JPS6322726B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6322726B2 JPS6322726B2 JP12719382A JP12719382A JPS6322726B2 JP S6322726 B2 JPS6322726 B2 JP S6322726B2 JP 12719382 A JP12719382 A JP 12719382A JP 12719382 A JP12719382 A JP 12719382A JP S6322726 B2 JPS6322726 B2 JP S6322726B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- strip
- slot
- coupled
- strip line
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/19—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port of the junction type
- H01P5/20—Magic-T junctions
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波信号送受信機に用いるに適する
ハイブリツド回路に関する。特に、ストリツプ・
スロツト結合を用いたマイクロ集積回路(MIC)
による180゜ハイブリツド回路に関するものであ
る。
ハイブリツド回路に関する。特に、ストリツプ・
スロツト結合を用いたマイクロ集積回路(MIC)
による180゜ハイブリツド回路に関するものであ
る。
MIC化した180゜ハイブリツド回路(マジツク
T)は従来からいくつか考案されている。第1図
は結合スロツト線路を用いたマジツクTの従来例
で、その実線で示したものは絶縁基板の表面に形
成されたマイクロストリツプ線路、破線で示した
ものは絶縁基板の裏面に形成されたスロツト線路
である。端子1から与えられた信号は基板を貫通
するビス6および7を介して端子3および4へ互
いに同相で分配される。一方、端子2より与えら
れた信号は結合スロツト線路5と絶縁基板を介し
て結合し、端子3および4に互いに逆相で分配さ
れる。
T)は従来からいくつか考案されている。第1図
は結合スロツト線路を用いたマジツクTの従来例
で、その実線で示したものは絶縁基板の表面に形
成されたマイクロストリツプ線路、破線で示した
ものは絶縁基板の裏面に形成されたスロツト線路
である。端子1から与えられた信号は基板を貫通
するビス6および7を介して端子3および4へ互
いに同相で分配される。一方、端子2より与えら
れた信号は結合スロツト線路5と絶縁基板を介し
て結合し、端子3および4に互いに逆相で分配さ
れる。
このような回路は基板への穴あけ、貫通ビスの
埋め込み、回路接続という製造工程を要するとと
もに、この貫通ビスのため高周波信号に対する特
性が悪化しやすく、さらに端子2から加えられた
信号を結合線路5へ正しく逆相に分配し、かつ端
子1および2間のアイソレーシヨンを完全にする
ためには、結合線路5の線路間隔を極めて小さく
しなければならない欠点がある。
埋め込み、回路接続という製造工程を要するとと
もに、この貫通ビスのため高周波信号に対する特
性が悪化しやすく、さらに端子2から加えられた
信号を結合線路5へ正しく逆相に分配し、かつ端
子1および2間のアイソレーシヨンを完全にする
ためには、結合線路5の線路間隔を極めて小さく
しなければならない欠点がある。
本発明はこれらの欠点を解決するもので、スト
リツプ・スロツト結合線路を用い、貫通ビスを使
わず、特性の優れた180゜ハイブリツド回路を提案
することを目的とする。
リツプ・スロツト結合線路を用い、貫通ビスを使
わず、特性の優れた180゜ハイブリツド回路を提案
することを目的とする。
本発明は、裏面に接地導体が形成された絶縁基
板と、この絶縁基板の表面にそれぞれ上記接地導
体に対向して形成された細長い導体からなる第一
ないし第四のストリツプ線路と、上記絶縁基板の
裏面に形成され、上記第一のストリツプ線路の信
号を上記第三および上記第四のストリツプ線路に
互いに同相に結合させ、上記第二のストリツプ線
路の信号を上記第三および上記第四のストリツプ
線路に互いに逆相に接続させるスロツト線路とを
備えたマイクロ集積回路化ハイブリツド回路にお
いて、上記スロツト線路は1本の直線状であり、
上記第一のストリツプ線路の端部は上記スロツト
線路の一端から電気的にほぼ4分の1波長の長さ
にわたり重なる第一の結合線路を形成し、上記第
二のストリツプ線路はその一端から電気的にほぼ
4分の1波長の点で上記第一のストリツプ線路の
端部近傍において上記スロツト線路と交差結合さ
れ、この第二のストリツプ線路を介する上記結合
線路との対称位置に上記スロツト線路に対向して
設けられた導体とこのスロツト線路により第二の
結合線路を形成し、上記第三のストリツプ線路お
よび上記第四のストリツプ線路は上記スロツト線
路の電気的開放を形成する位置で上記第二の結合
線路の導体と連結され、上記第一の結合線路の上
記第二のストリツプ線路への近接点と上記第二の
結合線路の上記第二のストリツプ線路への近接点
とが上記第二のストリツプ線路をまたぐ金属ワイ
