JP3575551B2 - 残渣の検査方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は,フィルムキャリア等にエッチングにより形成されたパタ−ンを自動的に検査する方法に関するもので,特に,パタ−ンとパタ−ンとの間に存在する銅残等の残渣の検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来,IC,LSIの実装に用いられるフィルムキャリアは,厚さ75〜125μm程度のポリイミドフィルムの上に,銅箔を接着剤で貼り付け,両面にフォトレジストを塗布し,マスク露光,現像,エッチングを行ってリ−ドのパタ−ンが形成されている。
【0003】
このようにしてパタ−ンを形成した後,フォトレジストが除去され,リ−ドの表面にSn,Au,半田メッキ処理を行ってフィルムキャリア工程が終了する。この工程終了後,顕微鏡を用いて人間により目視でパタ−ンの検査が行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする問題点】
このように,微細なパタ−ンを目視で検査するには,熟練を要するとともに,目を酷使する結果となる等の問題があった。
一方,目視検査に代わるものとして,パタ−ンをTVカメラで撮像し,基準パタ−ンとして被測定パタ−ンとの一致率をもとにして検査を行うパタ−ンマッチング手法によることも考えられる。しかしながら,一致率は下式で表されるように,画素単位の計測であり,フィルムキャリアのような微細なパタ−ンの検査には不向きである。
一致率={(全体の画素−一致していない画素)/(全体の画素)}×100%又,エッチング処理によりパタ−ンが形成されているので,パタ−ンとパタ−ンとの間に銅残のような残渣が存在する場合には,設計通りのパタ−ン間隔が得られず,パタ−ンとパタ−ンとが短絡する原因となっていた。
【0005】
【問題点を解決するための手段】
この発明は,被測定パタ−ンの間隙に存在する前記残渣の大きさを初期設定し,被測定パタ−ンの画像デ−タを画像メモリに記憶するとともに,これを二値化処理し,検査範囲を設定して,この検査範囲内の被測定パターンの境界を追跡してラベリングし,この被測定パタ−ンのラベリングデ−タとマスタパタ−ンのラベリングデ−タとを比較して,マスタパタ−ンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを残渣と認識して抽出し,この残渣と認識されたラベリングデ−タの内,検査範囲のいずれの辺にも接していないラベリングデ−タを抽出してその大きさを求め,このラベリングデ−タが初期設定した残渣の大きさ以上の場合を残渣として被測定パタ−ンを不良品と判定するようにしたものである。
【0006】
パターンとパターンとの最小間隔を判定基準値として初期設定し,被測定パターンの画像デ−タを画像メモリに記憶するとともに,これを二値化処理し,検査範囲を設定して,この検査範囲内の被測定パターンの境界を追跡してラベリングし,検査範囲のいずれかの辺に接している接辺デ−タを求め,この接辺デ−タをマスタパターンの接辺デ−タと比較して前記マスタパターンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを残渣と認識して抽出し,この残渣と認識されたラベリングデ−タから,残渣のパターンの大きさを求め,この残渣の大きさが,初期設定したパターンとパターンとの最小間隔より大きい場合を残渣として被測定パターンを不良品と判定するようにしている。
【0007】
又,被測定パタ−ンの最小間隔の判定基準値を初期設定し,被測定パタ−ンの画像デ−タを画像メモリに記憶するとともに,これを二値化処理し,検査範囲を設定して,この検査範囲内の被測定パタ−ンの境界を追跡してラベリングし,この被測定パタ−ンのラベリングデ−タとマスタパタ−ンのラベリングデ−タとを比較して,マスタパタ−ンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを残渣と認識して抽出し,この残渣と認識されたラベリングデ−タのみを他の画像メモリに転送して記憶し,被測定パタ−ンのみのラベリングデ−タを,初期設定した最小間隔になるように被測定パタ−ンを膨張処理し,この膨張処理された被測定パタ−ンのラベリングデ−タと他の画像メモリに記憶されている残渣のラベリングデ−タとを画像メモリ間でANDをとり,その結果,ラベリングデ−タが検出された時を不良品,検出されなかった時を良品と判定するようにしたものである。
