JPS63257903A - 磁気ヘツド用回路 - Google Patents
磁気ヘツド用回路Info
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- JPS63257903A JPS63257903A JP9086387A JP9086387A JPS63257903A JP S63257903 A JPS63257903 A JP S63257903A JP 9086387 A JP9086387 A JP 9086387A JP 9086387 A JP9086387 A JP 9086387A JP S63257903 A JPS63257903 A JP S63257903A
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- JP
- Japan
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- magnetic head
- terminals
- circuit
- write
- transistors
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/022—H-Bridge head driver circuit, the "H" configuration allowing to inverse the current direction in the head
Landscapes
- Digital Magnetic Recording (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッド用回路に係り、特に半導体集積回路
化するに好適な磁気ヘッド用回路に関するＯ 〔従来の技術〕 従来、磁気ディスク装置などにおいて記録再生を行うた
めの磁気ヘッド用回路としては、第５図に示すような構
成が知られている。第５図において、電源電圧Ｖｃｏと
磁気ヘッドから成るインダクタンス負荷りが接続される
リード・ライト周端子Ａ、Ｂ間に接続されたバイポーラ
トランジスタＱ＋Ｑ２と、端子Ａ、 Ｂと定電流源ＣＣ
ｏの間に接続されたトランジスタＱ３． Ｑａとを含み
、それらトランジスタは互いに対をなすように接続され
ている。
化するに好適な磁気ヘッド用回路に関するＯ 〔従来の技術〕 従来、磁気ディスク装置などにおいて記録再生を行うた
めの磁気ヘッド用回路としては、第５図に示すような構
成が知られている。第５図において、電源電圧Ｖｃｏと
磁気ヘッドから成るインダクタンス負荷りが接続される
リード・ライト周端子Ａ、Ｂ間に接続されたバイポーラ
トランジスタＱ＋Ｑ２と、端子Ａ、 Ｂと定電流源ＣＣ
ｏの間に接続されたトランジスタＱ３． Ｑａとを含み
、それらトランジスタは互いに対をなすように接続され
ている。
上記端子Ａ、Ｂ間には薄膜ヘッドのような磁気ヘッドを
構成するインダクタンス負荷りが外付けされるとともに
、トランジスタＱｌ、 Ｑ、２及びＱ３． Ｑ４のペー
ス端子には、相補的な書込みデータ信号り、Ｄ及びｄ、
ｄがそれぞれ印加される。ここで、信号ｄ。
構成するインダクタンス負荷りが外付けされるとともに
、トランジスタＱｌ、 Ｑ、２及びＱ３． Ｑ４のペー
ス端子には、相補的な書込みデータ信号り、Ｄ及びｄ、
ｄがそれぞれ印加される。ここで、信号ｄ。
Ｉはり、６をレベルシフトした信号である。これによっ
て、書込みデータ信号が変化したとき、インダクタンス
負荷りの両端子Ａ、Ｈに印加される電圧ＶＡ、 ＶＢが
第４図に示すように変化し、磁気ヘッドに流れる電流の
向きが変わり、そのときの磁界の反転によって、例えば
磁気ディスクに対し、データの書込みが行われる。
て、書込みデータ信号が変化したとき、インダクタンス
負荷りの両端子Ａ、Ｈに印加される電圧ＶＡ、 ＶＢが
第４図に示すように変化し、磁気ヘッドに流れる電流の
向きが変わり、そのときの磁界の反転によって、例えば
磁気ディスクに対し、データの書込みが行われる。
ところで、トランジスタＱ３ 、 Ｑ４のペースｉ子に
印加される信号ｄ、ｄの反転のタイミングは、トランジ
スタＱ１． Ｑ２のペース端子に印加される信号り。
