JPS6324647Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はマイクロ波用導波管形帯域阻止波器
等で用いる半同軸共振器に関するものである。

（従来技術） 第１図に示す半同軸共振器１を用いた導波管形
帯域阻止波器２における従来の半同軸共振器１
の周波数調整の仕方について説明する。この導波
管形帯域阻止波器２は、主導波管３に半同軸共
振器１を接続し、両者の境界に結合孔４を設けて
両者を結合させた構造となつている。半同軸共振
器１は、外部導体５の中心に中心導体６を同軸状
に配設し、外部導体５の長手方向の外端は外部導
体端板７で閉塞し、外部導体５の長手方向の内端
は主導波管３に取付け、中心導体６は外部導体端
板７に片持ち支持させ、中心導体６の先端は結合
孔４を通つて主導波管３内に突出させ、また外部
導体５にはその内部の電界の強い位置に対応して
ネジ孔８を貫通して設け、このネジ孔８に周波数
調整用ビス９を螺合してその先端を外部導体５内
換言すれば共振器１内に寸法ｄだけ挿入し、その
位置にロツクナイト１０で固定させた構造となつ
ている。

半同軸共振器１の電界の強い位置に入れた周波
数調整用ビス９の共振器１内への挿入長をｄとす
ると、この挿入長ｄと共振周波数との関係は第２
図に示すようになり、挿入長ｄが増せば半振周波
数は低くなつてゆく。いま、主導波管３の入力側
Ａから電波を入力し、出力側Ｂの減衰量の周波数
特性を観測すると第３図の如くなる。同図におい
て、点線はビス９の挿入長ｄがｄ＝０のときの減
衰量特性を示し、実線はビス９の挿入長ｄがｄ＝
d₁のときの減衰量特性を示している。しかして、
半同軸共振器１の共振周波数を調整する際には、
ビス９をねじ込んで行き、半同軸共振器１の共振
周波数が帯域阻止波器２の中心周波数_ORに一
致したところでビス９をロツクナイト１０で外部
導体５に固定する。

帯域阻止波器２の半同軸共振器１が１段のと
きには周波数の調整は上記の通りでよいが、半同
軸共振器１が多段になつた場合においては同様の
調整操作を次段以降も繰返して行こうとすると、
第４図に示すように段数が２段，３段と多くなる
につれて中心周波数_ORでの半同軸共振器１の周
波数設定がむずかしくなる欠点がある。帯域阻止
波器２の中心周波数_ORでの設定周波数が合つ
てないと、この帯域阻止波器２を用いて例えば
分波器を構成した場合、振幅特性や遅延時間特性
の対称性が得られないばかりでなく、特にハイブ
リツドを用いた分波器ではアンテナ側からの
VSWRが省化する原因となり、好ましくない。

従つて、従来帯域阻止波器等で多段の半同軸
共振器を用いる場合は、周波数セツト用に第１図
のような導波管３を用いて、これに１個ずつ半同
軸共振器１を取付け、透過波の減衰特性をみなが
ら周波数調整用ビス９を固定し、調整の終了した
半同軸共振器１を本番用の導波管にうつしかえる
作業を行つていたので、これらの作業は時間がか
かり面倒な欠点があつた。

（考案の目的） 本考案の目的は、共振周波数の設定を容易に行
うことができる半同軸共振器を提供するにある。

（考案の構成） 本考案は、外部導体の中心に中心導体が同軸状
に配置され、前記外部導体の長手方向の一端は外
部導体端板で閉塞され、他端は開放され、前記中
心導体の一端は前記端板に接続され、前記外部導
体には内部の電界の強い位置に対応して共振周波
数調整用ビスが螺入されて内部に突出されている
半同軸共振器において、前記外部導体又は前記外
部導体端板のいずれかの位置には周波数離調棒挿
入孔が設けられていることを特徴とするものであ
る。

