JPS63236638A - 高周波回路用積層板 - Google Patents

高周波回路用積層板

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JPS63236638A
JPS63236638A JP7030387A JP7030387A JPS63236638A JP S63236638 A JPS63236638 A JP S63236638A JP 7030387 A JP7030387 A JP 7030387A JP 7030387 A JP7030387 A JP 7030387A JP S63236638 A JPS63236638 A JP S63236638A
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JP
Japan
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laminate
high frequency
ethylene
frequency circuit
unsaturated
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JP7030387A
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English (en)
Inventor
繁樹 横山
神谷 武
新川 武雄
永瀬 政勝
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Chukoh Chemical Industries Ltd
Eneos Corp
Original Assignee
Chukoh Chemical Industries Ltd
Nippon Petrochemicals Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は高周波回路用積層板に関し、詳しくは、電気的
特性、接着強度等の諸特性に優れ、マイクロ波用の機器
の回路板として用いられる高周波回路用積層板に関する
[従来技術およびその問題点] 近年、情報化社会の進展は目覚しく、それに伴ないマイ
クロ波に相当する周波数帯域においても衛星通信やパー
ソナル無線等によりその利用が拡大しつつある。
このマイクロ波帯域では信号速度および損失による回路
性能への影響が大きくなる。従って、全体としての回路
に対するのと同様、個別のチップ部品や回路用積層板に
対しても高周波帯域における信号゛速度の向上、損失の
低減が求められている。
すなわち、積層板上の回路の信号速度は誘電体の誘電率
に依存しており、誘電率が低くなるほど速度が速くなる
。また、信号の損失は誘電率と誘′電正接の積の増大に
伴って増加する。そのため、マイクロ波帯域で使用され
る積層板は誘電率や誘電正接がより小さいことが望まし
い。また、使用環境が激しくなってきており、耐環境性
も求められている。
このマイクロ波用III器に現用されている金属張り積
層板には、ガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板(以下
、エポキシ−ガラス材と称する)やガラス布基材フッ素
樹脂銅張積層板(以下、フッ素−ガラス材と称する)等
がある。
しかし、エポキシ−ガラス材は誘電率、誘電正接ととも
に太きく  IG)−12を超えると回路の損失が増大
して使用できない。また、吸水率が大きいので環境変化
により吸水が起こり電気特性の悪化がみられる。
一方、フッ素−ガラス材は電気特性に優れるものの、ス
ルーホールメッキ時に特別な表面処理を必要とし、かつ
金属との接着性が悪く、価格も極めて高価あるなどの問
題を抱いている。
更に他の方法として、ポリオレフィンを誘電体層として
用いる試みがなされている。しかしながら、ポリオレフ
ィンは無橿性であるために金属箔との接着強度が非常に
低く、基板の反りが生じ易いので好ましくない。
このような問題を解決するものとしてポリオレフィンと
金属箔との間に不飽和カルボン酸等で変性されたポリオ
レフィン層を介在させることにより、接着強度を向上さ
せた回路基板が知られている(特開昭61−19384
4号、特開昭61−193845号、特開昭61−19
3846号等)。
しかしながら、これらのものは、高周波回路用積層板に
要求される実用的な特性を必ずしも満足させるものでは
なかった。
[発明の目的] 本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、積
層板に要求される電気的特性、接着強度および耐水性等
を高い水準に維持し、金属張積層板としての価格が安く
、かつ回路加工性が良く、種々の環境下で安定した電気
特性を示す高周波回路用積層板を提供することを目的と
する。
[問題点を解決するための手段] 本発明の上記目的は、次に示す高周波回路用積層板によ
って達成される。
すなわち本発明は、超高分子量ポリエチレン層の少なく
とも片面に、不飽和カルボン酸またはその誘導体で変性
