JPS63238030A - 4−置換シクロヘキセニルハライド誘導体 - Google Patents
4−置換シクロヘキセニルハライド誘導体Info
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- JPS63238030A JPS63238030A JP6904487A JP6904487A JPS63238030A JP S63238030 A JPS63238030 A JP S63238030A JP 6904487 A JP6904487 A JP 6904487A JP 6904487 A JP6904487 A JP 6904487A JP S63238030 A JPS63238030 A JP S63238030A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学的表示材料として有用な新規の4−置
換シクロへキセニルハライド誘導体に関する。
換シクロへキセニルハライド誘導体に関する。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャ、ト(M−5
chadt )等(APPLIED PHYSIC8L
ETTER18。
chadt )等(APPLIED PHYSIC8L
ETTER18。
127〜128(1971))によって提案された電界
効果型セル(フィールド・エフェクト・モード・セル)
又はノー・エイチ・バイルマイヤー(G・HHeilm
eier )等[PROCEEDING OF THE
I 、E、E、E。
効果型セル(フィールド・エフェクト・モード・セル)
又はノー・エイチ・バイルマイヤー(G・HHeilm
eier )等[PROCEEDING OF THE
I 、E、E、E。
56.1162〜1171(1968)) によって
提案された動的光散乱型セル(ダイナミック・スキャッ
メリング・モード・セル)又はノー・エイチ・バイルマ
イヤー(G−HHeilmeier )等[: APP
LIEDPHYSIC8LETTER813、91(1
968) )あるいはディー・エル・ホワイト(nt、
whtte)等[JOURNALOF APPLIED
P)rYSIC845、4718(1974) )に
よって提案されたダスト・ホスト型セルなどがある。
提案された動的光散乱型セル(ダイナミック・スキャッ
メリング・モード・セル)又はノー・エイチ・バイルマ
イヤー(G−HHeilmeier )等[: APP
LIEDPHYSIC8LETTER813、91(1
968) )あるいはディー・エル・ホワイト(nt、
whtte)等[JOURNALOF APPLIED
P)rYSIC845、4718(1974) )に
よって提案されたダスト・ホスト型セルなどがある。
これらの液晶表示セルには種々の特性が要求されている
が、高速応答性と低いしきい値電圧(vth)は特に重
要な要求特性である。低いしきい値電圧を有する液晶表
示セルは低電圧駆動が可能となる。
が、高速応答性と低いしきい値電圧(vth)は特に重
要な要求特性である。低いしきい値電圧を有する液晶表
示セルは低電圧駆動が可能となる。
応等時間(τ)は液晶材料の粘度(η)と比例関係(τ
■η)にあることから、粘度の低い液晶材料を使用すれ
ば高速応答の液晶表示セルを作製することができる。現
在、このような目的で用いられている優れた粘度低下剤
には で表わされる化合物等がある。
■η)にあることから、粘度の低い液晶材料を使用すれ
ば高速応答の液晶表示セルを作製することができる。現
在、このような目的で用いられている優れた粘度低下剤
には で表わされる化合物等がある。
しかし、上記の化合物(、)は粘度を低下させるが、一
方に於いてしきい値電圧を上昇させるという欠点をもっ
ていた。
方に於いてしきい値電圧を上昇させるという欠点をもっ
ていた。
体液晶の粘度及びしきい値電圧を効果的に低下せしめる
新規化合物を提供することにある。
新規化合物を提供することにある。
本発明は、上記問題点を解決するために、一般式
で表わされる新規な化合物l提供する。
本発明に係る式(1)の化合物は、次の製造方法に従っ
て製造することができる。
て製造することができる。
式(II)の化合物を、クロロホルム、塩化メチレンの
如き塩素系溶媒中で、五塩化リン、ジエチルアミノスル
7アトリフルオライドの如きハロゲン化剤と反応させた
後、N、N’−ジメチルホルムアミド(DMF ) 、
1.3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI )
の如き有機溶媒中で、1.8−ジアザ−ビシクロ(5,
4,0)ウンデセン−7(DBU )、カリウムt−ブ
トキサイドの如き塩基′を反応させて本発明に係る式(
1)の化合物を製造する。
