JPS63239666A - 回転円板形記憶装置 - Google Patents

回転円板形記憶装置

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JPS63239666A
JPS63239666A JP62279259A JP27925987A JPS63239666A JP S63239666 A JPS63239666 A JP S63239666A JP 62279259 A JP62279259 A JP 62279259A JP 27925987 A JP27925987 A JP 27925987A JP S63239666 A JPS63239666 A JP S63239666A
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drive mechanism
storage device
transducer
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謙一郎 松原
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    • G11B33/1413Reducing the influence of the temperature by fluid cooling
    • G11B33/142Reducing the influence of the temperature by fluid cooling by air cooling

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は回転円板形記憶装置に関し、特に、装置内部の
塵埃除去及び冷却に好適な空気循環路構造を有する密閉
形の回転円板形記憶装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来の磁気ディスク装置などの回転円板形記憶装置では
、装置内部の塵埃の除去及び駆動系の冷却を行う構造と
して例えば特開昭55−8692号公報に開示されてい
るように、磁気ディスクなどの回転円板をシュラウドで
囲み回転円板のアクセス機構を含む全体をカバーで密閉
し、外部から清浄空気を供給する強制給気方式がある。
また1例えば特開昭58−200480号公報に開示さ
れているように、回転円板の回転によって生じる装置内
部の空気循環流を利用する内部循環方式がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術のうち、強制給気方式の構造のものは、外
部からの塵埃及び湿気の侵入の危険性やブロワ設置のた
めの費用と空間が必要でコストの上昇と空間記憶密度の
低下を招く欠点がある。そこで、全体を密閉手段内に収
め、外部からの給気を中止して密閉形の内部循環方式の
構造とすると円板間に挿入されたトランスデユーサ支持
手段の上流側から密閉手段の駆動機構設置部側に流出し
た流れが、トランスデユーサ支持手段の下流側から再び
密閉手段の回転円板設置部側に逆流し、このために駆動
手段、特にガイド手段及びコイルから発生した塵埃が円
転円板設置部内に侵入し、トランスデユーサと回転円板
の間に流入してクラッシュ事故の原因となっていた、特
に、駆動機構設置部内に気体の濾過手段を設け、清浄に
した気体を回転円板設置部内に回流させる場合、濾過手
段における圧力損失のために駆動機構設置部の圧力が高
まり、前記逆流がますます強まる問題点があった。
本発明の目的は、密閉手段内に回転円板と駆動機構が!
2置されている構造において、密閉手段の回転円板設置
部に汚染気体が侵入することのない信頼性の高い回転円
板形記憶装置を提供することにある。
上記目的は、密閉手段を回転円板設置部と駆動機構設置
部に隔離する隔離手段と、回転円板設置部から駆動機構
設置部へ取気し、また、トランスデユーサ支持手段の移
動を許容する第1の開口部と、前記駆動機構設置部から
ろ過手段を備える排気手段を経て前記回転円板設置部へ
排気する第2の開口部と、回転円板設置部側において第
1の開口部側から第2の開口部側への流れを阻害するた
めの阻流手段とを備えることにより達成される。
〔作用〕
このような構成において、気密手段の駆動機構設置部側
の圧力は、回転円板設置部側におけるトランスデユーサ
支持手段の上流側の圧力の影響を受けにくくなり、第1
の開口部を通って回転円板設置部側から駆動機・構設置
部側へ流入する気体の大部分が、トランスデユーサ支持
手段の下流側から流入し、この流入した気体は、駆動機
構系を冷却したのち、排気手段のろ過手段を通ってろ過
された後、第2の開口部を通って回転円板設置部側に排
気される。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例として、密閉形磁気ディスク装
置について説明する。この実施例では。
複数の磁気ディスクが水平軸に立位状態で設けられてお
り、トランスデユーサが磁気ディスク面を半径方向に移
動する構造のものである。
以下、本発明の一実施例を第1図乃至第3図により説明
する。第1図は断面側面図で、第2図の1−1’線矢視
断面を示している。第2図は第1図のn−n’H矢視断
面図を示している。また第3図は第2図のm −it’
線矢視断面の要部を示す図である。
回転軸]に装置された複数枚の円板である磁気ディスク
2は1図の矢印へ方向に回転する。トランスデユーサ3
はスライダ4に搭載され、さらに支持手段5によって、
搭載手段6に連接している。
搭載手段6はボールベアリング7並びにガイドレール8
から成るガイド手段9に導かれて、トランスデユーサ3
の移動方向を磁気ディスク2の半径方向に規定する。こ
の搭載手段6はコイル10及び磁石11から成る駆動手
段12によって磁気ディスク2の半径方向に移動する。
これらの全体は密閉手段13によって囲まれている。磁
気ディスク2が設置されている回転円板設置部14とガ
イド手段9#、びに駆動手段12とを設置した駆動機構
設置部15とは、第1の隔離手段16によって分られて
いる。前述の密閉手段13は、円板設置部14と駆動機
構設置部15が別体で形成され、これらの設置部14.