（実施例） 以下本考案の実施例を図面を参照して詳細に説
明する。なお、いずれの実施例も、半同軸共振器
１を多段にもつ導波管形帯域阻止波器２に本考
案を適用した例を示している。第５図及び第６図
は本考案の第１実施例を示したものである。本実
施例の、導波管形帯域阻止波器２は、主導波管
３に３段に半同軸共振器１₁，１₂，１₃を取付け
た構造となつている。各半同軸共振器１₁〜１₃の
外部導体５には、周波数調整用ビス９に隣接して
周波数離調棒挿入孔１１がそれぞれあけられてい
る。本実施例では、半同軸共振器１₁〜１₃の軸長
が3/4λの場合について示している。

このような多段の半同軸共振器１₁〜１₃をもつ
導波管形帯域阻止波器２における各半同軸共振
器１₁〜１₃の周波数調整の仕方について説明す
る。その原理は、半同軸共振器内に周波数離調棒
挿入孔から周波数調棒を挿入すると、半同軸共振
器の共振周波数が高い方へ又は低い方へずれるこ
とを利用したものである。

先ず、第５図に示す導波管形帯域阻止波器２
の入力端Ａから電波を入力し、出力端Ｂの減衰量
を観測する。このとき、２段及び３段目の半同軸
共振器１₂，１₃の周波数離調棒挿入孔１１にそれ
ぞれ周波数離調棒１２を挿入し、好ましくはその
先端を中心導体６に接触させておくと、２段及び
３段目の半同軸共振器１₂，１₃の共振周波数は設
定しようとする中心周波数_ORより非常に高い方
へ又は非常に低い方へずれる。このため、初段の
半同軸共振器１₁の入出力端Ａ−Ｂ間の減衰量特
性は、第３図に示した１つの半同軸共振器１の場
合と同様にビス９により帯域阻止波器２の中心
周波数_ORの設定を行うことができる。

次に、２段目の半同軸共振器１₂の周波数設定
に移る。このときには、２段目の半同軸共振器１
_２に前回の操作で挿入されていた周波数離調棒１
２を抜いて、その棒１２を初段の半同軸共振器１
_１の周波数離調棒挿入孔１１に挿入して中心導体
６に接触させ、初段と３段目の半同軸共振器１₁，
１₃に周波数離調棒１２が挿入されて中心導体６
が短絡されている状態にし、これら半同軸共振器
１₁，１₃の共振周波数を非常に高い方又は非常に
低い方へずらしておく。従つて、２段目の半同軸
共振器１₂の周波数設定も、前述した単独の半同
軸共振器１の場合と同様にビス９にて容易に帯域
阻止波器２の中心周波数_ORの設定をすること
ができる。

次に、３段目の半同軸共振器１₃の周波数設定
に移る。このときには、３段目の半同軸共振器１
_３に前回の操作で挿入されていた周波数離調棒１
２を抜いて、その棒１２を２段目の半同軸共振器
１₂の周波数離調棒挿入孔１１に挿入して中心導
体６に接触させ、初段と２段目の半同軸共振器１
_１，１₂に周波数離調棒１２が挿入されて中心導体
６が短絡されている状態にし、これら半同軸共振
器１₁，１₂の共振周波数を非常に高い方又は非常
に低い方へずらしておく。従つて、３段目の半同
軸共振器１₃の周波数設定も、前述した単独の半
同軸共振器１の場合と同様にビス９にて容易に帯
域阻止波器２の中心周波数_ORの設定をするこ
とができる。

上記の如くにして３つの半同軸共振器１₁〜１₃
の周波数設定がビス９にて行えたら、周波数離調
棒１２を半同軸共振器１₁，１₂から抜けば、３つ
の周波数設定が完了したことになる。

周波数離調棒挿入孔１１は、最終的には金属箔
等で塞ぐのが好ましい。

各半同軸共振器１₁〜１₃の離調の順序は、上記
実施例の順序に限定されるものではなく、適宜な
順序で行つてもよい。

半同軸共振器の段数は、３段に限定されるもの
ではなく、何段でも同様にして実施することがで
きる。

周波数離調棒挿入孔１１はビス９に隣接して設
ける必要がなく、ビス９から離して設けてもよ
い。

第７図は半同軸共振器１₁の軸長がλ／４の場
合の例を示している。他の半同軸共振器も同様で
ある。本実施例では、周波数離調棒挿入孔１１を
ビス９とは反対側に設けている。