印加される信号ｄ、ｄの反転のタイミングは、トランジ
スタＱ１． Ｑ２のペース端子に印加される信号り。
Ｄのタイミングよりも遅れなければならない。これは、
端子Ａ、Ｂ間のインダクタンス負荷りによる影響を考慮
するためである。すなわち、端子Ａから端子ＢＫ向かつ
て流れ、ていた電流が瞬時に端子Ｂから端子Ａへ電流を
流そうとしても、その流れを防げる為の作用が働くから
である。信号り、ＤＫ対し、信号ｄ、ｄが同時に反転し
たり、相当遅れて反転すると、端子Ａにおける１圧ＶＡ
や端子ＢにおけるＶＢの反転時のフライバ、り電圧のオ
ーバ５−シュートが大きくなったり、インダクタンス負
荷ＬＫ流れる電流波形に歪じ、電流の切替ゎりが遅くな
るのである。
端子Ａ、Ｂ間のインダクタンス負荷りによる影響を考慮
するためである。すなわち、端子Ａから端子ＢＫ向かつ
て流れ、ていた電流が瞬時に端子Ｂから端子Ａへ電流を
流そうとしても、その流れを防げる為の作用が働くから
である。信号り、ＤＫ対し、信号ｄ、ｄが同時に反転し
たり、相当遅れて反転すると、端子Ａにおける１圧ＶＡ
や端子ＢにおけるＶＢの反転時のフライバ、り電圧のオ
ーバ５−シュートが大きくなったり、インダクタンス負
荷ＬＫ流れる電流波形に歪じ、電流の切替ゎりが遅くな
るのである。
従来、信号り、Ｄの反転するタイミングより信号ｄ、
ｄの反転のタイミングを遅らせる技術としては、トラ
ンジスタＱ３．Ｑ４のペース端子に抵抗を人わたり、そ
のペースに印加する電圧の振幅を小さくしたり、あるい
はペース端子を駆動するエミッタフォロワの電流を小さ
くするなどの方法が採られていた。
ｄの反転のタイミングを遅らせる技術としては、トラ
ンジスタＱ３．Ｑ４のペース端子に抵抗を人わたり、そ
のペースに印加する電圧の振幅を小さくしたり、あるい
はペース端子を駆動するエミッタフォロワの電流を小さ
くするなどの方法が採られていた。
尚、上記従来技術に関連するものとしては、特願昭６１
−６５６８６号公報、特願昭６０−１０８２７号公報、
特開昭５７−１４７１０９号公報、特開昭６０−２０１
５０５号公報に開示された発明が存在する。
−６５６８６号公報、特願昭６０−１０８２７号公報、
特開昭５７−１４７１０９号公報、特開昭６０−２０１
５０５号公報に開示された発明が存在する。
上記した従来技術においては、磁気ヘッド用回路を半導
体集積回路（ＩＣ）化した場合のプロセスのバラツキや
、周囲温度あるいは書込み電流のバラツキについて十分
配慮されていなかった。このため、トランジスタＱｌ、
Ｑ２及びＱ３．Ｑ４のペース端子のデータ信号り、Ｄ及
び（ｄの反転のタイミングがズレやすく、インダクタン
ス負荷りを流れる電流の方向切替えが遅延したり、イン
ダクタンス負荷りの両端の電圧ＶＡ、ＶＢのオーバーシ
ュートが大きくなる、という問題があった。
体集積回路（ＩＣ）化した場合のプロセスのバラツキや
、周囲温度あるいは書込み電流のバラツキについて十分
配慮されていなかった。このため、トランジスタＱｌ、
Ｑ２及びＱ３．Ｑ４のペース端子のデータ信号り、Ｄ及
び（ｄの反転のタイミングがズレやすく、インダクタン
ス負荷りを流れる電流の方向切替えが遅延したり、イン
ダクタンス負荷りの両端の電圧ＶＡ、ＶＢのオーバーシ
ュートが大きくなる、という問題があった。
本発明の目的は、半導体集積回路のプロセスのバラツキ
や周囲温度あるいは書込み電流に左右されずに、フライ
バック電圧波形のオーバシュートを防止するとともに、
インダクタンス負荷りに流れる電流の方向切替を速くす
ることのできる磁気ヘッド用回路を提供することにある
。
や周囲温度あるいは書込み電流に左右されずに、フライ
バック電圧波形のオーバシュートを防止するとともに、
インダクタンス負荷りに流れる電流の方向切替を速くす
ることのできる磁気ヘッド用回路を提供することにある
。
上記目的は、磁気ヘッド駆動部のリード・ライト用端子
と定電流源との間に接続されるトランジスタのペース端
子に印加される相補的な曹込みデータ信号の反転タイミ
ングを、ル段のゲート遅延を介して設定することにより
達成される。
と定電流源との間に接続されるトランジスタのペース端
子に印加される相補的な曹込みデータ信号の反転タイミ
ングを、ル段のゲート遅延を介して設定することにより