15には例えばボルトにより一体的に結合するためのフ
ランジ14A、15Aが形成されている。前述の第1の
隔離手段1Gの外周縁は、前述の設置部14,15のフ
ランジ14A、15A間にシール部材31を介在して位
置しており、設置部14.15の結合時に、シール性を
もたせて一体的に結合される。
前述の第1の隔離手段16には、第1の開口部17が設
けられている。この第1の開口部17は、トランスデユ
ーサ支持手段5の貫逍と半径方向の移動を許容すると共
に、回転円板設置部14から駆動機構設置部15へ取気
する開口でもある。この第1の開口部17の開口位置は
、トランスデユーサ支持手段5よりも上流側の開口面積
(第2図のDの範囲の部分の面積)が下流側の開口面精
(第2図のEの範囲の部分の面積)の開口面積よりも小
さくなるように設定している。駆動I1%構設置部15
内には搭載手段6の移動方式に沿って第2の隔離手段2
1が設けられている。そして、この第2の隔離手段21
と駆動機構設置部15とで形成される流路19には気体
の濾過手段18が設置され、その出口18/lは第1の
隔渭手段16に設けられた第2の開口部20に連通して
いる。なお、この第2の隔離手段21は、第1の隔離手
段16、及び駆動機構設置部15の内壁との結合面部に
シール部材31を介在して結合され、流路19を気密に
保っている。この濾過手段18の出口18aから第2開
口部20までは、第2の隔離手段21によって駆動機構
設置部15の他の部分とは隔離されている。これによっ
て、濾過手段18と第2の開口部20と第2の隔離手段
21によって、排気手段22を形成している。濾過手段
18の入口18bは、気流路24によって駆動手段12
の背面と連通している。第1の阻流手段26は、密閉手
段13の回転円板設置部14側において第1の開口部1
7の下流側端縁25と第2の開口部20との間に位置す
るように設けている。
該第1の阻流手段26は、磁気ディスク2の外周とわず
かの隙間を介して接近している。第1の阻流手段26の
回転軸1に沿う方向の長さは、複数枚の磁気ディスク2
の両端側の磁気ディスク2a及び2b間の長さが少なく
とも必要であって5本実施例では回転円板設置部14の
両壁面間の長さとしている。
さらに第2図と第3図に示しているように前記両端側の
磁気ディスク2a及び2bと密閉手段13の回転円板設
置部14のそれらと対向する側壁27a及び27bとの
間には、第2の阻流手段28が設けられている。第2の
阻流手段28は、第1の阻流手段26と同じように、第
1の開口部17の下流側端縁25と、第2の開口部20
の間に位置するように設けられているにの第2の阻流手
段28は、その磁気ディスク内径側の先端が、第1の阻
流手段26の先端よりも内径側にあり、回転軸1の方向
には両端面側の磁気ディスク2a及び2bとの間に隙間
を有している。
この第2の阻流手段28は、前述の第1の阻流手段26
と別体構造とし、前述の位置に配設されるように、回転
円板設置部14の側壁27a及び27bに固定している
。またこれに代わり、第2の阻流手段28は第1の阻流
手段26と一体構造にしてもよい。
このような構成において、複数枚の磁気ディスク2が第
1図における矢印51方向に回転すると。
磁気ディスク間の気体は磁気ディスクと同じ方向に回転
し、また回転円板設置部14側における第1の隔離手段
16近傍の流れも第4図の流線52に示すように磁気デ
ィスク2の回転方向に流れる。
この流れに誘起されて、駆動機構設置部15側における
第1の隔離手段16近傍の流れも第4図の流線53に示
すように流路52に示す流れに沿うように流れる。この
流線52と53で示す流れは、第1の開口部17に位置
する混合域54で混合流となり、この混合流は、第1及
び第2の阻流手段26及び28にその流れが阻害される
このように、密閉手段13の駆動機構設置部15内の圧
力は、トランスデユーサ支持手段5の上流側の圧力の影
響を受けにくくなり、密閉手段13の回転円板設置部1
4からの取気の大部分は、第1の開口部17のトランス
