JPS63219085A - 顕微鏡像の有効情報と妨害情報の分離方法 - Google Patents
顕微鏡像の有効情報と妨害情報の分離方法Info
- Publication number
- JPS63219085A JPS63219085A JP61229472A JP22947286A JPS63219085A JP S63219085 A JPS63219085 A JP S63219085A JP 61229472 A JP61229472 A JP 61229472A JP 22947286 A JP22947286 A JP 22947286A JP S63219085 A JPS63219085 A JP S63219085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- information
- point
- interfering
- brightness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000000692 Student's t-test Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 238000012353 t test Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/20—Image preprocessing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は顕微鏡簿の有効情報と妨害情報Ｙ自動的に分
離する方法に関するものである。顕微鏡庫としては特に
半導体ウェーへのものが考えられ、この場合ウェーハ特
性の自動検出がその目的となる。
離する方法に関するものである。顕微鏡庫としては特に
半導体ウェーへのものが考えられ、この場合ウェーハ特
性の自動検出がその目的となる。
製作過程中のウェーへの同定に対しては、基材に記号又
は文字？つけて確実に見分けられるようにする。製作過
程の自動化を更に進めるためには、この標識の機械読取
り？可能にするのが有利である。しかし従来の光学読取
り装置は沖識が極端にコントラストが低く、又Ｉ［ＩＩ
ＩｇＩ情報が＆端な妨害を受けているため使用不可能で
ある。記号および文字は反射特性が一様でなく、周縁輪
郭線が淡いことによりその表示はＳＮ比が低く、外部散
乱光による妨害が大きい。従って現在行われている画像
改善とパターンＭＲの方法は、限定された範囲内で採用
されるかあるいは全熱採用不可能である。
は文字？つけて確実に見分けられるようにする。製作過
程の自動化を更に進めるためには、この標識の機械読取
り？可能にするのが有利である。しかし従来の光学読取
り装置は沖識が極端にコントラストが低く、又Ｉ［ＩＩ
ＩｇＩ情報が＆端な妨害を受けているため使用不可能で
ある。記号および文字は反射特性が一様でなく、周縁輪
郭線が淡いことによりその表示はＳＮ比が低く、外部散
乱光による妨害が大きい。従って現在行われている画像
改善とパターンＭＲの方法は、限定された範囲内で採用
されるかあるいは全熱採用不可能である。
製作と測定の過程においては豊富なデータが現われ、こ
れをそれぞれの回路に配属しなければならない。ウェー
ハを測定オートマートの正しい位置に置くことは、ウェ
ーへ上の回路の位置座８Ｉ？通して行われる。これに反
して特定の測定値を生産ラインの個々のオートマートの
間で引き渡し、正しいデバイスに再配属することには間
軸が多い。±の際必要となる操作員の不注意な作業によ
Ｄ、例えば個々のウェーハが取り違えられることがアル
。それにも拘らず測定データと回路の間の明確な対応を
可能にするためには、−餞的なｍＦａｗウェー八につけ
る。これはウェーハの製作の際あるいは第１加エエ稈段
において基板Ｃ：切り込まれる。第１図にはこのような
標識が半導体基板上の単一の数字として示されている。
れをそれぞれの回路に配属しなければならない。ウェー
ハを測定オートマートの正しい位置に置くことは、ウェ
ーへ上の回路の位置座８Ｉ？通して行われる。これに反
して特定の測定値を生産ラインの個々のオートマートの
間で引き渡し、正しいデバイスに再配属することには間
軸が多い。±の際必要となる操作員の不注意な作業によ
Ｄ、例えば個々のウェーハが取り違えられることがアル
。それにも拘らず測定データと回路の間の明確な対応を
可能にするためには、−餞的なｍＦａｗウェー八につけ
る。これはウェーハの製作の際あるいは第１加エエ稈段
において基板Ｃ：切り込まれる。第１図にはこのような
標識が半導体基板上の単一の数字として示されている。
ラニーハラ識別するためには、生産ラインの各機器にお
いてその標識が島い精一度をもって自動的に認定されな
ければならない。それに対してはパターン認識と画像処
理の方法が必要となる。この方法によって文字と記号を
認識する装置は既にドキュメント・リーダー又は全ペー
ジ・リーダーとして市販されているが、これらの慣用の
パターン認識装置の使用はこの発明の対象においては計
測対象画慮の特殊性のため失敗であった。これは第１図
に示すように＠動情報とパックグランドの間のコントラ
ストがベーパードキュメントの緬−イｊ、ｃり著しく低
いことと、ｌｌｌ１ｌ掌では数字又拡記号の輪郭だけが
目に見えることに基く。別の難点は基板パンクグランド
の強い輝度変動である。これらの事実から極輸に不利な
８Ｎ比となる。（この点は第１図のｌｌ１ｌＩ像を単色
像に変換した第４図に明瞭に示されている。）この場合
有効情報と妨害情報の分離は、従来のｉｌ＆像処理技術
の予備処３！Ｉ！法によっては実際上不可能である。