達成される。
上記した手段によれば、電源１圧とリード・ライト用端
子間に接続されるトランジスタに印加される相補的な書
込みデータ信号と、リード・ライト用端子と定電流源間
に接続されるトランジスタに印加される相補的な曹込み
データ信号の反転が一定のタイミング差で得られる。し
たがって、磁気ヘッドの両端子のフライバック電圧波形
のオーバシュートが防止され、磁気ヘッドに流れる電流
の方向切替の高速化が図られる。
子間に接続されるトランジスタに印加される相補的な書
込みデータ信号と、リード・ライト用端子と定電流源間
に接続されるトランジスタに印加される相補的な曹込み
データ信号の反転が一定のタイミング差で得られる。し
たがって、磁気ヘッドの両端子のフライバック電圧波形
のオーバシュートが防止され、磁気ヘッドに流れる電流
の方向切替の高速化が図られる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例につき第１図により説明する。
この実施例忙係る磁気ヘッド用回路は、公知のモノリシ
ック集積回路技術によって、シリコン単結晶半導体基板
上に形成される。第１因において、書込み用アンプを構
成するトランジスタＱ１〜Ｑ４と定電流源ＣＣｏとが設
けられている。トランジスタＱｌ、Ｑ２のコレクタ端子
は、それぞれ電源電圧端子■００に接続し、トランジス
タＱｌ、Ｑ２のベース端子は、相補的な書込みデータ信
号り、 Ｄを印加するために、そのレベルを決定する抵
抗Ｒ４，Ｒｓと、トランジスタＱ９とＱＩＯとからなる
カレントスイッチ及びそれを駆動する定電流源ＣＣａの
回路に接続している。カレントスイッチを構成するトラ
ンジスタＱ９とＱＩＯのペース端子は、外から与えられ
た書込みデータ信号を、相補的な書込みデータ信号ＶＤ
ｌ、ＶＤｚに変えるためのフリップフロップ回路へ結合
している。また、書込み用アンプを構成する他方のトラ
ンジスタＱ３．Ｑ４は、それぞれトランジスタＱ７．
Ｑ８と定電流源ＣＣ２，ＣＣａとからなるエミッタフォ
ロワ回路へ接続している。このエミッタ７オロワ忙より
、ゲート遅延となったトランジスタＱ３．Ｑ４のペース
端子には、相補的な書込みデータ信号ｄ、 ｄが時間的
忙遅れ文印加される。エミッタ７オロワを構成するトラ
ンジスタＱ７．ＱＢのベース端子には、トランジスタＱ
５とＱすとからなるカレントスイッチと、そのコレクタ
抵抗Ｒ２，Ｒ３，抵抗Ｒ１及び定を流源ＣＣＩが接続し
ている。カレントスイッチを構成するトランジスタＱ５
とＱ６のペース端子は、同じくカレントスイッチを構成
するトランジスタＱ９とＱ ｒｏのペース端子に印加さ
れる相補的な書込みデータ信号ＶＤ３ＶＤ４を印加すべ
く、フリップフロップ回路へと接続している。
ック集積回路技術によって、シリコン単結晶半導体基板
上に形成される。第１因において、書込み用アンプを構
成するトランジスタＱ１〜Ｑ４と定電流源ＣＣｏとが設
けられている。トランジスタＱｌ、Ｑ２のコレクタ端子
は、それぞれ電源電圧端子■００に接続し、トランジス
タＱｌ、Ｑ２のベース端子は、相補的な書込みデータ信
号り、 Ｄを印加するために、そのレベルを決定する抵
抗Ｒ４，Ｒｓと、トランジスタＱ９とＱＩＯとからなる
カレントスイッチ及びそれを駆動する定電流源ＣＣａの
回路に接続している。カレントスイッチを構成するトラ
ンジスタＱ９とＱＩＯのペース端子は、外から与えられ
た書込みデータ信号を、相補的な書込みデータ信号ＶＤ
ｌ、ＶＤｚに変えるためのフリップフロップ回路へ結合
している。また、書込み用アンプを構成する他方のトラ
ンジスタＱ３．Ｑ４は、それぞれトランジスタＱ７．
Ｑ８と定電流源ＣＣ２，ＣＣａとからなるエミッタフォ
ロワ回路へ接続している。このエミッタ７オロワ忙より
、ゲート遅延となったトランジスタＱ３．Ｑ４のペース
端子には、相補的な書込みデータ信号ｄ、 ｄが時間的
忙遅れ文印加される。エミッタ７オロワを構成するトラ
ンジスタＱ７．ＱＢのベース端子には、トランジスタＱ
５とＱすとからなるカレントスイッチと、そのコレクタ
抵抗Ｒ２，Ｒ３，抵抗Ｒ１及び定を流源ＣＣＩが接続し
ている。カレントスイッチを構成するトランジスタＱ５
とＱ６のペース端子は、同じくカレントスイッチを構成