されたポリオレフィンおよび/またはエポキシ基含有オ
レフィン系重合体からなる接着層を介して、硬化性樹脂
含浸ガラスクロス層を積層した構造を基本とする多層構
造体の少なくとも片面に金属箔を積層してなることを特
徴とする高周波回路用積層板にある。
本発明で用いる超高分子量ポリエチレンは、135℃デ
カリン溶液における極限粘度が8dl/g以上、分子量
にして100万以上のポリエチレンであることが望まし
い。ここでいうポリエチレンとしては、エチレンの単独
重合体、エチレンと他のα−オレフィン、例えばプロピ
レン、ブテン−1、ペンテン−1、ヘキセン−1、オク
テン−1,4−メチル−1−ペンテン、スチレン等との
共重合体、エチレン重合体の塩素化物およびこれらの混
合物等が包含される。このような超高分子量ポリエチレ
ンからなる層の厚さは、30〜1000μが好ましい。
本発明においては、上記超高分子量ポリエチレン層の少
なくとも片面に、不飽和カルボン酸またはその誘導体に
よって変性されたポリオレフィンおよび/またはエポキ
シ基含有オレフィン系重合体からなる接着層を積層する
。上記変性ポリオレフィンに用いられるポリオレフィン
(オレフィン重合体)としては、低・中・高密度ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリ−4−メチ
ル−ペンテン−1等の単独重合体、エチレン、プロピレ
ンを主成分とする他のα−オレフィンまたは極性モノマ
ーとの共重合体、例えばエチレン−プロピレン共重合体
、エチレン−ブテン−1共重合体、エチレン−ヘキセン
−1共重合体、エチレン−4−メチル−ペンテン−1共
重合体、エチレン−オクテン−1共重合体またはプロピ
レン−エチレン共重合体、プロピレン−ブテン−1共重
合体またはエチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−
アクリル酸共重合体もしくはこれらの混合物が挙げられ
る。
また、不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メタア
クリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコ
ン酸、シトラコン酸等の一塩基酸および二塩基酸が挙げ
られる。また、不飽和カルボン酸の誘導体としては、上
記不飽和カルボン酸の金屈塩、アミド、イミド、エステ
ル、無水物等が挙げられるが、これらのうち無水マレイ
ン酸が扇も好ましい。
これら不飽和カルボン酸またはその誘導体く以下、不飽
和カルボン酸類という)の添加量は、ポリオレフィンに
対して0.05〜10重量%、好ましくは0.1〜0.
7重母%であり、有機過酸化物の存在下で加熱して生成
させる。ここに用いられる有機過酸化物としては、ベン
ゾイルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、2.
5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン等である。
このようにして得られた不飽和カルボン酸類で変性され
たポリオレフィン(以下、単に変性ポリオレフィンとい
う)からなる層の厚みは、10〜100μが好ましい。
一方、エポキシ基含有オレフィン系重合体としては、好
ましくは高圧ラジカル重合によるオレフィンと不飽和グ
リシジル基含有単量体との2元共重合体またはオレフィ
ンと不飽和グリシジル基含有単量体およびエチレン系不
飽和単量体との3元または多元の共重合体であり、上記
共重合体のオレフィンとしては特にエチレンが好ましく
、エチレン50〜99.95重量%、グリシジル基含有
単量体0.05〜50重量%、エチレン系不飽和単量体
O〜49.95重量%からなる共重合体が好ましい。
上記不飽和グリシジル基含有単量体としては、グリシジ
ルアクリレート、グリシジルメタアクリレート、イタコ
ン酸モノグリシジルエステル、ブテントリカルボン酸モ
ノグリシジルエステル、ブテントリカルボン酸ジグリシ
ジルエステル、ブテントリカルボン酸トリグリシジルエ
ステルおよびα−りaロアリル、マレイン酸、クロトン
酸、フマル酸等のグリシジルエステル類またはビニルグ
リシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、2−メ
チルアリルグリシジルエーテル、グリシジルオキシエチ
ルビニルエーテル、スチレン−p−グリシジルエーテル
等のグリシジルエーテル類、p−グリシジルスチレン等
が挙げられるが、特に好ましいものとしてグリシジルメ
タアクリレート、アリルグリシジルエーテルを挙げるこ
とができる。
また本発明のエチレン系不飽和単量体としては、オレフ
ィン類、ビニルエステル類、α、βエチレン性不性用飽
和カルボン酸はその誘導体等から選ばれた少なくとも1
種の単量体で、具体的にはプロピレン、ブテン−1、ヘ
キセン−1、デセン−1、オクテン−1、スチレン等の
オレフィン類、酢酸ビニル、ビニルプロピオネート、ビ
ニルベンゾエート等のビニルエステル類、アクリル酸も
しくはメタアクリル酸、アクリル酸もしくはメタアクリ
