JPS6325893A - 電気的にプログラム可能なromにデ−タをプログラムする方法 - Google Patents

電気的にプログラム可能なromにデ−タをプログラムする方法

Info

Publication number
JPS6325893A
JPS6325893A JP62159542A JP15954287A JPS6325893A JP S6325893 A JPS6325893 A JP S6325893A JP 62159542 A JP62159542 A JP 62159542A JP 15954287 A JP15954287 A JP 15954287A JP S6325893 A JPS6325893 A JP S6325893A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
integrated circuit
programming
electrically programmable
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62159542A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2645368B2 (ja
Inventor
ジル リジマック
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thomson Semiconducteurs SA
Original Assignee
Thomson Semiconducteurs SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=9336800&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPS6325893(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Thomson Semiconducteurs SA filed Critical Thomson Semiconducteurs SA
Publication of JPS6325893A publication Critical patent/JPS6325893A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2645368B2 publication Critical patent/JP2645368B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10Programming or data input circuits

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Storage Device Security (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、集積回路の一部を構成する電気的にプログラ
ム可能なROMにデータをプログラムする方法に関する
本明細書においては特に、「メモリ付カード(ICカー
ド)」、すなわち電気的にプログラム可能なROMを含
む集積回路を備えるカードへの応用を考えている。
従来の技術 「電気的にプログラム可能なROMJとは、適当な電気
信号をこのROMを含む集積回路の入力に入力すること
によりデータの記憶が可能なメモリのことである。この
データは、長期間にわたって電力の供給がなくてもこの
メモリ中に記憶されたままになっている。この期間は保
持期間と呼ばれ、数年にわたることがある。
メモリ付カードを応用することのできる多くの分野にお
いて、このようなカードを大量に生産する必要がある。
また、各カードは多数のビット、例えば8にビットの容
量を備えていることが好ましい。
各ビットのプログラムを行うには、あるいはバイトごと
にプログラムする場合には、短いとはいえ無視できない
有限の時間がかかる。
例えば、1バイトのプログラムを行うためにまず考えら
れた方法では、プログラム電圧V1.を50ミリ秒にわ
たって印加することが必要である。このプログラム電圧
印加時間は実際に必要とされる時間よりもはるかに長い
。しかし、この時間は、保持期間が10年になっても大
丈夫なように安全を見込んだ長さである。
このプログラム電圧印加時間を短くするために提案され
ているのは、メモリを構成しているトランジスタが十分
な電荷を受は取って保持期間が確実になったことを書込
みの直後に確かめるという方法である。このように確認
を行うことにより、以前のように非常に大きな安全性を
見込んでプログラム電圧を印加する必要はなくなる。確
かに、プログラム操作を2ミリ秒の間行い、その結果を
(数マイクロ秒で)読出し、正しい場合には安全のため
再度プログラムを4ミリ秒にわたって行うということが
可能である。読み出しの確認結果が正しくない場合には
、再び最初からプログラムをやり直す。
発明が解決しようとする問題点 しかし、何100万枚ものカードにプログラムする必要
がある場合にはこれでもプログラム時間が長すぎる。な
ぜなら、これらカード全部にプログラムを行うカード製
造業者にとっては、この時間はプログラムの記憶操作の
実行を思いとどまらせるぐらいの長さになるからである
このようなわけで、プログラム操作を(カード製造業者
の代わりに)使用者の側に押しつけることが考えられて
いる。使用者ひとりひとりのもつプログラムすべきカー