如き塩素系溶媒中で、五塩化リン、ジエチルアミノスル
7アトリフルオライドの如きハロゲン化剤と反応させた
後、N、N’−ジメチルホルムアミド(DMF ) 、
1.3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI )
の如き有機溶媒中で、1.8−ジアザ−ビシクロ(5,
4,0)ウンデセン−7(DBU )、カリウムt−ブ
トキサイドの如き塩基′を反応させて本発明に係る式(
1)の化合物を製造する。
斯くして製造された式(I)の代表的な化合物の転移温
度な第1弐に掲げる。
度な第1弐に掲げる。
ン
42 ′
本発明に係る式(1)の化合物はネマチック相を示すも
のと示さないものがあるが、例えば、負の誘電率異方性
を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で
動的光散乱型表示セルの材料として使用することができ
、また正又は負の誘電率異方性を有する他のネマチック
液晶化合物との混合物の状態で電界効果型表示セルの材
料として使用することができきる。
のと示さないものがあるが、例えば、負の誘電率異方性
を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で
動的光散乱型表示セルの材料として使用することができ
、また正又は負の誘電率異方性を有する他のネマチック
液晶化合物との混合物の状態で電界効果型表示セルの材
料として使用することができきる。
このように、式(1)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4’−1if換フエニルx スフ /L
/ 、 4− FJI ’&7クロヘキサンカルボン酸
4′−置換ビフェニルエステル、4−(4−置換シクロ
ヘキサンカルボニルオキシ)安息香酸4’−1ft換フ
エニルエステル、4−(4−置換シクロヘキシル) 安
息香04’ −Innフェニルエステル、4−(4−置
換シクロヘキシル)安息香酸−1’−置換シクロヘキシ
ルエステル、4−tt14’−置換ビフェニル、4装置
9フェニルー4′−置換シクロヘキ丈ン、4−置換4′
−置換ターフェニル、4−置換ビフェニル4’−tal
換シクシクロヘキサン−(4’−置換フェニル)−5−
置換ビリミジンなどを挙げることができる。
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4’−1if換フエニルx スフ /L
/ 、 4− FJI ’&7クロヘキサンカルボン酸
4′−置換ビフェニルエステル、4−(4−置換シクロ
ヘキサンカルボニルオキシ)安息香酸4’−1ft換フ
エニルエステル、4−(4−置換シクロヘキシル) 安
息香04’ −Innフェニルエステル、4−(4−置
換シクロヘキシル)安息香酸−1’−置換シクロヘキシ
ルエステル、4−tt14’−置換ビフェニル、4装置
9フェニルー4′−置換シクロヘキ丈ン、4−置換4′
−置換ターフェニル、4−置換ビフェニル4’−tal
換シクシクロヘキサン−(4’−置換フェニル)−5−
置換ビリミジンなどを挙げることができる。
第2表は時分割駆動特性の優れたネマチック液晶材料と
して現在汎用されている母体液晶(A)の90重量%と
第1表に示した式(I)の化合物煮1と&2のそれぞれ
10重量%とから成る各混合液晶について測定された粘
度としきい値電圧(vth)を掲示し、比較のために母
体液晶(A)、母体液晶(A)90重量%と優れた粘度
低下剤として一般的に使用されている下記の化合物(a
) 10重−X%とから成る混合液晶について測定され
た粘度とvthを掲示したものである。尚、母体液晶(
A)は、及び から成るものであり、化合物(a)は、次式で表わされ
るものである。
して現在汎用されている母体液晶(A)の90重量%と
第1表に示した式(I)の化合物煮1と&2のそれぞれ
10重量%とから成る各混合液晶について測定された粘
度としきい値電圧(vth)を掲示し、比較のために母
体液晶(A)、母体液晶(A)90重量%と優れた粘度
低下剤として一般的に使用されている下記の化合物(a
) 10重−X%とから成る混合液晶について測定され
た粘度とvthを掲示したものである。尚、母体液晶(
A)は、及び から成るものであり、化合物(a)は、次式で表わされ
るものである。
第 2 表
(A) 22.0 1
.51(A)+41 20.2
1.42(A)+ム2 20.4
1.43(A)+ム3 20.
7 1.45(A)+44
20.4 1.43(A)十厘5
19.9 1.36(A) +(a
) 20.2 1.5
3第2表から式(1)の化合物は母体液晶(A)の粘度
を低下させ、且つ、しきい値電圧を顕著に低下せしめる
ことが理解できる。
.51(A)+41 20.2
1.42(A)+ム2 20.4
1.43(A)+ム3 20.
