JPS63240544A - ネガ型レジスト組成物 - Google Patents
ネガ型レジスト組成物Info
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- JPS63240544A JPS63240544A JP62074848A JP7484887A JPS63240544A JP S63240544 A JPS63240544 A JP S63240544A JP 62074848 A JP62074848 A JP 62074848A JP 7484887 A JP7484887 A JP 7484887A JP S63240544 A JPS63240544 A JP S63240544A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体装置、フォトマスク等を製造するため
の微細パターン形成に適したネガ型レジスト組成物に関
する。
の微細パターン形成に適したネガ型レジスト組成物に関
する。
(従来の技術)
周知の如く、高密度集積回路、高速半導体素子、光部品
製造に際しての微細加工技術としては、電子線、X線、
イオンビーム等の電離放射線、或いはエキシマレーザ等
の短波長紫外線によるリソグラフィーが実用化されつつ
ある。特に、1μm以下の微細加工において、これらの
リソグラフィー技術は必要不可欠である。これらのリソ
グラフィー技術においては、基板上のレジスト膜に電離
放射線或いは紫外線を露光し、現像等により微細レジス
トパターンを形成した後、該レジストパターンをマスク
としてエツチングを施し、該パターンを基板に転写する
ものである。このエツチング工程に際しては、反応性イ
オンエツチングを主体とした転写精度の高いドライエツ
チングを用いることがサブミクロンレベルの微細加工を
行なうために必要となる。従って、サブミクロンレベル
の微細加工に用いる実用的なレジストとしては、ドライ
エツチングに対して充分な耐性を持ち、電離放射線や紫
外線に対する高い感度とサブミクロンレベルの高い解像
性を持つことが要求される。
製造に際しての微細加工技術としては、電子線、X線、
イオンビーム等の電離放射線、或いはエキシマレーザ等
の短波長紫外線によるリソグラフィーが実用化されつつ
ある。特に、1μm以下の微細加工において、これらの
リソグラフィー技術は必要不可欠である。これらのリソ
グラフィー技術においては、基板上のレジスト膜に電離
放射線或いは紫外線を露光し、現像等により微細レジス
トパターンを形成した後、該レジストパターンをマスク
としてエツチングを施し、該パターンを基板に転写する
ものである。このエツチング工程に際しては、反応性イ
オンエツチングを主体とした転写精度の高いドライエツ
チングを用いることがサブミクロンレベルの微細加工を
行なうために必要となる。従って、サブミクロンレベル
の微細加工に用いる実用的なレジストとしては、ドライ
エツチングに対して充分な耐性を持ち、電離放射線や紫
外線に対する高い感度とサブミクロンレベルの高い解像
性を持つことが要求される。
ところで、ドライエツチング耐性の高いネガ型レジスト
としては、従来より塩素化ポリスチレン、クロロメチル
化ポリスチレン等のスチレン系レジスト、或いはポリビ
ニルフェノールに増感剤としてアジド化合物を添加した
ネガ型レジストが知られている。
としては、従来より塩素化ポリスチレン、クロロメチル
化ポリスチレン等のスチレン系レジスト、或いはポリビ
ニルフェノールに増感剤としてアジド化合物を添加した
ネガ型レジストが知られている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、前者のスチレン系レジストは分子量を適
当に選択することによって実用的な感度が得られるもの
の、現像時に膨潤するために解像性が低下し、特定のパ
ターンを除いてサブミクロンレベルのパターンを形成す
ることが困難であるという問題があった。一方、後者の
ポリビニルフェノール−アジド系レジストは現像時での
膨潤が少なく高解像性を有するものの、実用的に充分な
感度が得られなりという問題があった。
当に選択することによって実用的な感度が得られるもの
の、現像時に膨潤するために解像性が低下し、特定のパ
ターンを除いてサブミクロンレベルのパターンを形成す
ることが困難であるという問題があった。一方、後者の
ポリビニルフェノール−アジド系レジストは現像時での
膨潤が少なく高解像性を有するものの、実用的に充分な
感度が得られなりという問題があった。
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、現像時での膨潤がなく高い解像性を有すると共
に、高い感度を有し、しかもドライエツチング耐性の高
いネガ型レジスト組成物を提供しようとするものである
。
もので、現像時での膨潤がなく高い解像性を有すると共
に、高い感度を有し、しかもドライエツチング耐性の高
いネガ型レジスト組成物を提供しようとするものである
。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明は、下記一般式(1)にて表される重合体の1種
以上とアジド化合物との混合物からなることを特徴とす
るネガ型レジスト組成物である。
以上とアジド化合物との混合物からなることを特徴とす
るネガ型レジスト組成物である。
但し、式中のR工〜R5は水素原子、アルキル基、アル
コキシ基、水酸基を示し、かつそれらのなかに1つ以上
の水酸基と1つ以上のアルキル基又はアルコキシ基が含
まれているもの。nは整数を示す。
コキシ基、水酸基を示し、かつそれらのなかに1つ以上
の水酸基と1つ以上のアルキル基又はアルコキシ基が含
まれているもの。nは整数を示す。
上記一般式(I)にて表される重合体としては、例えば
ポリ−8−メチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−2
−メチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−2,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−2,3−ジメ
チル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−2,3,5−)
リフチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−2,L5.
8テトラメチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−ロー
t−ブチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−4−t−
ブチル−3−ヒドロキシスチレン、ポリ−2−メチル−
5−t−ブチル−4−ヒドロキシスチレン、ボソー3−
メトキシ−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−4−メトキ
シ−3−ヒドロキシスチレン、ポリ−2−メチル−5−
メトキシ−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−2−メチル
−5−イソプロピル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−
3−イソプロピル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−3
−エチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−3−シクロ
へキシル−4−ヒドロキシスチレン等を挙げることがで
きる。この中で、特にポリ−3−メチル−4−ヒドロキ
シスチレン、ポリ−2−メチル−4−ヒドロキシスチレ
ン、ポリ−2,5−ジメチル−4−ヒドロキシスチレン
、ポリ−2,3−ジメチル−4−ヒドロキシスチレン、
ポリ−3−t−ブチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ
−4−t−ブチル−3−ヒドロキシスチレン、ポリ−3
−メトキシ−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−4−メト
キシ−3−ヒドロキシスチレンは、解像性、感度等の性
能上と合成のし易さの点で好ましい。かかる重合体の分
子量は、3000〜100000の範囲にあるものが実
用性の点から好ましい。また、分子量分散度(My/M
n)は3以下であることが好ましいが、特に短分散であ
る必要はない。
ポリ−8−メチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−2
−メチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−2,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−2,3−ジメ
チル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−2,3,5−)
リフチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−2,L5.
8テトラメチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−ロー
t−ブチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−4−t−
ブチル−3−ヒドロキシスチレン、ポリ−2−メチル−
5−t−ブチル−4−ヒドロキシスチレン、ボソー3−
メトキシ−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−4−メトキ
シ−3−ヒドロキシスチレン、ポリ−2−メチル−5−
メトキシ−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−2−メチル
−5−イソプロピル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−
3−イソプロピル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−3
−エチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−3−シクロ
へキシル−4−ヒドロキシスチレン等を挙げることがで
きる。この中で、特にポリ−3−メチル−4−ヒドロキ
シスチレン、ポリ−2−メチル−4−ヒドロキシスチレ
ン、ポリ−2,5−ジメチル−4−ヒドロキシスチレン
、ポリ−2,3−ジメチル−4−ヒドロキシスチレン、
ポリ−3−t−ブチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ
−4−t−ブチル−3−ヒドロキシスチレン、ポリ−3
−メトキシ−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−4−メト
