JPS622399B2 - - Google Patents
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- JPS622399B2 JPS622399B2 JP21547482A JP21547482A JPS622399B2 JP S622399 B2 JPS622399 B2 JP S622399B2 JP 21547482 A JP21547482 A JP 21547482A JP 21547482 A JP21547482 A JP 21547482A JP S622399 B2 JPS622399 B2 JP S622399B2
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- JP
- Japan
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- prom
- card
- voltage
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 101100521334 Mus musculus Prom1 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
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- Read Only Memory (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ICカードに関するものであり、
特に電気的信号を処理するための能動素子、情報
記憶用の記憶素子などを含む集積回路を具備した
ICカードに関するものである。
特に電気的信号を処理するための能動素子、情報
記憶用の記憶素子などを含む集積回路を具備した
ICカードに関するものである。
カード本体に集積回路を埋設したカードは、
ICカードやクレジツトカード、銀行カード等の
個人識別カード、その他各分野に広く利用される
ようになつた。このようなカードをここではIC
カードと称する。ICカードは、メモリやデータ
処理回路等の集積回路を具備しており、メモリと
して用いられる記憶素子は、書き込み可能な読み
出し専用メモリ（PROM：Programable Read
Only Memory）の種類により異なつた電圧値を
必要とする場合がある。ICカードに内蔵する
PROMの種類として、破壊記録方式の消去不可能
なPROM、紫外線照射により消去可能なEPROM
（Erasable Programable Read Only Memory）、
電気的に消去可能なEEPROM（Electrically
Erasable Programable Read Only Memory）等
が考えられる。これらのPROMの情報を書き込む
際に必要とされる書込み電圧は、技術の進歩から
くる高密度化による要求及び消費電力の低減を目
的として、次第に低くなる傾向にある。そのため
PROMの種類によつて書込み電圧が異なつたり、
また、同種のものでも記憶容量の増大に伴なつて
改良された結果、従来品に比べて書込み電圧が低
く設定されるものが存在する。たとえば、現在市
販されている汎用PROMの書込み電圧は、25Vか
ら21Vに移行しつつあり、さらに低電圧のものと
して昇圧回路を内蔵し、5V電源を印加するだけ
で良いものも開発されている。これらPROMが
ICカードの用途によつて様々の種類のものが内
蔵されて使用されるとき、情報を記憶させる際に
書込み電圧がICカードに内蔵されているPROM
に不適当である場合が生じ、書き込み不能や
PROMの破壊等のトラブルを生じる可能性があ
る。PROMに対して情報を書き込む場合、書込み
電圧はPROMの種類に応じた固有の電圧を必要と
する場合がある。内蔵されるPROMが異なるIC
カードが多種使用される場合、情報の書込み電圧
もICカードにより異なる可能性があり、この電
圧として、ICカードに内蔵されているPROMの
定格値の許容範囲を超える電圧を印加した場合、
内蔵されているPROMが破壊され、それまで格納
されていた情報が無効となる恐れがあり、また、
書込み電圧が定格電圧値の許容範囲に達していな
い場合、PROMへの情報の書込み動作が行なわれ
なかつたり、誤つた情報を書き込む恐れがあつ
た。
ICカードやクレジツトカード、銀行カード等の
個人識別カード、その他各分野に広く利用される
ようになつた。このようなカードをここではIC
カードと称する。ICカードは、メモリやデータ
処理回路等の集積回路を具備しており、メモリと
して用いられる記憶素子は、書き込み可能な読み
出し専用メモリ（PROM：Programable Read
Only Memory）の種類により異なつた電圧値を
必要とする場合がある。ICカードに内蔵する
PROMの種類として、破壊記録方式の消去不可能
なPROM、紫外線照射により消去可能なEPROM
（Erasable Programable Read Only Memory）、
電気的に消去可能なEEPROM（Electrically
Erasable Programable Read Only Memory）等
が考えられる。これらのPROMの情報を書き込む
際に必要とされる書込み電圧は、技術の進歩から
くる高密度化による要求及び消費電力の低減を目
的として、次第に低くなる傾向にある。そのため
PROMの種類によつて書込み電圧が異なつたり、
また、同種のものでも記憶容量の増大に伴なつて