ヤにより接続されたことを特徴とする。
板と、この絶縁基板の表面にそれぞれ上記接地導
体に対向して形成された細長い導体からなる第一
ないし第四のストリツプ線路と、上記絶縁基板の
裏面に形成され、上記第一のストリツプ線路の信
号を上記第三および上記第四のストリツプ線路に
互いに同相に結合させ、上記第二のストリツプ線
路の信号を上記第三および上記第四のストリツプ
線路に互いに逆相に接続させるスロツト線路とを
備えたマイクロ集積回路化ハイブリツド回路にお
いて、上記スロツト線路は1本の直線状であり、
上記第一のストリツプ線路の端部は上記スロツト
線路の一端から電気的にほぼ4分の1波長の長さ
にわたり重なる第一の結合線路を形成し、上記第
二のストリツプ線路はその一端から電気的にほぼ
4分の1波長の点で上記第一のストリツプ線路の
端部近傍において上記スロツト線路と交差結合さ
れ、この第二のストリツプ線路を介する上記結合
線路との対称位置に上記スロツト線路に対向して
設けられた導体とこのスロツト線路により第二の
結合線路を形成し、上記第三のストリツプ線路お
よび上記第四のストリツプ線路は上記スロツト線
路の電気的開放を形成する位置で上記第二の結合
線路の導体と連結され、上記第一の結合線路の上
記第二のストリツプ線路への近接点と上記第二の
結合線路の上記第二のストリツプ線路への近接点
とが上記第二のストリツプ線路をまたぐ金属ワイ
ヤにより接続されたことを特徴とする。
第2図は本発明実施例回路の構造図である。符
号1〜4はハイブリツド回路の入出力端子であ
り、それぞれ絶縁基板の表面に形成された導体の
ストリツプ線路である。この絶縁基板の裏面は破
線で示すごく一部を除いて一面に接地導体面が形
成されている。
号1〜4はハイブリツド回路の入出力端子であ
り、それぞれ絶縁基板の表面に形成された導体の
ストリツプ線路である。この絶縁基板の裏面は破
線で示すごく一部を除いて一面に接地導体面が形
成されている。
すなわち、端子1に連なるストリツプ線路は直
線状であり、その一端部でやや間隔を置いてその
端部からほぼ4分の1波長の点でほぼ直角に交差
するように、端子2に連なるストリツプ線路が設
けられる。さらに、この端子2に連なるストリツ
プ線路を介して端子1と反対側に、T字形のスト
リツプ線路が設けられ、この直線状の両端が端子
3および4に連なる。
線状であり、その一端部でやや間隔を置いてその
端部からほぼ4分の1波長の点でほぼ直角に交差
するように、端子2に連なるストリツプ線路が設
けられる。さらに、この端子2に連なるストリツ
プ線路を介して端子1と反対側に、T字形のスト
リツプ線路が設けられ、この直線状の両端が端子
3および4に連なる。
ここで、第2図に破線で示す部分は絶縁基板の
裏面の状態を表わし、図の符号8および9の部分
で、表面のストリツプ線路と対向するように、表
面のストリツプ線路に平行に、かつ、望ましくは
表面のストリツプ線路より細幅に、裏面の接地導
体が削除されて、スロツト線路が形成される。こ
の構造により、表面のストリツプ線路と裏面のス
ロツト線路とが相互に結合して、符号8および9
の部分はストリツプ・スロツト結合線路となる。
裏面の状態を表わし、図の符号8および9の部分
で、表面のストリツプ線路と対向するように、表
面のストリツプ線路に平行に、かつ、望ましくは
表面のストリツプ線路より細幅に、裏面の接地導
体が削除されて、スロツト線路が形成される。こ
の構造により、表面のストリツプ線路と裏面のス
ロツト線路とが相互に結合して、符号8および9
の部分はストリツプ・スロツト結合線路となる。
さらに、このストリツプ・スロツト結合線路8
および9は、表面で端子2に連なるストリツプ線
路をまたぐようにして、金属ワイヤ10で接続さ
れる。
および9は、表面で端子2に連なるストリツプ線
路をまたぐようにして、金属ワイヤ10で接続さ
れる。
この接続点から端子1の方へ裏面で延びるスロ
ツト線路の長さは約4分の1波長であり、上記T
字形のストリツプ線路の分岐点から裏面でさらに
外に延びるスロツト線路の長さは約4分の1波長
である。
ツト線路の長さは約4分の1波長であり、上記T
字形のストリツプ線路の分岐点から裏面でさらに
外に延びるスロツト線路の長さは約4分の1波長
である。
このような構造の装置では、端子1より加えら
れた比較的周波数の低い信号は、ワイヤ10を通
り端子3および4へ同相で分配される。一方、端
子2より加えられた高周波信号は線路交差を介し
て結合線路9を奇モードで伝搬し、端子3および
4へ逆相分配される。スロツト線路11の右先端
の短絡4分の1波長スロツト線路は等価的に電気
的開放面を形成するためのものである。これは第
1図のようなスロツト空洞12などに置きかえて
もよい。
れた比較的周波数の低い信号は、ワイヤ10を通
り端子3および4へ同相で分配される。一方、端
子2より加えられた高周波信号は線路交差を介し
て結合線路9を奇モードで伝搬し、端子3および
4へ逆相分配される。スロツト線路11の右先端
の短絡4分の1波長スロツト線路は等価的に電気
的開放面を形成するためのものである。これは第
1図のようなスロツト空洞12などに置きかえて
もよい。
このように本装置は第1図の回路と同等に回路
機能を有するものであるが、構成が簡単であり、
基板の表裏を貫通する回路がない。したがつて穴
あけの工程を必要としない。さらに端子1および