キシ−3−ヒドロキシスチレンは、解像性、感度等の性
能上と合成のし易さの点で好ましい。かかる重合体の分
子量は、3000〜100000の範囲にあるものが実
用性の点から好ましい。また、分子量分散度(My/M
n)は3以下であることが好ましいが、特に短分散であ
る必要はない。
上記アジド化合物としては、下記一般式(II)にて表
されるビスアジド化合物を用いることが望ましい。
されるビスアジド化合物を用いることが望ましい。
但し、式中のR6は−CH2−1−〇−1−CH−CH
−1−N−N−1−S−1−SO2−5−C−1−CH
−CH−C−CH−CH−1■ I3 を示す。このようなビスアジド化合物を具体的に例示す
ると、下記構造式(1)〜(工2)に示すものを挙げる
ことができる。また、前記一般式(II)以外のアジド
化合物とし°て下記構造式(13)〜(1B)のものを
用いることができる。
−1−N−N−1−S−1−SO2−5−C−1−CH
−CH−C−CH−CH−1■ I3 を示す。このようなビスアジド化合物を具体的に例示す
ると、下記構造式(1)〜(工2)に示すものを挙げる
ことができる。また、前記一般式(II)以外のアジド
化合物とし°て下記構造式(13)〜(1B)のものを
用いることができる。
上記一般式(1)にて表される重合体へのアジド化合物
の配合量は、該重合体に対して30重量%以下、好まし
く1〜20重量%の範囲することが望ましい。この理由
は、アジド化合物の配合量が30重量%を越えると、感
度の向上が飽和するばかりか、逆に解像性が低下する等
あ問題を発生する恐れがあるからである。
の配合量は、該重合体に対して30重量%以下、好まし
く1〜20重量%の範囲することが望ましい。この理由
は、アジド化合物の配合量が30重量%を越えると、感
度の向上が飽和するばかりか、逆に解像性が低下する等
あ問題を発生する恐れがあるからである。
なお、本発明のネガ型レジスト組成物が被覆される基板
としては、例えば不純物ドープシリコン基板単独、もし
くは該基板上に酸化シリコン層を介して多結晶シリコン
膜が堆積されたもの、該基板上にAノ、MOなどの金属
膜を堆積したものなどのシリコン半導体基板、ガリウム
砒素などの化合物半導体基板、或いは透明ガラス板上の
クロム膜、酸化クロム膜を積層したものなどのマスク基
板等を挙げることができる。
としては、例えば不純物ドープシリコン基板単独、もし
くは該基板上に酸化シリコン層を介して多結晶シリコン
膜が堆積されたもの、該基板上にAノ、MOなどの金属
膜を堆積したものなどのシリコン半導体基板、ガリウム
砒素などの化合物半導体基板、或いは透明ガラス板上の
クロム膜、酸化クロム膜を積層したものなどのマスク基
板等を挙げることができる。
(作用)
本発明によれば、一般式(1)にて表されるアジド化合
物との反応性を高めた特定の重合体の1種以上とアジド
化合物との混合物をレジストとして用いることによって
、従来のポリビニルフェノールを用いた場合に比べて2
〜5倍程度感度が高く、かつ良好な解像性、耐熱性及び
ドライエツチング耐性を冑する実用的な高性能のネガ型
レジストを得ることができる。
物との反応性を高めた特定の重合体の1種以上とアジド
化合物との混合物をレジストとして用いることによって
、従来のポリビニルフェノールを用いた場合に比べて2
〜5倍程度感度が高く、かつ良好な解像性、耐熱性及び
ドライエツチング耐性を冑する実用的な高性能のネガ型
レジストを得ることができる。
ポリビニルフェノールにアジド化合物を添加した従来の
レジスト組成物に電離放射線や紫外線等を照射すると、
放射線によるアジド化合物の分解からラジカル乃至パイ
ラジカルが発生し、これが重合体と反応して架橋反応が
進むものと推定され墨。本発明では、ポリビニルフェノ
ールのフェニル環の1つ以上の水素をアルキル基又はア
ルコキシ基で置換した構造を有するフェノール系重合体
に改質することによって、該重合体はアジド化合物との
反応性が高くなり、放射線によって効率的に架橋反応が
生じることを確認した。この反応性の上昇が本発明のレ
ジスト組成物の効果的な高感度化をもたらしているもの
と考えられる。反応性の上昇の原因は、アジド化合物の
分解によって発生したラジカル、パイラジカルと水酸基
とアルキル基又はアルコキシ基の水素との反応性が高い
ことに起因しているものと推定される。
レジスト組成物に電離放射線や紫外線等を照射すると、
放射線によるアジド化合物の分解からラジカル乃至パイ
ラジカルが発生し、これが重合体と反応して架橋反応が
進むものと推定され墨。本発明では、ポリビニルフェノ