改良された結果、従来品に比べて書込み電圧が低
く設定されるものが存在する。たとえば、現在市
販されている汎用PROMの書込み電圧は、25Vか
ら21Vに移行しつつあり、さらに低電圧のものと
して昇圧回路を内蔵し、5V電源を印加するだけ
で良いものも開発されている。これらPROMが
ICカードの用途によつて様々の種類のものが内
蔵されて使用されるとき、情報を記憶させる際に
書込み電圧がICカードに内蔵されているPROM
に不適当である場合が生じ、書き込み不能や
PROMの破壊等のトラブルを生じる可能性があ
る。PROMに対して情報を書き込む場合、書込み
電圧はPROMの種類に応じた固有の電圧を必要と
する場合がある。内蔵されるPROMが異なるIC
カードが多種使用される場合、情報の書込み電圧
もICカードにより異なる可能性があり、この電
圧として、ICカードに内蔵されているPROMの
定格値の許容範囲を超える電圧を印加した場合、
内蔵されているPROMが破壊され、それまで格納
されていた情報が無効となる恐れがあり、また、
書込み電圧が定格電圧値の許容範囲に達していな
い場合、PROMへの情報の書込み動作が行なわれ
なかつたり、誤つた情報を書き込む恐れがあつ
た。
この発明は、上述のように、ICカードに内蔵
されるPROMの種類によつて書込み電圧が異なる
不都合を解消し、内蔵されているPROM固有の適
正書込み電圧をICカード毎に判別して印加する
ことにより、誤つて書込み電圧の定格電圧値の許
容範囲を超えた電圧を印加して、内蔵PROMを破
壊したり、定格電圧値以下の電圧しか印加され
ず、PROMへの情報の書き込みが行なわれなかつ
たり、書き込みミスすることを防ぐことを可能と
したICカードを提供することにある。以下この
発明について説明する。
されるPROMの種類によつて書込み電圧が異なる
不都合を解消し、内蔵されているPROM固有の適
正書込み電圧をICカード毎に判別して印加する
ことにより、誤つて書込み電圧の定格電圧値の許
容範囲を超えた電圧を印加して、内蔵PROMを破
壊したり、定格電圧値以下の電圧しか印加され
ず、PROMへの情報の書き込みが行なわれなかつ
たり、書き込みミスすることを防ぐことを可能と
したICカードを提供することにある。以下この
発明について説明する。
ICカードが内蔵する記憶素子が書き込み可能
な読出し専用メモリ（PROM）である場合、この
PROMの種類によつて異なる書込み電圧値をIC
カードに電圧値情報として外部に出力する手段を
具備させることにより、PROMに対して適正な書
込み電圧を印加することを可能とし、書込み電圧
の過大電圧や過小電圧によつて、PROMの破壊や
PROMへの書き込み不能あるいは、書き込みミス
を防止するようにこの発明はしたものである。
な読出し専用メモリ（PROM）である場合、この
PROMの種類によつて異なる書込み電圧値をIC
カードに電圧値情報として外部に出力する手段を
具備させることにより、PROMに対して適正な書
込み電圧を印加することを可能とし、書込み電圧
の過大電圧や過小電圧によつて、PROMの破壊や
PROMへの書き込み不能あるいは、書き込みミス
を防止するようにこの発明はしたものである。
第１図はICカードを含めたカード処理装置の
ブロツク概略図である。この図で、ＡはICカー
ド、ＢはICカード処理装置であり、１はCPU部
と、PROMからなるICメモリ部、２はＩ／Ｏ信
号線、３はリセツト信号線、４はクリスタル信号
線、５はPROMへの書込み動作電圧（ＶPP）の電
源線、６はCPUの読取り動作電圧（ＶCC）の電
源線、７はアース、８はＩ／Ｏポートとコントロ
ーラ部、９は書込み動作電圧発生回路、１０は電
圧制御部、１１はキーボード部、１２はデータ処
理部、１３はモニタ部を示す。
ブロツク概略図である。この図で、ＡはICカー
ド、ＢはICカード処理装置であり、１はCPU部
と、PROMからなるICメモリ部、２はＩ／Ｏ信
号線、３はリセツト信号線、４はクリスタル信号
線、５はPROMへの書込み動作電圧（ＶPP）の電
源線、６はCPUの読取り動作電圧（ＶCC）の電
源線、７はアース、８はＩ／Ｏポートとコントロ
ーラ部、９は書込み動作電圧発生回路、１０は電
圧制御部、１１はキーボード部、１２はデータ処
理部、１３はモニタ部を示す。
次に動作について説明する。ICカードＡはIC
カード処理装置Ｂにセツトされた後、CPUの電
源電圧（ＶCC）が電源線６に印加され、クリスタ
ル信号がクリスタル信号線４に入力され、次いで
リセツト信号線３に入力が加わると、ICカード
Ａの動作が開始される。ICカードＡの動作後、
まず第１にICカードＡ内の図示しないPROM部
にあらかじめ記憶させておいたこのPROMの適正
書込み電圧値情報をICカード処理装置Ｂへ出力
する。
カード処理装置Ｂにセツトされた後、CPUの電
源電圧（ＶCC）が電源線６に印加され、クリスタ
ル信号がクリスタル信号線４に入力され、次いで
リセツト信号線３に入力が加わると、ICカード
Ａの動作が開始される。ICカードＡの動作後、
まず第１にICカードＡ内の図示しないPROM部
にあらかじめ記憶させておいたこのPROMの適正
書込み電圧値情報をICカード処理装置Ｂへ出力
する。
ICカード処理装置Ｂは入力したこの書込み電
圧値情報を判別し、コントローラから書込み動作
電圧発生回路９に対し判別結果に基づいた信号を
出力することにより動作中のICカードＡに適切
な書込み電圧が発生される。次いでICカード処
理装置Ｂに処理モードをインプツトし、このモー
ド信号をＩ／Ｏポートとコントローラ部８から
