JPS61272371A - スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツトInfo
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- JPS61272371A JPS61272371A JP11433385A JP11433385A JPS61272371A JP S61272371 A JPS61272371 A JP S61272371A JP 11433385 A JP11433385 A JP 11433385A JP 11433385 A JP11433385 A JP 11433385A JP S61272371 A JPS61272371 A JP S61272371A
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- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は均一な金属蒸着被膜作製のためのスパッタリン
グターゲットに関する。
グターゲットに関する。
IC,LS1.超LSI の如き集積回路の半導体デバ
イスの蒸着(=よる配線のために、アルミニウムの如き
超高純度金属を鋳造し、更に加工して得たスパッタリン
グターゲットが用いられている。しかしながら高純度金
属のターゲット成形の手段として、金属を溶解し凝固さ
せる方法を用いるときは、ターゲット素材となる鋳塊は
粗大な柱状の多結晶からなるために、このような鋳塊を
そのまま機械加工によって所定の形状に仕上げターゲッ
トとすると、その表面は結晶面の異なる粗大な多結晶体
から構成される。そのような多結晶体ターゲットを用い
ると結晶は結晶面によって蒸発のしやすさが異なるため
に、被膜の蒸着を必要とする基板上に均一な蒸着被膜を
うろことができない。たとえば、粗大な多結晶体からな
る高純度のアルミニウムからなるスパッタリングターゲ
ットを集積回路の半導体デバイスの配線の蒸着(−用い
るときは、配線の厚さが不均一(二なり、回路は場所に
よって電気抵抗を異にすることになる。
イスの蒸着(=よる配線のために、アルミニウムの如き
超高純度金属を鋳造し、更に加工して得たスパッタリン
グターゲットが用いられている。しかしながら高純度金
属のターゲット成形の手段として、金属を溶解し凝固さ
せる方法を用いるときは、ターゲット素材となる鋳塊は
粗大な柱状の多結晶からなるために、このような鋳塊を
そのまま機械加工によって所定の形状に仕上げターゲッ
トとすると、その表面は結晶面の異なる粗大な多結晶体
から構成される。そのような多結晶体ターゲットを用い
ると結晶は結晶面によって蒸発のしやすさが異なるため
に、被膜の蒸着を必要とする基板上に均一な蒸着被膜を
うろことができない。たとえば、粗大な多結晶体からな
る高純度のアルミニウムからなるスパッタリングターゲ
ットを集積回路の半導体デバイスの配線の蒸着(−用い
るときは、配線の厚さが不均一(二なり、回路は場所に
よって電気抵抗を異にすることになる。
そのために、半導体デバイス配線用のターゲットの製造
のためには、一旦溶解凝固させて得た高純度金属鋳塊に
、さらに鍛造加工を施して、結晶を破砕し細か(する手
段がとられてきた。しかしながら、一旦太き(成長した
柱状の多結晶からなる鋳塊から、均一微細な結晶組織を
鍛造1;よってうることは難しく、鋳造C二よる均一微
細な結晶からなるターゲツト材をうる鋳造方法の開発が
望まれてきた。しかし、一般(=金属の純度が高まるに
っれ、凝固時に速やか(=安定な凝固殻を形成し、結晶
の鋳壁からの遊離が起こらないために高純度の金属から
微細な結晶をうろことは、極めて難しいこととされてき
た。ターゲツト材をうる(=は鋳造金属から切出して作
る方法の他に金属微粉末を圧縮成形し焼結して作る粉末
冶金法があり、クロームの如き高融点金属のターゲット
の製法として用いられている。しかしながら、粉末焼結
のためには、あらかじめ微細な金属粉を製造しなければ
ならないが、金属の微細な粉末を作ることは極めてコス
トのかかることである。クロームの如き高融点金属以外
のアルミニウム、銅、錫、インジウム、の如き比較的容
易(−溶解のできる金属l:はあまり使用されておらず
、より経済的(=均一蒸着のできるターゲツト材の製造
法の出現が要望されてきた。
のためには、一旦溶解凝固させて得た高純度金属鋳塊に
、さらに鍛造加工を施して、結晶を破砕し細か(する手
段がとられてきた。しかしながら、一旦太き(成長した
柱状の多結晶からなる鋳塊から、均一微細な結晶組織を
鍛造1;よってうることは難しく、鋳造C二よる均一微
細な結晶からなるターゲツト材をうる鋳造方法の開発が
望まれてきた。しかし、一般(=金属の純度が高まるに
っれ、凝固時に速やか(=安定な凝固殻を形成し、結晶
の鋳壁からの遊離が起こらないために高純度の金属から
微細な結晶をうろことは、極めて難しいこととされてき
た。ターゲツト材をうる(=は鋳造金属から切出して作
る方法の他に金属微粉末を圧縮成形し焼結して作る粉末
冶金法があり、クロームの如き高融点金属のターゲット
の製法として用いられている。しかしながら、粉末焼結
のためには、あらかじめ微細な金属粉を製造しなければ
ならないが、金属の微細な粉末を作ることは極めてコス
トのかかることである。クロームの如き高融点金属以外
のアルミニウム、銅、錫、インジウム、の如き比較的容
易(−溶解のできる金属l:はあまり使用されておらず
、より経済的(=均一蒸着のできるターゲツト材の製造
法の出現が要望されてきた。
本発明は、均一な蒸着被膜をうるC二極めて有用な金属
ターゲットを提供するものである。金属を微細な多結晶
組織にしてターゲットとして用いる代わり(=、完全に
均一な組織の単結晶I:すれば、ターゲット表面を構成
する結晶面は常に同一であるために、ターゲット表面か
らは常Cニ一様に、蒸発が起こり均一な厚さの蒸着膜な
うろことができる。
ターゲットを提供するものである。金属を微細な多結晶
組織にしてターゲットとして用いる代わり(=、完全に
均一な組織の単結晶I:すれば、ターゲット表面を構成
する結晶面は常に同一であるために、ターゲット表面か
らは常Cニ一様に、蒸発が起こり均一な厚さの蒸着膜な
うろことができる。
このような単結晶ターゲットが従来用いられなかった主
な理由は、ターゲットに用いられるような大きな単結晶
を経済的(二うることが不可能であったためと考えられ
る。
な理由は、ターゲットに用いられるような大きな単結晶
を経済的(二うることが不可能であったためと考えられ
る。