【0008】
【作用】
設定された検査範囲内のマスタパタ−ンと被測定パタ−ンとのラベリングデ−タを比較して,マスタパタ−ンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを残渣として認識して抽出し,この抽出されたラベリングデ−タの内,検査範囲のいずれの辺にも接していないラベリングデ−タと,検査範囲の辺のいずれかに接しているラベリングデ−タを分類する。
次いで,パタ−ンとパタ−ンとの間隙に存在する残渣の場合には,その大きさを求め,この値が初期設定した残渣の大きさ以上の場合を残渣と判定して不良品と判定する。
【0009】
検査範囲内のいずれかの辺に接している残渣の場合には,残渣と認識した接辺デ−タを求め,この接辺デ−タを初期設定されている最小間隔の判定基準値より大きい場合を残渣と判定して被測定パタ−ンを不良品と判定する。
【0010】
又,残渣として認識された対象物としてのラベリングデ−タのみを他の画像メモリに転送し,残った被測定パタ−ンのみのラベリングデ−タを初期設定した最小間隔,即ち,判定基準値となるように被測定パタ−ンを膨張処理した後,他の画像メモリに記憶されている残渣の画像と被測定パタ−ンの画像との間で,画像メモリ間でANDをとり,残渣が判定基準値より大の時は,被測定パタ−ンのデ−タと残渣のデ−タとがANDされた箇所のラベリングデ−タのみが検出されるから,この場合は不良品と判定される。
残渣が小さい時は,対象物のラベリングデ−タは検出されないので,この場合は,良品と判定される。
【0011】
【発明の実施例1】
この発明の実施例を,図1〜図4に基づいて詳細に説明する。
図1はこの発明の実施例を示す処理フロ−,図2は構成図,図3はラベリング回路の構成図,図4,図5はそれぞれ検査範囲内におけるパタ−ンおよび残渣を示す図,図6〜図8は説明図である。
【0012】
まず,具体的なパターン検査装置について,図2に示す構成図および図3に示すラベリング回路の構成図に基づいて説明する。
図2において,1は撮像装置,2はA/D変換器,3は二値化処理回路,4はラベリング回路,5はCPUで,基準パターンとして基準デ−タメモリ6に登録されているマスタパターンと被測定パターンとのラベリングデ−タを比較演算して,図4,図5に示すように,マスタパターンMのラベリングデ−タ以外のデ−タを残渣8,9(以下,銅残8,9と記す)として認識して抽出する。さらに,図4に示すように,初期設定されている銅残8の大きさbが,それぞれ残渣として抽出されたラベリングデータから求めた残渣のパターンの間隔と比較演算される。同様に,後述する実施例2においては,図5に示すように,初期設定されているパターン10とパターン10との最小間隔aが,それぞれ残渣として抽出されたラベリングデータから求めた残渣のパターンの間隔と比較演算される。
【0013】
7は判定結果表示部で,CPU5で比較演算された結果から,被測定パタ−ンの良品,不良品を判定し,その結果が表示される。11は画像メモリで,被測定パタ−ンのデジタル信号に変換された濃淡画像が一時格納される。
【0014】
図3において,20はワ−キングメモリで,この実施例では,1フレ−ムが512×480画素の4フレ−ム分格納出来る記憶容量を備えたメモリが用いられている。このワ−キングメモリ20には,二値化処理回路3から二値画像のデ−タ列がF/F回路21およびバッファ−部22を介して入力すると,画像の境界点のみがプロットされる。
【0015】
23は二値画像のデ−タのX座標およびY座標の位置を決定するX−Yアップダウンカウンタ,24はラベルコントロ−ラ,25は境界メモリ26のアドレスを決定するアドレスカウンタである。境界メモリ26には,境界を追跡した点のアドレス(X,Y),即ち,ラベリングデ−タが記憶される。
【0016】
次に,作用動作について,図1〜図8に基づいて説明する。
検査に先立って,良品,不良品の判定基準となるマスタパタ−ンを作成して基準デ−タメモリ6に登録しておかねばならない。
マスタパタ−ンの作成に当たっては,良品と判定されている被測定パタ−ンからマスタパタ−ンが作成され,これはマスタパタ−ン情報として基準デ−タメモリ6に記憶されている。