ICカードＡに対して出力する。モード信号を受
けたICカードＡはこのモード信号を判別し、処
理モードでの処理を行なう。
圧値情報を判別し、コントローラから書込み動作
電圧発生回路９に対し判別結果に基づいた信号を
出力することにより動作中のICカードＡに適切
な書込み電圧が発生される。次いでICカード処
理装置Ｂに処理モードをインプツトし、このモー
ド信号をＩ／Ｏポートとコントローラ部８から
ICカードＡに対して出力する。モード信号を受
けたICカードＡはこのモード信号を判別し、処
理モードでの処理を行なう。
第２図はICカード処理装置Ｂの動作説明のた
めのフローチヤートである。この図で、〜は
各ステツプを示す。動作開始後（）、書込み電
圧値情報が入力され（）、書込み電圧判別がな
され（）、コマンドキーインがされ（）、その
コマンドが、リードモードＲか、ライトモードＷ
かが判断される。（）。
めのフローチヤートである。この図で、〜は
各ステツプを示す。動作開始後（）、書込み電
圧値情報が入力され（）、書込み電圧判別がな
され（）、コマンドキーインがされ（）、その
コマンドが、リードモードＲか、ライトモードＷ
かが判断される。（）。
リードモードＲの場合、ICカード処理装置Ｂ
でリードモード信号を出力した後（）、ICカー
ドＡ内のPROM内に記憶されている情報を読み出
し、ICカード処理装置Ｂに対して出力し、終了
後モード入力待ちとなる。ICカード処理装置Ｂ
では、ICカードＡから出されたデータ出力を入
力し（）、データ処理した後（）、モニタ部１
３に表示し、（）、終了後（）、コマンドキー
イン（）の状態となる。また、ライトモードＷ
の場合には、ICカード処理装置Ｂでライトモー
ド信号を出力した後（）、キーボード部１１か
らインプツトし（）、インプツトされた情報を
処理した後（）、ICカードＡへ書込み電圧を印
加（）した上で、ICカードＡへデータ出力し
（）、ICカードＡで当該情報を入力してPROM
へ書き込む。データの出力を必要回数繰り返した
後、終了を判別する（）と、書込み電圧の印加
を終了する（）。このフロチヤートでは、情報
の書き込みが終了した後（）、データの読み出
しを行ない、確認できるようになつている。この
ようにICカードＡに内蔵されているPROM固有
の書込み電圧値情報を外部に出力することによ
り、ICカードＡ毎に適正な書込み電圧を印加す
ることが可能となる。なお、は終了を示す。
でリードモード信号を出力した後（）、ICカー
ドＡ内のPROM内に記憶されている情報を読み出
し、ICカード処理装置Ｂに対して出力し、終了
後モード入力待ちとなる。ICカード処理装置Ｂ
では、ICカードＡから出されたデータ出力を入
力し（）、データ処理した後（）、モニタ部１
３に表示し、（）、終了後（）、コマンドキー
イン（）の状態となる。また、ライトモードＷ
の場合には、ICカード処理装置Ｂでライトモー
ド信号を出力した後（）、キーボード部１１か
らインプツトし（）、インプツトされた情報を
処理した後（）、ICカードＡへ書込み電圧を印
加（）した上で、ICカードＡへデータ出力し
（）、ICカードＡで当該情報を入力してPROM
へ書き込む。データの出力を必要回数繰り返した
後、終了を判別する（）と、書込み電圧の印加
を終了する（）。このフロチヤートでは、情報
の書き込みが終了した後（）、データの読み出
しを行ない、確認できるようになつている。この
ようにICカードＡに内蔵されているPROM固有
の書込み電圧値情報を外部に出力することによ
り、ICカードＡ毎に適正な書込み電圧を印加す
ることが可能となる。なお、は終了を示す。
この実施例に示すように、PROMの記憶領域の
先頭にあらかじめ特定領域を設けておき、この特
定領域に、そのPROM固有の書込み電圧値情報を
記憶させておくことにより、当該情報を受けた外
部装置で、適正書込み電圧を判別することを可能
にできる。すなわち、ICカードＡを使用する場
合、ICカードＡの動作開始後格納されている情
報の読み出しや、新たな情報を書き込む前に、
PROMの先頭に設けられている特定領域に記憶さ
れている書込み電圧情報を読み出して、外部装置
に出力することにより、外部装置で入力した情報
からこのICカードＡの適正書込み電圧を選択す
ることができる。このことにより、ICカードＡ
に内蔵されているPROMに対する書込み電圧の不
適合による情報の書き込みミスや書き込み不能、
PROMの破壊などを確実に防ぐことができる。
先頭にあらかじめ特定領域を設けておき、この特
定領域に、そのPROM固有の書込み電圧値情報を
記憶させておくことにより、当該情報を受けた外
部装置で、適正書込み電圧を判別することを可能
にできる。すなわち、ICカードＡを使用する場
合、ICカードＡの動作開始後格納されている情
報の読み出しや、新たな情報を書き込む前に、
PROMの先頭に設けられている特定領域に記憶さ
れている書込み電圧情報を読み出して、外部装置
に出力することにより、外部装置で入力した情報
からこのICカードＡの適正書込み電圧を選択す
ることができる。このことにより、ICカードＡ
に内蔵されているPROMに対する書込み電圧の不
適合による情報の書き込みミスや書き込み不能、
PROMの破壊などを確実に防ぐことができる。
また、同一素子の組合せで、ICカードＡが大
量に生産される場合には、PROMに書込み電圧値
情報を記憶させることは、手間がかかり余分な工
程を必要とするため、前記マイクロコンピータを
制御するプログラムの中に、前述のように、デー
タ格納用PROM中に書込み電圧値情報を格納して
おくことなしに、書込み電圧値情報を出力する機