するトランジスタＱ９とＱ ｒｏのペース端子に印加さ
れる相補的な書込みデータ信号ＶＤ３ＶＤ４を印加すべ
く、フリップフロップ回路へと接続している。
次に、以上のように構成された磁気ヘッド用回路の書込
み動作圧ついて説明する、この実施例における第１図に
示す各部の書込みデータ信号のタイムチャートを示すと
第６図のようになる。まず、外部より与えられる書込み
データ信号ＶＷＤは、７リツプフロツプを介して相補的
な薔込みデータ信号ＶＤ１．ＶＤ２となって出力される
。そして、磁気ヘッド駆動回路における蓄込みアンプの
トランジスタＱｌとＱ２のベース端子釦は、トランジス
タＱ９とＱｌｏとにより構成されるカレントスイッチを
介して、データ信号ＶＤ１．ＶＤ２がり、 Ｄとなって
印加される。また、データ信号ＶＤ１．ＶＤ２はトラン
ジスタＱ５とＱ６とにより構成されるカレント・ スイ
ッチを介して、第６図に示すように、相補的な書込みデ
ータ信号ＶＤ３．ＶＤ４となる。そして、これら相補的
な書込みデータ信号ＶＤ３．ＶＤａが、トランジスタＱ
７とＱ８とにより構成されるエミッタフォロワのゲート
遅延回路２０により、トランジスタＱ１．Ｑ２のベース
端子に印加される相補的な賽込みデータ信号り、 Ｄよ
りも時間的にタイミングが遅れた状態で、書込みアンプ
のトランジスタＱ３．Ｑ４のベース端子に相補的な書込
みデータｄｄとなって印加される。このタイミングの遅
延状況は第６図に示すタイムチャートに示す通りである
。このようにして、相補的な畳込みデー信号ＤＤ及びｄ
、ｄがトランジスタＱｌ、Ｑ！及びＱ３．Ｑ４のベース
端子に印加されることにより、トランジスタＱｌ、Ｑ２
のエミッタ端子に接続された磁気ヘッド接続端子Ａ、Ｂ
の電位ＶＡ、ＶＢは第６図に示すタイムチャートのよう
に変化し、また、磁気ヘッド自体に流れる電流も同図の
ように変化する・この実施例において、磁気ヘッドのイ
ンダクタンス負荷りは一定の値ではな（、ヘッド製造プ
ロセスのバラツキによって変ってくる。したがって、へ
、ド接続端子Ａ、Ｂ＃Ｃエミッタ端子を接続したトラン
ジスタＱｌ、Ｑ２のスイッチングの時間的なタイミング
も当然変ってくる。しかしながら、この実施例で示すよ
うに、ヘッド接続端子Ａ、 Ｂにコレクタ端子を接続し
たトランジスタＱ３． Ｑ４のペース端子に印加される
相補的な書込みデータ信号ｃｌ、ｄが、ゲート遅延によ
り時間的忙遅れたタイミングとなるので、磁気ヘッドに
流れる電流の方向切替が遅れる虞れがなくなる。さらに
、磁気ヘッドのインダクタンス負荷りの値が設計的に大
きく変化しても、ゲート遅延回路の段数を増減させるこ
とにより、容易１゛に対処することができる。第２図乃
至第４図は、いずれも本発明の他の実施例であって、ゲ
ート遅延回路２００段数を変化させたもので、特に第４
図はル段の例を示している。
み動作圧ついて説明する、この実施例における第１図に
示す各部の書込みデータ信号のタイムチャートを示すと
第６図のようになる。まず、外部より与えられる書込み
データ信号ＶＷＤは、７リツプフロツプを介して相補的
な薔込みデータ信号ＶＤ１．ＶＤ２となって出力される
。そして、磁気ヘッド駆動回路における蓄込みアンプの
トランジスタＱｌとＱ２のベース端子釦は、トランジス
タＱ９とＱｌｏとにより構成されるカレントスイッチを
介して、データ信号ＶＤ１．ＶＤ２がり、 Ｄとなって
印加される。また、データ信号ＶＤ１．ＶＤ２はトラン
ジスタＱ５とＱ６とにより構成されるカレント・ スイ
ッチを介して、第６図に示すように、相補的な書込みデ
ータ信号ＶＤ３．ＶＤ４となる。そして、これら相補的
な書込みデータ信号ＶＤ３．ＶＤａが、トランジスタＱ
７とＱ８とにより構成されるエミッタフォロワのゲート
遅延回路２０により、トランジスタＱ１．Ｑ２のベース
端子に印加される相補的な賽込みデータ信号り、 Ｄよ
りも時間的にタイミングが遅れた状態で、書込みアンプ
のトランジスタＱ３．Ｑ４のベース端子に相補的な書込
みデータｄｄとなって印加される。このタイミングの遅
延状況は第６図に示すタイムチャートに示す通りである
。このようにして、相補的な畳込みデー信号ＤＤ及びｄ
、ｄがトランジスタＱｌ、Ｑ！及びＱ３．Ｑ４のベース
端子に印加されることにより、トランジスタＱｌ、Ｑ２