7 1.45(A)+44
20.4 1.43(A)十厘5
19.9 1.36(A) +(a
) 20.2 1.5
3第2表から式(1)の化合物は母体液晶(A)の粘度
を低下させ、且つ、しきい値電圧を顕著に低下せしめる
ことが理解できる。
この優位性は粘度低下剤として一般的に使用されている
化合物(、)と比較すると、特にしきい値電圧の低下に
おいて明確である。
化合物(、)と比較すると、特にしきい値電圧の低下に
おいて明確である。
実施例1
F(0,676モル)をクロロホルム600m/に溶解
させ、これを五塩化リン183.9(0,880モル)
とクロロホルム366dの懸濁液中に15〜25℃で滴
下した後、さらに還流温度で2時間反応させた。
させ、これを五塩化リン183.9(0,880モル)
とクロロホルム366dの懸濁液中に15〜25℃で滴
下した後、さらに還流温度で2時間反応させた。
反応混合物を冷希塩酸中に加えた後1反応生成物をクロ
ロホルムで抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液から
クロロホルムを留去し、粗生成物1701を得た。
ロホルムで抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液から
クロロホルムを留去し、粗生成物1701を得た。
これに、DBU 30.811(0,203モル)とD
MF510ゴを加え、これらを攪拌しながら還流温度で
7時間反応させた。
MF510ゴを加え、これらを攪拌しながら還流温度で
7時間反応させた。
反応混合物を冷却し、希塩酸を加えて酸性とした後、反
応生成物をn−へキサンで抽出し、抽出液を水洗、乾燥
後、この液からn−ヘキサンを留去した。得られた反応
生成物をエタノールから再結晶させて精製し、下記化合
物125.9 (0,520モル)を得た。
応生成物をn−へキサンで抽出し、抽出液を水洗、乾燥
後、この液からn−ヘキサンを留去した。得られた反応
生成物をエタノールから再結晶させて精製し、下記化合
物125.9 (0,520モル)を得た。
実施例2
実施例1と同様にして下記化合物を得た。
転移温度24℃(C−+I)
8℃(lヰN)
実施例3
実施例1と同様にして下記化合物を得た。
22℃<N=x)
実施例4
実施例1と同様にして下記化合物を得た。
転移温度17℃(C−+X)
実施例5
(0,027モル)を塩化メチレン711Llに溶解さ
せ、これをジエチルアミノスルファトリフルオライド5
.0.9(0,031モル)と塩化メチレン2011t
lの溶液中に室温で加えた後、さらに18時間反応させ
た。
せ、これをジエチルアミノスルファトリフルオライド5
.0.9(0,031モル)と塩化メチレン2011t
lの溶液中に室温で加えた後、さらに18時間反応させ
た。
反応混ぜ物に水を加えた後、反応生成物を塩化メチレン
で抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液から塩化メチ
レンを留去し、粗生成物7.2Iを得た。
で抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液から塩化メチ
レンを留去し、粗生成物7.2Iを得た。
これに、DMI 20 mjとカリウムt−ブトキサイ
ド2.4.9(0,021モル)を加え、これらを攪拌
しながら140〜150℃で2時間反応させた。
ド2.4.9(0,021モル)を加え、これらを攪拌
しながら140〜150℃で2時間反応させた。
反応混合物を冷却し、希塩酸を加えて酸性とした後、反
応生成物をn−ヘキサンで抽出し、抽出液を水洗、乾燥
後、この液からn−ヘキサンを留去した。得られた反応
生成物をエタノールから再結晶させて精製し、下記化合
物4.2.9(0,017モル)を得た。
応生成物をn−ヘキサンで抽出し、抽出液を水洗、乾燥
後、この液からn−ヘキサンを留去した。得られた反応
生成物をエタノールから再結晶させて精製し、下記化合
物4.2.9(0,017モル)を得た。
本発明に係る式(1)の化合物は、一般的な混合液晶に
添加した場合、混合液晶の粘度を低下させ、且つ、しき
い値電圧を効果的に低下せしめることのできる化合物で
あり、しかも一般的な混合液晶にきわめて溶解性がよい
という特色をもっている。
添加した場合、混合液晶の粘度を低下させ、且つ、しき
い値電圧を効果的に低下せしめることのできる化合物で
あり、しかも一般的な混合液晶にきわめて溶解性がよい
という特色をもっている。
従って、本発明に係る式(1)の化合物は高速応答且つ
低電圧駆動の液晶表示セルを製作するための材料として
極めて有用である。
低電圧駆動の液晶表示セルを製作するための材料として
極めて有用である。
代理人 弁理士 高 橋 勝 利
手 続 補 正 書 (自発)
昭和62年5月フQ日
特許庁長官 黒 1)明 雄 殿 ゝ11
ど・”、、1’:X 1、事件の表示 昭和62年特許願第69044号 2、発明の名称 4−置換シクロヘキセニルハライド銹導体3、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 〒174 東京都板橋区坂下三丁目35番58号(2
88)大日本インキ化学工業株式会社代表者 用
村 茂 邦 4、代 理 人 〒103 東京都中央区日本橋三丁目7番20号大日
本インキ化学工業株式会社内 電話 東京(03)272−4511 (大代表)(8
876)弁理士高橋勝利 5、補正の対象 ・” 1 明細書の発明の詳細な説明の欄 ・・6、補正の
内容 (1)明細書第6頁における第1表を 「 第 1 表 I n−CH−OC11(C−+I) 2 n−C3H11−OCt 24(C−+I
) 8(I;N)3 n−Cl −OC115(C−
)N) 22(N;I)4 n−C11−I C117
(C→l)5 n−C11−OF 22(C−)I)補
正する。
ど・”、、1’:X 1、事件の表示 昭和62年特許願第69044号 2、発明の名称 4−置換シクロヘキセニルハライド銹導体3、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 〒174 東京都板橋区坂下三丁目35番58号(2
88)大日本インキ化学工業株式会社代表者 用
村 茂 邦 4、代 理 人 〒103 東京都中央区日本橋三丁目7番20号大日