ドの数は少ないので、時間の問題はそれほど重要でなく
なる。
しかし、記憶させるデータが秘密データで、絶対にカー
ド製造業者が記憶させなければならない場合等はこの解
決法に頼ることができない。秘密データとは例えば使用
者の識別情報で、このようなデータは使用者自身に記憶
させるわけにはいかない。
問題点を解決するための手段 プログラム時間に関する上記問題点を解決するため、本
発明では以下の2段階の操作からなる簡単なプログラム
法を提供する。まず第1段階においては、カード製造業
者がデータを非常に短い時間プログラムする。この時間
は、次の第2段階までこのデータを保持しておくには十
分な長さである。続く第2段階においては、カード製造
業者ではなく使用者が関与する。この第2段階では、第
1段階でプログラムされたメモリに再プログラムされる
。しかし、このときにはこのメモリを含む集積回路の入
力に再度データを入力するのではなく、既にこのメモリ
内にプログラムされているデータが再プログラムされる
。しかし、その際、プログラムされているデータを読出
すためにこの集積回路の外部からこのデータにアクセス
することはできない。さらに、このデータを外部から変
更することもできない。この第2段階では、所望の最終
保持期間(例えば10年間)を実現するのに必要なだけ
の時間をかけてプログラムを行う。
さらに詳しく説明すると、本発明により、集積回路の一
部を構成する電気的にプログラム可能なROMにプログ
ラムする方法であって、第1段階として、このROMに
書込むデータを上記集積回路の入力に入力し、各データ
をプログラムするにあたっては、このデータを最終的に
保持しておくのに必要な時間の理論値よりもはるかに短
いが、以下の第2段階までデータを保持しておくには十
分な時間にわたってプログラム電圧を印加し、 第2段階として、このデータを最終的に保持しておくの
に十分な上記時間にわたってプログラム電圧を印加する
ことにより各データを機械的に再プログラムし、この再
プログラムは、上記集積回路の外部からも内部からもこ
の集積回路の入力にデータを入力することなくこのデー
タの読出し、再書込みを行う、集積回路内に備えられた
プログラム手段を用いて行うことを特徴とする方法が提
供される。
実施例 本発明の方法が特定のメモリや特定の集積回路のみに限
定されることはない。本発明は一般に、(少なくともあ
る程度の範囲内では)プログラム電圧VPPを印加する
時間を長くすることによってデータ保持期間を長くする
ことのできる不揮発性メモリに関するものである。
電荷が局所的にトラップされるという形でデータが記憶
されるタイプの不揮発性メモリの大部分についてこのこ
とがあてはまる。電荷がトラップされる場所は、例えば
フローティングゲートや、2つの絶縁層間である。
本発明の一実施例によれば、集積回路に含まれる主な素
子は、プログラム可能なROMと、このROMに接続さ
れるデータ処理用の少数の特殊な回路(例えば、比較器
、カウンタ、加算器)である。
この場合、本発明の方法を適用するために、プログラム
の第2段階におけるプログラム操作の実施機能をもつ書
込用オートマトンを集積回路内に備えつける。この書込
用オートマトンはメモリ内の各データをビットごとまた
はワードごとに連続的に読出し、この読出したデータの
値を変えることなく同じ位置に再び記憶させる。この書
込用オートマトンは、例えば集積回路の外部からトリガ
して作動させる。しかし、読出し、再書込み中には、集
積回路の外部端子に現れる読出されて再書込みされたデ
ータとは無関係に続出用オートマトンとメモリが接続さ
れる。
本発明の別の実施例によると、集積回路にはマイクロプ
ロセッサが含まれる。マイクロプロセッサとはすなわち
、論理信号として入力された命令により定義される様々
な機能を実行することのできる回路のことである。入力
された命令列により一連のジョブが決定され、マイクロ
プロセッサがこれらジョブを連続して実行する。命令列
はプログラム用のROMに記憶される(たいていの場合
はマスクによりプログラムされる)。マイクロプロセッ
サには、可能な命令のうちで、メモリ読出し命令または
メモリ書込み命令が必ず含まれている。
この場合、プログラム用ROMには、電気的にプログラ
ム可能なROMの読出し、再書込みをデータ1つごとに
実行させる命令列を記憶させることが考えられる。この
命令列を実行させるには、集積回路の外部端子からマイ
クロプロセッサに向けて適当な命令を送る。ところで、
この命令列を実行している間は、マイクロプロセッサに
よりメモリから読出されて再書込みされたデータは集積
回路内にとどまって外部端子には現れない。従って、命
令列実行中はこの外部端子と絶縁されている内部データ
バスが、マイクロプロセッサと電気的にプログラム可能
なメモリの間に設けられている。
集積回路がマイクロプロセッサを備えているかいないか
に応じて、上記のプログラミング第2段階を開始させる
自動手段を備えるか、あるいは集積回路の外部端子に入
力される信号により制御されるトリガ操作(すなわち、
マイクロプロセッサに対する命令を構成する複数の信号
)を与えるかを決めることができる。
例えば、上記の集積回路が現金の引出しカードに組込ま
れていると、このカードが再生された場合にはカード読
取り装置が適当なトリが信号を発生することになろう。
メモリが参照ビットを備えており、この参照ビットの保
持期間がこのメモリの他のビットの保持期間よりも短い
場合には、プログラム中にこの参照ビットを消すことに
より、プログラムの第2段階を開始させることができる

