JPS6325893A - 電気的にプログラム可能なromにデ−タをプログラムする方法 - Google Patents
電気的にプログラム可能なromにデ−タをプログラムする方法Info
- Publication number
- JPS6325893A JPS6325893A JP62159542A JP15954287A JPS6325893A JP S6325893 A JPS6325893 A JP S6325893A JP 62159542 A JP62159542 A JP 62159542A JP 15954287 A JP15954287 A JP 15954287A JP S6325893 A JPS6325893 A JP S6325893A
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- JP
- Japan
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- data
- integrated circuit
- programming
- electrically programmable
- memory
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 18
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 7
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000008672 reprogramming Effects 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Storage Device Security (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、集積回路の一部を構成する電気的にプログラ
ム可能なROMにデータをプログラムする方法に関する
。
ム可能なROMにデータをプログラムする方法に関する
。
本明細書においては特に、「メモリ付カード(ICカー
ド)」、すなわち電気的にプログラム可能なROMを含
む集積回路を備えるカードへの応用を考えている。
ド)」、すなわち電気的にプログラム可能なROMを含
む集積回路を備えるカードへの応用を考えている。
従来の技術
「電気的にプログラム可能なROMJとは、適当な電気
信号をこのROMを含む集積回路の入力に入力すること
によりデータの記憶が可能なメモリのことである。この
データは、長期間にわたって電力の供給がなくてもこの
メモリ中に記憶されたままになっている。この期間は保
持期間と呼ばれ、数年にわたることがある。
信号をこのROMを含む集積回路の入力に入力すること
によりデータの記憶が可能なメモリのことである。この
データは、長期間にわたって電力の供給がなくてもこの
メモリ中に記憶されたままになっている。この期間は保
持期間と呼ばれ、数年にわたることがある。
メモリ付カードを応用することのできる多くの分野にお
いて、このようなカードを大量に生産する必要がある。
いて、このようなカードを大量に生産する必要がある。
また、各カードは多数のビット、例えば8にビットの容
量を備えていることが好ましい。
量を備えていることが好ましい。
各ビットのプログラムを行うには、あるいはバイトごと
にプログラムする場合には、短いとはいえ無視できない
有限の時間がかかる。
にプログラムする場合には、短いとはいえ無視できない
有限の時間がかかる。
例えば、1バイトのプログラムを行うためにまず考えら
れた方法では、プログラム電圧V1.を50ミリ秒にわ
たって印加することが必要である。このプログラム電圧
印加時間は実際に必要とされる時間よりもはるかに長い
。しかし、この時間は、保持期間が10年になっても大
丈夫なように安全を見込んだ長さである。
れた方法では、プログラム電圧V1.を50ミリ秒にわ
たって印加することが必要である。このプログラム電圧
印加時間は実際に必要とされる時間よりもはるかに長い
。しかし、この時間は、保持期間が10年になっても大
丈夫なように安全を見込んだ長さである。
このプログラム電圧印加時間を短くするために提案され
ているのは、メモリを構成しているトランジスタが十分
な電荷を受は取って保持期間が確実になったことを書込
みの直後に確かめるという方法である。このように確認
を行うことにより、以前のように非常に大きな安全性を
見込んでプログラム電圧を印加する必要はなくなる。確
かに、プログラム操作を2ミリ秒の間行い、その結果を
(数マイクロ秒で)読出し、正しい場合には安全のため
再度プログラムを4ミリ秒にわたって行うということが
可能である。読み出しの確認結果が正しくない場合には
、再び最初からプログラムをやり直す。
ているのは、メモリを構成しているトランジスタが十分
な電荷を受は取って保持期間が確実になったことを書込
みの直後に確かめるという方法である。このように確認
を行うことにより、以前のように非常に大きな安全性を
見込んでプログラム電圧を印加する必要はなくなる。確
かに、プログラム操作を2ミリ秒の間行い、その結果を
(数マイクロ秒で)読出し、正しい場合には安全のため
再度プログラムを4ミリ秒にわたって行うということが
可能である。読み出しの確認結果が正しくない場合には
、再び最初からプログラムをやり直す。
発明が解決しようとする問題点
しかし、何100万枚ものカードにプログラムする必要
がある場合にはこれでもプログラム時間が長すぎる。な
ぜなら、これらカード全部にプログラムを行うカード製
造業者にとっては、この時間はプログラムの記憶操作の
実行を思いとどまらせるぐらいの長さになるからである
。
