JPS63229824A - ベ−キング装置 - Google Patents

ベ−キング装置

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JPS63229824A
JPS63229824A JP6529387A JP6529387A JPS63229824A JP S63229824 A JPS63229824 A JP S63229824A JP 6529387 A JP6529387 A JP 6529387A JP 6529387 A JP6529387 A JP 6529387A JP S63229824 A JPS63229824 A JP S63229824A
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JP
Japan
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heat
cover
stage
semiconductor wafer
baking
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JP6529387A
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JP2511668B2 (ja
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Masabumi Mukoyama
向山 正文
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、被処理基板をベーク処理するベーキング装置
に関する。
(従来の技術) 半導体集積回路の製造におけるプリベーク工程は、フォ
トレジスト塗布膜中の溶剤を揮発させ、感光装置で照射
される紫外線による先住反応効率を高めるために行なっ
ている。このようなベーク処理にホットプレート・オー
ブンが使用されている。
第2図は上記ベーク処理をするホットプレート・オーブ
ンを示したもので、半導体ウェハ1を搬送機構である2
本のウオーキング・ビーム2によりステージ3aに搬送
し、例えば30秒程度ベーキングする。そして、上記ウ
オーキング・ビーム2により上記半導体ウェハ1をステ
ージ3bに移動し、再度30秒程度ベーキングする。同
様にステージ3c。
3dでベーキングした後、次工程へ搬送する。
上記半導体ウェハ1をベーキングするステージ38〜3
cは、保温を目的としたカバー(図示せず)により常時
覆われている。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら上記説明の従来のベーキング装置では、保
温を目的としたカバーによりステージが覆われていたた
め、ステージ上における半導体つエバの状態監視ができ
ないという問題点があった。
(発明の目的) この発明は、ステージ温度を保温し、且つ、ステージ上
における半導体ウェハの状態を目視することのできるベ
ーキング装置を髭供するものである。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明は、高温露出部を覆う断熱カバー内部を11視す
るための目視手段を設けたことを特徴とする。
(作 用) 高温露出部を覆う断熱カバー内部を目視するための目視
手段を設けたことにより、断熱カバー内部を常時監視す
ることができるため、上記断熱カバー内部におけるトラ
ブルを大量に出すことなくjJC前に防ぐことが可能と
なる。
(実施例) 以下1本発明装置を半導体製造工程に適用した′AJM
例につき図面を参照して説明する。
被処理基板例えば半導体ウェハ表面にフォトレジストを
塗布した後に、上記フォトレジスト塗布膜中の溶剤を揮
発させ、感光装置で照射される紫外線による化学反応効
率を高めるためのプリベーク処理や、感光処理後の耐エ
ツチング性、接着性強化のためのポストベーク処理に第
1図に示すベーキング装置を使用する。
ベース4の中央部に複数個例えば4個のステージ5が直
線状に配設され、このステージ5の表面に半導体ウェハ
6を保持例えば吸着保持可能に設けられている。上記ス
テージ5には1図示しない温度制御機構により温調自在
に設けられている。
また、直線状に配設された4個のステージ5には。
直線状i#17が上記4個のステージ5に2水平行に設
けられている。この2本の溝7内に半導体ウェハ6を搬
送するためのウオーキング・ビーム8が複数枚の半導体
ウェハ6を同時搬送可能に設けられている。上記ステー
ジ5の対向部には保温用のカバー9が設けられている。
このカバー9は底面端部が突しており、上記ベース4と
係合する如く設けられている。このカバー9は、外部か
らステージ5を目視可能な如く、上記ステージ5の対向
面に透明な対耐ガラス10が設けられ、この耐熱ガラス
lOの上部には複数の開孔のある保護板!lが設けられ
ている。また、上記カバー9内のrM縁部には断熱材1
2が設けられている。このようにしてベーキング装置が
構成されている。
次に上述したベーキング装置による半導体ウェハのベー
