JPS63248154A - 半導体装置実装部品および実装方法 - Google Patents

半導体装置実装部品および実装方法

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JPS63248154A
JPS63248154A JP62083170A JP8317087A JPS63248154A JP S63248154 A JPS63248154 A JP S63248154A JP 62083170 A JP62083170 A JP 62083170A JP 8317087 A JP8317087 A JP 8317087A JP S63248154 A JPS63248154 A JP S63248154A
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semiconductor device
semiconductor
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connection terminals
chip
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博司 田中
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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置実装部品の接続端子に関するも
のである。
〔従来の技術〕
第4図は例えば従来のDIP型半導体装置を半導体装置
実装部品を介してプリント配線基板に実装している様子
を示す断面図であり、また、第5図は、バンブを固着し
た半導体チップをプリント配線基板に実装している様子
を示す断面図である。図において、(1a ) + (
i b ’/は半導体チップ、(2a)F (2b)+
 (2c)。
(2d)は半導体チップ(Ia)、(lb)表面に形成
されている外部接続端子、(3a)はダイボンドパッド
、(4&)は接着剤、(5a)。
(5b)はり−・ド、(6a)、(6b)はり−ド(5
a)、(5b)表面に形成されているワイヤボンドパッ
ド、(7a)r (7b)はワイヤ、(8a)、(8b
)は封止部材、(9a)。
(9b)は半導体装置実装部品の絶縁支持部材、(10
a、)、(lQl))は半導体装置実シを部品の接続端
子、(lla)、(Ilb)はプリント配線基板、(1
2a ) 、 (12b ) 、 (12c)。
(12a)はプリント配線基板(11&)。
(llb)表面に形成されている基板接続端子、(13
a)、(13b)は導電性接着剤、(14a)。
(14b)は外部接続端子(2c)、(2a)に固着さ
れているバンプ、(15a ) 、 (15b)は導電
性接着剤である。
次に実装方法について説明する。第4図において、半導
体チップ(1a)は接着剤(4a)によりダイボンドパ
ッド(3a)に固着され、外部接続端子(2a)、(2
b)はワイヤ(7a)。
(7b)でリード(5a) I(5b)表面のワイヤボ
ンドパッド(6a)、(6b)と接続され、その後、封
止部材(8&)により封止されEの半導体装置となる。
一方、絶縁支持部材(9a)、(9b)および接続端子
(10a )。
(10b)からなる半導体装置実装部品はプリント配線
基板(lla)に装着されており、接続端子(10a)
、(10b)はプリント配線基板(lla)を貫通し基
板接続端子(12a)。
(12b)とは導電性接着剤(13a)。
(131))により接合されている。半導体装置の実装
はリード(5a)、(5b)が接続端子(10a)、(
10’b)にそれぞれクランプされることでなる。
第5図において、基板接続端子(12o)。
(12d)上に導電性接着剤(15a ) 、(15b
)を塗布し、バンプ(14a)=(14b)を外部接続
端子(2c) 、(2a)上に固着しである半導体チッ
プ(1b)を、バンプ(14a )。
(14b)が基板接続端子(12c ) 、 (12a
)と重なる位置に配置し接合する。その後、封止部材(
8b)で封止する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置実装部品および実装方法は以上のよう
に構成されているため、半導体装置が着脱可能な実装に
はリード等を用いた外形の大きい半導体装置を使わなけ
ればならず、また、リード等を用いないで実装効率を高
くしようとすると、半導体装置が着脱不可能となり、実
装効率が高く半導体装置の着脱が可能な実装が得られな
いという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を改善するためになされ
たもので、実装効率が高く半導体装置の着脱が可能な実
装を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置実装部品は、設けられた接続
端子を半導体装置の半導体チップ表面に形成された外部
接続端子と直接接触させることで導通をなすようにした
ものである。
〔作用〕
この発明における半導体装置実装部品に実装される半導
体装置は半導体チップ表面に形成された外部接続端子を
直接接触させるため、リード等を用いる必要がなくコン
パクトなものとなり実装効率を高めることができるとと
もに、着脱が可能となる。
(実施←」〕 以下、この発明での実施例を図について説明する。第1