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  集積回路の一部を構成する電気的にプログラム可能な
    ROMにプログラムする方法であって、第1段階として
    、このROMに書込むデータを上記集積回路の入力に入
    力し、各データをプログラムするにあたっては、このデ
    ータを最終的に保持しておくのに必要な時間の理論値よ
    りもはるかに短いが、以下の第2段階までデータを保持
    しておくには十分な時間にわたってプログラム電圧を印
    加し、 第2段階として、このデータを最終的に保持しておくの
    に十分な上記時間にわたってプログラム電圧を印加する
    ことにより各データを機械的に再プログラムし、この再
    プログラムは、上記集積回路の外部からも内部からもこ
    の集積回路の入力に上記ROM内のデータを入力するこ
    となくこのデータの読出し、再書込みを行う、集積回路
    内に備えられたプログラム手段を用いて行うことを特徴
    とする方法。
JP15954287A 1986-06-27 1987-06-26 電気的にプログラム可能なromにデータをプログラムする方法 Expired - Lifetime JP2645368B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8609355A FR2600810A1 (fr) 1986-06-27 1986-06-27 Procede de programmation de donnees dans une memoire morte programmable electriquement
FR8609355 1986-06-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6325893A true JPS6325893A (ja) 1988-02-03
JP2645368B2 JP2645368B2 (ja) 1997-08-25

Family

ID=9336800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15954287A Expired - Lifetime JP2645368B2 (ja) 1986-06-27 1987-06-26 電気的にプログラム可能なromにデータをプログラムする方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4870574A (ja)
EP (1) EP0251889B1 (ja)
JP (1) JP2645368B2 (ja)
DE (1) DE3765470D1 (ja)
FR (1) FR2600810A1 (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5268319A (en) 1988-06-08 1993-12-07 Eliyahou Harari Highly compact EPROM and flash EEPROM devices
US5293560A (en) * 1988-06-08 1994-03-08 Eliyahou Harari Multi-state flash EEPROM system using incremental programing and erasing methods
US5095344A (en) * 1988-06-08 1992-03-10 Eliyahou Harari Highly compact eprom and flash eeprom devices
US5268870A (en) * 1988-06-08 1993-12-07 Eliyahou Harari Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor
US5043940A (en) * 1988-06-08 1991-08-27 Eliyahou Harari Flash EEPROM memory systems having multistate storage cells
DE69033262T2 (de) 1989-04-13 2000-02-24 Sandisk Corp., Santa Clara EEPROM-Karte mit Austauch von fehlerhaften Speicherzellen und Zwischenspeicher
FR2660465B1 (fr) * 1990-04-02 1992-06-12 Gemplus Card Int Carte securite associant un support d'informations a haute densite de stockage et un microcircuit, et son utilisation dans un lecteur de cartes.
FR2667715A1 (fr) * 1990-10-09 1992-04-10 Gemplus Card Int Procede et dispositif pour accroitre la protection d'une carte a memoire.
JP2938732B2 (ja) * 1993-11-10 1999-08-25 松下電送システム株式会社 メモリ管理装置とこれを用いたファクシミリ装置
US6329139B1 (en) 1995-04-25 2001-12-11 Discovery Partners International Automated sorting system for matrices with memory
US5751629A (en) * 1995-04-25 1998-05-12 Irori Remotely programmable matrices with memories
US6416714B1 (en) 1995-04-25 2002-07-09 Discovery Partners International, Inc. Remotely programmable matrices with memories
US5874214A (en) * 1995-04-25 1999-02-23 Irori Remotely programmable matrices with memories
US5741462A (en) * 1995-04-25 1998-04-21 Irori Remotely programmable matrices with memories
US6331273B1 (en) 1995-04-25 2001-12-18 Discovery Partners International Remotely programmable matrices with memories
US6017496A (en) * 1995-06-07 2000-01-25 Irori Matrices with memories and uses thereof
DE19607724A1 (de) * 1996-02-29 1997-09-04 Siemens Ag Schaltungsanordnung für einen programmierbaren nichtflüchtigen Speicher
US6210016B1 (en) * 1997-01-27 2001-04-03 Frank J Prineppi Christmas tree lighting
DE10335612B3 (de) * 2003-08-04 2005-01-27 Giesecke & Devrient Gmbh Speichern von Daten in einem nicht-flüchtigen Speicher eines tragbaren Datenträgers