本発明者は、さきC:鋳塊の加熱鋳型式連続鋳造法(特
許第1049146号)を発明した。すなわち、従来の
鋳塊の連続鋳造(;おける冷却鋳型にかえて、加熱鋳型
を用い、鋳型内壁面の温度を鋳造すべき金属の凝固温度
以上を二保持し、鋳塊の冷却は鋳型の出口端の外で行う
という方法である。この方法を用いると、結晶は成長中
(二凝固界面において新たな結晶の核生成を完全(二防
止することができるので、単結晶をうるには極めて有用
な方法である。
許第1049146号)を発明した。すなわち、従来の
鋳塊の連続鋳造(;おける冷却鋳型にかえて、加熱鋳型
を用い、鋳型内壁面の温度を鋳造すべき金属の凝固温度
以上を二保持し、鋳塊の冷却は鋳型の出口端の外で行う
という方法である。この方法を用いると、結晶は成長中
(二凝固界面において新たな結晶の核生成を完全(二防
止することができるので、単結晶をうるには極めて有用
な方法である。
ターゲットC;するための金属を溶解し、その金属の融
点以上に加熱保持した加熱鋳型内C二給湯し、加熱鋳型
の出口端(二設けた、先端が鋳造する金属と同一金属の
単結晶からなる鋳塊ダミーを設け、先端の一部を溶かし
たのち、ダミー鋳塊を冷却しつつ鋳型から引き出すこと
(−よって、板状、または棒状のターゲット素材を容易
にうろことができる。この素材を所要の寸法に切断し、
表面の仕上加工を施すことによって、極めて容易に単結
晶からなるターゲットを製造することができる。
点以上に加熱保持した加熱鋳型内C二給湯し、加熱鋳型
の出口端(二設けた、先端が鋳造する金属と同一金属の
単結晶からなる鋳塊ダミーを設け、先端の一部を溶かし
たのち、ダミー鋳塊を冷却しつつ鋳型から引き出すこと
(−よって、板状、または棒状のターゲット素材を容易
にうろことができる。この素材を所要の寸法に切断し、
表面の仕上加工を施すことによって、極めて容易に単結
晶からなるターゲットを製造することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、蒸発部が単結晶からなることを特徴とするスパッタ
リングターゲット。 2、加熱鋳型式連続鋳造法で作ることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11433385A JPS61272371A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | スパツタリングタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11433385A JPS61272371A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | スパツタリングタ−ゲツト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61272371A true JPS61272371A (ja) | 1986-12-02 |
Family
ID=14635175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11433385A Pending JPS61272371A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | スパツタリングタ−ゲツト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61272371A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63216966A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
JPS63262461A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-28 | Mitsubishi Kasei Corp | スパツタリングタ−ゲツト |
JPH07300667A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Sumitomo Chem Co Ltd | アルミニウム合金単結晶ターゲットおよびその製造方法 |
JP2005330591A (ja) * | 2005-08-01 | 2005-12-02 | Dowa Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JP2006028642A (ja) * | 2005-07-22 | 2006-02-02 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体内部配線 |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11433385A patent/JPS61272371A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63216966A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
JPH0371510B2 (ja) * | 1987-03-06 | 1991-11-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
JPS63262461A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-28 | Mitsubishi Kasei Corp | スパツタリングタ−ゲツト |
JPH07300667A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Sumitomo Chem Co Ltd | アルミニウム合金単結晶ターゲットおよびその製造方法 |
JP2006028642A (ja) * | 2005-07-22 | 2006-02-02 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体内部配線 |
JP2005330591A (ja) * | 2005-08-01 | 2005-12-02 | Dowa Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット |
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