【0017】
以下,マスタパタ−ンの作成方法について,図6〜図8に基づいて詳細に説明する。
撮像装置1で撮像され,良品と判定されている被測定パタ−ンの濃淡画像は,図6にそのパタ−ンの一部が示され,図7,図8にその拡大図が示されているように,A/D変換器2でデジタル信号に変換された後,二値化処理回路3に入力する。
【0018】
二値化処理回路3においては,図7,図8に示すように,濃淡画像が白→黒,黒→白と変化している点の中点において,しきい値SL と交叉するものとの仮定のもとに,全体画像の濃淡ヒストグラムから二値化処理され,しきい値SL の両隣の白,黒の画素において比例配分でしきい値SL をよぎるX又はY座標値N1 (4.5,2),N2 (5,2.5),N3 (5.5,3)・・・・で示される二値画像のデ−タ列が求められる。
【0019】
この求められた二値画像のデ−タ列が,ラベリング回路4に入力されると,ラベリング回路4内のワ−キングメモリ20の中に画像の境界点のみがプロットされる。
【0020】
次に,検査範囲30を設定する一つの手法として,ウインド(以下,ウインド30と記す)内のパタ−ン10について,ワ−キングメモリ20の内容を1画素づつTVのラスタ方向に走査して,境界点が調べられる。ワ−キングメモリ20から読み出された内容が境界点であった場合には,この時点から,X−Yアップダウンカウンタ23により境界が追跡されるとともに,この追跡した点のアドレス(X,Y),即ちラベリングデ−タが境界メモリ26に次々格納される。
【0021】
このようにして,境界メモリ26に読み込まれたマスタパタ−ンのラベリングデ−タは,基準パタ−ンとして基準デ−タメモリ6に転送され格納される(ステップ40)。
【0022】
次に,被測定パタ−ンについて,実際に残渣である銅残8,9の検査をする場合について図1〜図5に基づいて説明する。
被測定パタ−ンは,リ−ルに巻き取られており,巻出し部(図示せず)から,1コマずつ送り出され,撮像装置1により被測定パタ−ンが撮像される。この時,撮像された画像は,図6に示すような濃淡画像となり,A/D変換器2でデジタル化されて,画像メモリ11に一旦記憶される(ステップ42)。
基準デ−タメモリ6に記憶さているマスタパタ−ンとこの被測定パタ−ンとは,CPU5に読み出され,位置合わせした後,比較,照合されて,被測定パタ−ンが検査される。
【0023】
ここで,銅残が存在する態様としては,(1)図4に示すように,ウインド30のいずれの辺にも接しておらず,パタ−ン10とパタ−ン10との間に存在している場合(銅残8),(2)図5に示すように,ウインド30のいずれかの辺に接して存在している場合(銅残9)とが考えられる。
【0024】
そこで,この実施例1では,(1)銅残8が,図4に示すように,ウインド30のいずれの辺にも接しておらず,パタ−ン10とパタ−ン10との間に独立して存在している場合について,図1〜図4に基づいて説明し,銅残の態様(2)の場合については,実施例2で説明する。
【0025】
ここで,被測定パタ−ンをマスタパタ−ンと比較,照合して検査する場合の前提条件について説明する。
(1)マスタパタ−ンおよび被測定パタ−ンは,ウインド30によってマスクされ,このウインド30の中のパタ−ンのみが検査の対象となる。
(2)ウインド30によって一部分切り出された被測定パタ−ンの内,図4に示すように,マスタパタ−ンにない,例えば,ウインド30の4辺のいづれにも接していないパタ−ン8(銅残)で示される形状のパタ−ン部分は,銅残8として認識する。
(3)検査は,必ず出発点Sからウインド30の4辺を一定方向に回って進められ,最後に出発点Sに戻り,画面の検査が完了する。
【0026】
このような前提条件のもとに,図1に示すように,以下の手順で被測定パタ−ンの検査が行われる。
まず,初期条件として,図4に示す銅残8の大きさの判定基準値が設定される(ステップ41)。
マスタパタ−ンと同様にして,撮像装置1により被測定パタ−ンが撮像され,A/D変換器2でデジタル信号に変換された後,画像メモリ11に一旦記憶される(ステップ42)。
【0027】
画像メモリ11から読み出された被測定パタ−ンの全体画像は,マスタパタ−ンと同様に,二値化処理回路3において,二値化処理されて二値画像のデ−タ列が求められる(ステップ43)。
