JPS61272371A - スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツトInfo
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- JPS61272371A JPS61272371A JP11433385A JP11433385A JPS61272371A JP S61272371 A JPS61272371 A JP S61272371A JP 11433385 A JP11433385 A JP 11433385A JP 11433385 A JP11433385 A JP 11433385A JP S61272371 A JPS61272371 A JP S61272371A
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- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は均一な金属蒸着被膜作製のためのスパッタリン
グターゲットに関する。
グターゲットに関する。
ＩＣ，ＬＳ１．超ＬＳＩ の如き集積回路の半導体デバ
イスの蒸着（＝よる配線のために、アルミニウムの如き
超高純度金属を鋳造し、更に加工して得たスパッタリン
グターゲットが用いられている。しかしながら高純度金
属のターゲット成形の手段として、金属を溶解し凝固さ
せる方法を用いるときは、ターゲット素材となる鋳塊は
粗大な柱状の多結晶からなるために、このような鋳塊を
そのまま機械加工によって所定の形状に仕上げターゲッ
トとすると、その表面は結晶面の異なる粗大な多結晶体
から構成される。そのような多結晶体ターゲットを用い
ると結晶は結晶面によって蒸発のしやすさが異なるため
に、被膜の蒸着を必要とする基板上に均一な蒸着被膜を
うろことができない。たとえば、粗大な多結晶体からな
る高純度のアルミニウムからなるスパッタリングターゲ
ットを集積回路の半導体デバイスの配線の蒸着（−用い
るときは、配線の厚さが不均一（二なり、回路は場所に
よって電気抵抗を異にすることになる。
イスの蒸着（＝よる配線のために、アルミニウムの如き
超高純度金属を鋳造し、更に加工して得たスパッタリン
グターゲットが用いられている。しかしながら高純度金
属のターゲット成形の手段として、金属を溶解し凝固さ
せる方法を用いるときは、ターゲット素材となる鋳塊は
粗大な柱状の多結晶からなるために、このような鋳塊を
そのまま機械加工によって所定の形状に仕上げターゲッ
トとすると、その表面は結晶面の異なる粗大な多結晶体
から構成される。そのような多結晶体ターゲットを用い
ると結晶は結晶面によって蒸発のしやすさが異なるため
に、被膜の蒸着を必要とする基板上に均一な蒸着被膜を
うろことができない。たとえば、粗大な多結晶体からな
る高純度のアルミニウムからなるスパッタリングターゲ
ットを集積回路の半導体デバイスの配線の蒸着（−用い
るときは、配線の厚さが不均一（二なり、回路は場所に
よって電気抵抗を異にすることになる。
そのために、半導体デバイス配線用のターゲットの製造
のためには、一旦溶解凝固させて得た高純度金属鋳塊に
、さらに鍛造加工を施して、結晶を破砕し細か（する手
段がとられてきた。しかしながら、一旦太き（成長した
柱状の多結晶からなる鋳塊から、均一微細な結晶組織を
鍛造１；よってうることは難しく、鋳造Ｃ二よる均一微
細な結晶からなるターゲツト材をうる鋳造方法の開発が
望まれてきた。しかし、一般（＝金属の純度が高まるに
っれ、凝固時に速やか（＝安定な凝固殻を形成し、結晶
の鋳壁からの遊離が起こらないために高純度の金属から
微細な結晶をうろことは、極めて難しいこととされてき
た。ターゲツト材をうる（＝は鋳造金属から切出して作
る方法の他に金属微粉末を圧縮成形し焼結して作る粉末
冶金法があり、クロームの如き高融点金属のターゲット
の製法として用いられている。しかしながら、粉末焼結
のためには、あらかじめ微細な金属粉を製造しなければ
ならないが、金属の微細な粉末を作ることは極めてコス
トのかかることである。クロームの如き高融点金属以外
のアルミニウム、銅、錫、インジウム、の如き比較的容
易（−溶解のできる金属ｌ：はあまり使用されておらず
、より経済的（＝均一蒸着のできるターゲツト材の製造
法の出現が要望されてきた。
のためには、一旦溶解凝固させて得た高純度金属鋳塊に
、さらに鍛造加工を施して、結晶を破砕し細か（する手
段がとられてきた。しかしながら、一旦太き（成長した
柱状の多結晶からなる鋳塊から、均一微細な結晶組織を
鍛造１；よってうることは難しく、鋳造Ｃ二よる均一微
細な結晶からなるターゲツト材をうる鋳造方法の開発が
望まれてきた。しかし、一般（＝金属の純度が高まるに
っれ、凝固時に速やか（＝安定な凝固殻を形成し、結晶
の鋳壁からの遊離が起こらないために高純度の金属から
微細な結晶をうろことは、極めて難しいこととされてき
た。ターゲツト材をうる（＝は鋳造金属から切出して作
る方法の他に金属微粉末を圧縮成形し焼結して作る粉末
冶金法があり、クロームの如き高融点金属のターゲット
の製法として用いられている。しかしながら、粉末焼結
のためには、あらかじめ微細な金属粉を製造しなければ
ならないが、金属の微細な粉末を作ることは極めてコス
トのかかることである。クロームの如き高融点金属以外
のアルミニウム、銅、錫、インジウム、の如き比較的容
易（−溶解のできる金属ｌ：はあまり使用されておらず
、より経済的（＝均一蒸着のできるターゲツト材の製造
法の出現が要望されてきた。
本発明は、均一な蒸着被膜をうるＣ二極めて有用な金属
ターゲットを提供するものである。金属を微細な多結晶
組織にしてターゲットとして用いる代わり（＝、完全に
均一な組織の単結晶Ｉ：すれば、ターゲット表面を構成
する結晶面は常に同一であるために、ターゲット表面か
らは常Ｃニ一様に、蒸発が起こり均一な厚さの蒸着膜な
うろことができる。
ターゲットを提供するものである。金属を微細な多結晶
組織にしてターゲットとして用いる代わり（＝、完全に
均一な組織の単結晶Ｉ：すれば、ターゲット表面を構成
する結晶面は常に同一であるために、ターゲット表面か
らは常Ｃニ一様に、蒸発が起こり均一な厚さの蒸着膜な
うろことができる。
このような単結晶ターゲットが従来用いられなかった主
な理由は、ターゲットに用いられるような大きな単結晶
を経済的（二うることが不可能であったためと考えられ
る。
な理由は、ターゲットに用いられるような大きな単結晶
を経済的（二うることが不可能であったためと考えられ
る。
