JPS63236045A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS63236045A JPS63236045A JP62070658A JP7065887A JPS63236045A JP S63236045 A JPS63236045 A JP S63236045A JP 62070658 A JP62070658 A JP 62070658A JP 7065887 A JP7065887 A JP 7065887A JP S63236045 A JPS63236045 A JP S63236045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- circuit pattern
- pattern
- patterns
- rom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フォトマスク、詳しくは、レチクルのパター
ン配列に関するものである。
ン配列に関するものである。
従来の技術
半導体装置、特にメモリー装置の製造では、回路の高集
積化、微細化へと進展しており、製造装置として縮小投
影型露光装置（ステッパー）が、高解像力、高アライメ
ント精度等の理由から、用いられ始めている。ステッパ
ーを用いて半導体装置を製造する場合は、半導体素子の
チップサイズの５倍から１０倍の大きさの回路パターン
をクロムにより石英のレチクル基板上に形成し、これを
マスクとして半導体基板上にフォトリソグラフィ用のパ
ターンを形成する。レチクルへのパターン配列は、例え
ば第２図に示すように、石英のレチクル基板１に回路パ
ターンＡ２を制限面積内で単数又は複数の配列で行う。
積化、微細化へと進展しており、製造装置として縮小投
影型露光装置（ステッパー）が、高解像力、高アライメ
ント精度等の理由から、用いられ始めている。ステッパ
ーを用いて半導体装置を製造する場合は、半導体素子の
チップサイズの５倍から１０倍の大きさの回路パターン
をクロムにより石英のレチクル基板上に形成し、これを
マスクとして半導体基板上にフォトリソグラフィ用のパ
ターンを形成する。レチクルへのパターン配列は、例え
ば第２図に示すように、石英のレチクル基板１に回路パ
ターンＡ２を制限面積内で単数又は複数の配列で行う。
前記配列によって、素子分離形成、トランジスタ形成、
半導体基板への不純物拡散形成、コンタクト形成、配線
形成など、各工程で用いられるレチクルが各工程ごとに
作成される。
半導体基板への不純物拡散形成、コンタクト形成、配線
形成など、各工程で用いられるレチクルが各工程ごとに
作成される。
発明が解決しようとする問題点
マスクＲＯＭの製造工程におけるＲＯＭデータ書き込み
のプロセスは、素子分離の有無、トランジスタのチャネ
ルの不純物濃度、コンタクトの有無など各々の回路要素
構成方式により、ある特定のマスク合せ工程で行ってい
る。従来の場合、ＲＯＭデータ書き込みプロセス用のレ
チクルをＲＯＭデータの数だけ作成し、データ書き込み
用工程での露光の際にＲＯＭデータの数に対応した枚数
のレチクルを使用してデバイスを製造する必要が有り、
製造効率の低下を招いていた。
のプロセスは、素子分離の有無、トランジスタのチャネ
ルの不純物濃度、コンタクトの有無など各々の回路要素
構成方式により、ある特定のマスク合せ工程で行ってい
る。従来の場合、ＲＯＭデータ書き込みプロセス用のレ
チクルをＲＯＭデータの数だけ作成し、データ書き込み
用工程での露光の際にＲＯＭデータの数に対応した枚数
のレチクルを使用してデバイスを製造する必要が有り、
製造効率の低下を招いていた。
問題点を解決するための手段
前記問題点に関し本発明は、レチクルのパターン配列を
１つのレチクルの中に異なった２つ以上のチップを形成
し得るように配列したものである。
１つのレチクルの中に異なった２つ以上のチップを形成
し得るように配列したものである。
作用
本発明により、マスクＲＯＭの製造効率が向上する。特
に、マスクＲＯＭの生産では、数個で１セツトとなる場
合が多いため、少量多品種に使用した場合、製造効率は
、著しく向上する。
に、マスクＲＯＭの生産では、数個で１セツトとなる場
合が多いため、少量多品種に使用した場合、製造効率は
、著しく向上する。
実施例
第１図の実施例のＲＯＭ書き込みプロセス用レチクルの
パターン配列平面図に従って説明する。
パターン配列平面図に従って説明する。
たとえば、石英を材質としたレチクル基板１に、異なっ
た４種類のＲＯＭ書き込み用パターン、すなわち、回路
パターンＡ２．回路パターンＢ３゜回路パターンＣ４，
回路パターンＤ５を、それぞれ、クロムを主成分とした
光学濃度の高い材料で形成し、一体に配列する。これに
より、一工程で４種類のＲＯＭを作ることができる。
た４種類のＲＯＭ書き込み用パターン、すなわち、回路
パターンＡ２．回路パターンＢ３゜回路パターンＣ４，
回路パターンＤ５を、それぞれ、クロムを主成分とした
光学濃度の高い材料で形成し、一体に配列する。これに