デユーサ支持手段5の下流側から流入するようになる。
また、排気手段22を構成する第2の開口部20の圧力
は、取気のための第1の開口部17の圧力よりも十分に
低くなり、前記取気のための第1の開口部17から駆動
機構設置部15へ流入する流れを増やし、逆流が防止さ
れる。
また、第2の阻流手段28は、第1の阻流手段26より
も磁気ディスク2の内径側まで延伸しているため、静止
壁面と磁気ディスク2間の流路において前記取気口であ
る第1の開口部17に対向する部分の圧力が高まる。こ
れによって、磁気ディスク2にはさまれた流路の圧力の
高い気流が静止壁面と磁気ディスク2との間の流路に逆
流することがなくなる。
以上によって、濾過手段18を通過しないで気密手段1
3の駆動機構部15から回転円板設置部14に逆流する
流れがなくなる6 本実施例によれば、回転円板設置部14から駆動機構設
置部15に第1の開口部17を通して取気した流れを、
すべて濾過手段18を通過させて排気手段22を経て回
転円板設置部14に戻すことができる。したがって、塵
埃を含む汚染気体が回転円板設置部14に挿入してクラ
ッシュ事故が発生することが防止でき、信頼性の高い密
閉形磁気ディスク装置を得ることができる。このことに
よって、外部給気手段の節約によるコスト低減効果と空
間記憶密度の向上効果が得られる。
なお、本発明の技術手段は外部給気形磁気ディスクにお
いても1回転円板部から駆動機構部への流れを確実にし
、わずかの逆流も起させない効果を有することは勿論で
ある。
第6図、第7図及び第8図は、本発明における第1の阻
流手段26及び第2の阻流手段28の他の例を示す斜視
図である。
これら各実施例は、いずれも、第1の阻流手段26と第
2の阻流手段28が一体構造となっている。そして、第
1の同流手段26は、その磁気ディスク内径方向の長さ
が両端側から中央部側に向うに従って長くなるように構
成されている。
本実施例の場合においては、トランスデユーサ支持手段
のうち、特に位置決めをつかさどるトランスデユーサの
支持手段は、その位置決めという役割の特殊性から、他
のデータを読み書きするためのトランスデユーサの支持
手段と多少形状が大きめになっている。このため、この
部分の下流側の圧力低下は、他の部分よりも大きくなっ
ている。
一般に、この様な位置決めをつかさどるトランスデユー
サは、装置の熱変形によるオフトラックをきらうため、
磁気ディスク2の積層方向に関して中央付近に配賄さ才
しる傾向にあり5本実施例の場合もその様になっている
この様な磁気ディスク積層方向に関する阻流手段位置で
の圧力アンバランスは、他にも色々な原因で発生する。
例えば、静止壁面と磁気ディスクの間の圧力は他の部分
に比べて低い。また、前述のような特別に形状の異なる
トランスデユーサ支持手段を使用することがなく、全て
同一形状のトランスデユーサ支持手段を用いた場合にも
、圧力のアンバランスが生じる。静止壁面と磁気ディス
クとの間の圧力低下を補うための第2の阻流手段28の
阻流効果を十分なまでにするには、第1の開口部17下
流端における第2の阻流手段28の設置されている場所
での圧力分布は、逆に第1のμ■流手段26設置場所よ
りも高いものとならざるを得ない。このため、この部分
には、第5図に示すような2次流れ56が駆動機構設置
部15側から誘起され、圧力のアンバランスを助長する
結果となる。他にも組み立て上の問題から第2図では回
転軸1と直交する中心線に対して左右対象の様に見える
回転円板設置部も、わずかに非対称になっているため、
圧力アンバランスも左右対称ですらない。ただし本例の
場合ではこの左右の非対称性は無視し得る程度であるた
め、第6図から第8図の例は左右対称となつ”Cいるが
、装置の設計上、非対称の大きなアンバランスがある場
合には、その状況に応じた非対称の阻流効果を有する阻
流板の形状にしなくてはならないことは、もちろんであ
る。
第6図に示す実施例において、第1の阻流手段26は多
数の歯26Aを有している。この歯26Aは両端側から
中央部に向って長く構成している。