2の間のアイソレーシヨンおよび分配位相特性が
良好である優れた特徴をもつ。
機能を有するものであるが、構成が簡単であり、
基板の表裏を貫通する回路がない。したがつて穴
あけの工程を必要としない。さらに端子1および
2の間のアイソレーシヨンおよび分配位相特性が
良好である優れた特徴をもつ。
以上説明したように本発明はストリツプ・スロ
ツト結合線路を用いることにより、基板の貫通孔
を含まない簡単な構造でハイブリツド回路に重要
な良好なアイソレーシヨン特性、分配位相特性が
得られる利点がある。
ツト結合線路を用いることにより、基板の貫通孔
を含まない簡単な構造でハイブリツド回路に重要
な良好なアイソレーシヨン特性、分配位相特性が
得られる利点がある。
第1図は従来例の180゜ハイブリツド回路構造
図。第2図は本発明の実施例回路構造図。 1,2,3,4……ハイブリツド回路入出力端
子、5……結合スロツト線路、6,7……貫通ビ
ス、8,9……ストリツプ・スロツト結合線路、
10……金属ワイヤ、11……スロツト線路、1
2……スロツト空洞。
図。第2図は本発明の実施例回路構造図。 1,2,3,4……ハイブリツド回路入出力端
子、5……結合スロツト線路、6,7……貫通ビ
ス、8,9……ストリツプ・スロツト結合線路、
10……金属ワイヤ、11……スロツト線路、1
2……スロツト空洞。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 裏面に接地導体が形成された絶縁基板と、 この絶縁基板の表面にそれぞれ上記接地導体に
対向して形成された細長い導体からなる第一ない
し第四のストリツプ線路と、 上記絶縁基板の裏面に形成され、上記第一のス
トリツプ線路の信号を上記第三および上記第四の
ストリツプ線路に互いに同相に結合させ、上記第
二のストリツプ線路の信号を上記第三および上記
第四のストリツプ線路に互いに逆相に接続させる
スロツト線路と を備えたマイクロ集積回路化ハイブリツド回路
において、 上記スロツト線路は1本の直線状であり、 上記第一のストリツプ線路1の端部は上記スロ
ツト線路11の一端から電気的にほぼ4分の1波
長の長さにわたり重なる第一の結合線路8を形成
し、 上記第二のストリツプ線路2はその一端から電
気的にほぼ4分の1波長の点で上記第一のストリ
ツプ線路の端部近傍において上記スロツト線路と
交差結合され、 この第二のストリツプ線路2を介する上記結合
線路8との対称位置に上記スロツト線路に対向し
て設けられた導体とこのスロツト線路により第二
の結合線路9を形成し、 上記第三のストリツプ線路3および上記第四の
ストリツプ線路4は上記スロツト線路の電気的開
放を形成する位置で上記第二の結合線路9の導体
と連結され、 上記第一の結合線路8の上記第二のストリツプ
線路への近接点と上記第二の結合線路9の上記第
二のストリツプ線路への近接点とが上記第二のス
トリツプ線路2をまたぐ金属ワイヤ10により接
続された ことを特徴とするマイクロ集積回路化ハイブリツ
ド回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12719382A JPS5917703A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | マイクロ集積回路化ハイブリツド回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12719382A JPS5917703A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | マイクロ集積回路化ハイブリツド回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5917703A JPS5917703A (ja) | 1984-01-30 |
JPS6322726B2 true JPS6322726B2 (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=14953989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12719382A Granted JPS5917703A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | マイクロ集積回路化ハイブリツド回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5917703A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007013809A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 高周波用のバラン |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP12719382A patent/JPS5917703A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5917703A (ja) | 1984-01-30 |
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