次に,ウインド30が切られ(ステップ44),このウインド30内のパタ−ン10に対して,求められた二値画像のデ−タ列がラベリング回路4に入力されると,ラベリング回路4内のワ−キングメモリ20の中に被測定パタ−ンの画像の境界点のみがプロットされる。
【0028】
次に,ウインド30内のパタ−ン10について,ワ−キングメモリ20の内容を1画素づつTVのラスタ方向に走査して,境界点が調べられる。ワ−キングメモリ20から読み出された内容が境界点であった場合には,この時点から,X−Yアップダウンカウンタ23により境界が追跡されるとともに,この追跡した点のアドレス(X,Y),即ちラベリングデ−タが境界メモリ26に格納される。
【0029】
1個のパタ−ン10の境界追跡が完了した時点,即ち,境界を追跡し,開始点に戻った時点でバッファ−部22を介してX−Yアップダウンカウンタ23とラベリングコントロ−ラ24との制御のもとに,INTR信号によりCPU5へ割り込みが発生する。この割り込みにより,ソフトウエアは境界のラベリングデ−タを境界メモリ26から引き取る。ソフトウエアがこのラベリングデ−タを引き取っている間に,次のパタ−ンの境界の追跡が開始される。このようにして,被測定パタ−ンは次々とラベリングされる(ステップ45)。
【0030】
このようにして抽出された被測定パタ−ンのラベリングデ−タは,CPU5において,基準パタ−ンとして登録されているマスタパタ−ンと比較され,図4,図5に示すように,マスタパタ−ンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを銅残8,9と認識して抽出される(ステップ46)。
【0031】
次いで,銅残8,9と認識されたパタ−ンについて,図4に示すように,ウインド30の4辺のいづれにも接していない銅残8と,図5に示すように,ウインド30の4辺のいずれかに接している銅残9とが分類され(ステップ47),デ−タが抽出される(ステップ48)。
この分類された結果,銅残8と認識されたパタ−ンについては,その大きさが測定される(ステップ49)。その測定結果は,判定結果表示部7において初期設定されている判定基準値と比較され,銅残8が判定基準値より小さい場合には良品,大きい場合には不良品と判定表示される(ステップ49)。
【0032】
【発明の実施例2】
この実施例では,図5に示すように,銅残9がウインド30のいずれかの辺に接して存在している場合について説明する。
被測定パタ−ンをマスタパタ−ンと比較,照合して検査する場合の前提条件としては,(1)および(3)は実施例1と同様であるから記載を省略する。しかし,実施例1の前提条件(2)とは異なり,以下の前提条件(4)となる。
(4)ウインド30によって一部分切り出された被測定パタ−ンの内,図5に示すように,マスタパタ−ンになく,例えば,ウインド30の4辺のいづれかに接しているパタ−ン9(銅残)で示される形状のパタ−ン部分は,銅残9として認識する。
【0033】
このような前提条件(1),(3),(4)のもとに,以下の手順で被測定パターンの検査が行われる。
実施例1で述べたと同様な手順で,被測定パターンのラベリングデ−タが抽出される。この抽出された被測定パターンのラベリングデ−タの内,ウインド30のいずれかの辺に接している接辺デ−タが求められ,図5に示すように,マスタパターンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タが,銅残9として認識されて抽出される(ステップ50)。
【0034】
次いで,銅残として認識されて抽出されたラベリングデータから,銅残9と認識されたパターンの大きさが求められる。次いで,判定結果表示部7において,この求めた結果と判定基準値として初期設定されている最小間隔,即ち,図5に示すように,初期設定されているパターン10とパターン10との最小間隔aが,それぞれ残渣として抽出されたラベリングデータから求めた残渣のパターンの間隔と比較演算される。その結果,銅残9の大きさが,判定基準値より小さい場合には良品,大きい場合には不良品と判定表示される(ステップ51)。
【0035】
【発明の実施例3】
この発明の第3の実施例を,図9〜図15に基づいて説明する。
