JPS5850172A - 鋼合金の溶解鋳造方法 - Google Patents
鋼合金の溶解鋳造方法Info
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- JPS5850172A JPS5850172A JP14897581A JP14897581A JPS5850172A JP S5850172 A JPS5850172 A JP S5850172A JP 14897581 A JP14897581 A JP 14897581A JP 14897581 A JP14897581 A JP 14897581A JP S5850172 A JPS5850172 A JP S5850172A
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- copper
- vacuum
- metals
- molten metal
- melted
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
- B22D27/04—Influencing the temperature of the metal, e.g. by heating or cooling the mould
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は例えば真空し中断器の接点材料等、として用い
られる低融点金属を含む銅合金の溶解鋳造方法に関する
。
られる低融点金属を含む銅合金の溶解鋳造方法に関する
。
例えば真空し中断器の接点材料社、銅に対して液体では
5重量%以上溶解するが常温の固体では溶解度がα01
重量−以下でほとんdl輸ず、オ九金属間化合物を作ら
ない低融点金属、例えばe スw ス(li )、鉛(
pb )等をQ、 5重量−以下含む鋼合金が使用され
てbる。とのような銅合金の溶解鋳造は従来真空溶解炉
において真空中で銅を加S溶解して液体にした後アルf
ンIス等の不活性ガスを炉内に導入して不活性ガス雰囲
気中で液体の銅に低融点金属を添加し混合させ喪後に不
活tfス宴囲気中で鋳造してい友。
5重量%以上溶解するが常温の固体では溶解度がα01
重量−以下でほとんdl輸ず、オ九金属間化合物を作ら
ない低融点金属、例えばe スw ス(li )、鉛(
pb )等をQ、 5重量−以下含む鋼合金が使用され
てbる。とのような銅合金の溶解鋳造は従来真空溶解炉
において真空中で銅を加S溶解して液体にした後アルf
ンIス等の不活性ガスを炉内に導入して不活性ガス雰囲
気中で液体の銅に低融点金属を添加し混合させ喪後に不
活tfス宴囲気中で鋳造してい友。
しかしながら、このような従来0@解鋳造方法によって
得られた低融点金属を含む銅合金鋳造#杜、凝−の際に
銅とこれらの低融点金属との融点の差が大きく互いの凝
固間隔が大きい九めに、低融点金属が銅から純物質とし
て分離し析出する。そして主に粒界に集中して析出し、
しかも析出物が均一に分散せず偏析をおこしやすい欠点
があった。かかる鋳造材を切断あるい紘機械加工すると
、析出し九低融点金属の粒子と嚢鳳材である銅とO接着
が弱いために析出粒子が命組材よう剥離し、加工稜の表
面には析出粒子O離脱によシ生じた跡が(ばみとして残
されゐ。従って表面の平担度が損なわれて表面の平坦度
の完全性を要求される真空し中断器の接点材料として用
い九場合には、このままでは使用できない欠点が・あり
九。
得られた低融点金属を含む銅合金鋳造#杜、凝−の際に
銅とこれらの低融点金属との融点の差が大きく互いの凝
固間隔が大きい九めに、低融点金属が銅から純物質とし
て分離し析出する。そして主に粒界に集中して析出し、
しかも析出物が均一に分散せず偏析をおこしやすい欠点
があった。かかる鋳造材を切断あるい紘機械加工すると
、析出し九低融点金属の粒子と嚢鳳材である銅とO接着
が弱いために析出粒子が命組材よう剥離し、加工稜の表
面には析出粒子O離脱によシ生じた跡が(ばみとして残
されゐ。従って表面の平担度が損なわれて表面の平坦度
の完全性を要求される真空し中断器の接点材料として用
い九場合には、このままでは使用できない欠点が・あり
九。
一方、このような欠点を改良するために、上述した方法
で鋳造した溶解材を再度溶解鋳造することによ)、析出
粒子を細かく分散させて上記欠点を減少させる溶解鋳造
方法も考えられている。しかしこの場合は、鋳造時に形
成される柱状晶の結晶粒が外周部から中央部へりすく伸
びるため、晴械加工時にこれら柱状晶の結晶粒がはがさ