本インキ化学工業株式会社内 電話 東京(03)272−4511 (大代表)(8
876)弁理士高橋勝利 5、補正の対象 ・” 1 明細書の発明の詳細な説明の欄 ・・6、補正の
内容 (1)明細書第6頁における第1表を 「 第 1 表 I n−CH−OC11(C−+I) 2 n−C3H11−OCt 24(C−+I
) 8(I;N)3 n−Cl −OC115(C−
)N) 22(N;I)4 n−C11−I C117
(C→l)5 n−C11−OF 22(C−)I)補
正する。
(2)明細書第7頁第8行目における
「でききる。」を
「できる。」に
補正する。
(3)明細書第8頁第7行目から第8行目における
[A1と)F62Jを
「I61〜&6」に
補正する。
(4)明細書第10頁における第2表を第 2 表
(A) 22.0 1.51
(A)+AI 20.2 1.42(A)−1−
A2 20.4 1.43(A)+A3 20.
7 1.45(A)+&4 20.4 1.43
(A)+A5 19.9 1.36(A)+A6
20.5 1.39(A) +(a) 2
0.2 1.53」に 補正 す′ る 1、 (5) 明細書第14頁第7行目と第8行目の行間に
次の文章を挿入する。
A2 20.4 1.43(A)+A3 20.
7 1.45(A)+&4 20.4 1.43
(A)+A5 19.9 1.36(A)+A6
20.5 1.39(A) +(a) 2
0.2 1.53」に 補正 す′ る 1、 (5) 明細書第14頁第7行目と第8行目の行間に
次の文章を挿入する。
「実施例6
実施例5と同様にして下記化合物を得た。
収 率 62%
転移温度 14℃(C→l)
2℃(t:N)、g
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、Rは炭素原子数1〜9の直鎖状ア ルキル基を表わし、シクロヘキサン環は トランス(エカトリアル−エカトリアル) 配置であり、nは0又は1を表わし、X はF又はClを表わす。] で表わされる化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6904487A JPS63238030A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 4−置換シクロヘキセニルハライド誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6904487A JPS63238030A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 4−置換シクロヘキセニルハライド誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63238030A true JPS63238030A (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=13391191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6904487A Pending JPS63238030A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 4−置換シクロヘキセニルハライド誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63238030A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0729952A1 (de) * | 1995-03-03 | 1996-09-04 | F. Hoffmann-La Roche Ag | 1-Fluorcyclohexen-Dioxan Derivate |
EP0736513A1 (de) * | 1995-04-04 | 1996-10-09 | F. Hoffmann-La Roche Ag | 1-Fluorcyclohexen-Difluorphenyl-Derivate |
DE10123986B4 (de) * | 2000-05-30 | 2010-10-14 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristallines Medium und seine Verwendung in einer Flüssigkristallanzeige |
CN103086849A (zh) * | 2012-12-18 | 2013-05-08 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种液晶化合物及其组合物 |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP6904487A patent/JPS63238030A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0729952A1 (de) * | 1995-03-03 | 1996-09-04 | F. Hoffmann-La Roche Ag | 1-Fluorcyclohexen-Dioxan Derivate |
EP0736513A1 (de) * | 1995-04-04 | 1996-10-09 | F. Hoffmann-La Roche Ag | 1-Fluorcyclohexen-Difluorphenyl-Derivate |
DE10123986B4 (de) * | 2000-05-30 | 2010-10-14 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristallines Medium und seine Verwendung in einer Flüssigkristallanzeige |
CN103086849A (zh) * | 2012-12-18 | 2013-05-08 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种液晶化合物及其组合物 |
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