がある場合にはこれでもプログラム時間が長すぎる。な
ぜなら、これらカード全部にプログラムを行うカード製
造業者にとっては、この時間はプログラムの記憶操作の
実行を思いとどまらせるぐらいの長さになるからである
。
このようなわけで、プログラム操作を(カード製造業者
の代わりに)使用者の側に押しつけることが考えられて
いる。使用者ひとりひとりのもつプログラムすべきカー
ドの数は少ないので、時間の問題はそれほど重要でなく
なる。
の代わりに)使用者の側に押しつけることが考えられて
いる。使用者ひとりひとりのもつプログラムすべきカー
ドの数は少ないので、時間の問題はそれほど重要でなく
なる。
しかし、記憶させるデータが秘密データで、絶対にカー
ド製造業者が記憶させなければならない場合等はこの解
決法に頼ることができない。秘密データとは例えば使用
者の識別情報で、このようなデータは使用者自身に記憶
させるわけにはいかない。
ド製造業者が記憶させなければならない場合等はこの解
決法に頼ることができない。秘密データとは例えば使用
者の識別情報で、このようなデータは使用者自身に記憶
させるわけにはいかない。
問題点を解決するための手段
プログラム時間に関する上記問題点を解決するため、本
発明では以下の2段階の操作からなる簡単なプログラム
法を提供する。まず第1段階においては、カード製造業
者がデータを非常に短い時間プログラムする。この時間
は、次の第2段階までこのデータを保持しておくには十
分な長さである。続く第2段階においては、カード製造
業者ではなく使用者が関与する。この第2段階では、第
1段階でプログラムされたメモリに再プログラムされる
。しかし、このときにはこのメモリを含む集積回路の入
力に再度データを入力するのではなく、既にこのメモリ
内にプログラムされているデータが再プログラムされる
。しかし、その際、プログラムされているデータを読出
すためにこの集積回路の外部からこのデータにアクセス
することはできない。さらに、このデータを外部から変
更することもできない。この第2段階では、所望の最終
保持期間(例えば10年間)を実現するのに必要なだけ
の時間をかけてプログラムを行う。
発明では以下の2段階の操作からなる簡単なプログラム
法を提供する。まず第1段階においては、カード製造業
者がデータを非常に短い時間プログラムする。この時間
は、次の第2段階までこのデータを保持しておくには十
分な長さである。続く第2段階においては、カード製造
業者ではなく使用者が関与する。この第2段階では、第
1段階でプログラムされたメモリに再プログラムされる
。しかし、このときにはこのメモリを含む集積回路の入
力に再度データを入力するのではなく、既にこのメモリ
内にプログラムされているデータが再プログラムされる
。しかし、その際、プログラムされているデータを読出
すためにこの集積回路の外部からこのデータにアクセス
することはできない。さらに、このデータを外部から変
更することもできない。この第2段階では、所望の最終
保持期間(例えば10年間)を実現するのに必要なだけ
の時間をかけてプログラムを行う。
さらに詳しく説明すると、本発明により、集積回路の一
部を構成する電気的にプログラム可能なROMにプログ
ラムする方法であって、第1段階として、このROMに
書込むデータを上記集積回路の入力に入力し、各データ
をプログラムするにあたっては、このデータを最終的に
保持しておくのに必要な時間の理論値よりもはるかに短
いが、以下の第2段階までデータを保持しておくには十
分な時間にわたってプログラム電圧を印加し、 第2段階として、このデータを最終的に保持しておくの
に十分な上記時間にわたってプログラム電圧を印加する
ことにより各データを機械的に再プログラムし、この再
プログラムは、上記集積回路の外部からも内部からもこ
の集積回路の入力にデータを入力することなくこのデー
タの読出し、再書込みを行う、集積回路内に備えられた
プログラム手段を用いて行うことを特徴とする方法が提
供される。
部を構成する電気的にプログラム可能なROMにプログ
ラムする方法であって、第1段階として、このROMに
書込むデータを上記集積回路の入力に入力し、各データ
をプログラムするにあたっては、このデータを最終的に
保持しておくのに必要な時間の理論値よりもはるかに短
いが、以下の第2段階までデータを保持しておくには十
分な時間にわたってプログラム電圧を印加し、 第2段階として、このデータを最終的に保持しておくの
に十分な上記時間にわたってプログラム電圧を印加する
ことにより各データを機械的に再プログラムし、この再
プログラムは、上記集積回路の外部からも内部からもこ
の集積回路の入力にデータを入力することなくこのデー
タの読出し、再書込みを行う、集積回路内に備えられた
プログラム手段を用いて行うことを特徴とする方法が提
供される。
実施例
本発明の方法が特定のメモリや特定の集積回路のみに限
定されることはない。本発明は一般に、(少なくともあ
る程度の範囲内では)プログラム電圧VPPを印加する
時間を長くすることによってデータ保持期間を長くする
ことのできる不揮発性メモリに関するものである。
定されることはない。本発明は一般に、(少なくともあ
る程度の範囲内では)プログラム電圧VPPを印加する
時間を長くすることによってデータ保持期間を長くする
ことのできる不揮発性メモリに関するものである。
電荷が局所的にトラップされるという形でデータが記憶
されるタイプの不揮発性メモリの大部分についてこのこ
とがあてはまる。電荷がトラップされる場所は、例えば
フローティングゲートや、2つの絶縁層間である。
されるタイプの不揮発性メモリの大部分についてこのこ
とがあてはまる。電荷がトラップされる場所は、例えば
フローティングゲートや、2つの絶縁層間である。
本発明の一実施例によれば、集積回路に含まれる主な素