ールのフェニル環の1つ以上の水素をアルキル基又はア
ルコキシ基で置換した構造を有するフェノール系重合体
に改質することによって、該重合体はアジド化合物との
反応性が高くなり、放射線によって効率的に架橋反応が
生じることを確認した。この反応性の上昇が本発明のレ
ジスト組成物の効果的な高感度化をもたらしているもの
と考えられる。反応性の上昇の原因は、アジド化合物の
分解によって発生したラジカル、パイラジカルと水酸基
とアルキル基又はアルコキシ基の水素との反応性が高い
ことに起因しているものと推定される。
(発明の実施例)
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例1
通常のラジカル重合により合成したポリ−3−1−ブチ
ル−4−ヒドロキシスチレン(重量平均分子量My −
12000) 100 ti量部に対し下記構造式(A
)のビスアジド化合物10重量部添加し、これら混合物
をエチルセロソルブに溶解してネガ型レジスト組成物(
試料NQI)を調製した。
ル−4−ヒドロキシスチレン(重量平均分子量My −
12000) 100 ti量部に対し下記構造式(A
)のビスアジド化合物10重量部添加し、これら混合物
をエチルセロソルブに溶解してネガ型レジスト組成物(
試料NQI)を調製した。
また、通常のラジカル重合により合成したポリ−3−メ
゛チルー4−ヒドロキシスチレン(My −13000
) 100重量部に対し上記構造式(A)のビ・スアジ
ド化合物10重量部添加し、これら混合物をエチルセロ
ソルブに溶解してネガ型レジスト組成物(試料慮2)を
調製した。
゛チルー4−ヒドロキシスチレン(My −13000
) 100重量部に対し上記構造式(A)のビ・スアジ
ド化合物10重量部添加し、これら混合物をエチルセロ
ソルブに溶解してネガ型レジスト組成物(試料慮2)を
調製した。
更に、通常のラジカル重合により合成したポリ−2,5
−ジメチルー4−ヒドロキシスチレン(My −110
00) 100重量部に対し上記構造式(A)のビスア
ジド化合物10重量部添加し、これら混合物をエチルセ
ロソルブに溶解してネガ型レジスト組成物(試料Na5
)を調製した。
−ジメチルー4−ヒドロキシスチレン(My −110
00) 100重量部に対し上記構造式(A)のビスア
ジド化合物10重量部添加し、これら混合物をエチルセ
ロソルブに溶解してネガ型レジスト組成物(試料Na5
)を調製した。
次いで、ヘキサメチルジシラザンで処理したシリコン基
板上に前記3つのネガ型レジスト組成物を夫々回転塗布
し、乾燥して厚さ1.0μmのレジスト膜を形成した。
板上に前記3つのネガ型レジスト組成物を夫々回転塗布
し、乾燥して厚さ1.0μmのレジスト膜を形成した。
つづいて、これらのレジスト膜を90℃、10分間のプ
リベーク処理を施した後、加速電圧20kVの電子ビー
ムを幅200μm1長さ500μmの矩形状パターンに
照射した。ひきつづき、これらのレジスト膜を5%テト
ラメチルアンモニウムヒドキサイド水溶液で現像処理し
、非露光部を溶解除去した後、純水でリンス処理を行な
い3種のレジストパターンを形成した。その後、100
℃、10分間のポストベーク処理を行なった。
リベーク処理を施した後、加速電圧20kVの電子ビー
ムを幅200μm1長さ500μmの矩形状パターンに
照射した。ひきつづき、これらのレジスト膜を5%テト
ラメチルアンモニウムヒドキサイド水溶液で現像処理し
、非露光部を溶解除去した後、純水でリンス処理を行な
い3種のレジストパターンを形成した。その後、100
℃、10分間のポストベーク処理を行なった。
しかして、上記レジストパターンの形成工程において、
50%残膜点での電子線照射量(m子線感度)を測定し
たところ、下記第1表に示す結果を得た。なお、第1表
中には比較例1として通常のラジカル重合により合成し
たポリビニルフェノール(M w −9000) 10
0重量部に対し上記構造式(A)のビスアジド化合物1
0重量部添加し、これら混合物をエチルセロソルブに溶
解して調製したネガ型レジスト組成物(試料Nα4)を
用いた以外、実施例1と同様な方法によりレジストパタ
ーンを形成し、更にボストベーク処理を施したものにつ
いて同様な電子線感度を併記した。但し、比較例では2
%テトラメチルアンモニウムヒトキサイド水溶液を用い
て現像処理した。
50%残膜点での電子線照射量(m子線感度)を測定し
たところ、下記第1表に示す結果を得た。なお、第1表
中には比較例1として通常のラジカル重合により合成し
たポリビニルフェノール(M w −9000) 10
0重量部に対し上記構造式(A)のビスアジド化合物1