より、一工程で４種類のＲＯＭを作ることができる。
発明の効果
本発明によると、ひとつのレチクルに多種の回路パター
ンを配列した場合、たとえば、ｎ個のパターンを配列し
た場合、マスクＲＯＭの製造によって、（ｎ−１）回レ
チクルの交換に要する分だけ効率が向上する。又、レチ
クルの交換にともなうレチクルへのゴミの付着を減少す
ることが出来るとともに、製造工程のばらつきによる各
ＲＯＭコードの素子の良品のばらつきも減少させる効果
を有する。
ンを配列した場合、たとえば、ｎ個のパターンを配列し
た場合、マスクＲＯＭの製造によって、（ｎ−１）回レ
チクルの交換に要する分だけ効率が向上する。又、レチ
クルの交換にともなうレチクルへのゴミの付着を減少す
ることが出来るとともに、製造工程のばらつきによる各
ＲＯＭコードの素子の良品のばらつきも減少させる効果
を有する。
第１図に本発明の実施例レチクルのパターン配列平面図
、第２図は従来例レチクルのパターン配列平面図である
。 １・・・・・・レチクル基板、２・・・・・・回路パタ
ーンＡ、３・・・・・・回路パターンＢ、４・・・・・
・回路パターンＣ１５・・・・・・回路パターンＤ０ 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名／−−−レ
千りル某オ瓦 ２−一一回外／マターンＡ ３−一一回ア各、パターンδ ４−ン回銘〜パターンＣ 第 １ 図 ５−−一回倦バ７−ン
ｐ第２図 ？
、第２図は従来例レチクルのパターン配列平面図である
。 １・・・・・・レチクル基板、２・・・・・・回路パタ
ーンＡ、３・・・・・・回路パターンＢ、４・・・・・
・回路パターンＣ１５・・・・・・回路パターンＤ０ 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名／−−−レ
千りル某オ瓦 ２−一一回外／マターンＡ ３−一一回ア各、パターンδ ４−ン回銘〜パターンＣ 第 １ 図 ５−−一回倦バ７−ン
ｐ第２図 ？
Claims (1)
- ひとつのレチクル上に複数個の異なったチップパター
ンを配列したことを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62070658A JPS63236045A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62070658A JPS63236045A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236045A true JPS63236045A (ja) | 1988-09-30 |
Family
ID=13437973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62070658A Pending JPS63236045A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63236045A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10317893A1 (de) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Infineon Technologies Ag | Maskierungsanordnung und Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungsanordnungen |
| US8513777B2 (en) | 2008-06-27 | 2013-08-20 | Fujitsu Semiconductor Limited | Method and apparatus for generating reticle data |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP62070658A patent/JPS63236045A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10317893A1 (de) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Infineon Technologies Ag | Maskierungsanordnung und Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungsanordnungen |
| US8513777B2 (en) | 2008-06-27 | 2013-08-20 | Fujitsu Semiconductor Limited | Method and apparatus for generating reticle data |
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