能を与えておくことにより、同様な結果を得るこ
とができる。特に、前記データ格納用PROMが電
気的に消去可能で、一括消去型のEEPROMであ
る場合にはトランザクシヨンデータのオーバフロ
ー時やエラー発生時などこのEEPROMに格納さ
れている情報を消去する必要性が生じた場合で
も、書込み電圧値情報は消去されることなく、有
効な手段となる。
量に生産される場合には、PROMに書込み電圧値
情報を記憶させることは、手間がかかり余分な工
程を必要とするため、前記マイクロコンピータを
制御するプログラムの中に、前述のように、デー
タ格納用PROM中に書込み電圧値情報を格納して
おくことなしに、書込み電圧値情報を出力する機
能を与えておくことにより、同様な結果を得るこ
とができる。特に、前記データ格納用PROMが電
気的に消去可能で、一括消去型のEEPROMであ
る場合にはトランザクシヨンデータのオーバフロ
ー時やエラー発生時などこのEEPROMに格納さ
れている情報を消去する必要性が生じた場合で
も、書込み電圧値情報は消去されることなく、有
効な手段となる。
以上説明したように、この発明は、ICカード
に内蔵されたPROMの書込み電圧値情報を、この
PROMの先頭の特定領域に格納しておき、この
PROMの書込み電圧値情報を外部に出力する手段
を備えたので、書込み前にPROMの書込み電圧値
が出力されるので、情報の書込み動作により
PROMの破壊や書き込みミス、書き込み不能とい
つた誤動作を確実に防止することができるととも
に、異なつた書込み電圧を必要とするPROMを内
蔵するICカードを同一のICカード処理装置で混
在使用することが可能となり、将来予想される新
たな書込み電圧の変化にも、対応し得るICカー
ドを提供することができる利点を有する。
に内蔵されたPROMの書込み電圧値情報を、この
PROMの先頭の特定領域に格納しておき、この
PROMの書込み電圧値情報を外部に出力する手段
を備えたので、書込み前にPROMの書込み電圧値
が出力されるので、情報の書込み動作により
PROMの破壊や書き込みミス、書き込み不能とい
つた誤動作を確実に防止することができるととも
に、異なつた書込み電圧を必要とするPROMを内
蔵するICカードを同一のICカード処理装置で混
在使用することが可能となり、将来予想される新
たな書込み電圧の変化にも、対応し得るICカー
ドを提供することができる利点を有する。
第１図はICカードを含めたICカード処理装置
のブロツク図、第２図はICカード処理装置の動
作説明のためのフローチヤートである。 図中、ＡはICカード、ＢはICカード処理装
置、１はCPU部とPROMからなるICメモリ部、
２はＩ／Ｏ信号線、３はリセツト信号線、４はク
リスタル信号線、５はPROMへの書込み動作電圧
の電源線、６はCPUの読取り動作電圧のの電源
線、７はアース、８はＩ／Ｏポートとコントロー
ラ部、９は書込み動作電圧発生回路、１０は電圧
制御部、１１はキーボード部、１２はデータ処理
部、１３はモニタ部である。
のブロツク図、第２図はICカード処理装置の動
作説明のためのフローチヤートである。 図中、ＡはICカード、ＢはICカード処理装
置、１はCPU部とPROMからなるICメモリ部、
２はＩ／Ｏ信号線、３はリセツト信号線、４はク
リスタル信号線、５はPROMへの書込み動作電圧
の電源線、６はCPUの読取り動作電圧のの電源
線、７はアース、８はＩ／Ｏポートとコントロー
ラ部、９は書込み動作電圧発生回路、１０は電圧
制御部、１１はキーボード部、１２はデータ処理
部、１３はモニタ部である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電気的信号を処理するための能動素子、記憶
素子を含む集積回路を具備したICカードにおい
て、前記記憶素子はPROMであり、このPROMへ
の情報の書き込みに必要な書込み電圧の電圧値情
報を外部に出力する手段を備え、PROMへの情報
の書き込みに必要な書込み電圧の電圧値情報は前
記PROM中の先頭の特定領域に格納されているこ
とを特徴とするICカード。 ２ 能動素子はマイクロコンピユータであり、前
記PROMへの情報の書き込みに必要な書込み電圧
の電圧値情報は、前記マイクロコンピユータの制
御プログラム中に格納されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のICカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215474A JPS59107491A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | Ｉｃカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215474A JPS59107491A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | Ｉｃカ−ド |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62294696A Division JPS63140390A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | Ｉｃカード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107491A JPS59107491A (ja) | 1984-06-21 |