のエミッタ端子に接続された磁気ヘッド接続端子Ａ、Ｂ
の電位ＶＡ、ＶＢは第６図に示すタイムチャートのよう
に変化し、また、磁気ヘッド自体に流れる電流も同図の
ように変化する・この実施例において、磁気ヘッドのイ
ンダクタンス負荷りは一定の値ではな（、ヘッド製造プ
ロセスのバラツキによって変ってくる。したがって、へ
、ド接続端子Ａ、Ｂ＃Ｃエミッタ端子を接続したトラン
ジスタＱｌ、Ｑ２のスイッチングの時間的なタイミング
も当然変ってくる。しかしながら、この実施例で示すよ
うに、ヘッド接続端子Ａ、 Ｂにコレクタ端子を接続し
たトランジスタＱ３． Ｑ４のペース端子に印加される
相補的な書込みデータ信号ｃｌ、ｄが、ゲート遅延によ
り時間的忙遅れたタイミングとなるので、磁気ヘッドに
流れる電流の方向切替が遅れる虞れがなくなる。さらに
、磁気ヘッドのインダクタンス負荷りの値が設計的に大
きく変化しても、ゲート遅延回路の段数を増減させるこ
とにより、容易１゛に対処することができる。第２図乃
至第４図は、いずれも本発明の他の実施例であって、ゲ
ート遅延回路２００段数を変化させたもので、特に第４
図はル段の例を示している。
本発明によれば、半導体集積回路化に伴うプロセスのバ
ラツキや、周囲温度あるいは書込み電流流バラツキが生
じても、相補的な書込みデータ信号の反転が一定のタイ
ミングで得られるので、磁気ヘッドの両端子電圧のフラ
イバック波形のオーバシュートを防止し、磁気ヘッドに
流れる電流の方向切替速度を速くすることができる。
ラツキや、周囲温度あるいは書込み電流流バラツキが生
じても、相補的な書込みデータ信号の反転が一定のタイ
ミングで得られるので、磁気ヘッドの両端子電圧のフラ
イバック波形のオーバシュートを防止し、磁気ヘッドに
流れる電流の方向切替速度を速くすることができる。
第１図は本発明に係る磁気ヘッド用回路の一実施例を示
す回路図、第２図から第４図は本発明に係る磁気ヘッド
用回路におけるが段のゲート遅延回路の例を示す回路図
、第５図は従来の磁気ヘッド用回路のヘッド駆動部の構
成を示す回路図、第６図は磁気ヘッド用回路における書
込み時のタイムチャートである。 Ｖｏｏ、 ＶＦｇ・１！源電圧、ＣＣｏ 〜ＣＣＶ、Ｃ
Ｃｕ−ＣＣ３ｎ・一定ｆ流源、 Ｑ ｒ 〜Ｑ １２．
Ｑ ５ｌ−Ｑ８ ｒＬ−）ランジスタ、 Ｒ１−Ｒ
５，Ｒ＋ｚ１〜Ｒ３ｒＬ・−・抵抗、２０−・・ゲート
遅延回路。
す回路図、第２図から第４図は本発明に係る磁気ヘッド
用回路におけるが段のゲート遅延回路の例を示す回路図
、第５図は従来の磁気ヘッド用回路のヘッド駆動部の構
成を示す回路図、第６図は磁気ヘッド用回路における書
込み時のタイムチャートである。 Ｖｏｏ、 ＶＦｇ・１！源電圧、ＣＣｏ 〜ＣＣＶ、Ｃ
Ｃｕ−ＣＣ３ｎ・一定ｆ流源、 Ｑ ｒ 〜Ｑ １２．
Ｑ ５ｌ−Ｑ８ ｒＬ−）ランジスタ、 Ｒ１−Ｒ
５，Ｒ＋ｚ１〜Ｒ３ｒＬ・−・抵抗、２０−・・ゲート
遅延回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、インダクタンス負荷を構成する磁気ヘッドが接続さ
れる一対のリード・ライト用端子と、書込み動作の際前
記磁気ヘッドをブリッジ駆動するように前記一対のリー
ド・ライト用端子に結合された第１のトランジスタ対及
び第２のトランジスタ対と、前記第２のトランジスタ対
のベース端子に接続されるｎ段（ｎ≧１）のゲート遅延
回路と、前記第１のトランジスタ対を介して前記一対の
リード・ライト用端子に結合される負荷手段を備えて成
ることを特徴とする磁気ヘッド用回路。 ２、ゲート遅延回路がカレントスイッチ回路及びエミッ
タフォロワ出力回路とから成ることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の磁気ヘッド用回路。 ３、第２のトランジスタ対のベース端子に印加される相
補的書込みデータ信号の反転が、第１のトランジスタ対
のベース端子に印加される相補的書込みデータ信号の反
転よりも、一定のタイミング差で得られることを特徴と
する特許請求の範囲第１項及び第２項記載の磁気ヘッド
用回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9086387A JPS63257903A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 磁気ヘツド用回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9086387A JPS63257903A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 磁気ヘツド用回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63257903A true JPS63257903A (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=14010387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9086387A Pending JPS63257903A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 磁気ヘツド用回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63257903A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0609993A1 (en) * | 1993-02-01 | 1994-08-10 | Seagate Technology International | Assisted low voltage write circuit |
| US5392172A (en) * | 1992-01-30 | 1995-02-21 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head circuit having a write current changeover circuit with a clamp voltage depending on write current for high-speed data transfer |
| US5434717A (en) * | 1993-03-19 | 1995-07-18 | Hitachi, Ltd. | Read and/or write integrated circuit having an operation timing adjusting circuit and constant current elements |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP9086387A patent/JPS63257903A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5392172A (en) * | 1992-01-30 | 1995-02-21 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head circuit having a write current changeover circuit with a clamp voltage depending on write current for high-speed data transfer |
| EP0609993A1 (en) * | 1993-02-01 | 1994-08-10 | Seagate Technology International | Assisted low voltage write circuit |
| US5434717A (en) * | 1993-03-19 | 1995-07-18 | Hitachi, Ltd. | Read and/or write integrated circuit having an operation timing adjusting circuit and constant current elements |
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