いてその標識が島い精一度をもって自動的に認定されな
ければならない。それに対してはパターン認識と画像処
理の方法が必要となる。この方法によって文字と記号を
認識する装置は既にドキュメント・リーダー又は全ペー
ジ・リーダーとして市販されているが、これらの慣用の
パターン認識装置の使用はこの発明の対象においては計
測対象画慮の特殊性のため失敗であった。これは第１図
に示すように＠動情報とパックグランドの間のコントラ
ストがベーパードキュメントの緬−イｊ、ｃり著しく低
いことと、ｌｌｌ１ｌ掌では数字又拡記号の輪郭だけが
目に見えることに基く。別の難点は基板パンクグランド
の強い輝度変動である。これらの事実から極輸に不利な
８Ｎ比となる。（この点は第１図のｌｌ１ｌＩ像を単色
像に変換した第４図に明瞭に示されている。）この場合
有効情報と妨害情報の分離は、従来のｉｌ＆像処理技術
の予備処３！Ｉ！法によっては実際上不可能である。
（発明が解決しようとする問題点〕
この発明の目的は、上記の過程を製作工程中目動的かつ
確実に進行させることができる顕微鏡像、特に半尋体り
エーへ表面の顕微鏡像中の有効情報と妨害情報の分離方
法を提供することである。
確実に進行させることができる顕微鏡像、特に半尋体り
エーへ表面の顕微鏡像中の有効情報と妨害情報の分離方
法を提供することである。
この目的は特許請求の範囲第１項に特徴として挙げた過
程とすることによって達成される。
程とすることによって達成される。
この発明の１利な実施態様は特許請求の範囲第２項以下
（二示されている。
（二示されている。
図面ヲタ照してこの発明を更に詳細に説明する。
半導体基板表面１：書かれた数字のカメラ撮影隊χ第１
図に示す。このビデオカメラ定量によって得られたｊｆ
Ｉｌｒｉａｖ低域フィルタ？通して第２図に示した低コ
ントラストｌ［Ｉｉ＋隙に変える。その際のグレイ値を
次式： ％式％） によって基準化することによＤ、第１図の原画像が輝度
変動を除かれた画＠（第３図）に変えられる。ここでＢ
ｌ、Ｂ２およびＢ３はそれぞれ第ｌ因、第２図および第
３因の一瞭の互に対応する画素であＤ、ＤとＰは基準化
定数である。定数りによって最大輝度がグレイ値＠０”
に対応するようＣ：なる。定数ＦはＢ３の最も明るい１
１１１１１１１部分が値１２５５”？とるように定めら
れる。これらの定数の決定はテストランによる。輝度変
動ン除かれた画像の画素情報を評価することによＤ、特
定の画素輝度しきい値かあるいは第３図からのグレイ値
ヒストグラムの評価によって求められる可変しきい値乞
採用して第４図に示した単色＠を作る。この単色像中の
妨害部分と有効部分の境界は公知の接点決定法（ドイツ
連邦共和国特許出願公開第３２３８７０６号および第３
２３６３３６号公報参照）に従い、第５図ａ）へｄ）
に示すようにＯ１″、４５°、９０°、１３５°の４方
向に走査する際のＩ点８、分岐点Ｐ、底点Ｂ又は頂点Ｔ
に対するそれぞれの接点によって決め、多角形集団によ
って近似する。そのためには画像内容ｔテストにおいて
プロットできるデータ構造に変換する１第６図）。予め
定められた簡単な評価基準によってデータ構造中に残っ
ている妨害要素がデータ構造によって与えられたディジ
タル１１１１１１記述から消去され、妨害要素を除かれ
た原特性表示構造が無妨害で再構成される（第７因）。
図に示す。このビデオカメラ定量によって得られたｊｆ
Ｉｌｒｉａｖ低域フィルタ？通して第２図に示した低コ
ントラストｌ［Ｉｉ＋隙に変える。その際のグレイ値を
次式： ％式％） によって基準化することによＤ、第１図の原画像が輝度
変動を除かれた画＠（第３図）に変えられる。ここでＢ
ｌ、Ｂ２およびＢ３はそれぞれ第ｌ因、第２図および第
３因の一瞭の互に対応する画素であＤ、ＤとＰは基準化
定数である。定数りによって最大輝度がグレイ値＠０”
に対応するようＣ：なる。定数ＦはＢ３の最も明るい１
１１１１１１１部分が値１２５５”？とるように定めら
れる。これらの定数の決定はテストランによる。輝度変
動ン除かれた画像の画素情報を評価することによＤ、特
定の画素輝度しきい値かあるいは第３図からのグレイ値
ヒストグラムの評価によって求められる可変しきい値乞
採用して第４図に示した単色＠を作る。この単色像中の
妨害部分と有効部分の境界は公知の接点決定法（ドイツ
連邦共和国特許出願公開第３２３８７０６号および第３
２３６３３６号公報参照）に従い、第５図ａ）へｄ）
に示すようにＯ１″、４５°、９０°、１３５°の４方
向に走査する際のＩ点８、分岐点Ｐ、底点Ｂ又は頂点Ｔ
に対するそれぞれの接点によって決め、多角形集団によ
って近似する。そのためには画像内容ｔテストにおいて
プロットできるデータ構造に変換する１第６図）。予め
定められた簡単な評価基準によってデータ構造中に残っ
ている妨害要素がデータ構造によって与えられたディジ
タル１１１１１１記述から消去され、妨害要素を除かれ
た原特性表示構造が無妨害で再構成される（第７因）。
この無妨害特性表示構造から自動特性認知と製作過程に
おいて必要となる特徴を引き出すことができる。
おいて必要となる特徴を引き出すことができる。
この発明の有利な展開によれば、第】図の原画像が一辺
の長さが１１画素に等しい正方形フィルタ？使用して第
２図の低コントラスト画潅に移される。
の長さが１１画素に等しい正方形フィルタ？使用して第
２図の低コントラスト画潅に移される。
この発明は更に上記の過程全計算機料ａ″ｒることを提
案する。
案する。
第１図は半導体基板上の数字のビデオカメラ撮影像、第
２図は第１図の画像を低域フィルタを通して変換したも
の、第３図は第１図と第２図のｌｌｌ１ｌ師の利合せか