れ、加工後の表面が薄片状の突起物で荒れ良状態になる
という欠点があった。
で鋳造した溶解材を再度溶解鋳造することによ)、析出
粒子を細かく分散させて上記欠点を減少させる溶解鋳造
方法も考えられている。しかしこの場合は、鋳造時に形
成される柱状晶の結晶粒が外周部から中央部へりすく伸
びるため、晴械加工時にこれら柱状晶の結晶粒がはがさ
れ、加工後の表面が薄片状の突起物で荒れ良状態になる
という欠点があった。
不Ji&明はこのような従来の欠点を除去し、できるだ
け低融点金属の析出を均一に分散させて、偏析を少すく
シて、機械加工時の析出粒子の離脱によ為加工表面の損
傷を減少させ、さらに柱状晶の結晶粒による薄刃状突起
物による荒れを減少させるようにし九銅合金の溶解鋳造
方法を提供する仁とを自重とする。
け低融点金属の析出を均一に分散させて、偏析を少すく
シて、機械加工時の析出粒子の離脱によ為加工表面の損
傷を減少させ、さらに柱状晶の結晶粒による薄刃状突起
物による荒れを減少させるようにし九銅合金の溶解鋳造
方法を提供する仁とを自重とする。
本発明は従来の真空溶解鋳造して得られた鋳造材、すな
わち真空中で銅を溶解した後、不活性ガス雰囲気中で低
融点金属を添加し混合させて鋳込んで得られた鋳造材を
、再び真空中で加熱溶解し、真空中で鋳込まずに下方か
ら上方へ方向性冷却固化させるようにしたことを特徴と
する%Oである。以下本発明の一実施例について1面を
参照して説明する。フローチキートで示すように先ずI
K示すように真空溶解炉の真空槽内を19 Torr
以下の真空にし良後、電力を投入して真空槽内に収めら
れ九々ツが中の銅を加熱溶解し、溶湯の脱ガスのためし
ばらく保持する。脱ガス完了後2に示すように不活性ガ
ス例えばアルゴンガスを導入し、約150T・rrの圧
力に達したならはアルf7がスを止め、低融点金属例え
ばビスマス(11)を添加する。Nスマスが溶鋼中に十
分−は込み、溶湯が均一になりたことを確認してから電
力を切り、3に示すようにただちに鋳mに鋳込む。
わち真空中で銅を溶解した後、不活性ガス雰囲気中で低
融点金属を添加し混合させて鋳込んで得られた鋳造材を
、再び真空中で加熱溶解し、真空中で鋳込まずに下方か
ら上方へ方向性冷却固化させるようにしたことを特徴と
する%Oである。以下本発明の一実施例について1面を
参照して説明する。フローチキートで示すように先ずI
K示すように真空溶解炉の真空槽内を19 Torr
以下の真空にし良後、電力を投入して真空槽内に収めら
れ九々ツが中の銅を加熱溶解し、溶湯の脱ガスのためし
ばらく保持する。脱ガス完了後2に示すように不活性ガ
ス例えばアルゴンガスを導入し、約150T・rrの圧
力に達したならはアルf7がスを止め、低融点金属例え
ばビスマス(11)を添加する。Nスマスが溶鋼中に十
分−は込み、溶湯が均一になりたことを確認してから電
力を切り、3に示すようにただちに鋳mに鋳込む。
次に4で示すようにこの銅合金を再び真空槽内Oルッ&
に装入した後、真空槽内を1O−4T@rr以下O真空
にし、電力を投入して真空槽内のルツー中の銅合金を加
熱溶解し溶湯が均一になる壜でしばら7く保持するJそ
の稜6で示すように高周波コイルを上方に動かすか、ま
たはルツlを下方に1s%、九程度の速度で移動させ、
溶湯を下方から上方へ順次冷却固化させる。
に装入した後、真空槽内を1O−4T@rr以下O真空
にし、電力を投入して真空槽内のルツー中の銅合金を加
熱溶解し溶湯が均一になる壜でしばら7く保持するJそ
の稜6で示すように高周波コイルを上方に動かすか、ま
たはルツlを下方に1s%、九程度の速度で移動させ、
溶湯を下方から上方へ順次冷却固化させる。
上記0@解鋳造方法によれば、銅にほとんど固溶せず*
翼間化合物も作らない低融点金属例えばビスマス(”t
)、鉛(Pb ’)等と銅との合金の真空溶解材を、再
度真空中で加熱溶解することによって析出していた低融
点金属が再び溶鋼中に溶けこみ、−回目の溶解時よシも
添加金属が細かくなってよシ均一に分散した溶湯が得ら
れ、低融点金属の偏析を少なくすることができる。
翼間化合物も作らない低融点金属例えばビスマス(”t
)、鉛(Pb ’)等と銅との合金の真空溶解材を、再
度真空中で加熱溶解することによって析出していた低融
点金属が再び溶鋼中に溶けこみ、−回目の溶解時よシも
添加金属が細かくなってよシ均一に分散した溶湯が得ら
れ、低融点金属の偏析を少なくすることができる。
さらに下方から上方KIN次冷却固化させるように方向
性冷却固化させることによ)、うす〈中径方向に伸びた