また、特に中央部の126Aは、磁気ディスク間に挿入
できるように、幅寸法を決めている。
本実施例において、第1の阻流手段26の構成は、磁気
ディスクの積層方向に対する圧力バランスを調整するこ
とが歯26Aの主要な目的であるから、あまり多くの循
環流量が必要でない場合には、第7図に示すように一部
分だけに歯26Aを配したり、第8図の様に中央部が磁
気ディスク側に突出する弧状にすることでも効果が得ら
れる。
第9図は本発明の他の実施例を示す断面側面図である。
この例において、第1図と同一符号は同一部分を示して
いる。回転円板設置部14と駆動機構設置部を隔離する
第1の隔離手段16は、トランスデユーサ支持手段5の
移動方向に垂直な複数の平面で構成されている。即ち、
第10図に示すように、第1の開口部17に対して上流
側の平面部16aが下流側の平面部16bに対して駆動
機構設置部15側に一定距離(第10図では距離D)ず
れているように配設されている。さらに、第1の隔離手
段16は、その上流側の平面部16aの下端部を、わず
かに駆動機構設置部】5側に曲げた傾斜部41を設けて
いる。
また、第1の隔離手段16には、その下流側の平面部1
6bの上端部に第1の阻流手段26及び第2の阻流手段
28が設けられている。第11図は、第10図に示す構
造における気体の流れを示したものである、磁気ディス
ク2が矢印51の方向に回転すると、回転円板設置部1
4側には、流線52で示す磁気ディスク2の回転方向の
流れが生じる。また、駆動機構設置部15側には、この
流れにより誘起される流線53で示す流れが生じる。こ
れら流線52及び53で示す流れは第1の開口部17に
位置する混合域54で混合流となる。
この混合域54を通過する流れは、第1の隔g2手段1
6の上流側変面部16aと下流側平面部16bとの間に
距離りのずれが設けであるため、殆んど全て駆動機構設
置部15側へと流れる。
更に、上流側平面部16aの下端側に設けた傾斜部41
の作用により、前述の混合域54は上流側平面部16a
の面よりは駆動機構設置部15側に移行するため、前述
の流入効果は更に確実なものとなり、駆動機構設置部1
5から第1の開口部17を経て回転円板設置部14八逆
流することがなくなる。
第12図及び第13図は第10図に示した取気促進構造
の変形例である。第12図に示した構造は、第1の隔離
手段16の上流側平面部16aと下流側平面部16bと
の間に距離りのずれをもたせたものである。また、第1
3図に示す構造は。
第1の隔離手段16の上流側平面部16aと下流側平面
部16bを同一平面とし、上流側平面部16aの下端側
に傾斜部41を設けたものである。
第11図のような構造にするとトランスデユーサ支持手
段の下流側の流れを殆んど全て駆動機橋設置部15側へ
流入させることができる。また、第13図のような構造
にすると、回転円板設置部14側からの気体を、トラン
スデユーサ支持手段の上流側から第1の隔離手段16の
上流側平面部16aに沿わせて駆動機構設置部15側に
流入させることができる。
以上述べてきたような阻流手段を第1の開口部下流端に
配することにより、磁気ディスク側の流れを限流すると
ともに、この阻流手段に沿う圧力バランスを整え逆流を
防止することは達成される。
しかし、このとき形成される流れは、阻流手段のすこし
上流側では、はぼ磁気ディスクと平行になっていおり、
磁気ディスクの外周部にごく近い部分が駆動機構設置部
側からの流れとの混合流になっている。したがって、こ
の混合流を回転円板設置部側に返さないためには、この
阻流手段の設置角度が重要になる。阻流手段の磁気ディ
スク内径方向に伸長する部分のより先端に近い部分の流
れを、駆動機構設置部側に引き込むためには、主流に対
して、より急な角度に設計すれば良い。少なくとも阻流
手段はその設置場所と磁気ディスクの回転中心を結ぶ線
上よりは上流側へ傾斜していることが有効である。
第14図は、さらに本発明の他の実施例における第1の
隔離手段16を示す。今までの説明からすでに明らかな
ように、これまでの例における第1の隔離手段16の第