0重量部添加し、これら混合物をエチルセロソルブに溶
解して調製したネガ型レジスト組成物(試料Nα4)を
用いた以外、実施例1と同様な方法によりレジストパタ
ーンを形成し、更にボストベーク処理を施したものにつ
いて同様な電子線感度を併記した。但し、比較例では2
%テトラメチルアンモニウムヒトキサイド水溶液を用い
て現像処理した。
第 1 表
上記第1表から明らかなように、本発明に係わるの3種
のレジスト組成物では従来のポリビニルフェノールを重
合体として用いた比較例1のレジスト組成物に比べて4
〜10倍程度の高い電子線感度を有することがわかる。
のレジスト組成物では従来のポリビニルフェノールを重
合体として用いた比較例1のレジスト組成物に比べて4
〜10倍程度の高い電子線感度を有することがわかる。
実施例2
前記試料点1〜4のネガ型レジスト組成物を用い、放射
線として波長249 oIIの深紫外線を用いた以外、
実施例1と同様な方法によりレジストパターンの形成、
ボストベークを行ない、各レジストについて紫外線感度
を評価した。その結果を下記第2表に示した。
線として波長249 oIIの深紫外線を用いた以外、
実施例1と同様な方法によりレジストパターンの形成、
ボストベークを行ない、各レジストについて紫外線感度
を評価した。その結果を下記第2表に示した。
第 2 表
上記第2表から明らかなように、深紫外線を用いた場合
でも本発明に係わる3種のレジスト組成物では従来のポ
リビニルフェノールを重合体として用いた比較例2のレ
ジスト組成物に比べて2〜3倍程度の高い感度を有する
ことがわかる。
でも本発明に係わる3種のレジスト組成物では従来のポ
リビニルフェノールを重合体として用いた比較例2のレ
ジスト組成物に比べて2〜3倍程度の高い感度を有する
ことがわかる。
実施例3
ヘキサメチルジンラザンで処理したシリコン基板上に前
記試料Nα1〜3のネガ型レジスト組成物を夫々回転塗
布し、乾燥して厚さ1.0μmのレジスト膜を形成した
。つづいて、これらのレジスト膜を90℃、10分間の
プリベーク処理を施した後、加速電圧20kV、ビーム
径0.1μmの電子ビームをサブミクロンパターンを含
む所望のパターンに6〜13μc/cdの照射量で照射
した。ひきつづき、これらのレジスト膜を5%テトラメ
チルアンモニウムヒトキサイド水溶液で現像処理し、非
露光部を溶解除去した後、純水でリンス処理を行なった
。
記試料Nα1〜3のネガ型レジスト組成物を夫々回転塗
布し、乾燥して厚さ1.0μmのレジスト膜を形成した
。つづいて、これらのレジスト膜を90℃、10分間の
プリベーク処理を施した後、加速電圧20kV、ビーム
径0.1μmの電子ビームをサブミクロンパターンを含
む所望のパターンに6〜13μc/cdの照射量で照射
した。ひきつづき、これらのレジスト膜を5%テトラメ
チルアンモニウムヒトキサイド水溶液で現像処理し、非
露光部を溶解除去した後、純水でリンス処理を行なった
。
次いで、100℃、10分間のポストベーク処理を行な
った後、各レジストパターンを評価したところ、膨潤の
発生のないサブミクロンパターンが高解像度に形成され
ていることが確認された。
った後、各レジストパターンを評価したところ、膨潤の
発生のないサブミクロンパターンが高解像度に形成され
ていることが確認された。
実施例4
本発明に係わる試料N11l〜3、比較例としての試料
NQ4のネガ型レジスト組成物及び代表的な放射線用レ
ジストであるポリメチルメタクリレートePMMA)を
用いて前記実施例1と同様な方法でシリコン基板上に厚
さ1.0μmのレジスト膜を形成し、プリベークした後
、これらレジスト膜についてドライエツチング速度比率
を測定した。その結果を下記第4表に示した。なお、こ
の試験はLAM社製商品名L A M −480のドラ
イエツチング装置を使用し、エツチングガス組成:cc
ノ4.130SCCM 、Ha 50SCCM、圧カニ
210 mtorr sパワー : 250 Wの条
件でエツチングを行なった。また、第3表では本発明及
び比較例のレジストのエツチングレート比率をPMMA
のエツチング速度を1とした相対値で示した。
NQ4のネガ型レジスト組成物及び代表的な放射線用レ
ジストであるポリメチルメタクリレートePMMA)を
用いて前記実施例1と同様な方法でシリコン基板上に厚
さ1.0μmのレジスト膜を形成し、プリベークした後
、これらレジスト膜についてドライエツチング速度比率
を測定した。その結果を下記第4表に示した。なお、こ
の試験はLAM社製商品名L A M −480のドラ
イエツチング装置を使用し、エツチングガス組成:cc