図は、ダイボンドパッド(3b)の片面に外部接続端子
(2e)を1列に配置した半導体チップ(1c)を固着
した半導体装置を、プリント配線基板(llc)に実装
した場合の断面図、第2図は、ダイボンドパッド(3c
)の両面に外部接続端子(2r、2g)を1列に配置し
た半導体チップ(1d+ 1 c )を固着した半導体
装置を、プリント配線基板(lla)に実装した場合の
断面図、第3図は、ダイボンドパッド(3d)の片面に
外部接続端子(2h。
21)を2列に配置した半導体チップ(1f)を固着し
た半導体装置を、プリント配線基板(Ile)に実装し
た場合の断面図である。図において、(lc)+(1a
)+(xθ)。
(1f)は半導体チップ、(2e)、(2f)。
(2g)! (2h)+ (2t)は半導体チップ(l
c)、(Id)、(la)、(If)の表面に形成され
ている外部接続端子、(3b)。
(3c)、(3a)はダイボンドパッド、(4b)。
(4c)、(4d)、(4e)は接着剤、(8c)。
(8(1)、(8e)は封止部材、(9c)。
(9d)、(9e)は半導体装置実装部品の絶縁支持部
材、(10Q ) 、 (10d ) 、 (10e)
(10r)、(10g)、(10h)は半導体装置実装
部品の接続端子、(11c ) 、 (lid)。
(lie)はプリント配線基板、(12e)。
(12f)、(12g)、(12h)、(12i)。
(12j)はプリント配線基板(llc)。
(lla)、(lle)表面に形成されている基板接続
端子、(13c ) 、 (13tl ) 、(13e
)。
(13r)、(13g)、(13h)は導電性接着剤で
ある。
次に実装方法について説明する。第1図において、半導
体チップ(1c)は接着剤(4b)によりダイボンドパ
ッド(3b)に固着される。
その後、封止部材(8c)により外部接続端子(2e)
の一部もしくは全部を除き、封止され一個の半導体装置
となる。一方、絶縁支持部材(9o)および接続端子(
10c ) 、 (10(1)からなる半導体装置実装
部品はプリント配線基板(Ilc)を貫通して基板接続
端子(12e)。
(12f)に導電性接着剤(13c ) 、 (13d
)により接合されている。半導体装置の実装は半導体チ
ップ表面に形成されている外部接続端子(2e)と接続
端子(10c)、(10a)が直接接触し、絶縁支持部
材(9c)が封止部材(8C)をクランプすることでな
る。第2図、tIS3FAについては、接続端子(10
e ) 、(10f)。
(10g)、(10h)がプリント配濯基板(110)
、(11,1,(lie)を貫通せず、同方面に形成さ
れている基板接続端子(12g)。
(12h)、(121)、(12j)と導電性接着剤(
13e)、(13f)、(13g)。
(13h)により接合されていることを除きほぼ第1図
と同様の実装方法である。
なお、上記実施例では、半導体装置実装部品とプリント
配線基板を分離して示したが、プリント配線基板が半導
体装置実装部品であってもよく、また、半導体装置実装
部品はプリント配線基板接続用に限らず、半導体装置相
互接触用、ケーブル接続用であってもよい。
また、半導体装置における外部接続端子配置は1列や2
列だけでなく任意の配置であってよく、一つの半導体装
置実装部品で全てを接触する必要はない。
さらに、半導体装置実装部品の接続端子の形状について
は、半導体装置の外部接続端子に接触すれば任意であり
、半導体装置のクランプも半導体装置実装部品の絶縁支
持部材に限らず他の方法であってもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、半導体装置実装部品
に設けられた接続端子が、半導体装置の半導体チップ表
面に形成された外部接続端子と直接接触することで導通
をなすため、実装効率が高く半導体装置の着脱が可能な
実装が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図はこの発明の実施例による半導
体装置実装部品および実装方法を示す断面図、第4図、
第5図は従来における半導体装置の実装方法を示す断面
図である。 図において(1a)〜(1f)は半導体チップ、(2a
)〜(21)は外部接続端子、(3IIL)〜(3d)
はダイボンドパッド、(4a)〜(4e)は接着剤、(
5a) 〜(5b)はリード、(6a)〜(6b)は、
ワイヤボンドパッド、(7a)〜(7b)はワイヤ、(
8a)〜(8e)は封止部材、(9a)〜こ9e)は絶
縁支持部材、(10a) 〜(10h)は接続端子、(
Ila)〜(Ile)はプリント配線基板、(12a)
〜(12j)は基板接続端子、(13a)〜(13h)
は導電性接着剤、(14a)〜(14b)はバンプ、(
15a )〜(15b)は導電性接着剤である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部を示す。 代理人 弁理士  大  岩  増  雄第1図   
 第2図 第 3!:!I 第4図 1、事件の表示   特願昭62−831γ0号2、発
明の名称 半導体装置実装部品および実装方法 、3.補正をする者 代表者志岐守哉 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細書第2頁第8行に「固着」とあるのを「形成
」と訂正する。 (2)同第3頁第7行に「固着」とあるのを「形成」と
訂正する。 (3)同第4頁第10行に「固着」とあるのを「形成」