ル酸のメチル−、エチル−、プロピル−、ブチル−12
−エチルへキシル−、シクロヘキシル−、ドデシル−、
オクタデシル−等のエステル類、マレイン酸、マレイン
酸無水物、イタコン酸、フマル酸、マレイン酸モノ−1
およびジ−エステル、ビニルクロライド、ビニルメチル
エーテル、ごニルエチルエーテル等のビニルエーテル類
およびアクリル酸アミド系化合物等が挙げられるが、特
にアクリル酸エステルが好ましい。
高圧ラジカル重合法によるエポキシ基含有オレフィン系
重合体の製造法は前記のエチレン50〜99.95重ω
%、1種以上の不飽和グリシジル基含有単量体0.05
〜50重琵%、少なくとも1種のその他のエチレン系不
飽和単量体0〜49.95重量%のモノマーを、それら
の全単量体の総重量に基づいて0.0001〜1重量%
の遊離基触媒の存在下で重合圧力500〜4000kg
 / ci、好ましくは1000〜3500kg/ c
i 1反発部度50〜400℃、好ましくは100〜3
50℃の条件下、連鎖移動剤、必要ならば助剤の存在下
に槽型または管型反応器内で該単量体を同時に、あるい
は段階的に接触、重合させる方法である。
上記遊I!!を基触媒としてはペルオキシド、ヒドロペ
ルオキシド、アゾ化合物、アミンオキシド化合物、酸素
等の通例の開始剤が挙げられる。
また連鎖移動剤としては水素、プロピレン、ブテン−1
、C1〜Ctoまたはそれ以上の飽和脂肪族水素および
ハロゲン置換炭化水素、例えば、メタン、エタン、プロ
パン、ブタン、イソブタン、n−へキサン、n−へブタ
ン、シクロパラフィン類、クロロホルムおよび四塩化炭
素、C1〜C20またはそれ以上の飽和脂肪族アルコー
ル、例えばメタノール、エタノール、プロパツールおよ
びイソプロパツール、C1〜C20またはそれ以上の飽
和脂肪族カルボニル化合物、例えば二酸化炭素、アセト
ンおよびメチルエチルケトンならびに芳香族化合物、例
えばトルエン、ジエチルベンゼンおよびキシレンの様な
化合物等が挙げられる。
また本発明においては前記のエポキシ基含有オレフィン
系重合体を、前記のオレフィン重合体を混合希釈した組
成物として用いても差支えなく、この際の混合割合はエ
ポキシ基含有単量体の濃度が0.05〜50重量%の範
囲になる様に適宜選択される。上記エポキシ基含有単量
体の濃度が0.05重量%未満においては層間剥離強度
が弱く、実用に供せない恐れを生じる。一方、50重量
%を超えるものは取扱いにくいものとなる。
このようにして得られたエポキシ基含有オレフィン系重
合体からなる層の厚みは10〜100μ位が好ましい。
次に上記接着層の外面に硬化性樹脂含浸ガラスクロス層
を積層する。ここに用いられる硬化性樹脂としては、ポ
リエステル樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂等のエ
ポキシ樹脂、レゾール型フェノール樹脂等のフェノール
樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂等の熱硬
化性樹脂が好ましく用いられる。これら樹脂は、プリプ
レグ、プリミックス、あるいは有機溶剤または水で所定
樹脂含有量に希釈され、樹脂ワニスとしてガラスクロス
に含浸される。また、ガラスクロスとは、ガラス繊維を
編組したガラス織布をいう。この樹脂ワニス含浸ガラス
クロス層の厚みは50〜150μが好ましい。
さらに、本発明においては、硬化性樹脂含浸ガラスクロ
ス層の外面に金a箔を積層する。金属箔としては、銅、
アルミニウム、ニッケル、鉄等の金属またはこれらの合
金からなる箔(板)が用いられるが、とりわけ銅箔が好
ましい。この金属箔の厚みは、好ましくは5〜70μ、
さらに好ましくは10〜50μである。
本発明においては上記超高分子最ポリエチレン層(A)
/接着層(B)/硬化性樹脂含浸ガラスクロス層(C)
の積層された多層構造体を基本とした積層体に、金属箔
(D)を積層した高周波回路用積層板であり、具体的に
はA/B/C/D。
D/B/A/B/C/D、D/C/B/A/B/C/D
、D/C/B/A/B/C/B/A/B/C/D等であ
り、用途によって、剛性、曲げ強度等の機械的強度や耐
熱性等が要求される分野においては適宜積層して行なう
ことができる。
これら各成分からなる層は、各々積層され、例えば約s
 hg y ciのプレス加工条件下、170℃以上、
30分以上プレス加熱することによって、本発明の高周
波回路用積層板が得られる。
また、接着層(B)を押出機から押出すると同時に各層
も同時に繰出し積層押圧して連続的に成形することも可
能である。
[実施例] 以下、実施例等に基づき本発明を具体的に説明する。
実施例1 (A)  超高分子ポリエチレン(分子間300万、極
限粘度17dl/9(135℃デカリン溶液中)、商品
名:タフタレックス、日本石油化学■製)(厚さ250
μm) (8) 無水マレイン酸変性ポリエチレン(Ml = 
 1.Oa/10分、d  =  0.923 Q/c
i、商品名二日石Nポリマー16033 、日本石油化
学■製)(厚さ70μm) (C) プリプレグの作成 樹脂ワニス配合 ■ エポキシ樹脂(EP  #1001)・・・100
