て好適である。
ターゲットの形状はスパッタリング装置によって異なる
が通常のマグネトロン型スパッタリング装置であると、
厚さ３〜７０ｍ、直径り！〜２１０■の円板状又は厚さ
３〜１０■、−辺が！０−４１ｊＯ■の正方形又は長方
形のターゲットが好ましい。
が通常のマグネトロン型スパッタリング装置であると、
厚さ３〜７０ｍ、直径り！〜２１０■の円板状又は厚さ
３〜１０■、−辺が！０−４１ｊＯ■の正方形又は長方
形のターゲットが好ましい。
以下、本発明を実施例によシ説明する。
実施例／
金属ガドリニウムをアークメルターで下記の条件で溶解
し表面を切削して直径１００■、厚さ！濶の円板を得た
。
し表面を切削して直径１００■、厚さ！濶の円板を得た
。
アークメルター運転条件
アーク電流 に００五 一本
溶解時間 ７０ム
この条件で７回溶解した後、上下を反転させて再び同一
条件で溶解を行なった。
条件で溶解を行なった。
得られた金属板の組織を調べたところ、結晶粒子の大き
さが直径ｏ、ｏ ｔ −ｏ、ｉ霞、長さ０．ｊ〜／＋ｗ
の柱状晶で垂直軸からの傾きは±１０°以内のものが得
られた。又、内部をＸ＆！透過写真で調べたところ、引
は巣は存在しなかった。
さが直径ｏ、ｏ ｔ −ｏ、ｉ霞、長さ０．ｊ〜／＋ｗ
の柱状晶で垂直軸からの傾きは±１０°以内のものが得
られた。又、内部をＸ＆！透過写真で調べたところ、引
は巣は存在しなかった。
このスパッタリング用ターゲットを使用して、下記の条
件でスパッターを行なった。
件でスパッターを行なった。
結果を第１表に示す。
スパッタリング条件
使用装置 マクネトロン型スパッタ装置電
力 Ｄｏ ごｏｏｖｒスパ
ッタリング時間 ６０秒 ターゲット基盤間距離 ｒＯｍ 使用基盤 ガラス 比較例／ 金属ガドリニウムを厚さｏ３−のタンタルで作られた内
法直径／／ｊｔｘｓ、高さ！Ｏ畷のるつぼに入れ真空誘
導炉内で７３６０℃迄加熱、溶解し、その後７０℃／分
の冷却速度で冷却して凝固させ喪。
力 Ｄｏ ごｏｏｖｒスパ
ッタリング時間 ６０秒 ターゲット基盤間距離 ｒＯｍ 使用基盤 ガラス 比較例／ 金属ガドリニウムを厚さｏ３−のタンタルで作られた内
法直径／／ｊｔｘｓ、高さ！Ｏ畷のるつぼに入れ真空誘
導炉内で７３６０℃迄加熱、溶解し、その後７０℃／分
の冷却速度で冷却して凝固させ喪。
その後、旋盤でタンタルのるつぼを切削して直径１１０
０ｔｒ、厚さ！■のスパッタリング用ターゲットをイ＠
九。
０ｔｒ、厚さ！■のスパッタリング用ターゲットをイ＠
九。
この金ｕ４組織を調べたところ、結晶粒子の大きさが／
〜２■の等軸晶であった。また、ｘ＋ｉ！透過写真で内
部ｔ−調べたところ、引は巣は存在しなかった。
〜２■の等軸晶であった。また、ｘ＋ｉ！透過写真で内
部ｔ−調べたところ、引は巣は存在しなかった。
このスパッタリング用ターゲットを使用してガラス板上
に実施例と同一条件でスパッターを行なった。
に実施例と同一条件でスパッターを行なった。
第１表に示す様に比較例１″ｔ（４Ｊられ九ものは膜厚
の変化が大きくスパッタリング用ターゲットとしては適
していないことが解った。
の変化が大きくスパッタリング用ターゲットとしては適
していないことが解った。
本発明によると、均一な膜厚のスパッタリング面を形成
させることができ、且つ長時間安定してスパッタリング
をすることができる九め工業的に有用である。
させることができ、且つ長時間安定してスパッタリング
をすることができる九め工業的に有用である。
出 願 人 三菱化成工業株式会社
代 理 人 弁理士 長谷用 −
（ほか７名）
Claims (2)
- （１）柱状晶の長さ方向がスパッタリング面に対して垂
直方向となるように配列した柱状晶希土類金属からなる
スパッタリングターゲット。 - （２）柱状晶の直径が４００μ以下である特許請求の範
囲第１項記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9769087A JPS63262461A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | スパツタリングタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9769087A JPS63262461A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | スパツタリングタ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63262461A true JPS63262461A (ja) | 1988-10-28 |
Family
ID=14198949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9769087A Pending JPS63262461A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | スパツタリングタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63262461A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2343684B (en) * | 1998-06-17 | 2003-04-23 | Tanaka Precious Metal Ind | Sputtering target material |
| WO2012108074A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61272371A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-02 | O C C:Kk | スパツタリングタ−ゲツト |
| JPS63161161A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Nippon Mining Co Ltd | Ａｌ−Ｓｉ系合金製タ−ゲツトとその製造方法 |
-
1987
- 1987-04-21 JP JP9769087A patent/JPS63262461A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61272371A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-02 | O C C:Kk | スパツタリングタ−ゲツト |
| JPS63161161A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Nippon Mining Co Ltd | Ａｌ−Ｓｉ系合金製タ−ゲツトとその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2343684B (en) * | 1998-06-17 | 2003-04-23 | Tanaka Precious Metal Ind | Sputtering target material |
| WO2012108074A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
| JP2012162792A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | インジウムターゲット及びその製造方法 |
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