ノ4.130SCCM 、Ha 50SCCM、圧カニ
210 mtorr sパワー : 250 Wの条
件でエツチングを行なった。また、第3表では本発明及
び比較例のレジストのエツチングレート比率をPMMA
のエツチング速度を1とした相対値で示した。
第 3 表
上記第3表から明らかなように、本発明に係わるレジス
トはポジ型レジストであるPMMAに比べて1桁以上、
従来の試料NQ4のレジストとほぼ同程度の高いドライ
エツチング耐性を有することが確認された。
トはポジ型レジストであるPMMAに比べて1桁以上、
従来の試料NQ4のレジストとほぼ同程度の高いドライ
エツチング耐性を有することが確認された。
[発明の効果]
以上詳述した如く、本発明によれば現像時での膨潤がな
く高い解像性を有すると共に、高い感度を有し、しかも
ドライエツチング耐性の高い実用的なネガ型レジスト組
成物を得ることができ、ひいては半導体装置、フォトマ
スクの製造での微細加工工程に有効に利用できる等顕著
な効果を有する。
く高い解像性を有すると共に、高い感度を有し、しかも
ドライエツチング耐性の高い実用的なネガ型レジスト組
成物を得ることができ、ひいては半導体装置、フォトマ
スクの製造での微細加工工程に有効に利用できる等顕著
な効果を有する。
Claims (3)
- (1)下記一般式( I )にて表される重合体の1種以
上とアジド化合物との混合物からなることを特徴とする
ネガ型レジスト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、式中のR_1〜R_5は水素原子、アルキル基、
アルコキシ基、水酸基を示し、かつそれらのなかに1つ
以上の水酸基と1つ以上のアルキル基又はアルコキシ基
が含まれているもの。nは整数を示す。 - (2)重合体が、ポリ−3−メチル−4−ヒドロキシス
チレン、ポリ−2−メチル−4−ヒドロキシスチレン、
ポリ−2,5−ジメチル−4−ヒドロキシスチレン、ポ
リ−2,3−ジメチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ
−3−t−ブチル−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−4
−t−ブチル−3−ヒドロキシスチレン、ポリ−3−メ
トキシ−4−ヒドロキシスチレン、ポリ−4−メトキシ
−3−ヒドロキシスチレンであることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載のネガ型レジスト組成物。 - (3)アジド化合物が下記一般式(II)にて表されるビ
スアジド化合物であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のネガ型レジスト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、式中のR_6は−CH_2−、−O−、−CH=
CH−、−N=N−、−S−、 −SO_2−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼ を示す。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62074848A JPS63240544A (ja) | 1987-03-28 | 1987-03-28 | ネガ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62074848A JPS63240544A (ja) | 1987-03-28 | 1987-03-28 | ネガ型レジスト組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63240544A true JPS63240544A (ja) | 1988-10-06 |
Family
ID=13559145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62074848A Pending JPS63240544A (ja) | 1987-03-28 | 1987-03-28 | ネガ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63240544A (ja) |
-
1987
- 1987-03-28 JP JP62074848A patent/JPS63240544A/ja active Pending
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