柱状晶がな(な夛、大きく成長した結晶粒が形成されゐ
。このよう1kIII!解鋳造材は、機械加工時の析出
粒子の離脱による加工表面の損傷を減少させ、さらに柱
状晶の結晶粒による薄片状突起物による荒れを減少させ
ることができる。再溶解材は真空中で方向性冷却固化さ
せる丸め低融点添加金属の蒸発があるが、イン!、トの
縦方向の長さをイン!、ト径の2倍以上にし゛で、ルツ
ー中で冷却同化を行なえば、低融点金属の蒸発社インf
、)0ごく上層部を−いて防ぐことができる。次表は一
闘*鱗材と再*鱗材との分析結果および導電率硬度の測
定結果を示す。
性冷却固化させることによ)、うす〈中径方向に伸びた
柱状晶がな(な夛、大きく成長した結晶粒が形成されゐ
。このよう1kIII!解鋳造材は、機械加工時の析出
粒子の離脱による加工表面の損傷を減少させ、さらに柱
状晶の結晶粒による薄片状突起物による荒れを減少させ
ることができる。再溶解材は真空中で方向性冷却固化さ
せる丸め低融点添加金属の蒸発があるが、イン!、トの
縦方向の長さをイン!、ト径の2倍以上にし゛で、ルツ
ー中で冷却同化を行なえば、低融点金属の蒸発社インf
、)0ごく上層部を−いて防ぐことができる。次表は一
闘*鱗材と再*鱗材との分析結果および導電率硬度の測
定結果を示す。
すなわち、再溶解材のビスマス(B1)量は一回WI鱗
材よ〉わずかに減少しているのみで、実用上はなんの支
障もない。他方、硬さにおいては、再溶湊材は一回溶解
材よpもビスマス(11)0含有量が減少しているに4
かかわらず、硬度が増加している。これは再溶解材の方
がビスマス(81)が鋼中に均一に分散し1.偏析が少
なくなっているOで析出硬化が増すためである。導電率
はビスミス(B1.)含爽、が減少しているため再溶解
材の方が高いUこれらの特徴は真空し中断器の接点#科
として用い九場合に非常に好ましい性質である。
材よ〉わずかに減少しているのみで、実用上はなんの支
障もない。他方、硬さにおいては、再溶湊材は一回溶解
材よpもビスマス(11)0含有量が減少しているに4
かかわらず、硬度が増加している。これは再溶解材の方
がビスマス(81)が鋼中に均一に分散し1.偏析が少
なくなっているOで析出硬化が増すためである。導電率
はビスミス(B1.)含爽、が減少しているため再溶解
材の方が高いUこれらの特徴は真空し中断器の接点#科
として用い九場合に非常に好ましい性質である。
以上のように本発明によれば、低融点金属を含む銅合金
の溶解鋳造方法において真空濤解炉の真空中で銅を加熱
溶解し、不活性ガスを導入して不活性Iス雰囲気中で低
融点金属を添加し混合して鋳造し九−回溶解材を真空中
で再び加熱溶解し、ルツl中で下方から上方へ方向性冷
却固化させるようにしたので、0.5重量−以下の低融
点金属O偏析が少なく強固な欠陥の少ない材料を得ゐこ
とができ、機械加工もしやすくて表面の平担度がよく、
を九接点材料などの導電材料として使用される場合は導
電率がよくなるなどのすぐれた効果がある。
の溶解鋳造方法において真空濤解炉の真空中で銅を加熱
溶解し、不活性ガスを導入して不活性Iス雰囲気中で低
融点金属を添加し混合して鋳造し九−回溶解材を真空中
で再び加熱溶解し、ルツl中で下方から上方へ方向性冷
却固化させるようにしたので、0.5重量−以下の低融
点金属O偏析が少なく強固な欠陥の少ない材料を得ゐこ
とができ、機械加工もしやすくて表面の平担度がよく、
を九接点材料などの導電材料として使用される場合は導
電率がよくなるなどのすぐれた効果がある。
図は本発明の銅合金06解鋳造方法の一実施質を示すフ
ローチャート図である。
ローチャート図である。
Claims (1)
- 真空中で鋼を加熱溶解する第1工程と、不活性ガス雰囲
気中で加熱溶解された銅に低融点金属を添加し混合して
鋳造する第2工薯と、鋳造され九銅と低融点金属の合金
を真空中で再び加熱溶解する鎮3工程と、加熱溶解され
た合金な方向性冷却固化1せる第4工程とよシ成る銅合
金の一解鋳造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14897581A JPS5850172A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 鋼合金の溶解鋳造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14897581A JPS5850172A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 鋼合金の溶解鋳造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5850172A true JPS5850172A (ja) | 1983-03-24 |