子は、プログラム可能なROMと、このROMに接続さ
れるデータ処理用の少数の特殊な回路(例えば、比較器
、カウンタ、加算器)である。
子は、プログラム可能なROMと、このROMに接続さ
れるデータ処理用の少数の特殊な回路(例えば、比較器
、カウンタ、加算器)である。
この場合、本発明の方法を適用するために、プログラム
の第2段階におけるプログラム操作の実施機能をもつ書
込用オートマトンを集積回路内に備えつける。この書込
用オートマトンはメモリ内の各データをビットごとまた
はワードごとに連続的に読出し、この読出したデータの
値を変えることなく同じ位置に再び記憶させる。この書
込用オートマトンは、例えば集積回路の外部からトリガ
して作動させる。しかし、読出し、再書込み中には、集
積回路の外部端子に現れる読出されて再書込みされたデ
ータとは無関係に続出用オートマトンとメモリが接続さ
れる。
の第2段階におけるプログラム操作の実施機能をもつ書
込用オートマトンを集積回路内に備えつける。この書込
用オートマトンはメモリ内の各データをビットごとまた
はワードごとに連続的に読出し、この読出したデータの
値を変えることなく同じ位置に再び記憶させる。この書
込用オートマトンは、例えば集積回路の外部からトリガ
して作動させる。しかし、読出し、再書込み中には、集
積回路の外部端子に現れる読出されて再書込みされたデ
ータとは無関係に続出用オートマトンとメモリが接続さ
れる。
本発明の別の実施例によると、集積回路にはマイクロプ
ロセッサが含まれる。マイクロプロセッサとはすなわち
、論理信号として入力された命令により定義される様々
な機能を実行することのできる回路のことである。入力
された命令列により一連のジョブが決定され、マイクロ
プロセッサがこれらジョブを連続して実行する。命令列
はプログラム用のROMに記憶される(たいていの場合
はマスクによりプログラムされる)。マイクロプロセッ
サには、可能な命令のうちで、メモリ読出し命令または
メモリ書込み命令が必ず含まれている。
ロセッサが含まれる。マイクロプロセッサとはすなわち
、論理信号として入力された命令により定義される様々
な機能を実行することのできる回路のことである。入力
された命令列により一連のジョブが決定され、マイクロ
プロセッサがこれらジョブを連続して実行する。命令列
はプログラム用のROMに記憶される(たいていの場合
はマスクによりプログラムされる)。マイクロプロセッ
サには、可能な命令のうちで、メモリ読出し命令または
メモリ書込み命令が必ず含まれている。
この場合、プログラム用ROMには、電気的にプログラ
ム可能なROMの読出し、再書込みをデータ1つごとに
実行させる命令列を記憶させることが考えられる。この
命令列を実行させるには、集積回路の外部端子からマイ
クロプロセッサに向けて適当な命令を送る。ところで、
この命令列を実行している間は、マイクロプロセッサに
よりメモリから読出されて再書込みされたデータは集積
回路内にとどまって外部端子には現れない。従って、命
令列実行中はこの外部端子と絶縁されている内部データ
バスが、マイクロプロセッサと電気的にプログラム可能
なメモリの間に設けられている。
ム可能なROMの読出し、再書込みをデータ1つごとに
実行させる命令列を記憶させることが考えられる。この
命令列を実行させるには、集積回路の外部端子からマイ
クロプロセッサに向けて適当な命令を送る。ところで、
この命令列を実行している間は、マイクロプロセッサに
よりメモリから読出されて再書込みされたデータは集積
回路内にとどまって外部端子には現れない。従って、命
令列実行中はこの外部端子と絶縁されている内部データ
バスが、マイクロプロセッサと電気的にプログラム可能
なメモリの間に設けられている。
集積回路がマイクロプロセッサを備えているかいないか
に応じて、上記のプログラミング第2段階を開始させる
自動手段を備えるか、あるいは集積回路の外部端子に入
力される信号により制御されるトリガ操作(すなわち、
マイクロプロセッサに対する命令を構成する複数の信号
)を与えるかを決めることができる。
に応じて、上記のプログラミング第2段階を開始させる
自動手段を備えるか、あるいは集積回路の外部端子に入
力される信号により制御されるトリガ操作(すなわち、
マイクロプロセッサに対する命令を構成する複数の信号
)を与えるかを決めることができる。
例えば、上記の集積回路が現金の引出しカードに組込ま
れていると、このカードが再生された場合にはカード読
取り装置が適当なトリが信号を発生することになろう。
れていると、このカードが再生された場合にはカード読
取り装置が適当なトリが信号を発生することになろう。
メモリが参照ビットを備えており、この参照ビットの保
持期間がこのメモリの他のビットの保持期間よりも短い
場合には、プログラム中にこの参照ビットを消すことに
より、プログラムの第2段階を開始させることができる
。
持期間がこのメモリの他のビットの保持期間よりも短い
場合には、プログラム中にこの参照ビットを消すことに
より、プログラムの第2段階を開始させることができる
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 集積回路の一部を構成する電気的にプログラム可能な
ROMにプログラムする方法であって、第1段階として
、このROMに書込むデータを上記集積回路の入力に入
力し、各データをプログラムするにあたっては、このデ
ータを最終的に保持しておくのに必要な時間の理論値よ
りもはるかに短いが、以下の第2段階までデータを保持
しておくには十分な時間にわたってプログラム電圧を印
加し、 第2段階として、このデータを最終的に保持しておくの
に十分な上記時間にわたってプログラム電圧を印加する