1の開口部17から駆動機構設置部15への気体の流出
は、その大部分が第1の開口部17の下流端よりのわず
かな部分から行われる。
従って、第14図に示すように、前記の実施例における
第1の開口部17をトランスデユーサ支持手段の移動を
許容する第3の開口部35と1回転円板設置部14から
駆動機構設置部15へ地気するための第4の開口部36
とに分けた第1の隔離手段16も有効である。
この場合、第3の開口部35と第4の開口部36の間の
部分である中間壁37の働きにより、前述の混合現象並
びにそれに伴う塵埃の回転円板設置部14へのわずかな
侵入も発生しなくなる。
このため、より完全に塵埃の回転円板設置部14への流
入が防止される。
本実施例では、さらに第3の開口部38の下流端部にそ
って、第1の隔離手段16を切り分けて構成することに
より1組立を容易にすることができる。
第15図はさらに本発明の他の実施例における第1の隔
離手段16を示す1本実施例においては。
第3の開口部35を複数個の貫通窓により構成すること
で、各窓間に形成される柱38により、第4の開口部3
6より上流での気体の流出による回転円板設置部14側
の圧力の低下及び、駆動機構設置部15内の圧力の上昇
を防止することができる。これにより、第1の阻流手段
26及び第2の阻流手段28がより効果的に作用し、第
4の開口部36を介してより多くの気体を流出させるこ
とが可能になる6 第16図はさらに本発明の他の実施例における第1の隔
離手段16を示す0本実施例においては。
第4の開口部36と第2の開口部20をきわめて接近さ
せその境界に第1の阻流手段26を設けた構造をとるこ
とによって、第1の阻流手段26及び第2の阻流手段2
8の下流側の減圧効果をより有効に利用した。
第17図はさらに本発明の他の実施例における第1の隔
離手段16を示す0本実施例においては、第2図で示し
た実施例において第1の隔離手段16の第1の開口部1
7に、前記第15図の実施例と同様に複数の柱38によ
りトランスデユーサ支持手段が貫通移動するための複数
の貫通窓を形成し、各窓間に形成される柱38の効果の
みを利用する構成をした。この場合も先と同様の理由で
流量増加が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように1本発明によれば密閉手段の回転円
板設置部側に塵埃を含む汚染気体が侵入することがなく
、信頼性の高い記憶装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の断面側面図、第2図は第1
図のIT −TI ’線矢視断面図、第3図は第2図の
m−m’線矢視断面の要部を示す図、第4図は第1図〜
第3図に示す構造における気体の流れを説明する図、第
5図は阻流手段中央付近における圧力分布発生原因の説
明図、第6図、第7図及び第8図は本発明における阻流
手段の他の例を示す斜視図、第9図は本発明の他の実施
例の断面側面図、第10図は第9図における第1の隔離
手段を詳細に説明する斜視図、第11図は第9図及び第
10図に示す構造における気体の流れを説明する図、第
12図及び第13図は本発明における第1の隔離手段の
他の例を示す斜視図、第14図から第17図は本発明に
おける第1の隔離手段の更に他の例を示す斜視図である
。 2・・・磁気ディスク、14・・・回転円板設置部、1
5・・・駆動機構設置部、16・・・第1の隔離手段、
17・・・第1の開口部、20・・・第2の開口部、2
1・・・第2の隔離手段、22・・・排気手段、26・
・・第1の阻流手段、28・・・第2の阻流手段、41
・・・傾斜部、/・1♂

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、回転軸に装着された複数の円板と、この円板に対向
    して移動可能に支持されたトランスデューサと、このト
    ランスデューサを支持する支持手段と、このトランスデ
    ューサ支持手段を所定の方向に移動させる駆動手段と、