ら輝度基準化により基板パックグランドの輝度変動？除
いた１Ｉｉｌｌ師、第４図は固定画欲しきい値を採用し
て第３図の画像から形成された１１１１１１域、第５図
ａ）〜ｄ）は特性表示記号の周縁を４方向走査すること
により接点を決定する方法の概略図、第６図に計算機に
記憶されたデータ構造のプロッタＣ：よる再構成を示す
図面、第７図はデータ構造から再構成され清浄化された
記号情Ｎ’？表わす画像である。 １ｆｉｌ１８）代理人ブＴ埋上冨村 深ＹＩ”菅−一 〇 工 へ 匡 ＩＧ ５ ２） ト） ｃ）
ｅ１ノ手続補正書（放） 、 昭和６２年 ２月 ５日 １、事件の表示 特願昭６１−２２９４７２２、発明
の名称 顕微鏡像の有効情報と妨害情報の分離方法３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 ドイツ連邦共和国ベルリン及ミュンヘン（番地
なし） 名 称 シーメンス、アクチェンゲゼルシャフト４、代
理人■１１２ 住 所 東京都文京区大塚４−１６−１２（１）図面第
１図ないし第７図を別紙のとおり補正する。 （図面の浄書、内容に変更なし） （２）明細書第９頁第６行ないし第１８行の図面の簡単
な説明の欄を次のとおり補正する。 「４、図面の簡単な説明 第１図は半導体基板上の数字のビデオカメラ撮影像を表
わした図、第２図は第１図の画像を低域フィルタを通し
て変換したものを表わした図、第３図は第１図と第２図
の画像の組合せから輝度基準化により基板バックグラン
ドの輝度変動を除いた画像を表わした図、第４図は固定
画像しきい値を採用して第３図の画像から形成された画
像を表わした図、第５図ａ）〜ｄ）は特性表示記号の周
縁を４方向走査することにより接点を決定する方法の概
略図、第６図は計算機に記憶されたデータ構造のプロッ
タによる再構成を示す図、第７図はデータ構造から再構
成され清浄化された記号情報を表わす画像図である。」
２図は第１図の画像を低域フィルタを通して変換したも
の、第３図は第１図と第２図のｌｌｌ１ｌ師の利合せか
ら輝度基準化により基板パックグランドの輝度変動？除
いた１Ｉｉｌｌ師、第４図は固定画欲しきい値を採用し
て第３図の画像から形成された１１１１１１域、第５図
ａ）〜ｄ）は特性表示記号の周縁を４方向走査すること
により接点を決定する方法の概略図、第６図に計算機に
記憶されたデータ構造のプロッタＣ：よる再構成を示す
図面、第７図はデータ構造から再構成され清浄化された
記号情Ｎ’？表わす画像である。 １ｆｉｌ１８）代理人ブＴ埋上冨村 深ＹＩ”菅−一 〇 工 へ 匡 ＩＧ ５ ２） ト） ｃ）
ｅ１ノ手続補正書（放） 、 昭和６２年 ２月 ５日 １、事件の表示 特願昭６１−２２９４７２２、発明
の名称 顕微鏡像の有効情報と妨害情報の分離方法３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 ドイツ連邦共和国ベルリン及ミュンヘン（番地
なし） 名 称 シーメンス、アクチェンゲゼルシャフト４、代
理人■１１２ 住 所 東京都文京区大塚４−１６−１２（１）図面第
１図ないし第７図を別紙のとおり補正する。 （図面の浄書、内容に変更なし） （２）明細書第９頁第６行ないし第１８行の図面の簡単
な説明の欄を次のとおり補正する。 「４、図面の簡単な説明 第１図は半導体基板上の数字のビデオカメラ撮影像を表
わした図、第２図は第１図の画像を低域フィルタを通し
て変換したものを表わした図、第３図は第１図と第２図
の画像の組合せから輝度基準化により基板バックグラン
ドの輝度変動を除いた画像を表わした図、第４図は固定
画像しきい値を採用して第３図の画像から形成された画
像を表わした図、第５図ａ）〜ｄ）は特性表示記号の周
縁を４方向走査することにより接点を決定する方法の概
略図、第６図は計算機に記憶されたデータ構造のプロッ
タによる再構成を示す図、第７図はデータ構造から再構
成され清浄化された記号情報を表わす画像図である。」
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ａ）目的とする顕微鏡像をビデオカメラを使用して
走査すること、 ｂ）この走査によって生じた画像（第１図）を低域フィ
ルタを通して低コントラスト像（第２図）に変えること
、 ｃ）この像のグレイ値を公式 Ｂ３＝（Ｂ１／Ｂ２−Ｄ）Ｆ Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３：各画像の互に対応する画素 Ｄ、Ｆ：基準化定数に従って基準化することにより、原
画像（第１図）を妨害輝度変動を除かれた画像（第３図
）に変えること、 ｄ）輝度変動を除かれた画像（第３図）の画素情報を予
め定められた画素輝度しきい値を用いて評価することに
より単色像（第４図）を作り上げること、 ｅ）接点決定法（第５図）に従い単色像（第４図）中の
妨害部と有効部の境界上で鞍点（Ｓ）と分岐点（Ｆ）と
下点（Ｂ）および上点（Ｔ）を０°、４５°、９０°、
１３５°の４方向走査によって決定して多角形集団で近
似しその際画素内容はテスト目的をもってプロットされ
ること（第６図）、 ｆ）予め定められた単純な評価基準に従ってデータ構造
中になお残存する妨害要素をデータ構造によって与えら
れたディジタル画像記述から消去して、元来の妨害要素
を含まない特性表示構造がほとんど妨害を受けることな
く再生されること（第７図）、 ｇ）この無妨害特性表示から自動特性検知のための標識
が導かれることを特徴とする顕微鏡像中の有効情報と妨
害 情報を自動的に分離する方法。 ２）原画像（第１図）の低コントラスト画像（第２図）
への移行が一辺の長さが１１画素（ピクセル）の方形フ