本発明者は、さきＣ：鋳塊の加熱鋳型式連続鋳造法（特
許第１０４９１４６号）を発明した。すなわち、従来の
鋳塊の連続鋳造（；おける冷却鋳型にかえて、加熱鋳型
を用い、鋳型内壁面の温度を鋳造すべき金属の凝固温度
以上を二保持し、鋳塊の冷却は鋳型の出口端の外で行う
という方法である。この方法を用いると、結晶は成長中
（二凝固界面において新たな結晶の核生成を完全（二防
止することができるので、単結晶をうるには極めて有用
な方法である。
許第１０４９１４６号）を発明した。すなわち、従来の
鋳塊の連続鋳造（；おける冷却鋳型にかえて、加熱鋳型
を用い、鋳型内壁面の温度を鋳造すべき金属の凝固温度
以上を二保持し、鋳塊の冷却は鋳型の出口端の外で行う
という方法である。この方法を用いると、結晶は成長中
（二凝固界面において新たな結晶の核生成を完全（二防
止することができるので、単結晶をうるには極めて有用
な方法である。
ターゲットＣ；するための金属を溶解し、その金属の融
点以上に加熱保持した加熱鋳型内Ｃ二給湯し、加熱鋳型
の出口端（二設けた、先端が鋳造する金属と同一金属の
単結晶からなる鋳塊ダミーを設け、先端の一部を溶かし
たのち、ダミー鋳塊を冷却しつつ鋳型から引き出すこと
（−よって、板状、または棒状のターゲット素材を容易
にうろことができる。この素材を所要の寸法に切断し、
表面の仕上加工を施すことによって、極めて容易に単結
晶からなるターゲットを製造することができる。
点以上に加熱保持した加熱鋳型内Ｃ二給湯し、加熱鋳型
の出口端（二設けた、先端が鋳造する金属と同一金属の
単結晶からなる鋳塊ダミーを設け、先端の一部を溶かし
たのち、ダミー鋳塊を冷却しつつ鋳型から引き出すこと
（−よって、板状、または棒状のターゲット素材を容易
にうろことができる。この素材を所要の寸法に切断し、
表面の仕上加工を施すことによって、極めて容易に単結
晶からなるターゲットを製造することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、蒸発部が単結晶からなることを特徴とするスパッタ
リングターゲット。 ２、加熱鋳型式連続鋳造法で作ることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11433385A JPS61272371A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | スパツタリングタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11433385A JPS61272371A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | スパツタリングタ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61272371A true JPS61272371A (ja) | 1986-12-02 |
Family
ID=14635175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11433385A Pending JPS61272371A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | スパツタリングタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61272371A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63216966A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
| JPS63262461A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-28 | Mitsubishi Kasei Corp | スパツタリングタ−ゲツト |
| JPH07300667A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Sumitomo Chem Co Ltd | アルミニウム合金単結晶ターゲットおよびその製造方法 |
| JP2005330591A (ja) * | 2005-08-01 | 2005-12-02 | Dowa Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| JP2006028642A (ja) * | 2005-07-22 | 2006-02-02 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体内部配線 |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11433385A patent/JPS61272371A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63216966A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
| JPH0371510B2 (ja) * | 1987-03-06 | 1991-11-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS63262461A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-28 | Mitsubishi Kasei Corp | スパツタリングタ−ゲツト |
| JPH07300667A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Sumitomo Chem Co Ltd | アルミニウム合金単結晶ターゲットおよびその製造方法 |
| JP2006028642A (ja) * | 2005-07-22 | 2006-02-02 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体内部配線 |
| JP2005330591A (ja) * | 2005-08-01 | 2005-12-02 | Dowa Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット |
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