Q■ ジシアンジアミド(DICY)・・・ 4g■ 
ベンジルジメチルアミン(BDM△)・・・ 0.29 ■ メチルエチルケトン(MEK)・・・22γ9■ 
ジメチルフォルムアミド(DMF>・・・113g 上記配合で得られたワニスをエポキシ樹脂/ガラスクロ
スの重量化30/ 70となるようにガラスクロスに含
浸し、風乾25分後、160℃の熱風乾燥オーブンで4
分間乾燥してプリプレグを作成した。
(D)  銅箔(35μm) 上記各基材(A、B、C,D)を第1図に示すようにD
/C/B/A/B/C/Dの順に積層し、熱プレス成形
機で、温度170℃、圧力s kg /ci、30分間
の条件で8%層板を作成し、引きはがし強度(接着強度
)、電気的特性(誘電率、誘電圧接、絶縁抵抗)、吸水
率、加工性を評価し、その結果を第1表に示した。
実施例2 実施例1の各基材(A、B、C,D)を、(D/C/E
3/A/B/C/B/A/B/C/D)のように組合せ
て、実施例1のプレス条件で積層板にして同様に評価し
、その結果を第1表に示した。
比較例1〜2 従来、市販されているガラス布基材エポキシ樹脂銅張積
層板(エポキシ−ガラス材:比較例1)およびガラス布
基材フッ素樹脂銅張積層板(フッ素−ガラス材:比較例
2)について、実施例1と同様にして評価し、その結果
を第1表に示した。
第1表に示されるように、本発明である実施例1〜2の
積層板は、比較例1〜2の積層板に比較して、誘電率や
誘電正接が低いことから電気的特性に優れる。また、実
施例1〜2の積層板は耐吸水性や加工性も良好である。
[発明の効果コ 以上説明したように、超高分子jポリエチレン層、変性
ポリオレフィンおよび/またはエポキシ基含有オレフィ
ン重合体からなる接着層、硬化性樹脂含浸ガラスクロス
層を積層した構造を基本とする多層構造体に金属箔を積
層してなる本発明の高周波回路用積層板は、積層板とし
て要求される電気的特性、接着強度および耐吸水性等の
諸特性に優れる。
例えば、本発明の高周波回路用積層板は、従来のガラス
布基材エポキシ樹脂銅張積層板に比べて高周波特性が優
れる。すなわちマイクロ波用機器(パラボラアンテナ等
)に使用した場合に低損失である。
また、ガラス布基材フッ素樹脂銅張積層板に比較して加
工性がよく、かつ低価格であり、種々の環境下で安定し
た電気特性を示すものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の高周波回路用積層板の一実施例を示
す断面図である。 〈A);超高分子量ポリエチレン層、 (B):接着層、 (C):硬化性樹脂含浸ガラスクロス層、(D):金属
箔。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.超高分子量ポリエチレン層の少なくとも片面に、不
    飽和カルボン酸またはその誘導体で変性されたポリオレ
    フィンおよび/またはエポキシ基含有オレフィン系重合
    体からなる接着層を介して、硬化性樹脂含浸ガラスクロ
    ス層を積層した構造を基本とする多層構造体の少なくと
    も片面に金属箔を積層してなることを特徴とする高周波
    回路用積層板。
  2. 2.前記超高分子量ポリエチレンが135℃デカリン溶
    液による極限濃度が8dl/g以上である特許請求の範
    囲第1項記載の高周波回路用積層板。
  3. 3.前記不飽和カルボン酸またはその誘導体の添加量が
    ポリオレフィンに対して0.05〜10重量%である特
    許請求の範囲第1項または第2項記載の高周波回路用積
    層板。
  4. 4.前記不飽和カルボン酸またはその誘導体が無水マレ
    イン酸である特許請求の範囲第1項〜第3項のいずれか
    に記載の高周波回路用積層板。
  5. 5.前記エポキシ基含有オレフィン系重合体がエチレン
    と不飽和グリシジル基含有単量体からなるエチレン共重
    合体またはエチレンと不飽和グリシジル基含有単量体お
    よびエチレン系不飽和単量体からなるエチレン共重合体
    である特許請求の範囲第1項または第2項記載の高周波
    回路用積層板。
  6. 6.前記エチレン共重合体が、エチレン50〜99.5
    重量%、グリシジル基含有単量体0.05〜50重量%
    、エチレン系不飽和単量体0〜49.95重量%からな
    る共重合体である特許請求の範囲第5項記載の高周波回
    路用積層板。
  7. 7.前記不飽和グリシジル基含有単量体がグリシジルア
    クリレートもしくはグリシジルメタアクリレートである
    特許請求の範囲第5項または第6項記載の高周波回路用
    積層板。
  8. 8.前記硬化性樹脂がエポキシ樹脂である特許請求の範
    囲第1項〜第7項のいずれかに記載の高周波回路用積層
    板。
  9. 9.前記金属箔が銅箔である特許請求の範囲第1項〜第
    8項のいずれかに記載の高周波回路用積層板。
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