    これらを囲む密閉手段とを備えた回転円板形記憶装置で
    あつて、 前記密閉手段を回転円板設置部と駆動機構設置部に隔離
    する隔離手段と、 回転円板設置部から駆動機構設置部へ取気し、またトラ
    ンスデューサ支持手段の移動を許容する第1の開口部と
    、 前記駆動機構設置部に流入した気体をろ過手段を備える
    排気手段を経て前記回転円板設置部へ排気する第2の開
    口部と、 前記回転円板設置部側において、前記第1の開口部から
    第2の開口部への流れを阻害する阻流手段と を備えたことを特徴とする回転円板形記憶装置。 2、第1の開口部と第2の開口部は、回転円板設置部と
    駆動機構設置を隔離する隔離手段に設けられていること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の回転円板形記
    憶装置。 3、第1の開口部は、前記トランスデューサ支持手段よ
    りも上流側の開口面積が下流側の開口面積よりも小さく
    なるように配設されていることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の回転円板形記憶装置。 4、排気手段は、駆動機構設置部に設けられた隔離手段
    により形成された流路と、この流路内に設けられたろ過
    手段を備え、 前記流路のろ過手段入口側は駆動機構を経て第1の開口
    部に連通し、流路のろ過手段出口側は第2の開口部に連
    通していることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の回転円板形記憶装置。 5、回転軸に装着された複数の円板と、この円板に対向
    して移動可能に支持されたトランスデューサと、このト
    ランスデューサを支持する支持手段と、このトランスデ
    ューサ支持手段を所定の方向に移動させる駆動手段と、
    これらを囲む密閉手段とを備えた回転円板形記憶装置で
    あつて、 前記密閉手段を回転円板設置部と駆動機構設置部に隔離
    する第1の隔離手段と、 回転円板設置部から駆動機構設置部へ取気し、またトラ
    ンスデューサ支持手段の移動を許容する第1の開口部と
    、 駆動機構設置部に、ろ過手段を備える排気手段を構成す
    るための第2の隔離手段と、 前記駆動機構設置部に流入した気体を、前記排気手段を
    経て前記回転円板設置部へ排気する第2の開口部と、 前記回転円板設置部側において、前記第1の開口部から
    第2の開口部への流れを阻害する阻流手段であつて、複
    数の円板からなる円板群の外周面側に位置する第1の阻
    流手段と、円板群の両端面側とそれに対向する密閉手段
    の側壁の間に位置する第2の阻流手段とを有するものと
    、を備えたことを特徴とする回転円板形記憶装置。 6、第1の開口部と第2の開口部は、第1の隔離手段に
    設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第5項
    記載の回転円板形記憶装置。 7、第1の開口部は、前記トランスデューサ支持手段の
    上流側の開口面積が下流側の開口面積より小さくなるよ
    うに配設されていることを特徴とする特許請求の範囲第
    5項記載の回転円板形記憶装置。 8、第1の阻流手段と第2の阻流手段は一体的に構成さ
    れていることを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の
    回転円板形記憶装置。 9、回転軸に装着された複数の円板と、この円板に対向
    して移動可能に支持されたトランスデューサと、このト
    ランスデューサを支持する支持手段と、このトランスデ
    ューサ支持手段を所定の方向に移動させる駆動手段と、
    これらを囲む密閉手段とを備えた回転円板形記憶装置で
    あつて、 前記密閉手段を回転円板設置部と駆動機構設置部に隔離