| JPS622399B2 true JPS622399B2 (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=16672966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57215474A Granted JPS59107491A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | Ｉｃカ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59107491A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107487A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Toppan Printing Co Ltd | Ｉｃカ−ド |
| JPS61182187A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-14 | Toshiba Corp | 携帯可能媒体 |
| JPS62110799U (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-15 | ||
| JPS62244804A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-26 | Daifuku Co Ltd | 倉庫設備に於ける自動制御システム |
| JPS63112302A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-17 | Daifuku Co Ltd | 物品収集設備 |
| JPS63120391A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-24 | Hitachi Ltd | Ｉｃカ−ド |
| JPS6478397A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Ic card writing system |
| JPH05120861A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリーカードシステム |
| JP2012146360A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路及び書込処理方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5115947A (ja) * | 1974-03-25 | 1976-02-07 | Innovation Ste Int | |
| JPS5446447A (en) * | 1977-08-26 | 1979-04-12 | Cii | Portable data carrier for storing and processing data |
| JPS55112678A (en) * | 1979-02-22 | 1980-08-30 | Fujitsu Ltd | Automatic transaction unit |
| JPS5690358A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Computer having programmable read-only memory |
| JPS5771166A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-01 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5793519A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS623516A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-09 | Sony Corp | デコーダ装置 |
-
1982
- 1982-12-10 JP JP57215474A patent/JPS59107491A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5115947A (ja) * | 1974-03-25 | 1976-02-07 | Innovation Ste Int | |
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| JPS623516A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-09 | Sony Corp | デコーダ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59107491A (ja) | 1984-06-21 |
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| EP1471538B1 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device | |
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