ク処理方法を説明する。
前工程例えばレジスト塗布工程により半導体ウェハ6の
表面にフォトレジストを塗布し、上記フォトレジスト塗
布膜中の溶剤を揮発させ感光装置で照射される紫外線に
よる化学反応効率を高めるプリベーク処理を行なうため
に第1図に示すベーキング装置に半導体ウェハ6を搬送
する0次に上記半導体ウェハ6は、IR7内に設けられ
た2本のウオーキング・ビーム8が上昇し、直線状に配
設された4個のステージ5の第1ステージ5上まで上記
半導体ウェハ6を上記ウオーキング・ビーム8によりス
ライド搬送した後、ウオーキング・ビーム8が下降する
ことにより上記半導体ウエノ16を第1ステージ5上に
alt!EL、、保持例えば吸着保持する。
そして、予め高温例えば120℃程度に加熱されたステ
ージ5により、IIl、l11シた上記半導体ウエノ1
6を例えば30秒加熱する。そして、ウオーキング・ビ
ーム8を上昇し、上記第1ステージ5上の半導体ウェハ
6を第2ステージへ、また、新たに前工程からの半導体
ウェハ6を第1ステージへ上記ウオーキング・ビーム8
により同時にスライド搬送する。そして、上記2枚の半
導体ウェハを例えば30秒程度加熱する。上記操作を第
4ステージ5まで繰り返す、この操作を繰り返すことに
より、上記の4ステ一ジ機構では120秒程程度−クす
ると。
半導体ウェハのベータ処理終了数は1枚になり。
後から30秒ごとに1枚づつベーク処理が終了する。
このベーキングyIIl!が1ステ一ジ機構であると。
半導体ウェハ1枚に対し120秒づつベークしなければ
ならず、スルーブツトが低下するため、ステージ5を複
数個備えたベーキング装置が主に使用されている。
上記ベーキング処理中は、保温を目的としたカバー9が
ステージ5を常時覆っている。このカバー9には、透明
な耐熱ガラスlOが設けられているため、ベーキング処
理中の半導体ウェハ6の状態を常時監視することが可能
になっている。また。
上1足耐熱ガラス10の上部には複数の開孔のある保護
板11が設けられているため、上記耐熱ガラス10を保
護している。そして、上記カバー9内の周縁部には断熱
材12を設けているため、ステージ5の熱によるカバー
9外壁の加熱を防止している。
以上述べたようにこの実施例によれば、カバーに耐熱ガ
ラスを設けたため、ステージ上の半導体ウェハを常時監
視することができる。
また、耐熱ガラスの上部に複数の開孔のある保護板が設
けられているため、上記耐熱ガラスの破損等から保護し
ている。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、高温露出部を覆う
断熱カバー内部を目視するための目視手段を設けたこと
により、断熱カバー内部を常時監視することができるた
め、上記断熱カバー内部におけるトラブルを大量に出す
ことなく事前に防ぐことができ、ひいては製品歩留まり
の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の一実施例を説明するためのベーキ
ング装置の構成図、第2図は従来のベーキング方法を説
明するためのベーキング装置の構成図を示すものである
。 5・・・ステージ、      6・・・半導体ウェハ
。 8・・・ウオーキング・ビーム、9・・・カバー、lO
・・耐熱ガラス、11・・・保護板。 12・・・断熱材。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)高温露出部を断熱カバーで覆ったベーキング装置
    において、上記カバー内部を目視するための目視手段を
    設けたことを特徴とするベーキング装置。
  2. (2)目視手段は透明な目視窓をカバーに設けたことを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載のベーキング装置
  3. (3)目視手段は透明な耐熱ガラスである特許請求の範
    囲第1項記載のベーキング装置。
JP62065293A 1987-03-19 1987-03-19 ベ−キング装置 Expired - Lifetime JP2511668B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007214367A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置,熱処理方法及びプログラム

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JPS4955574A (ja) * 1972-10-04 1974-05-29
JPS57194054U (ja) * 1981-06-05 1982-12-09
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JPS5851520A (ja) * 1981-07-17 1983-03-26 ウエスタ−ン エレクトリツク カムパニ−,インコ−ポレ−テツド 電子デバイスの製造方法

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