    する第1の隔離手段と、 回転円板設置部から駆動機構設置部へ取気し、また、ト
    ランスデューサ支持手段の移動を許容する第1の開口部
    と、 駆動機構設置部に、ろ過手段を備える排気手段を構成す
    るための第2の隔離手段と、 前記駆動機構設置部に流入した気体を、前記排気手段を
    経て前記回転円板設置部へ排気する第2の開口部と、 前記回転円板設置部側において、前記第1の開口部から
    第2の開口部への流れを阻害する阻流手段であつて、複
    数の円板からなる円板群の外周側に位置し、阻流効果が
    円板群の中央付近で大きく両端寄りで小さい圧力バラン
    ス構造の第1の阻流手段と、回転円板群の両端面側とそ
    れに対向する密閉手段の側壁の間に位置し、前記第1の
    阻流手段の阻流効果より大きい阻流効果をもつ構造の第
    2の阻流手段とを有するものと、 を備えたことを特徴とする回転円板形記憶装置。 10、第1の阻流手段の前記円板群の外周と対向する縁
    は、複数の歯をもつ櫛状とし、これらの歯は円板間の空
    間部に対向していることを特徴とする特許請求の範囲第
    9項記載の回転円板形記憶装置。 11、第1の阻流手段の前記円板群の外周と対向する縁
    は、中央付近で円板の回転中心に近く、両端寄りで回転
    中心から遠い弧状をなしていることを特徴とする特許請
    求の範囲第9項記載の回転円板形記憶装置。 12、第1の阻流手段と第2の阻流手段は一体的に構成
    されていることを特徴とする特許請求の範囲第9項記載
    の回転円板形記憶装置。 13、第1の開口部と第2の開口部は、第1の隔離手段
    に設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第9
    項に記載の回転円板形記憶装置。 手段の上流側の開口面積が下流側の開口面積より小さく
    なるように配設されていることを特徴とする特許請求の
    範囲第9項記載の回転円板形記憶装置。 15、回転軸に装着された複数の円板と、この円板に対
    向して移動可能に支持されたトランスデューサと、この
    トランスデューサを支持する支持手段と、このトランス
    デューサ支持手段を所定の方向に移動させる駆動手段と
    、これらを囲む密閉手段とを備えた回転円板形記憶装置
    であつて、 前記密閉手段を回転円板設置部と駆動機構設置部に隔離
    する隔離手段と、 回転円板設置部から駆動機構設置部へ取気し、またトラ
    ンスデューサ支持手段の移動を許容する第1の開口部と
    、 前記駆動機構設置部に流入した気体を、ろ過手段を備え
    る排気手段を経て前記回転円板設置部へ排気する第2の
    開口部と、 を備え、 前記隔離手段は、第1の開口部を経て前記回転円板設置
    部から前記駆動機構設置への流れを促進させる取気促進
    構造に形成されていることを特徴とする回転円板形記憶
    装置。 16、回転円板設置部と駆動機構設置部を隔離する隔離
    手段は、トランスデューサ支持手段の移動方向に垂直な
    複数の平面で構成され、前記第1の開口部の上流側平面
    部が下流側平面部よりも駆動機構側に位置していること
    を特徴とする特許請求の範囲第15項記載の回転円板形
    記憶装置。 17、隔離手段の上流側平面部には、その第1の開口部
    側端に駆動機構側に曲げた傾斜部を設けたことを特徴と
    する特許請求の範囲第16項記載の回転円板形記憶装置
    。 18、回転円板設置部と駆動機構設置部を隔離する隔離
    手段は、トランスデューサ支持手段の移動方向に垂直な
    一つの平面で構成され、第1の開口部の上流側平面部に
    は、その第1の開口部側端に、駆動機構側に曲げた傾斜
    部を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第15項記
    載の回転円板形記憶装置。 19、トランスデューサを支持する支持手段と、このト