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6154585A (ja) * 1984-08-24 1986-03-18 Toppan Printing Co Ltd Icカ−ドのデ−タ書込方式

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4173791A (en) * 1977-09-16 1979-11-06 Fairchild Camera And Instrument Corporation Insulated gate field-effect transistor read-only memory array
DE2910891C2 (de) * 1979-03-16 1980-09-11 Mannesmann Ag, 4000 Duesseldorf Elektronische Steuervorrichtung für eine programmabhängige, Einzelschritte ausführende Maschine
US4412310A (en) * 1980-10-14 1983-10-25 Intel Corporation EPROM Cell with reduced programming voltage and method of fabrication
NL8400225A (nl) * 1984-01-25 1985-08-16 Philips Nv Schakeling voor het opwekken van de programmeerspanning van een uitwisbaar leesgeheugen.
NL8400326A (nl) * 1984-02-03 1985-09-02 Philips Nv Geintegreerde schakeling met veldeffecttransistoren en een programmeerbaar leesgeheugen.

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6154585A (ja) * 1984-08-24 1986-03-18 Toppan Printing Co Ltd Icカ−ドのデ−タ書込方式

Also Published As

Publication number Publication date
EP0251889B1 (fr) 1990-10-10
EP0251889A1 (fr) 1988-01-07
DE3765470D1 (de) 1990-11-15
JP2645368B2 (ja) 1997-08-25
US4870574A (en) 1989-09-26
FR2600810A1 (fr) 1987-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2645368B2 (ja) 電気的にプログラム可能なromにデータをプログラムする方法
JP2682700B2 (ja) Icカード
JP3234331B2 (ja) 複数の通信プロトコルを備えるpcカード
JP2597153B2 (ja) 書込み保護装置
US5844843A (en) Single chip data processing apparatus having a flash memory which is rewritable under the control of built-in CPU in the external write mode
US4821240A (en) Semiconductor integrated circuit with nonvolatile memory
US5039850A (en) IC card
JPH06231317A (ja) データ及びプログラムを経年変化から保護したicカード
US5694611A (en) Microcomputer including internal and direct external control of EEPROM and method of making the microcomputer
US5517460A (en) Semiconductor integrated circuit and IC card using the same
US5381452A (en) Secure counting method for a binary electronic counter
KR950010304B1 (ko) 불휘발성 기억소자를 구비한 반도체 집적회로장치
JPS623516B2 (ja)
US5261110A (en) System for performing writes to non-volatile memory elements in a minimal time
US5313650A (en) System for performing writes to non-volatile memory elements in a minimal time
JP3512252B2 (ja) Cpuを内蔵した情報記録媒体
JPH0435780B2 (ja)
JP3168572B2 (ja) Cpu暴走検知機能付きicカード
JPS61211788A (ja) Icカ−ド
JPS62289999A (ja) デ−タの書込方法
CN117573155B (zh) 产品信息处理方法及芯片
KR100222576B1 (ko) 아이씨 카드 회로 및 이의 테스트 방법
JPS5987568A (ja) Icカ−ド
JP3357240B2 (ja) 集積回路メモリの書込保護方法及び対応する集積回路
KR20000020105A (ko) 플래시 메모리를 구비한 전자 장치