図11に示すように,被測定パタ−ンを良品と判定するためには,パタ−ン10の間隔が最小間隔a以上でなければならない。従って,この最小間隔aの間に銅残8,9が存在しないことが良品の条件である。そこで,この実施例では,最小間隔aから被測定パタ−ンの良品,不良品を判定するようにしたものである。
【0036】
図9は第3の実施例を示す処理フロ−,図10は同様に第3の実施例を示す構成図,図11〜図15は処理手順を示す説明図である。
図10において,CPU5は銅残8,9と認識されたデ−タを一時格納する画像メモリ5a,被測定パタ−ンを膨張処理する膨張処理部5b,画像メモリ5aのデ−タと膨張処理部5bの被測定パタ−ンのデ−タとのANDをとるAND回路5cとを備えている。なお,画像メモリ5aは,CPU5に内蔵型ではなく,外部メモリを用いてもよい。
【0037】
上記,実施例1,2と同様に,CPU5において,マスタパタ−ンと被測定パタ−ンとを比較した結果,図13に示すように,マスタパタ−ンにないラベリングデ−タから銅残8,9と認識されたラベリングデ−タは,他の画像メモリ5aに転送され(ステップ60),図12,図13にそれぞれ示すように,被測定パタ−ンのみの画像デ−タと銅残8,9のみの画像デ−タとに分類される。
【0038】
図12に示すように,残ったパタ−ン10は,図14に示すように,CPU5において最小間隔aになるように,最小間隔aの幅分だけのこして,即ち,幅aに相当する幅分膨張処理される(ステップ61)。従って,パタ−ン10’は,図14に示すように,a画素分だけパタ−ンの幅が広くなる。なお,この膨張処理は,この実施例ではCPU5において行っているが,外部回路により実施することも出来る。
【0039】
次いで,画像メモリ5aに格納されている銅残8,9と,図14に示す膨張処理されたパタ−ン10’とは,AND回路5cにおいてANDされる(ステップ62)。
【0040】
この結果,図15に銅残8として示されているように,この銅残8の幅がパタ−ンの最小間隔aより大きい場合には,対象物8a,8bのラベリングデ−タが検出される。又,銅残9のように,その幅がパタ−ンの最小間隔aより小さい場合には,対象物が存在せず,従ってラベリングデ−タは検出されない。しかし,この例では,銅残8が存在するため,パタ−ンの最小間隔aを満足していないので,不良品と判定される(ステップ63)。
【0041】
【発明の効果】
この発明は,被測定パタ−ンの間隙に存在する前記残渣の大きさを初期設定し,被測定パタ−ンの画像デ−タを画像メモリに記憶するとともに,これを二値化処理し,検査範囲を設定して,この検査範囲内の被測定パターンの境界を追跡してラベリングし,この被測定パタ−ンのラベリングデ−タとマスタパタ−ンのラベリングデ−タとを比較して,マスタパタ−ンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを残渣と認識して抽出し,この残渣と認識されたラベリングデ−タの内,検査範囲のいずれの辺にも接していないラベリングデ−タを抽出してその大きさを求め,このラベリングデ−タが初期設定した残渣の大きさ以上の場合を残渣として被測定パタ−ンを不良品と判定し,又,被測定パタ−ンの最小間隔の判定基準値を初期設定し,検査範囲のいずれかの辺に接している接辺デ−タを求め,この接辺デ−タがマスタパタ−ンの接辺デ−タと比較し,マスタパタ−ンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを残渣と認識して抽出し,この残渣と認識されたラベリングデ−タが,初期設定したパタ−ンの最小間隔より大きい場合を残渣として被測定パタ−ンを不良品と判定するようにしたので,従来,人間により目視で行われていた被測定パタ−ンの検査を自動的に行うことが出来るとともに,パタ−ンとパタ−ンとの間に存在する残渣を検出して,その大きさにより被測定パタ−ンの良品,不良品を判定することが出来る。
【0042】
又,残渣を他の画像メモリに転送した後,被測定パタ−ンのみを最小間隔の幅分だけ膨張処理し,この膨張処理したパタ−ンと残渣とをANDするので,いかなる形状のパタ−ンについても,そのパタ−ンの最小間隔の検査を行うことが出来るとともに,この最小間隔から被測定パタ−ンの良品,不良品を判定することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例を示す処理フロ−である。