    ランスデューサ支持手段を所定の方向に移動させる駆動
    手段と、これらを囲む枠体手段と、この枠体手段に連な
    る冷却気体の給排気手段とを備えたものであつて、 前記枠体手段に設けられ、駆動機構を冷却するための気
    体を流入し、またトランスデューサの移動を許容する第
    1の開口部と、 前記枠体手段内に設けられ、駆動機構を冷却した気体の
    排気を行うためのろ過手段を備える排気手段と、 前記枠体手段に設けられ、前記排気手段からの気体を前
    記給排気手段側に排気する第2の開口部と、 前記給排気手段側において、前記第1の開口部から第2
    の開口部への流れを阻害する阻害手段と、 を備えたことを特徴とするトランスデューサの駆動機構
    冷却構造。 20、回転軸に装着された複数の円板と、この円板に対
    向して移動可能に支持されたトランスデューサと、この
    トランスデューサを支持する支持手段と、このトランス
    デューサ支持手段を所定の方向に移動させる駆動手段と
    、これらを囲む密閉手段とを備えた回転円板形記憶装置
    であつて、 前記密閉手段を回転円板設置部と駆動機構設置部に隔離
    する隔離手段と、 回転円板設置部から駆動機構設置部へ取気し、またトラ
    ンスデューサ支持手段の移動を許容する第1の開口部と
    、 前記駆動機構設置部に流入した気体をろ過手段を備える
    排気手段を経て前記回転円板設置部へ排気する第2の開
    口部と、 前記回転円板設置部側において、前記第1の開口部から
    第2の開口部への流れを阻害する阻流手段を備え、 前記阻流手段は、円板群の外周面側に位置する第1の阻
    流手段と、円板群の両端面側とそれに対向する密閉手段
    の側壁の間に位置する第2の阻流手段とを有し、第1の
    阻流手段及び/又は第2の阻流手段の伸長方向は、円板
    の回転中心方向もしくはそれよりも円板回転方向の上流
    側に向いているものであること、 を特徴とする回転円板形記憶装置。 21、第1の阻流手段と第2の阻流手段は一体的に構成
    されていることを特徴とする特許請求の範囲第20項記
    載の回転円板形記憶装置。 22、第1の開口部と第2の開口部は、第1の隔離手段
    に設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第2
    0項記載の回転円板形記憶装置。 23、第1の開口部は、トランスデューサ支持手段の上
    流側の開口面積が下流側の開口面積より小さくなるよう
    に配設されていることを特徴とする特許請求の範囲第2
    0項記載の回転円板形記憶装置。 24、回転軸に装着された複数の円板と、この円板に対
    向して移動可能に支持されたトランスデューサと、この
    トランスデューサを支持する支持手段と、このトランス
    デューサ支持手段を所定の方向に移動させる駆動手段と
    、これらを囲む密閉手段とを備えた回転円板形記憶装置
    であつて、 前記密閉手段を回転円板設置部と駆動機構設置部に隔離
    する隔離手段と、 トランスデューサ支持手段の移動を許容する第3の開口
    部と、 回転円板設置部から駆動機構設置部へ取気するための第
    4の開口部と、 前記駆動機構設置部に流入した気体を、ろ過手段を備え
    る排気手段を経て前記回転円板設置部へ排気する第2の
    開口部と、 前記回転円板設置部側において、前記第1の開口部から
    第2の開口部への流れを阻害する阻流手段と を備えたことを特徴とする回転円板形記憶装置。 25、第3の開口部は、複数のトランデューサ支持手段
    を複数のグループに分けた各々の貫通と移動を許容する
    複数の貫通窓から構成されていることを特徴とする特許
    請求の範囲第24項記載の回転円板形記憶装置。
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