ことにより各データを機械的に再プログラムし、この再
プログラムは、上記集積回路の外部からも内部からもこ
の集積回路の入力に上記ROM内のデータを入力するこ
となくこのデータの読出し、再書込みを行う、集積回路
内に備えられたプログラム手段を用いて行うことを特徴
とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8609355A FR2600810A1 (fr) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | Procede de programmation de donnees dans une memoire morte programmable electriquement |
FR8609355 | 1986-06-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6325893A true JPS6325893A (ja) | 1988-02-03 |
JP2645368B2 JP2645368B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=9336800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15954287A Expired - Lifetime JP2645368B2 (ja) | 1986-06-27 | 1987-06-26 | 電気的にプログラム可能なromにデータをプログラムする方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4870574A (ja) |
EP (1) | EP0251889B1 (ja) |
JP (1) | JP2645368B2 (ja) |
DE (1) | DE3765470D1 (ja) |
FR (1) | FR2600810A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5268319A (en) | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
US5293560A (en) * | 1988-06-08 | 1994-03-08 | Eliyahou Harari | Multi-state flash EEPROM system using incremental programing and erasing methods |
US5095344A (en) * | 1988-06-08 | 1992-03-10 | Eliyahou Harari | Highly compact eprom and flash eeprom devices |
US5268870A (en) * | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor |
US5043940A (en) * | 1988-06-08 | 1991-08-27 | Eliyahou Harari | Flash EEPROM memory systems having multistate storage cells |
DE69033262T2 (de) | 1989-04-13 | 2000-02-24 | Sandisk Corp., Santa Clara | EEPROM-Karte mit Austauch von fehlerhaften Speicherzellen und Zwischenspeicher |
FR2660465B1 (fr) * | 1990-04-02 | 1992-06-12 | Gemplus Card Int | Carte securite associant un support d'informations a haute densite de stockage et un microcircuit, et son utilisation dans un lecteur de cartes. |
FR2667715A1 (fr) * | 1990-10-09 | 1992-04-10 | Gemplus Card Int | Procede et dispositif pour accroitre la protection d'une carte a memoire. |
JP2938732B2 (ja) * | 1993-11-10 | 1999-08-25 | 松下電送システム株式会社 | メモリ管理装置とこれを用いたファクシミリ装置 |
US6329139B1 (en) | 1995-04-25 | 2001-12-11 | Discovery Partners International | Automated sorting system for matrices with memory |
US5751629A (en) * | 1995-04-25 | 1998-05-12 | Irori | Remotely programmable matrices with memories |
US6416714B1 (en) | 1995-04-25 | 2002-07-09 | Discovery Partners International, Inc. | Remotely programmable matrices with memories |
US5874214A (en) * | 1995-04-25 | 1999-02-23 | Irori | Remotely programmable matrices with memories |