第８図は半同軸共振器１₁の軸長がλ／４の場
合の他の例を示している。他の半同軸共振器も同
様である。本実施例では、周波数離調棒挿入孔１
１を外部導体端板７に設けた例を示している。こ
れに伴つて、周波数離調棒１２は先端に折返し部
１２Ａを設け、この折返し部１２Ａを電界が最大
の位置まで挿入して、その位置で中心導体６と外
部導体５とをシヨートする。

第９図は半同軸共振器１₁の軸長がλ／４の場
合の他の例を示している。他の半同軸共振器も同
様である。本実施例でも、周波数離調棒挿入孔１
１を外部導体端板７に設けた例を示している。周
波数離調棒１２は、金属製のガイドスリーブ１３
と、このガイドスリーブ１３内に摺動自在に挿入
した弾性金属線材１４と、ガイドスリーブ１３の
基部に固着されたストツパー１５と、ガイドスリ
ーブ１３の基部に螺通されて弾性金属線材１４を
固定する固定ネジ１６とから成つている。ガイド
スリーブ１３の先端には横口１７があけられてい
て、この横口１７から弾性金属線材１４の先端が
横向きに突出できるようになつている。ストツパ
ー１５は、横口１７が電界最大の位置に達したと
き該ストツパー１５が外部導体端板７に当つてガ
イドスリーブ１３の挿入が停止される位置に設け
る。

このような周波数離調棒１２でも、図示のよう
にして電界最大の位置で中心導体６と外部導体５
間を短絡することができ、その短絡状態を所要の
間維持させることができる。

（考案の効果） 以上説明したように本考案に係る半同軸共振器
では、外部導体又は外部導体端板のいずれかの部
分に周波数離調棒挿入孔を設けているので、この
挿入孔より周波数離調棒を挿入することにより該
共振器の共振周波数を容易に高い方又は低い方へ
ずらして離調させることができる。従つて、この
ような半同軸共振器を多段にもつ導波管形帯域阻
止波器でも、各半同軸共振器毎の中心周波数の
調整を手間がかからず、確実に、しかも能率よく
行うことができ、理想的な共振特性及び良好な
VSWR特性を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の帯域阻止波器の縦断面図、第
２図は半同軸共振器の周波数調整用ビスの挿入長
に対する共振周波数の変化を示す図、第３図は単
一の半同軸共振器をもつ帯域阻止波器の周波数
に対する透過減衰量の関係を示す図、第４図は多
段の半同軸共振器の共振特性図、第５図は本考案
に係る半同軸共振器を用いた導波管形帯域阻止
波器の一実施例を示す側面図、第６図は第５図の
Ｘ−Ｘ線断面図、第７図乃至第９図は本考案に係
る半同軸共振器を用いた導波管形帯域阻止波器
の第２，第３，第４実施例の横断面図である。 １，１₁〜１₃……半同軸共振器、２……導波管
形帯域阻止波器、３……主導波管、４……結合
孔、５……外部導体、６……中心導体、７……外
部導体端板、８……ネジ孔、９……周波数調整用
ビス、１０……ロツクナツト、１１……周波数離
調棒挿入孔、１２……周波数離調棒。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 外部導体の中心に中心導体が同軸状に配置さ
   れ、前記外部導体の長手方向の一端は外部導体端
   板で閉塞され、他端は開放され、前記中心導体の
   一端は前記端板に接続され、前記外部導体には内
   部の電界の強い位置に対応して共振周波数調整用
   ビスが螺入されて内部に突出されている半同軸共
   振器において、前記外部導体又は前記外部導体端
   板のいずれかの位置には周波数離調棒挿入孔が設
   けられていることを特徴とする半同軸共振器。