ィルタによって行われることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の方法。 ３）各段階が計算機制御されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の方法。 ４）輝度変動を除かれた画像が可変しきい値をもって単
色像に変えられ、その際可変しきい値が輝度変動を除か
れた画像のグレイ値ヒストグラムから求められることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3534911 | 1985-09-30 | ||
| DE3534911.5 | 1985-09-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63219085A true JPS63219085A (ja) | 1988-09-12 |
Family
ID=6282410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61229472A Pending JPS63219085A (ja) | 1985-09-30 | 1986-09-27 | 顕微鏡像の有効情報と妨害情報の分離方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4790027A (ja) |
| EP (1) | EP0217118A3 (ja) |
| JP (1) | JPS63219085A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2696211B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1998-01-14 | 株式会社日立製作所 | 濃淡画像からのパターン認識方法及び装置 |
| DE3923449A1 (de) * | 1989-07-15 | 1991-01-24 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zum bestimmen von kanten in bildern |
| JP2655729B2 (ja) * | 1989-08-30 | 1997-09-24 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置及び方法 |
| US5086477A (en) * | 1990-08-07 | 1992-02-04 | Northwest Technology Corp. | Automated system for extracting design and layout information from an integrated circuit |
| US5181254A (en) * | 1990-12-14 | 1993-01-19 | Westinghouse Electric Corp. | Method for automatically identifying targets in sonar images |
| JP3034975B2 (ja) * | 1991-03-26 | 2000-04-17 | 株式会社東芝 | パターン特徴抽出方法 |
| US5359670A (en) * | 1993-03-26 | 1994-10-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for identifying a signal containing symmetry in the presence of noise |
| JPH06325181A (ja) * | 1993-05-17 | 1994-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | パターン認識方法 |
| US5493539A (en) * | 1994-03-11 | 1996-02-20 | Westinghouse Electric Corporation | Two-stage detection and discrimination system for side scan sonar equipment |
| US5493619A (en) * | 1994-03-11 | 1996-02-20 | Haley; Paul H. | Normalization method for eliminating false detections in side scan sonar images |
| US5694481A (en) * | 1995-04-12 | 1997-12-02 | Semiconductor Insights Inc. | Automated design analysis system for generating circuit schematics from high magnification images of an integrated circuit |
| US5933521A (en) * | 1997-06-23 | 1999-08-03 | Pasic Engineering, Inc. | Wafer reader including a mirror assembly for reading wafer scribes without displacing wafers |