と訂正する。 (4)同第9頁第5行に「必要はない。」とある次に改
行して「また、外部接続端子とバンブは別のものとして
説明しているが、バンブも外部接続端子と考えてよい。 」と挿入する。 以上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体装置実装部品に設けられた接続端子が半導
    体装置の半導体チップ表面に形成された外部接続端子と
    直接着脱自在に接触することで導通をなすことを特徴と
    する半導体装置実装方法。
  2. (2)半導体装置の半導体チップ表面に形成された外部
    接続端子の一部もしくは全部を除き、封止部材により封
    止された一個の半導体装置を実装するための半導体装置
    実装部品であつて、前記半導体装置をその露出した外部
    接続端子が位置決めされるように受け入れるようになし
    た電気絶縁性受け口部を具備し、この受け口部の内側に
    前記外部接続端子に面して実装部品側接続端子が配置さ
    れていることを特徴とする半導体装置実装部品。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5332922A (en) * 1990-04-26 1994-07-26 Hitachi, Ltd. Multi-chip semiconductor package
DE4345219A1 (de) * 1993-08-12 1995-02-16 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zum Kontaktieren und Halten einer Chipstruktur
DE4327104A1 (de) * 1993-08-12 1995-02-16 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zum Kontaktieren und Halten einer Chipstruktur
DE4436299C1 (de) * 1993-08-12 1996-01-04 Fraunhofer Ges Forschung Drucksensor-Chipstruktur mit einer Klemmeinrichtung zum Kontaktieren und Halten derselben sowie mit einem Fluidverbinderteil
DE4436298C1 (de) * 1993-08-12 1996-01-18 Fraunhofer Ges Forschung Chipstruktur mit einer Vorrichtung zum Kontaktieren und Halten derselben
DE19900803A1 (de) * 1999-01-12 2000-07-20 Siemens Ag Integrierter Schaltkreis

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5332922A (en) * 1990-04-26 1994-07-26 Hitachi, Ltd. Multi-chip semiconductor package
US5701031A (en) * 1990-04-26 1997-12-23 Hitachi, Ltd. Sealed stacked arrangement of semiconductor devices
USRE37539E1 (en) 1990-04-26 2002-02-05 Hitachi, Ltd. Sealed stacked arrangement of semiconductor devices
DE4345219A1 (de) * 1993-08-12 1995-02-16 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zum Kontaktieren und Halten einer Chipstruktur
DE4327104A1 (de) * 1993-08-12 1995-02-16 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zum Kontaktieren und Halten einer Chipstruktur
DE4436299C1 (de) * 1993-08-12 1996-01-04 Fraunhofer Ges Forschung Drucksensor-Chipstruktur mit einer Klemmeinrichtung zum Kontaktieren und Halten derselben sowie mit einem Fluidverbinderteil
DE4436298C1 (de) * 1993-08-12 1996-01-18 Fraunhofer Ges Forschung Chipstruktur mit einer Vorrichtung zum Kontaktieren und Halten derselben
DE19900803A1 (de) * 1999-01-12 2000-07-20 Siemens Ag Integrierter Schaltkreis

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