US5741462A (en) * | 1995-04-25 | 1998-04-21 | Irori | Remotely programmable matrices with memories |
US6331273B1 (en) | 1995-04-25 | 2001-12-18 | Discovery Partners International | Remotely programmable matrices with memories |
US6017496A (en) * | 1995-06-07 | 2000-01-25 | Irori | Matrices with memories and uses thereof |
DE19607724A1 (de) * | 1996-02-29 | 1997-09-04 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung für einen programmierbaren nichtflüchtigen Speicher |
US6210016B1 (en) * | 1997-01-27 | 2001-04-03 | Frank J Prineppi | Christmas tree lighting |
DE10335612B3 (de) * | 2003-08-04 | 2005-01-27 | Giesecke & Devrient Gmbh | Speichern von Daten in einem nicht-flüchtigen Speicher eines tragbaren Datenträgers |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6154585A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Toppan Printing Co Ltd | Icカ−ドのデ−タ書込方式 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4173791A (en) * | 1977-09-16 | 1979-11-06 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Insulated gate field-effect transistor read-only memory array |
DE2910891C2 (de) * | 1979-03-16 | 1980-09-11 | Mannesmann Ag, 4000 Duesseldorf | Elektronische Steuervorrichtung für eine programmabhängige, Einzelschritte ausführende Maschine |
US4412310A (en) * | 1980-10-14 | 1983-10-25 | Intel Corporation | EPROM Cell with reduced programming voltage and method of fabrication |
NL8400225A (nl) * | 1984-01-25 | 1985-08-16 | Philips Nv | Schakeling voor het opwekken van de programmeerspanning van een uitwisbaar leesgeheugen. |
NL8400326A (nl) * | 1984-02-03 | 1985-09-02 | Philips Nv | Geintegreerde schakeling met veldeffecttransistoren en een programmeerbaar leesgeheugen. |
-
1986
- 1986-06-27 FR FR8609355A patent/FR2600810A1/fr not_active Withdrawn
-
1987
- 1987-06-23 US US07/065,554 patent/US4870574A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-23 EP EP87401432A patent/EP0251889B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-23 DE DE8787401432T patent/DE3765470D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-26 JP JP15954287A patent/JP2645368B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6154585A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Toppan Printing Co Ltd | Icカ−ドのデ−タ書込方式 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0251889B1 (fr) | 1990-10-10 |
EP0251889A1 (fr) | 1988-01-07 |
DE3765470D1 (de) | 1990-11-15 |
JP2645368B2 (ja) | 1997-08-25 |
US4870574A (en) | 1989-09-26 |
FR2600810A1 (fr) | 1987-12-31 |
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