| US20040161153A1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-08-19 | Michael Lindenbaum | Context-based detection of structured defects in an image |
| DE102005061834B4 (de) * | 2005-12-23 | 2007-11-08 | Ioss Intelligente Optische Sensoren & Systeme Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum optischen Prüfen einer Oberfläche |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4433438A (en) * | 1981-11-25 | 1984-02-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Sobel edge extraction circuit for image processing |
| DE3236336A1 (de) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur darstellung von druckvorlagen in form von groessen- und drehlagenunabhaengigen bogenstrukturen zum zwecke einer dokumentenanalyse, insbesondere zur schriftzeichenerkennung |
| GB2161006B (en) * | 1984-04-27 | 1988-02-10 | Canon Kk | Character recognition apparatus |
-
1986
- 1986-08-25 EP EP86111733A patent/EP0217118A3/de not_active Ceased
- 1986-08-28 US US06/901,390 patent/US4790027A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-09-27 JP JP61229472A patent/JPS63219085A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0217118A2 (de) | 1987-04-08 |
| US4790027A (en) | 1988-12-06 |
| EP0217118A3 (de) | 1990-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63219085A (ja) | 顕微鏡像の有効情報と妨害情報の分離方法 | |
| US6198529B1 (en) | Automated inspection system for metallic surfaces | |
| US8055055B2 (en) | Method for inspecting a foreign matter on mirror-finished substrate | |
| JPS60501429A (ja) | 物体の認識方法 | |
| EP0493657B1 (en) | Method and apparatus for identifying manufacturing defects in solid state devices | |
| JPS58215541A (ja) | 自動的光学検査方法 | |
| KR100997415B1 (ko) | 화상 이치화 방법, 화상 처리 장치 및 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 | |
| JP2010091361A (ja) | 画像検査方法および画像検査装置 | |
| US20090096462A1 (en) | Wafer testing method | |
| JPH09199560A (ja) | 半導体基板表面欠陥の検査方法及びその自動検査装置 | |
| KR960006192B1 (ko) | 패턴인식방법 | |
| JPH04279041A (ja) | パターン欠陥検出方法 | |
| JP3849781B2 (ja) | 押し込み型硬度計 | |
| JPS63114231A (ja) | ウエハ−検査装置 | |
| JPH06258224A (ja) | セラミック基板の焼結状態監視方法および装置 | |
| JPH02268372A (ja) | マーク検出方法 | |
| JP3575551B2 (ja) | 残渣の検査方法 | |
| JP2843389B2 (ja) | ボンディングボール検査装置 | |
| JP2000294612A (ja) | チップレイアウト生成方法およびその装置 | |
| JP3210713B2 (ja) | 所定の特徴及び許容差の識別のための画像化パターンの収縮、拡張及び処理を用いた幾何学的パターン検査方法及び装置 | |
| JPH0125104B2 (ja) | ||
| JPS59123241A (ja) | 半導体集積回路の不良解析方法 | |
| JPH07111284A (ja) | 接触判定方法 | |
| JP2023024148A (ja) | 画像処理装置、画像処理方法、および画像処理プログラム | |
| JP4542175B2 (ja) | アシストパターン識別装置及び試料検査装置 |