【図2】この発明の第1および第2の実施例を示す検査装置の構成図である。
【図3】この発明の第1〜第2の実施例で,ラベリング回路の構成図である。
【図4】この発明の第1〜第3の実施例を示すもので,被測定パタ−ンの一部を示す説明図である。
【図5】この発明の第1〜第3の実施例を示すもので,被測定パタ−ンの一部を示す説明図である。
【図6】この発明の第1〜第3の実施例を示すもので,被測定パタ−ンの説明図である。
【図7】この発明の第1〜第3の実施例を示すもので,被測定パタ−ンの説明図である。
【図8】この発明の第1〜第3の実施例を示すもので,図7の拡大図である。
【図9】この発明の第3の実施例を示す処理フロ−である。
【図10】この発明の第3の実施例を示すもので,検査装置の構成図である。
【図11】この発明に第3の実施例を示すもので,被測定パタ−ンの一部を示す説明図である。
【図12】この発明の第3の実施例を示すもので,被測定パタ−ンの一部を示す説明図である。
【図13】この発明に第3の実施例を示すもので,残渣の一部を示す説明図である。
【図14】この発明の第3の実施例を示すもので,膨張処理した被測定パタ−ンの一部を示す説明図である。
【図15】この発明の第3の実施例を示すもので,AND回路の出力画像の一部を示す説明図である。
【符号の説明】
1 撮像装置
2 A/D変換器
3 二値化処理回路
4 ラベリング回路
5 CPU
6 基準パタ−ンメモリ
7 判定結果表示部
8 残渣
9 残渣
10 パタ−ン
11 画像メモリ
30 検査範囲(ウインド)
a 最小間隔
Claims (2)
- 被測定パターンの良品をマスタパターンの濃淡画像として画像メモリに記憶し,この画像メモリに記憶された前記マスタパターンの濃淡ヒストグラムからこれを二値化処理し,境界を追跡してラベリングデ−タを求め,基準パターンとなるマスタパターンを作成し,これをマスタパターン情報として登録し,この登録されたマスタパターンと被測定パターンとを比較して残渣を検査するエッチング残りの検査方法において,
前記被測定パターンの間隙に存在する前記残渣の大きさを初期設定し,
前記被測定パターンの画像デ−タを画像メモリに記憶するとともに,これを二値化処理し,
検査範囲を設定して,この検査範囲内の前記被測定パターンの境界を追跡してラベリングし,
この被測定パターンのラベリングデ−タと前記マスタパターンのラベリングデ−タとを比較して,前記マスタパターンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを残渣と認識して抽出し,
この残渣と認識されたラベリングデ−タの内,前記検査範囲のいずれの辺にも接していないラベリングデ−タを抽出して,その大きさを求め,
このラベリングデ−タが前記初期設定した残渣の大きさ以上の場合を残渣として前記被測定パターンを不良品と判定すること
を特徴とする残渣の検査方法 - 被測定パターンの良品をマスタパターンの濃淡画像として画像メモリに記憶し,この画像メモリに記憶された前記マスタパターンの濃淡ヒストグラムからこれを二値化処理し,境界を追跡してラベリングデ−タを求め,基準パターンとなるマスタパターンを作成し,これをマスタパターン情報として登録し,この登録されたマスタパターンと被測定パターンとを比較して残渣を検査するエッチング残りの検査方法において,
パターンとパターンとの最小間隔を判定基準値として初期設定し,
前記被測定パターンの画像デ−タを画像メモリに記憶するとともに,これを二値化処理し,
検査範囲を設定して,この検査範囲内の前記被測定パターンの境界を追跡してラベリングし,前記検査範囲のいずれかの辺に接している接辺デ−タを求め
この接辺デ−タを前記マスタパターンの接辺デ−タと比較して前記マスタパターンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを残渣と認識して抽出し,
この残渣と認識されたラベリングデ−タから,残渣のパターンの大きさを求め,この残渣のパターンの大きさが,前記初期設定したパターンとパターンとの最小間隔より大きい場合を残渣として前記被測定パターンを不良品と判定すること
を特徴とする残渣の検査方法。
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