JPS641230B2 JPS641230B2 (ja) | 1989-01-10 |
Family
ID=15464861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14897581A Granted JPS5850172A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 鋼合金の溶解鋳造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5850172A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4723589A (en) * | 1986-05-19 | 1988-02-09 | Westinghouse Electric Corp. | Method for making vacuum interrupter contacts by spray deposition |
WO2000056482A1 (en) * | 1999-03-22 | 2000-09-28 | Asarco Incorporated | Casting of high purity oxygen free copper |
EP1247872A1 (en) * | 2001-03-13 | 2002-10-09 | Solar Applied Material Technology Corp. | Method for producing metal sputtering target |
CN102672421A (zh) * | 2012-01-12 | 2012-09-19 | 河南科技大学 | 一种高压开关Cu-Cr合金触头、触指或触头座类零件的加工方法 |
CN115156487A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-10-11 | 嘉兴微构电子科技有限公司 | 一种均质化铜合金铸锭的制造方法 |
-
1981
- 1981-09-21 JP JP14897581A patent/JPS5850172A/ja active Granted
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4723589A (en) * | 1986-05-19 | 1988-02-09 | Westinghouse Electric Corp. | Method for making vacuum interrupter contacts by spray deposition |
WO2000056482A1 (en) * | 1999-03-22 | 2000-09-28 | Asarco Incorporated | Casting of high purity oxygen free copper |
US6192969B1 (en) * | 1999-03-22 | 2001-02-27 | Asarco Incorporated | Casting of high purity oxygen free copper |
EP1247872A1 (en) * | 2001-03-13 | 2002-10-09 | Solar Applied Material Technology Corp. | Method for producing metal sputtering target |
CN102672421A (zh) * | 2012-01-12 | 2012-09-19 | 河南科技大学 | 一种高压开关Cu-Cr合金触头、触指或触头座类零件的加工方法 |
CN115156487A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-10-11 | 嘉兴微构电子科技有限公司 | 一种均质化铜合金铸锭的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS641230B2 (ja) | 1989-01-10 |
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